JPH06232657A - 高周波増幅器 - Google Patents
高周波増幅器Info
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- JPH06232657A JPH06232657A JP1627493A JP1627493A JPH06232657A JP H06232657 A JPH06232657 A JP H06232657A JP 1627493 A JP1627493 A JP 1627493A JP 1627493 A JP1627493 A JP 1627493A JP H06232657 A JPH06232657 A JP H06232657A
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- high frequency
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/601—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators using FET's, e.g. GaAs FET's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/111—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
Abstract
(57)【要約】
【目的】 一つのＦＥＴを、二つの帯域の高効率増幅に
切替え利用する。 【構成】 入力端子１１とＦＥＴ１３のベースとの間に
マイクロストリップライン２６が接続され、ライン２６
にコンデンサ２７，２８と可変容量ダイオード２９，３
１とをそれぞれ通じてスタブ３２，３３が接続される。
制御端子２４の制御信号でダイオード２９の容量を大と
し、スタブ３２をライン２６に結合した状態でＦＥＴ１
３の入力インピーダンスと帯域Ａで整合するようにな
し、制御端子２５の制御信号でダイオード３１の容量を
大として、スタブ３３をライン２６に結合した状態でＦ
ＥＴ１３の入力インピーダンスと帯域Ｂで整合するよう
にする。図に示していないがＦＥＴ１３のドレインに、
その出力インピーダンスと、帯域Ａの基本波と第２高調
波とで整合する状態と、帯域Ｂの基本波と第２高調波と
で整合した状態とにダイオードスイッチで切替えられる
出力整合回路が接続される。更に同様に帯域Ａの第２高
調波に対する短絡終端と、帯域Ｂの第２高調波に対する
短絡終端と切替えられる位相調整回路が接続される。
切替え利用する。 【構成】 入力端子１１とＦＥＴ１３のベースとの間に
マイクロストリップライン２６が接続され、ライン２６
にコンデンサ２７，２８と可変容量ダイオード２９，３
１とをそれぞれ通じてスタブ３２，３３が接続される。
制御端子２４の制御信号でダイオード２９の容量を大と
し、スタブ３２をライン２６に結合した状態でＦＥＴ１
３の入力インピーダンスと帯域Ａで整合するようにな
し、制御端子２５の制御信号でダイオード３１の容量を
大として、スタブ３３をライン２６に結合した状態でＦ
ＥＴ１３の入力インピーダンスと帯域Ｂで整合するよう
にする。図に示していないがＦＥＴ１３のドレインに、
その出力インピーダンスと、帯域Ａの基本波と第２高調
波とで整合する状態と、帯域Ｂの基本波と第２高調波と
で整合した状態とにダイオードスイッチで切替えられる
出力整合回路が接続される。更に同様に帯域Ａの第２高
調波に対する短絡終端と、帯域Ｂの第２高調波に対する
短絡終端と切替えられる位相調整回路が接続される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は異なる複数の帯域で使
用でき、ＧＨｚ帯以上のような高い周波数帯で高効率動
作する高周波増幅器に関する。
用でき、ＧＨｚ帯以上のような高い周波数帯で高効率動
作する高周波増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、高周波帯の２つの異なる帯域で高
効率増幅を行わせるためには、それぞれの周波数帯にお
いて別々に入力整合回路、ＦＥＴ、出力整合回路及び位
相調整回路を有する独立した増幅器を構成することが必
要であった。高周波帯、特にＧＨｚ帯以上になるとＦＥ
Ｔの価格が高価となる。一方、複数の帯域を同時に増幅
する広帯域増幅器は高い効率が得られない。
効率増幅を行わせるためには、それぞれの周波数帯にお
いて別々に入力整合回路、ＦＥＴ、出力整合回路及び位
相調整回路を有する独立した増幅器を構成することが必
要であった。高周波帯、特にＧＨｚ帯以上になるとＦＥ
Ｔの価格が高価となる。一方、複数の帯域を同時に増幅
する広帯域増幅器は高い効率が得られない。
【０００３】２つの異なる帯域で高効率増幅を行わせる
