CN1701613A - 具有rf旁路/输出匹配网络的封装rf功率晶体管 - Google Patents
具有rf旁路/输出匹配网络的封装rf功率晶体管 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1701613A CN1701613A CNA038253658A CN03825365A CN1701613A CN 1701613 A CN1701613 A CN 1701613A CN A038253658 A CNA038253658 A CN A038253658A CN 03825365 A CN03825365 A CN 03825365A CN 1701613 A CN1701613 A CN 1701613A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- transistor
- capacitor
- wire
- bonded
- encapsulation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 9
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000000266 injurious effect Effects 0.000 description 1
- 238000012905 input function Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6644—Packaging aspects of high-frequency amplifiers
- H01L2223/665—Bias feed arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
通过在晶体管管壳中包括并直接连接到该晶体管的输出匹配电路和集成的偏置/RF双工器以及RF和视频旁路电容器网络,提高了宽带RF功率晶体管放大器的线性度。通过在该管壳内放置RF和视频旁路电源电路并接近于该晶体管,能够将输入阻抗谐振从接近50MHz增加到超出125MHz,从而减少了输出信号中的AM/PM失真。
Description
发明背景
本发明通常涉及RF功率晶体管,并且更特别地,本发明涉及将输出匹配和RF及视频旁路电路组合到一个封装RF功率晶体管中。
如在图1A中通常以10以及在图1B中示意性所示,提供10瓦特或更大功率的RF功率晶体管被典型地封装为分立器件。该封装的晶体管(FET或双极性)通常包括一个连接输入引线14至FET栅极(或双极性晶体管的基极)的输入匹配电路12,和一个连接输出引线18至FET漏极(或双极性晶体管的集电极或发射极)的输出匹配电路16。通常该FET的源极接地。
如图2所示,该封装的晶体管典型地被安装在印刷电路板20上。而且,匹配电路22、24和偏置/RF双工器26也安装在该印刷电路板上,它们将晶体管输出连接到RF输出。DC电源通过偏置线路RF和视频旁路电路28、双工器26和匹配电路22连接到晶体管输出引线。印刷电路板电路的该双重功能提供了在载波频率处想要的阻抗变换,并提供了一种通过该双工器将DC偏置电流注入到所述设备中的方法。该电路还必须正确地旁路在RF和视频频率处的电源连接。该电路与封装晶体管的距离在该传统解决方法中是一种限制。这种分离引入了严重的电延迟,并且在印刷电路板电路中使用的电容器的内在特性也导致了偏置电路视频带宽中不可避免的限制。
发明内容
根据本发明,输出匹配电路和双工器与RF和视频旁路网络一起与该功率晶体管集成到晶体管管壳中。这将该电路放置更接近于该晶体管,并增加了电源旁路视频带宽。而且,相对用于宽带信号的传统设备,提高了功率晶体管电路的线性度(保真度)。
在实现本发明中,RF和视频旁路网络的离散多层电容器能够与输出匹配电路的电容器(在载波频率处具有最佳特性)并联成与具有提供该电路的感性元件的引线接合(wire bonding)的一种完整的装置。典型地,设置引线接合(wirebond)以提供和晶体管寄生输出电容的电抗相同和相反的旁路感抗。还能够提供用于RF输出的附加电容与提供偏置输入或者具有单独偏置输入机能的RF输出。
从以下结合附图详细描述的说明书和独立权利要求中,本发明及其目的和特征将会更加显而易见。
附图说明
图1A是封装RF功率晶体管的透视图,以及图1B是封装RF功率晶体管的功能方框图。
图2是根据现有技术的图1中封装RF晶体管的功能方框图,该晶体管与用于DC电源的匹配电路和偏置线路RF旁路电路一起安装在印刷电路板上。
图3是根据本发明的一个实施例具有匹配和旁路电路的封装RF功率晶体管的功能方框图。
图4是根据本发明的另一个实施例具有匹配和旁路电路的封装RF功率晶体管的功能方框图。
图5A、5B是根据本发明一个实施例的RF功率晶体管的物理和电气示意图。
图6A、6B是根据本发明另一个实施例的RF功率晶体管的物理和电气示意图。
图7A、7B是根据本发明另一个实施例的RF功率晶体管的物理和电气示意图。
图8A、8B是根据本发明另一个实施例的RF功率晶体管的物理和电气示意图。
图9是用于传统RF功率晶体管和根据本发明一个实施例的RF功率晶体管的阻抗相对频率的曲线。
图10针对在图9中所使用的晶体管在史密斯圆图(Smith Chart)上示例了复数阻抗。
图11是针对传统RF功率晶体管和根据本发明另一个实施例的RF功率晶体管的阻抗相对频率的曲线。
图12针对在图11中所使用的晶体管在史密斯圆图上示例了复数阻抗。
具体实施方式
