JP5009500B2 - Rfパワーデバイス及びrfパワートランジスタデバイスにおける直線性を改善する方法 - Google Patents
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Description
Claims (18)
- a)少なくとも一つのトランジスタと、
b)前記トランジスタに結合されたRF信号入力リード線と、
c)前記トランジスタに結合された接地端子と、
d)前記トランジスタに結合されたRF信号出力リード線と、
e)前記RF信号出力リード線に結合された出力マッチング回路であって前記トランジスタが該出力マッチング回路を介して前記RF信号出力リード線に結合された出力マッチング回路、および該出力マッチング回路を介して前記RF信号出力リード線に結合されたRF及びビデオバイパス回路と、
f)要素a)及びe)を収容するパッケージで、要素b)、c)、及びd)が前記パッケージから延出された状態となるパッケージと、
g)前記RF及びビデオバイパス回路に結合され、前記パッケージから延出したバイアスリード線と、
を備えた、パッケージに収納されたRFパワーデバイス。 - a)少なくとも一つのトランジスタと、
b)前記トランジスタに結合されたRF信号入力リード線と、
c)前記トランジスタに結合された接地端子と、
d)前記トランジスタに結合されたRF信号出力リード線と、
e)前記RF信号出力リード線に結合された出力マッチング回路であって前記トランジスタが該出力マッチング回路を介して前記RF信号出力リード線に結合された出力マッチング回路、および該出力マッチング回路を介して前記RF信号出力リード線に結合されたRF及びビデオバイパス回路と、
f)要素a)及びe)を収容するパッケージで、要素b)、c)、及びd)が前記パッケージから延出された状態となるパッケージと、
g)前記RF及びビデオバイパス回路を介して前記トランジスタにDCバイアス電圧を印加するためのバイアスリード線とを備え、前記RF信号出力リード線と前記バイアスリード線は兼用されているパッケージに収納されたRFパワーデバイス。 - 前記RF及びビデオバイパス回路は、少なくとも一つの個別キャパシタと、前記個別キャパシタを前記トランジスタに結合するワイヤボンディングとを備え、前記ワイヤボンディングは、前記RFバイパス回路においてインダクタンスを提供する請求項1記載のパッケージに収納されたRFパワーデバイス。
- 前記出力マッチング回路は、接地に直列で接続された誘導素子及び容量素子を、ワイヤボンディングによって前記容量素子と並列に接続された少なくとも一つの個別キャパシタと共に含む請求項3記載のパッケージに収納されたRFパワーデバイス。
- 前記少なくとも一つの個別キャパシタは、複数の個別多層キャパシタを備える請求項4記載のパッケージに収納されたRFパワーデバイス。
- 前記RF及びビデオバイパス回路は、少なくとも一つの個別キャパシタと、前記個別キャパシタを前記トランジスタに結合するワイヤボンディングとを備え、前記ワイヤボンディングは、前記RFバイパス回路においてインダクタンスを備える請求項1記載のパッケージに収納されたRFパワーデバイス。
- 前記出力マッチング回路は、接地に直列で接続された誘導素子及び容量素子を、ワイヤボンディングによって前記容量素子と並列に接続された少なくとも一つの個別キャパシタと共に含む請求項6記載のパッケージに収納されたRFパワーデバイス。
- 前記少なくとも一つの個別キャパシタは、複数のキャパシタを備える請求項7記載のパッケージに収納されたRFパワーデバイス。
- 前記少なくとも一つのトランジスタは、FETを備える請求項1記載のパッケージに収納されたRFパワーデバイス。
- 前記少なくとも一つのトランジスタは、バイポーラトランジスタを備える請求項1記載のパッケージに収納されたRFパワーデバイス。
- 前記少なくとも一つのトランジスタは、複数のトランジスタを備える請求項1記載のパッケージに収納されたRFパワーデバイス。
- a)少なくとも一つのRFパワートランジスタをハウジング内に提供するステップと、
b)前記ハウジングから延出し、前記トランジスタに電気的に結合されたRF信号入力リード線及びRF信号出力リード線を提供するステップと、
c)前記RF信号出力リード線に結合された出力マッチング回路であって前記トランジスタが該出力マッチング回路を介して前記RF信号出力リード線に結合された出力マッチング回路を前記ハウジング内に提供するステップと、
d)前記出力マッチング回路を介して前記RF信号出力リード線に接続され、DC電力を前記トランジスタに供給する時、RF及びビデオ電流がDC電源へ流れるのを防止するRF及びビデオバイパス回路であって前記トランジスタが該出力マッチング回路を介して結合されたRF及びビデオバイパス回路を前記ハウジング内に提供するステップと、
e)前記ハウジングから延出し、前記トランジスタ、前記RFおよびビデオバイパス回路に接続されて前記DC電源を供給するバイアスリード線を提供するステップと
を備え、前記RF信号出力リード線と前記バイアスリード線は兼用されている広帯域RFパワートランジスタデバイスにおける直線性を改善する方法。 - ステップd)の前記RF及びビデオバイパス回路は、少なくとも一つの個別キャパシタと、前記個別キャパシタを前記トランジスタに結合するワイヤボンディングとを備え、前記ワイヤボンディングは、前記RFバイパス回路においてインダクタンスを提供する請求項12記載の方法。
- ステップc)の前記出力マッチング回路は、接地に直列で接続された誘導素子及び容量素子を、ワイヤボンディングによって前記容量素子と並列に接続された少なくとも一つの個別キャパシタと共に含む請求項13記載の方法。
- ステップd)の前記少なくとも一つの個別キャパシタは、複数のキャパシタを備える請求項14記載の方法。
- ステップd)の前記RFバイパス回路は、少なくとも一つの個別キャパシタと、前記個別キャパシタを前記トランジスタに結合するワイヤボンディングとを備え、前記ワイヤボンディングは、前記RFバイパス回路においてインダクタンスを提供する請求項12記載の方法。
- ステップc)の前記出力マッチング回路は、接地に直列で接続された誘導素子及び容量素子を、ワイヤボンディングによって前記容量素子と並列に接続された少なくとも一つの個別キャパシタと共に含む請求項16記載の方法。
- ステップd)の前記少なくとも一つの個別キャパシタは、複数の個別キャパシタを備える請求項17記載の方法。
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