必要がある場合、それぞれの周波数帯域で、ＦＥＴを共
用して高効率動作できる増幅器を構成することができれ
ば、経済的で小形の装置を実現できる。しかし、これま
ではこのような構成の増幅器は実現されていなかった。
この発明は高周波帯の異なる帯域で、半導体増幅素子を
共用し高効率動作が可能な高周波増幅器を提供すること
を目的とする。
必要がある場合、それぞれの周波数帯域で、ＦＥＴを共
用して高効率動作できる増幅器を構成することができれ
ば、経済的で小形の装置を実現できる。しかし、これま
ではこのような構成の増幅器は実現されていなかった。
この発明は高周波帯の異なる帯域で、半導体増幅素子を
共用し高効率動作が可能な高周波増幅器を提供すること
を目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明によれば、高周
波信号の入力端子に入力整合回路が接続され、その入力
整合回路の出力側に高周波信号の増幅を行う半導体増幅
素子が接続され、その半導体増幅素子の出力側に、上記
高周波信号の基本波及び第２高調波の両方に整合をとっ
た出力整合回路が接続され、その出力整合回路の出力側
に、上記第２高調波を短絡終端させる位相調整回路が接
続され、その位相調整回路の出力側に高周波信号の出力
端子が設けられ、上記入力整合回路は、上記入力端子と
上記半導体増幅素子との間に第１高周波ラインが接続さ
れ、その第１高周波ラインにダイオードスイッチを介し
て少くともスタブが接続されて第１リアクタンス回路が
構成され、上記第１高周波ラインに少くともスタブが接
続されて第２リアクタンス回路が構成されてなり、上記
出力整合回路は、上記半導体増幅素子と上記位相調整回
路との間に第２高周波ラインが接続され、その第２高周
波ラインにダイオードスイッチを介して少くともスタブ
が接続されて第３リアクタンス回路が構成され、上記第
２高周波ラインに少くともスタブが接続されて第４リア
クタンス回路が構成されてなり、上記位相調整回路は、
上記出力整合回路と上記出力端子との間に第３高周波ラ
インが接続され、その第３高周波ラインにダイオードス
イッチを介して少くともスタブが接続されて第５リアク
タンス回路が構成され、上記第３高周波ラインにダイオ
ードスイッチを介して少くともスタブが接続されて第６
リアクタンス回路が構成されてなり、上記第１リアクタ
ンス回路及び上記第３リアクタンス回路は第１周波数帯
でインピーダンス整合作用をなし、上記第２リアクタン
ス回路及び上記第４リアクタンス回路は第２周波数帯で
インピーダンス整合作用をなし、上記第５リアクタンス
回路は上記第１周波数帯で第２高調波短絡終端作用をな
し、上記第６リアクタンス回路は上記第２周波数帯で第
２高調波短絡終端作用をなすようにそれぞれ構成されて
いる。
波信号の入力端子に入力整合回路が接続され、その入力
整合回路の出力側に高周波信号の増幅を行う半導体増幅
素子が接続され、その半導体増幅素子の出力側に、上記
高周波信号の基本波及び第２高調波の両方に整合をとっ
た出力整合回路が接続され、その出力整合回路の出力側
に、上記第２高調波を短絡終端させる位相調整回路が接
続され、その位相調整回路の出力側に高周波信号の出力
端子が設けられ、上記入力整合回路は、上記入力端子と
上記半導体増幅素子との間に第１高周波ラインが接続さ
れ、その第１高周波ラインにダイオードスイッチを介し
て少くともスタブが接続されて第１リアクタンス回路が
構成され、上記第１高周波ラインに少くともスタブが接
続されて第２リアクタンス回路が構成されてなり、上記
出力整合回路は、上記半導体増幅素子と上記位相調整回
路との間に第２高周波ラインが接続され、その第２高周
波ラインにダイオードスイッチを介して少くともスタブ
が接続されて第３リアクタンス回路が構成され、上記第
２高周波ラインに少くともスタブが接続されて第４リア
クタンス回路が構成されてなり、上記位相調整回路は、
上記出力整合回路と上記出力端子との間に第３高周波ラ
インが接続され、その第３高周波ラインにダイオードス
イッチを介して少くともスタブが接続されて第５リアク
タンス回路が構成され、上記第３高周波ラインにダイオ
ードスイッチを介して少くともスタブが接続されて第６
リアクタンス回路が構成されてなり、上記第１リアクタ
ンス回路及び上記第３リアクタンス回路は第１周波数帯
でインピーダンス整合作用をなし、上記第２リアクタン
ス回路及び上記第４リアクタンス回路は第２周波数帯で
インピーダンス整合作用をなし、上記第５リアクタンス
回路は上記第１周波数帯で第２高調波短絡終端作用をな
し、上記第６リアクタンス回路は上記第２周波数帯で第
２高調波短絡終端作用をなすようにそれぞれ構成されて
いる。
【０００５】
【作用】ダイオードスイッチにより第１リアクタンス回
路、第３リアクタンス回路及び第５リアクタンス回路を