图3和4是根据本发明两个实施例的具有匹配和旁路电路的封装RF功率晶体管的功能方框图。两个图中类似的元件都是相同的。在图3中,RF功率晶体管30被安装在管壳31中。示例了FET晶体管,但是如上所述,该功率晶体管能够是双极性的。而且,能够在管壳中安装不止一个晶体管,并且它们能够并联。如在现有技术中,FET 30的栅极通过输入匹配电路32与输入引线34连接,但是漏极通过输出匹配电路加上集成的偏置/RF双工器36与输出引线38和给该晶体管提供DC偏置电流的偏置引线42连接。在现有技术的电路(如图2所示例)中,电路36和40以与该晶体管一定的距离被安装在印刷电路板上的管壳的外部。如上所述,在该管壳内部提供输出匹配电路、偏置/RF双工器、和RF及视频旁路网络增加了电源旁路视频带宽并且增加了用于宽带信号的功率晶体管电路的线性度。除了输出引线38同时用作偏置引线之外,图4的功能方框图类似于图3的电路。
图5A、5B分别是本发明的其中一个实施例的物理和电气示意图,其中将引线接合应用为感性元件,以及在输出匹配和旁路网络中应用离散的多层电容器。在图5A中,图3的输入匹配电路32包括通过引线接合46与RF输入34连接以及通过引线接合48与晶体管30的基极连接的旁路电容器44。输出匹配和旁路网络包括与电容器50(该电容器50在载波RF频率处拥有最佳的特性)并联的离散的多层电容器54、56,并且这些电容器通过引线接合52、58和60的方式与晶体管30的漏极和偏置输入引线42连接。在一个典型的实施例中,引线接合52包括特定值的电感,该值为与晶体管寄生输出电容谐振所需的值。该小值支持了最佳的视频旁路。同理,RF输出引线38借助引线接合62与该漏极连接。
图5B是图5A电路的电气示意图,其中引线接合在集总元件示意图中示例为感性元件。
图6A、6B是与图5A、5B的实施例相类似的本发明另一个实施例的物理和电气示意图,除了旁路RF输出引线38和晶体管30的漏极以使其接地的离散的电容器64和在输出匹配网络中用作感性元件的引线接合62、66以外。
图7A、7B是与图5A、5B的实施例相类似的物理和电气示意图,但是其中不应用单独的偏置输入引线42。RF输出引线38还用作该偏置输入。同理,图8A、8B对应于图6A、6B的实施例,但是仍不提供单独的偏置输入并且RF输出38用作该偏置输入。
图9是针对以70所示的传统设备和以72所示的根据本发明的设备在晶体管漏极之处所看的低频相对工作频率的阻抗曲线。在利用数字通信信号的正常功率放大器应用期间,从该晶体管流动的电流包含RF(或微波)频率分量以及视频频率分量。在理想的情况下,将给漏极提供一种理想的电源,或理想的RF旁路电源,其在视频频率范围内具有零阻抗。普通的连接高电流电源到漏极的方法是使用导体或高阻抗传输线,有时在载波频率处选择1/4波长,其在电源端或连接具有电容旁路阵列。电容器的这种阵列旨在用于近似理想的电容,但是,实际的物理旁路电容器具有固有的内电阻和内电感。因此,该典型的旁路电容器阵列在最接近该晶体管的载波频率处插入具有极佳特性的小电容器,并且(在低的视频频率处具有最佳性能的)较大的电容器较为接近于该电源。
在旁路电容之间必须存在有限的距离,短的电气连接还具有电感特性。利用实际的物理电容,在RF旁路电容器阵列中不可避免地存在谐振。尽管希望低的视频频率阻抗(典型为1欧姆),但是在谐振频率处它常常增加到几十欧姆。本发明增加了第一重要谐振的频率,同时不会恶化该电路的载波频率特性,如图9所示例。这里,用于传统电路的第一谐振大约是50MHz,而根据本发明的电路却将该第一谐振增加到接近于125MHz。由于功率放大器应用到现代数字通信需要非常低的几十MHz的偏置电路阻抗,这些电路中的谐振必须为100MHz的频率或更高,因为这些电路的阻抗显示出在1/4第一谐振频率处的显著增加。
图10在史密斯圆图上示出传统电路与根据本发明电路的复数阻抗。可以清楚看出,对于传统的电路来说,具有全部的显著寄生效应的电路模型的第一谐振是52MHz,而对于根据本发明电路的第一谐振是127MHz。在因子二之上的这种改进对于正在出现的和未来的数字通信应用特别的重要,其中传统电路的低谐振将在所述输出信号中引入AM/PM失真和AM/AM失真。这些有害的影响损害了对于这些新系统关键的放大器线性增强技术诸如预失真的能力。但是,本发明将在这些新技术中实践RF功率放大器。
图11是用于RF功率放大器实施例的阻抗相对频率的曲线,其中偏置引线不是单独的引线,而是包括有RF输出引线。这里,存在两个能够引入不想要的额外谐振的RF旁路电容器网络(管壳的内部及其外部)。正如图11所示,附加的谐振74在阻抗曲线72中被引入为弓起,在图12中为以史密斯圆图表示的额外的圆。从图12可以看出,该额外谐振被引入超过100MHz,但是该单个引线替换优于在52MHz处有谐振的传统设计。而且,在较低频率处减少了阻抗大小,这是因为存在更大的组合旁路电容。
已经示出了RF功率放大器的若干实施例,在这些实施例中电源视频旁路电容器网络与传统功率晶体管输出匹配电路中存在的现有RF旁路电容相集成。因此,通过使用在RF和视频频率处工作的多个电容器网络,则相对于现有技术而言使旁路谐振元件的总电容增加了至少为10的系数。正如所述,本发明可以应用于都是硅和III-V材料的FET和双极性晶体管,以及本发明还可应用于单个晶体管或在单个管壳内并行工作的多个晶体管。
尽管已经参考具体实施例描述了本发明,但是该说明仅仅是本发明的示例,并不作为对本发明的限制。对于本领域的普通技术人员来说可以进行各种其他应用和修改,而不偏离附属权利要求所定义的本发明的真正的精神和范围。
Claims (19)
1、一种封装的RF功率设备,包括
a)至少一个晶体管,
b)与所述晶体管耦合的RF信号输入引线,
c)与所述晶体管耦合的接地端,
d)与所述晶体管耦合的RF信号输出引线,
e)与所述RF信号输出线耦合的输出匹配电路和RF及视频旁路电路,和
f)用于容纳元件a)和e)的管壳,其中元件b)、c)和d)自该管壳延伸。
2、根据权利要求1所述的封装RF功率设备,还包括:
g)偏置引线,用于通过所述RF及视频旁路电路给所述晶体管施加DC偏置电压。
3、根据权利要求2所述的封装RF功率设备,其中,所述RF及视频旁路电路包括至少一个离散的电容器和将该离散电容器耦合至所述晶体管的引线接合,所述引线接合提供RF旁路电路中的电感。