有効とし、他のリアクタンス回路を無効とすることによ
り、第１周波数帯で高効率増幅動作をする。またダイオ
ードスイッチにより第２リアクタンス回路、第４リアク
タンス回路及び第６リアクタンス回路を有効とし、他の
リアクタンス回路を無効とすることにより、第２周波数
帯で高効率増幅動作をする。
路、第３リアクタンス回路及び第５リアクタンス回路を
有効とし、他のリアクタンス回路を無効とすることによ
り、第１周波数帯で高効率増幅動作をする。またダイオ
ードスイッチにより第２リアクタンス回路、第４リアク
タンス回路及び第６リアクタンス回路を有効とし、他の
リアクタンス回路を無効とすることにより、第２周波数
帯で高効率増幅動作をする。
【０００６】
【実施例】図１にこの発明の実施例を簡略に示す。入力
端子１１は入力整合回路１２を通じてＦＥＴ１３のゲー
トに接続され、ＦＥＴ１３のソースは接地され、ドレイ
ンは出力整合回路１４に接続され、出力整合回路１４の
出力側は位相調整回路１５に接続され、位相調整回路１
５の出力側に出力端子１６が設けられる。
端子１１は入力整合回路１２を通じてＦＥＴ１３のゲー
トに接続され、ＦＥＴ１３のソースは接地され、ドレイ
ンは出力整合回路１４に接続され、出力整合回路１４の
出力側は位相調整回路１５に接続され、位相調整回路１
５の出力側に出力端子１６が設けられる。
【０００７】この発明においては入力整合回路１２は第
１，第２リアクタンス回路１７，１８で構成され、出力
整合回路１４は第３，第４リアクタンス回路１９，２１
で構成され、位相調整回路１５は第５，第６リアクタン
ス回路２２，２３で構成され、これら第１，第３，第５
リアクタンス回路１７，１９，２２は制御端子２４から
の制御信号により図に示していないダイオードスイッチ
で有効状態、無効状態に制御可能とされ、同様に第２，
第４，第６リアクタンス回路１８，２１，２３も制御端
子２５からの制御信号によりダイオードスイッチで有効
状態、無効状態に制御可能とされている。
１，第２リアクタンス回路１７，１８で構成され、出力
整合回路１４は第３，第４リアクタンス回路１９，２１
で構成され、位相調整回路１５は第５，第６リアクタン
ス回路２２，２３で構成され、これら第１，第３，第５
リアクタンス回路１７，１９，２２は制御端子２４から
の制御信号により図に示していないダイオードスイッチ
で有効状態、無効状態に制御可能とされ、同様に第２，
第４，第６リアクタンス回路１８，２１，２３も制御端
子２５からの制御信号によりダイオードスイッチで有効
状態、無効状態に制御可能とされている。
【０００８】第１，第３，第５リアクタンス回路１７，
１９，２２のみを有効とした状態において、第１リアク
タンス回路１７は高周波帯の１つの帯域ＡにおいてＦＥ
Ｔ１３の入力インピーダンスと共役整合となるようにイ
ンピーダンスが設定され、同様に第３リアクタンス回路
１９は帯域Ａの基本波と第２高調波の両方に対してＦＥ
Ｔ１３の出力インピーダンスと共役整合となるようにイ
ンピーダンスが設定されてある。また、第５リアクタン
ス回路２２は帯域Ａの第２高調波周波数帯においてＦＥ
Ｔ１３の出力端のインピーダンスが短絡終端条件を満足
するようにインピーダンスが設定されてある。このよう
に、出力整合回路１４は基本波だけでなく第２高調波周
波数に対しても整合としているため出力整合回路１４に
は多量の第２高調波成分が発生する。この多量に発生し
た第２高調波成分の位相を位相調整回路１５のインピー
ダンスを調整することにより、高効率特性に重要なＦＥ
Ｔ１３の出力端子における第２高調波インピーダンスの
短絡終端条件を実現する。
１９，２２のみを有効とした状態において、第１リアク
タンス回路１７は高周波帯の１つの帯域ＡにおいてＦＥ
Ｔ１３の入力インピーダンスと共役整合となるようにイ
ンピーダンスが設定され、同様に第３リアクタンス回路
１９は帯域Ａの基本波と第２高調波の両方に対してＦＥ
Ｔ１３の出力インピーダンスと共役整合となるようにイ
ンピーダンスが設定されてある。また、第５リアクタン
ス回路２２は帯域Ａの第２高調波周波数帯においてＦＥ
Ｔ１３の出力端のインピーダンスが短絡終端条件を満足
するようにインピーダンスが設定されてある。このよう
に、出力整合回路１４は基本波だけでなく第２高調波周
波数に対しても整合としているため出力整合回路１４に
は多量の第２高調波成分が発生する。この多量に発生し
た第２高調波成分の位相を位相調整回路１５のインピー
ダンスを調整することにより、高効率特性に重要なＦＥ
Ｔ１３の出力端子における第２高調波インピーダンスの
短絡終端条件を実現する。
【０００９】第２，第４，第６リアクタンス回路１８，
２１，２３のみを有効とした状態で、第２リアクタンス
回路１８は高周波の他の帯域ＢにおいてＦＥＴ１３の入
力インピーダンスと共役整合となるようなインピーダン
スが設定され、同様に第４リアクタンス回路２１のイン
ピーダンスも帯域Ａで成立していたインピーダンス条件
が帯域Ｂで成立するように設定され、また、第６リアク
タンス回路２３も帯域Ａで成立していたインピーダンス
条件が帯域Ｂで成立するようにインピーダンスが設定さ
れている。
２１，２３のみを有効とした状態で、第２リアクタンス
回路１８は高周波の他の帯域ＢにおいてＦＥＴ１３の入
力インピーダンスと共役整合となるようなインピーダン
スが設定され、同様に第４リアクタンス回路２１のイン
ピーダンスも帯域Ａで成立していたインピーダンス条件
が帯域Ｂで成立するように設定され、また、第６リアク
タンス回路２３も帯域Ａで成立していたインピーダンス
条件が帯域Ｂで成立するようにインピーダンスが設定さ
れている。
【００１０】図２に入力整合回路１２の１構成例を示
す。入力端子１１とＦＥＴ１３のゲートとの間に、高周
波ラインとしてのマイクロストリップライン２６が接続
され、マイクロストリップライン２６に、それぞれ直流
阻止コンデンサ２７，２８、ダイオードスイッチとして
の可変容量ダイオード２９，３１を直列に介してスタブ
３２，３３の一端が接続され、スタブ３２，３３の他端
は接地される。今、例えば制御信号入力端子２４から所
定の電圧がチョークコイル３４を介して可変容量ダイオ
ード２９へ印加されると、可変容量ダイオード２９の容
量は増加し、スタブ３２は可変容量ダイオード２９及び
コンデンサ２７を介してマイクロストリップライン２６
と接続され、マイクロストリップライン２６と共に帯域
Ａの入力信号に対する入力整合条件を満足する。つまり
スタブ３２及びマイクロストリップライン２６により第
１リアクタンス回路１７が構成される。この時、可変容
量ダイオード３１には制御信号入力端子２６から可変容
量ダイオード３１の容量をほぼ零とするような電圧が制
御信号入力端子２５からチョークコイル３５を介して印
加され、可変容量ダイオード３１及びスタブ３３はほぼ
接続されていないように見える。逆に、可変容量ダイオ
ード２９，３１に印加する電圧を逆転すると、上述の場
合と反対に、マイクロストリップライン２６にはスタブ
３３が接続されることになり、スタブ３３はマイクロス
トリップライン２６と共に帯域Ｂの入力信号に対する入
力整合条件を満足することになる。スタブ３３及びマイ
クロストリップライン２６により第２リアクタンス回路
１８が構成される。
す。入力端子１１とＦＥＴ１３のゲートとの間に、高周
波ラインとしてのマイクロストリップライン２６が接続
され、マイクロストリップライン２６に、それぞれ直流
阻止コンデンサ２７，２８、ダイオードスイッチとして
の可変容量ダイオード２９，３１を直列に介してスタブ
３２，３３の一端が接続され、スタブ３２，３３の他端
は接地される。今、例えば制御信号入力端子２４から所
定の電圧がチョークコイル３４を介して可変容量ダイオ
ード２９へ印加されると、可変容量ダイオード２９の容
量は増加し、スタブ３２は可変容量ダイオード２９及び
コンデンサ２７を介してマイクロストリップライン２６
と接続され、マイクロストリップライン２６と共に帯域
Ａの入力信号に対する入力整合条件を満足する。つまり
スタブ３２及びマイクロストリップライン２６により第
１リアクタンス回路１７が構成される。この時、可変容
量ダイオード３１には制御信号入力端子２６から可変容
量ダイオード３１の容量をほぼ零とするような電圧が制
御信号入力端子２５からチョークコイル３５を介して印
加され、可変容量ダイオード３１及びスタブ３３はほぼ
接続されていないように見える。逆に、可変容量ダイオ
ード２９，３１に印加する電圧を逆転すると、上述の場
合と反対に、マイクロストリップライン２６にはスタブ
３３が接続されることになり、スタブ３３はマイクロス
トリップライン２６と共に帯域Ｂの入力信号に対する入
力整合条件を満足することになる。スタブ３３及びマイ
クロストリップライン２６により第２リアクタンス回路
１８が構成される。
【００１１】図３にスタブとしてオープンスタブを用い
た場合の入力整合回路１２の例を図２と対応する部分に
同一符号を付けて示す。制御信号の通路を作るため、ダ
イオード２９，３１の各スタブ側はそれぞれチョークコ
イル３６，３７を通じて接地される。この動作は特に説
明するまでもない。図４に出力整合回路１４の実施例を
示す。ＦＥＴ１３のドレインと位相調整回路１５との間
にマイクロストリップライン４１が接続され、マイクロ
ストリップライン４１に、コンデンサ４２−可変容量ダ
イオード４３を通じてスタブ４４の一端が接続され、同
様にそれぞれコンデンサ４５，４６，４７と可変容量ダ
イオード４８，４９，５１との各直列接続を介してスタ
ブ５２，５３，５４の各一端がマイクロストリップライ
ン４１に接続され、スタブ４４，５１，５２，５３の各
他端は接地される。ダイオード４３，４８とコンデンサ