4、根据权利要求3所述的封装RF功率设备,其中,所述输出匹配电路包括串联接地的一个感性元件和一个容性元件,其中至少一个离散的电容器通过引线接合与第一容性元件并联连接。
5、根据权利要求4所述的封装RF功率设备,其中,所述至少一个离散的电容器包括多个电容器。
6、根据权利要求1所述的封装RF功率设备,其中,所述RF及视频旁路电路包括至少一个离散的电容器和将该离散的电容器耦合至所述晶体管的引线接合,所述引线接合包含RF旁路电路中的电感。
7、根据权利要求6所述的封装RF功率设备,其中,所述输出匹配电路包括串联接地的一个感性元件和一个容性元件,其中至少一个离散的电容器通过引线接合与所述容性元件并联连接。
8、根据权利要求7所述的封装RF功率设备,其中,所述至少一个离散的电容器包括多个电容器。
9、根据权利要求1所述的封装RF功率设备,其中,所述至少一个晶体管包括一个FET。
10、根据权利要求1所述的封装RF功率设备,其中,所述至少一个晶体管包括一个双极性晶体管。
11、根据权利要求1所述的封装RF功率设备,其中,所述至少一个晶体管包括多个晶体管。
12、一种提高宽带RF功率晶体管设备中的线性度的方法,包括以下步骤:
a)在外壳中提供至少一个RF功率晶体管,
b)提供延伸通过所述外壳并电气耦合至所述晶体管的一个输入引线和一个输出引线,
c)在所述外壳中提供与所述输出引线耦合的输出匹配电路,和
d)在所述外壳中提供与所述输出匹配电路连接的RF及视频旁路电路,所述RF及视频旁路电路防止了当给所述晶体管提供DC功率时RF及视频电流流向DC电源。
13、根据权利要求12所述的方法,还包括以下步骤:
e)为给所述晶体管提供DC功率,提供延伸通过所述外壳的偏置引线,所述RF及视频旁路电路与所述偏置引线相连接。
14、根据权利要求13所述的方法,其中步骤d)的所述RF及视频旁路电路包括至少一个离散的电容器和将该离散的电容器耦合至所述晶体管的引线接合,所述引线接合提供RF旁路电路中的电感。
15、根据权利要求14所述的方法,其中,步骤c)的输出匹配电路包括串联接地的一个感性元件和一个容性元件,其中至少一个离散的电容器通过引线接合与所述第一容性元件并联连接。
16、根据权利要求15所述的方法,其中,步骤d)的所述至少一个离散的电容器包括多个电容器。
17、根据权利要求12所述的方法,其中,步骤d)的所述RF旁路电路包括至少一个离散的电容器和将该离散的电容器耦合至所述晶体管的引线接合,所述引线接合提供RF旁路电路中的电感。
18、根据权利要求17所述的方法,其中,步骤c)的所述输出匹配电路包括串联接地的一个感性元件和一个容性元件,其中至少一个离散的电容器通过引线接合与所述容性元件并联连接。
19、根据权利要求18所述的方法,其中,步骤d)的所述至少一个离散的电容器包括多个离散的电容器。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/262,217 US6822321B2 (en) | 2002-09-30 | 2002-09-30 | Packaged RF power transistor having RF bypassing/output matching network |
US10/262,217 | 2002-09-30 | ||
PCT/US2003/029719 WO2004032188A2 (en) | 2002-09-30 | 2003-09-17 | Packaged rf power transistor having rf bypassing/output matching network |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1701613A true CN1701613A (zh) | 2005-11-23 |
CN1701613B CN1701613B (zh) | 2010-10-13 |
Family
ID=32030167
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN038253658A Expired - Lifetime CN1701613B (zh) | 2002-09-30 | 2003-09-17 | 具有rf旁路/输出匹配网络的封装rf功率晶体管 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6822321B2 (zh) |
EP (1) | EP1547394B1 (zh) |
JP (1) | JP5009500B2 (zh) |
CN (1) | CN1701613B (zh) |
AU (1) | AU2003275086A1 (zh) |
TW (1) | TWI318455B (zh) |
WO (1) | WO2004032188A2 (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105308858A (zh) * | 2014-03-21 | 2016-02-03 | 华为技术有限公司 | 一种功率放大电路及发射机 |
CN109818584A (zh) * | 2017-11-30 | 2019-05-28 | 恩智浦美国有限公司 | 用于功率放大器的宽带输入匹配和视频带宽电路 |
CN111510085A (zh) * | 2020-05-12 | 2020-08-07 | 苏州远创达科技有限公司 | 一种功率放大器的输出电路 |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7109589B2 (en) * | 2004-08-26 | 2006-09-19 | Agere Systems Inc. | Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds |
US7268627B2 (en) * | 2004-11-03 | 2007-09-11 | Theta Microelectronics, Inc. | Pre-matching of distributed and push-pull power transistors |
US20060138650A1 (en) * | 2004-12-28 | 2006-06-29 | Freescale Semiconductor, Inc. | Integrated circuit packaging device and method for matching impedance |
US7193473B2 (en) * | 2005-03-24 | 2007-03-20 | Cree, Inc. | High power Doherty amplifier using multi-stage modules |
US7372334B2 (en) | 2005-07-26 | 2008-05-13 | Infineon Technologies Ag | Output match transistor |
US7564303B2 (en) * | 2005-07-26 | 2009-07-21 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor power device and RF signal amplifier |
US7378920B2 (en) * | 2006-02-14 | 2008-05-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Methods and apparatus for a high-frequency output match circuit |
CN101617403B (zh) * | 2006-04-26 | 2012-09-26 | Nxp股份有限公司 | 高功率集成射频放大器 |
US20080231373A1 (en) * | 2007-03-20 | 2008-09-25 | Hafizur Rahman | Output Circuit |
US8330265B2 (en) * | 2007-06-22 | 2012-12-11 | Cree, Inc. | RF transistor packages with internal stability network and methods of forming RF transistor packages with internal stability networks |
US8076994B2 (en) * | 2007-06-22 | 2011-12-13 | Cree, Inc. | RF power transistor packages with internal harmonic frequency reduction and methods of forming RF power transistor packages with internal harmonic frequency reduction |
US8592966B2 (en) * | 2007-06-22 | 2013-11-26 | Cree, Inc. | RF transistor packages with internal stability network including intra-capacitor resistors and methods of forming RF transistor packages with internal stability networks including intra-capacitor resistors |
JP5030228B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2012-09-19 | 矢崎総業株式会社 | 電気接続箱 |
US9041470B2 (en) * | 2008-04-22 | 2015-05-26 | Freescale Semiconductor, Inc. | Wireless communication unit and semiconductor device having a power amplifier therefor |
US7948312B2 (en) * | 2009-05-13 | 2011-05-24 | Qualcomm, Incorporated | Multi-bit class-D power amplifier system |
US8536950B2 (en) * | 2009-08-03 | 2013-09-17 | Qualcomm Incorporated | Multi-stage impedance matching |
US8102205B2 (en) | 2009-08-04 | 2012-01-24 | Qualcomm, Incorporated | Amplifier module with multiple operating modes |
US8659359B2 (en) | 2010-04-22 | 2014-02-25 | Freescale Semiconductor, Inc. | RF power transistor circuit |
EP2388815A1 (en) * | 2010-05-10 | 2011-11-23 | Nxp B.V. | A transistor package |
USD692896S1 (en) * | 2011-11-15 | 2013-11-05 | Connectblue Ab | Module |
USD689053S1 (en) * | 2011-11-15 | 2013-09-03 | Connectblue Ab | Module |