４２，４５との各接続点はそれぞれチョークコイル５
４，５５を通じて制御信号入力端子２４に接続され、ダ
イオード４９，５１とコンデンサ４６，４７との各接続
点はそれぞれチョークコイル５６，５７を通じて制御信
号入力端子２５に接続される。
た場合の入力整合回路１２の例を図２と対応する部分に
同一符号を付けて示す。制御信号の通路を作るため、ダ
イオード２９，３１の各スタブ側はそれぞれチョークコ
イル３６，３７を通じて接地される。この動作は特に説
明するまでもない。図４に出力整合回路１４の実施例を
示す。ＦＥＴ１３のドレインと位相調整回路１５との間
にマイクロストリップライン４１が接続され、マイクロ
ストリップライン４１に、コンデンサ４２−可変容量ダ
イオード４３を通じてスタブ４４の一端が接続され、同
様にそれぞれコンデンサ４５，４６，４７と可変容量ダ
イオード４８，４９，５１との各直列接続を介してスタ
ブ５２，５３，５４の各一端がマイクロストリップライ
ン４１に接続され、スタブ４４，５１，５２，５３の各
他端は接地される。ダイオード４３，４８とコンデンサ
４２，４５との各接続点はそれぞれチョークコイル５
４，５５を通じて制御信号入力端子２４に接続され、ダ
イオード４９，５１とコンデンサ４６，４７との各接続
点はそれぞれチョークコイル５６，５７を通じて制御信
号入力端子２５に接続される。
【００１２】例えば帯域Ａの入力信号に対してその基本
波と第２高調波との両方の整合条件を満足するには可変
容量ダイオード４３と４８の容量を増加させて二つのス
タブ４４，５１をマイクロストリップライン４１と結合
させる。この時、可変容量ダイオード４９と５１の容量
はほぼ零となるように電圧を印加する。電圧の印加条件
を逆にすれば、スタブ５２，５３がマイクロストリップ
ライン４１と結合され、帯域Ｂの入力信号に対して整合
条件を満足する。
波と第２高調波との両方の整合条件を満足するには可変
容量ダイオード４３と４８の容量を増加させて二つのス
タブ４４，５１をマイクロストリップライン４１と結合
させる。この時、可変容量ダイオード４９と５１の容量
はほぼ零となるように電圧を印加する。電圧の印加条件
を逆にすれば、スタブ５２，５３がマイクロストリップ
ライン４１と結合され、帯域Ｂの入力信号に対して整合
条件を満足する。
【００１３】図５に位相調整回路１５の実施例を示す。
出力整合回路１４の出力側と出力端子１６との間にマイ
クロストリップライン６１が接続され、マイクロストリ
ップライン６１に、コンデンサ６２−可変容量ダイオー
ド６３を通じてスタブ６３，６４の各一端が接続され、
スタブ６４の他端は接地され、スタブ６５の他端はコン
デンサ６６を通じて接地される。マイクロストリップラ
イン６１に、コンデンサ６７−可変容量ダイオード６８
を通じてスタブ６９，７１の各一端が接続され、スタブ
６９の他端は接地され、スタブ７１の他端はコンデンサ
７２を通じて接地される。コンデンサ６２，６７とダイ
オード６３，６８との各接続点はそれぞれチョークコイ
ル７３，７４を通じて制御信号端子２４，２５に接続さ
れる。
出力整合回路１４の出力側と出力端子１６との間にマイ
クロストリップライン６１が接続され、マイクロストリ
ップライン６１に、コンデンサ６２−可変容量ダイオー
ド６３を通じてスタブ６３，６４の各一端が接続され、
スタブ６４の他端は接地され、スタブ６５の他端はコン
デンサ６６を通じて接地される。マイクロストリップラ
イン６１に、コンデンサ６７−可変容量ダイオード６８
を通じてスタブ６９，７１の各一端が接続され、スタブ
６９の他端は接地され、スタブ７１の他端はコンデンサ
７２を通じて接地される。コンデンサ６２，６７とダイ
オード６３，６８との各接続点はそれぞれチョークコイ
ル７３，７４を通じて制御信号端子２４，２５に接続さ
れる。
【００１４】例えば、可変容量ダイオード６３の容量が
増加するように制御信号入力端子から電圧が印加される
と、スタブ６４，６５及びコンデンサ６６とマイクロス
トリップライン６１とは帯域Ａの入力信号に対してＦＥ
Ｔ１３の出力端において高効率特性に重要な第２高調波
の短絡終端条件を満足するように設定されている。この
時、可変容量ダイオード６８にはその容量がほぼ零とな
るような電圧が印加され、スタブ６９，７１、コンデン
サ７２はマイクロストリップライン６１にほぼ接続され
ていないように見える。
増加するように制御信号入力端子から電圧が印加される
と、スタブ６４，６５及びコンデンサ６６とマイクロス
トリップライン６１とは帯域Ａの入力信号に対してＦＥ
Ｔ１３の出力端において高効率特性に重要な第２高調波
の短絡終端条件を満足するように設定されている。この
時、可変容量ダイオード６８にはその容量がほぼ零とな
るような電圧が印加され、スタブ６９，７１、コンデン
サ７２はマイクロストリップライン６１にほぼ接続され
ていないように見える。
【００１５】以上のように構成されているため、制御端
子２４により第１，第３，第５リアクタンス回路１７，
１９，２２のみを有効として帯域Ａに対して高効率増幅
を行わせることができ、制御端子２５により第２，第
４，第６リアクタンス回路１８，２１，２３のみを有効
として帯域Ｂに対して高効率増幅を行わせることができ
る。
子２４により第１，第３，第５リアクタンス回路１７，
１９，２２のみを有効として帯域Ａに対して高効率増幅
を行わせることができ、制御端子２５により第２，第
４，第６リアクタンス回路１８，２１，２３のみを有効
として帯域Ｂに対して高効率増幅を行わせることができ
る。
【００１６】上述において出力整合回路１４、位相調整
回路１５もオープンスタブを用いて構成してもよい。第
１，第２リアクタンス回路１７，１８をそれぞれ複数の
スタブを用いて構成してもよく、またコンデンサも用い
てスタブを短くすることもできる。第３，第４リアクタ
ンス回路１９，２１においてもコンデンサを付加して構
成することもできる。第５，第６リアクタンス回路２
２，２３を１乃至複数のスタブのみで構成してもよい。
マイクロストリップライン２６，４１，６１の代りに他
の高周波ラインを用いてもよい。ＦＥＴ１３の代りに高
周波バイポーラトランジスタなど他の高周波増幅素子を
用いてもよい。入力整合回路１２、出力整合回路１４、
位相調整回路１５にそれぞれ更に多くのリアクタンス回
路をダイオードスイッチで接続したり切離したり万能に
設け、更に他の周波数帯域を増幅可能とすることもでき
る。
回路１５もオープンスタブを用いて構成してもよい。第
１，第２リアクタンス回路１７，１８をそれぞれ複数の
スタブを用いて構成してもよく、またコンデンサも用い
てスタブを短くすることもできる。第３，第４リアクタ
ンス回路１９，２１においてもコンデンサを付加して構
成することもできる。第５，第６リアクタンス回路２
２，２３を１乃至複数のスタブのみで構成してもよい。
マイクロストリップライン２６，４１，６１の代りに他
の高周波ラインを用いてもよい。ＦＥＴ１３の代りに高
周波バイポーラトランジスタなど他の高周波増幅素子を
用いてもよい。入力整合回路１２、出力整合回路１４、
位相調整回路１５にそれぞれ更に多くのリアクタンス回
路をダイオードスイッチで接続したり切離したり万能に
設け、更に他の周波数帯域を増幅可能とすることもでき
る。
【００１７】
【発明の効果】以上、述べたようにこの発明によれば、
ＦＥＴなどの高周波増幅素子を共用して異なる周波数帯
域において動作する高効率増幅器を構成することができ
る。この高周波増幅器は周波数帯の切替えも制御信号に
より容易にできる。このため、従来、２つの帯域の信号
を高効率増幅するには２つの増幅器が必要であったのに
対し、この発明によれば全体として回路を小形化するこ
とができる。さらに、高周波増幅素子を共用できるた
め、高周波増幅器を２つ用いる構成に比べ、高周波増幅
器を経済的に構成することができる。
ＦＥＴなどの高周波増幅素子を共用して異なる周波数帯
域において動作する高効率増幅器を構成することができ
る。この高周波増幅器は周波数帯の切替えも制御信号に
より容易にできる。このため、従来、２つの帯域の信号
を高効率増幅するには２つの増幅器が必要であったのに
対し、この発明によれば全体として回路を小形化するこ
とができる。さらに、高周波増幅素子を共用できるた
め、高周波増幅器を２つ用いる構成に比べ、高周波増幅
器を経済的に構成することができる。
【図１】この発明の実施例を簡略に示すブロック図。
【図２】図１中の入力整合回路１２の具体例を示す接続
図。
図。
【図３】入力整合回路１２の他の例を示す接続図。
【図４】図１中の出力整合回路１４の具体例を示す接続
図。
図。
【図５】図１中の位相調整回路１５の具体例を示す接続
図。
図。
Claims (1)
- 【請求項１】 高周波信号の入力端子と、その入力端子
に接続された入力整合回路と、その入力整合回路の出力
側に接続され、高周波信号の増幅を行う半導体増幅素子
と、その半導体増幅素子の出力側に接続され、上記高周
波信号の基本波及び第２高調波の両方に整合をとった出
力整合回路と、その出力整合回路の出力側に接続され、
上記第２高調波を短絡終端させる位相調整回路と、その
位相調整回路の出力側に接続された高周波信号の出力端
子とを具備し、 上記入力整合回路は、上記入力端子と上記半導体増幅素
子との間に第１高周波ラインが接続され、その第１高周
波ラインにダイオードスイッチを介して少くともスタブ
が接続されて第１リアクタンス回路が構成され、上記第
１高周波ラインに少くともスタブが接続されて第２リア
クタンス回路が構成されてなり、 上記出力整合回路は、上記半導体増幅素子と上記位相調
整回路との間に第２高周波ラインが接続され、その第２
高周波ラインにダイオードスイッチを介して少くともス