USD680545S1 (en) * | 2011-11-15 | 2013-04-23 | Connectblue Ab | Module |
USD680119S1 (en) * | 2011-11-15 | 2013-04-16 | Connectblue Ab | Module |
USD668659S1 (en) * | 2011-11-15 | 2012-10-09 | Connectblue Ab | Module |
USD668658S1 (en) * | 2011-11-15 | 2012-10-09 | Connectblue Ab | Module |
US9281283B2 (en) | 2012-09-12 | 2016-03-08 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor devices with impedance matching-circuits |
EP2802075B1 (en) | 2013-05-07 | 2017-02-15 | Ampleon Netherlands B.V. | Dual-band semiconductor RF amplifier device |
EP2830089B1 (en) * | 2013-07-25 | 2017-07-12 | Ampleon Netherlands B.V. | RF power device |
WO2015067985A1 (en) | 2013-11-07 | 2015-05-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Adjustable losses of bond wire arrangement |
US9641163B2 (en) | 2014-05-28 | 2017-05-02 | Cree, Inc. | Bandwidth limiting methods for GaN power transistors |
US9515011B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-12-06 | Cree, Inc. | Over-mold plastic packaged wide band-gap power transistors and MMICS |
US9472480B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-10-18 | Cree, Inc. | Over-mold packaging for wide band-gap semiconductor devices |
US9438184B2 (en) | 2014-06-27 | 2016-09-06 | Freescale Semiconductor, Inc. | Integrated passive device assemblies for RF amplifiers, and methods of manufacture thereof |
CN105322895B (zh) * | 2015-05-06 | 2018-11-09 | 苏州能讯高能半导体有限公司 | 一种偏置自适应内匹配功放管及基于该功放管的功放模块 |
US10432152B2 (en) | 2015-05-22 | 2019-10-01 | Nxp Usa, Inc. | RF amplifier output circuit device with integrated current path, and methods of manufacture thereof |
US9692363B2 (en) * | 2015-10-21 | 2017-06-27 | Nxp Usa, Inc. | RF power transistors with video bandwidth circuits, and methods of manufacture thereof |
US9571044B1 (en) | 2015-10-21 | 2017-02-14 | Nxp Usa, Inc. | RF power transistors with impedance matching circuits, and methods of manufacture thereof |
CN106206524B (zh) * | 2016-07-07 | 2019-01-22 | 昆山华太电子技术有限公司 | 一种封装管壳体 |
US10673387B2 (en) * | 2017-12-05 | 2020-06-02 | Nxp Usa, Inc. | Amplifiers with in-package radial stub harmonic traps |
US10566938B1 (en) * | 2018-12-11 | 2020-02-18 | Nxp Usa, Inc. | System and method for providing isolation of bias signal from RF signal in integrated circuit |
US20230197587A1 (en) * | 2021-12-17 | 2023-06-22 | Wolfspeed, Inc. | Ipd components having sic substrates and devices and processes implementing the same |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58131775A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-05 | Fujitsu Ltd | 電界効果半導体装置 |