タブが接続されて第３リアクタンス回路が構成され、上
記第２高周波ラインに少くともスタブが接続されて第４
リアクタンス回路が構成されてなり、 上記位相調整回路は、上記出力整合回路と上記出力端子
との間に第３高周波ラインが接続され、その第３高周波
ラインにダイオードスイッチを介して少くともスタブが
接続されて第５リアクタンス回路が構成され、上記第３
高周波ラインにダイオードスイッチを介して少くともス
タブが接続されて第６リアクタンス回路が構成されてな
り、 上記第１リアクタンス回路及び上記第３リアクタンス回
路は第１周波数帯でインピーダンス整合作用をなし、上
記第２リアクタンス回路及び上記第４リアクタンス回路
は第２周波数帯でインピーダンス整合作用をなし、上記
第５リアクタンス回路は上記第１周波数帯で第２高調波
短絡終端作用をなし、上記第６リアクタンス回路は上記
第２周波数帯で第２高調波短絡終端作用をなすようにそ
れぞれ構成されている、 高周波増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1627493A JPH06232657A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 高周波増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1627493A JPH06232657A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 高周波増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232657A true JPH06232657A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=11911974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1627493A Pending JPH06232657A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 高周波増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06232657A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10305302A1 (de) * | 2003-02-10 | 2004-08-19 | Valeo Schalter Und Sensoren Gmbh | Hochfrequenz-Schaltvorrichtung |
| WO2004082138A1 (ja) | 2003-03-14 | 2004-09-23 | Ntt Docomo Inc. | 整合回路 |
| EP1724936A2 (en) * | 2005-05-20 | 2006-11-22 | NTT DoCoMo INC. | Matching circuit |
| JP2007174064A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Nec Corp | インピーダンス整合回路およびｍｍｉｃ電力増幅器 |
| JP2008160785A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-07-10 | Kyocera Corp | 整合回路、送信器、受信器、送受信器およびレーダ装置 |
| JP2008283430A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Ntt Docomo Inc | 整合回路 |
| KR100898349B1 (ko) * | 2006-12-20 | 2009-05-20 | 가부시키가이샤 엔.티.티.도코모 | 정합 회로, 듀얼밴드 전력 증폭 장치 |
| WO2009112209A1 (de) * | 2008-03-10 | 2009-09-17 | Andrew Wireless Systems Gmbh | Hochfrequenz-kurzschluss-schalter sowie schaltungseinheit |
| JP2012518373A (ja) * | 2009-02-18 | 2012-08-09 | ホリンワース ファンド，エル．エル．シー． | メタマテリアル電力増幅器システム |
| JP2013009031A (ja) * | 2011-06-22 | 2013-01-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電力増幅回路 |