JPH0233963A (ja) * | 1988-07-23 | 1990-02-05 | Nec Corp | 高周波トランジスタ |
JPH03283901A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-13 | Nec Corp | ハイブリット型マイクロ波集積回路 |
US5272450A (en) | 1991-06-20 | 1993-12-21 | Microwave Modules & Devices, Inc. | DC feed network for wideband RF power amplifier |
US5309014A (en) * | 1992-04-02 | 1994-05-03 | Motorola Inc. | Transistor package |
US5752182A (en) * | 1994-05-09 | 1998-05-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Hybrid IC |
JPH08222657A (ja) * | 1995-02-17 | 1996-08-30 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
US6675383B1 (en) * | 1997-01-22 | 2004-01-06 | Nielsen Media Research, Inc. | Source detection apparatus and method for audience measurement |
US6081160A (en) * | 1998-05-20 | 2000-06-27 | Powerwave Technologies, Inc. | Method and apparatus for increasing the bandwidth, and reducing the size, of the DC feed network for wideband RF amplifiers using selective placement of high dielectric constant material |
US6791419B1 (en) * | 1998-12-02 | 2004-09-14 | Ericsson, Inc. | Constant gain, constant phase RF power block |
JP4163818B2 (ja) * | 1999-07-07 | 2008-10-08 | 三菱電機株式会社 | 内部整合型トランジスタ |
US20020050851A1 (en) * | 1999-12-22 | 2002-05-02 | Grundlingh Johan M. | Method and apparatus for biasing radio frequency power transistors |
JP4256575B2 (ja) * | 2000-08-15 | 2009-04-22 | パナソニック株式会社 | バイアホールを備えた高周波受動回路および高周波増幅器 |
JP2002176368A (ja) * | 2001-07-11 | 2002-06-21 | Nec Corp | 送信出力増幅器のバイアス電流最適化制御が可能な送信電力制御装置 |
-
2002
- 2002-09-30 US US10/262,217 patent/US6822321B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-09-17 WO PCT/US2003/029719 patent/WO2004032188A2/en active Application Filing
- 2003-09-17 AU AU2003275086A patent/AU2003275086A1/en not_active Abandoned
- 2003-09-17 JP JP2004541592A patent/JP5009500B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-17 CN CN038253658A patent/CN1701613B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-17 EP EP03759357.1A patent/EP1547394B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-23 TW TW092126215A patent/TWI318455B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105308858A (zh) * | 2014-03-21 | 2016-02-03 | 华为技术有限公司 | 一种功率放大电路及发射机 |
US9866181B2 (en) | 2014-03-21 | 2018-01-09 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Power amplification circuit and transmitter |
CN105308858B (zh) * | 2014-03-21 | 2019-04-05 | 华为技术有限公司 | 一种功率放大电路及发射机 |
CN109818584A (zh) * | 2017-11-30 | 2019-05-28 | 恩智浦美国有限公司 | 用于功率放大器的宽带输入匹配和视频带宽电路 |