-
1993
- 1993-02-03 JP JP1627493A patent/JPH06232657A/ja active Pending
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1445820B1 (de) * | 2003-02-10 | 2008-03-26 | Valeo Schalter und Sensoren GmbH | Hochfrequenz-Schaltvorrichtung |
| DE10305302A1 (de) * | 2003-02-10 | 2004-08-19 | Valeo Schalter Und Sensoren Gmbh | Hochfrequenz-Schaltvorrichtung |
| WO2004082138A1 (ja) | 2003-03-14 | 2004-09-23 | Ntt Docomo Inc. | 整合回路 |
| EP1605589A1 (en) * | 2003-03-14 | 2005-12-14 | NTT DoCoMo, Inc. | Matching circuit |
| JPWO2004082138A1 (ja) * | 2003-03-14 | 2006-06-15 | 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ | 整合回路 |
| US8098114B2 (en) | 2003-03-14 | 2012-01-17 | Ntt Docomo, Inc. | Matching circuit |
| EP1605589A4 (en) * | 2003-03-14 | 2007-03-21 | Ntt Docomo Inc | COMPARISON CIRCUIT |
| EP1724936A2 (en) * | 2005-05-20 | 2006-11-22 | NTT DoCoMo INC. | Matching circuit |
| US7750757B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-07-06 | Ntt Docomo, Inc. | Matching circuit |
| US7750756B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-07-06 | Ntt Docomo, Inc. | Matching circuit |
| EP1724936A3 (en) * | 2005-05-20 | 2007-03-21 | NTT DoCoMo INC. | Matching circuit |
| JP2007174064A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Nec Corp | インピーダンス整合回路およびｍｍｉｃ電力増幅器 |
| JP2008160785A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-07-10 | Kyocera Corp | 整合回路、送信器、受信器、送受信器およびレーダ装置 |
| KR100898349B1 (ko) * | 2006-12-20 | 2009-05-20 | 가부시키가이샤 엔.티.티.도코모 | 정합 회로, 듀얼밴드 전력 증폭 장치 |
| JP2008283430A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Ntt Docomo Inc | 整合回路 |
| WO2009112209A1 (de) * | 2008-03-10 | 2009-09-17 | Andrew Wireless Systems Gmbh | Hochfrequenz-kurzschluss-schalter sowie schaltungseinheit |
| JP2012518373A (ja) * | 2009-02-18 | 2012-08-09 | ホリンワース ファンド，エル．エル．シー． | メタマテリアル電力増幅器システム |
| US8704593B2 (en) | 2009-02-18 | 2014-04-22 | Hollinworth Fund, L.L.C. | Metamaterial power amplifier systems |
| JP2013009031A (ja) * | 2011-06-22 | 2013-01-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電力増幅回路 |
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