CN109818584B (zh) * | 2017-11-30 | 2023-06-23 | 恩智浦美国有限公司 | 用于功率放大器的宽带输入匹配和视频带宽电路 |
CN111510085A (zh) * | 2020-05-12 | 2020-08-07 | 苏州远创达科技有限公司 | 一种功率放大器的输出电路 |
WO2021227419A1 (zh) * | 2020-05-12 | 2021-11-18 | 苏州远创达科技有限公司 | 一种功率放大器的输出电路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200408128A (en) | 2004-05-16 |
TWI318455B (en) | 2009-12-11 |
AU2003275086A1 (en) | 2004-04-23 |
EP1547394A2 (en) | 2005-06-29 |
EP1547394B1 (en) | 2016-07-27 |
EP1547394A4 (en) | 2006-09-20 |
AU2003275086A8 (en) | 2004-04-23 |
US6822321B2 (en) | 2004-11-23 |
JP5009500B2 (ja) | 2012-08-22 |
JP2006501678A (ja) | 2006-01-12 |
CN1701613B (zh) | 2010-10-13 |
US20040061214A1 (en) | 2004-04-01 |
WO2004032188A2 (en) | 2004-04-15 |
WO2004032188A3 (en) | 2004-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1701613B (zh) | 具有rf旁路/输出匹配网络的封装rf功率晶体管 | |
EP1573813B1 (en) | Rf power transistor with internal bias feed | |
CN1976023B (zh) | 输出匹配晶体管 | |
CN102480272B (zh) | 射频放大器 | |
US4717884A (en) | High efficiency RF power amplifier | |
EP3160042A1 (en) | Rf power transistors with video bandwidth circuits, and methods of manufacture thereof | |
CN1192451C (zh) | 天线开关 | |
CN107644852B (zh) | 用于rf功率放大器封装件的集成无源器件 | |
US20070057731A1 (en) | On-chip harmonic termination for RF power amplifier applications | |
CN104378074B (zh) | 用于e类异相功率放大器的组合电路 | |
WO2021212818A1 (zh) | 一种宽带多赫蒂放大器 | |
CN106656069A (zh) | 一种应用于gsm射频功率放大器的多频输出匹配网络 | |
CN109818584A (zh) | 用于功率放大器的宽带输入匹配和视频带宽电路 | |
WO2014068351A2 (en) | Amplification stage and wideband power amplifier | |
CN108206678A (zh) | 具有阻抗补偿电路的分布式放大器 | |
EP2722880A1 (en) | Amplifier circuits | |
CN110729281A (zh) | 一种宽带大功率GaN预匹配功率管 | |
CN110829988A (zh) | 具有宽带阻抗匹配的放大器和其制造方法 | |
CN117546407A (zh) | 结合内部连接的输出集成晶体管放大器器件封装 | |
US10784822B2 (en) | High power radio frequency amplifiers and methods of manufacture thereof | |
CN1437318A (zh) | 传输线调谐开关功率放大器 | |
US10784821B2 (en) | High power radio frequency amplifiers and methods of manufacture thereof | |
CN111313856A (zh) | 一种集成dc耦合电容的芯片 | |
CN116938167B (zh) | 射频功率放大器及射频功率放大芯片 | |
CN116913903B (zh) | 射频功率放大芯片及封装件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: CREE RESEARCH, INC. Free format text: FORMER OWNER: CREE MICROWAVE INC. Effective date: 20110816 |
|
C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20110816 Address after: North Carolina Patentee after: CREE, Inc. Address before: California, USA Patentee before: Cree Microwave, Inc. |
|
CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20101013 |
|
CX01 | Expiry of patent term |