JPH0233963A - 高周波トランジスタ - Google Patents
高周波トランジスタInfo
- Publication number
- JPH0233963A JPH0233963A JP18411188A JP18411188A JPH0233963A JP H0233963 A JPH0233963 A JP H0233963A JP 18411188 A JP18411188 A JP 18411188A JP 18411188 A JP18411188 A JP 18411188A JP H0233963 A JPH0233963 A JP H0233963A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- components
- bias circuit
- chip
- bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高周波トランジスタに関し、特にバイアス回路
を必要とする回路に用いる高周塘トランジスタに関する
。
を必要とする回路に用いる高周塘トランジスタに関する
。
（従来の技術〕
従来、高周波トランジスタで増幅回路を構成する場合に
は、その直流バイアス回路は高周波信号が洩れ込まない
ような低域ろ波回路として構成される。例えば、第３図
はその低域ろ波回路の一例であり、チョークコイル１１
とコンデンサ１２でバイアス回路を構成し、これを外付
部品としてトランジスタ増幅回路の一部に接続している
。
は、その直流バイアス回路は高周波信号が洩れ込まない
ような低域ろ波回路として構成される。例えば、第３図
はその低域ろ波回路の一例であり、チョークコイル１１
とコンデンサ１２でバイアス回路を構成し、これを外付
部品としてトランジスタ増幅回路の一部に接続している
。
ところで、高周波トランジスタを用いた増幅回路では、
上述したバイアス回路は通常トランジスタのインピーダ
ンス整合をとるためのマイクロストリップライン基板の
上に実装し、上述した電気接続を行っている。このため
、このバイアス回路をマイクロストリップライン基板上
に付設することにより、トランジスタインピーダンスの
整合不良が発生し易くなり、或いは整合が困難になると
いう問題が生じる。また、チョークコイルやコンデンサ
等の部品を基板に実装することにより、実装部品の増加
に伴う増幅器の大型化を招くという問題も生じている。
上述したバイアス回路は通常トランジスタのインピーダ
ンス整合をとるためのマイクロストリップライン基板の
上に実装し、上述した電気接続を行っている。このため
、このバイアス回路をマイクロストリップライン基板上
に付設することにより、トランジスタインピーダンスの
整合不良が発生し易くなり、或いは整合が困難になると
いう問題が生じる。また、チョークコイルやコンデンサ
等の部品を基板に実装することにより、実装部品の増加
に伴う増幅器の大型化を招くという問題も生じている。
本発明はインピーダンスの整合不良及び増幅器の大型化
を防止することができる高周波トランジスタを提供する
ことを目的としている。
を防止することができる高周波トランジスタを提供する
ことを目的としている。
（課題を解決するための手段〕
本発明の高周波トランジスタは、トランジスタチップを
封止するパッケージ内に、該トランジス夕のバイアス回
路を構成する部品を一体的に内蔵した構成としている。
封止するパッケージ内に、該トランジス夕のバイアス回
路を構成する部品を一体的に内蔵した構成としている。
上述した構成では、トランジスタの実装に際し、バイア
ス回路を構成する部品をトランジスタと共に実装する必
要はなく、これらの部品を実装することによるインピー
ダンスの不整合や大型化を解消する。
ス回路を構成する部品をトランジスタと共に実装する必
要はなく、これらの部品を実装することによるインピー
ダンスの不整合や大型化を解消する。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示しており、トランジスタ
内部の平面図、第２図はその回路図である。これらの図
において、バイポーラトランジスタからなる高周波トラ
ンジスタのチップ１はヒートシンク等に一体化される基
板２上に搭載し、そのベースを接地している。この基板
２にはコレクタ電極３とエミッタ電極４をトランジスタ
チップ１の両側位置に支持しており、夫々金属細線５Ａ
。
内部の平面図、第２図はその回路図である。これらの図
において、バイポーラトランジスタからなる高周波トラ
ンジスタのチップ１はヒートシンク等に一体化される基
板２上に搭載し、そのベースを接地している。この基板
２にはコレクタ電極３とエミッタ電極４をトランジスタ
チップ１の両側位置に支持しており、夫々金属細線５Ａ
。
５Ｂにより電気接続している。
また、前記コレクタ電極３に近接した基板２の上面には
チョークコイル７Ａとチップコンデンサ８Ａを搭載して
おり、これらチョークコイル７Ａとチップコンデンサ８
Ａで構成した低域ろ波回路を介してコレクタ電極３をバ
イアス電極６Ａに電気接続している。同様に、エミッタ
電極４に近接した基板２の上面には、チョークコイル７
Ｂとチップコンデンサ８Ｂを搭載しており、これらチョ
ークコイル７Ｂとチップコンデンサ８Ｂで構成した低域
ろ波回路を介してエミッタ電極４をバイアス電極６Ｂに
電気接続している。
チョークコイル７Ａとチップコンデンサ８Ａを搭載して
おり、これらチョークコイル７Ａとチップコンデンサ８
Ａで構成した低域ろ波回路を介してコレクタ電極３をバ
イアス電極６Ａに電気接続している。同様に、エミッタ
電極４に近接した基板２の上面には、チョークコイル７
Ｂとチップコンデンサ８Ｂを搭載しており、これらチョ
ークコイル７Ｂとチップコンデンサ８Ｂで構成した低域
ろ波回路を介してエミッタ電極４をバイアス電極６Ｂに
電気接続している。
そして、コレクタ電極３とエミッタ電極４、更に基板２
に一体化されるヒートシンク等を露出させた状態でパッ
ケージ封止してトランジスタを構成している。
に一体化されるヒートシンク等を露出させた状態でパッ
ケージ封止してトランジスタを構成している。
この構成の高周波トランジスタでは、トランジスタチッ
プ１を封止するパンケージの内部に一体的にチョークコ
イル７Ａ、７Ｂとチップコンデンサ８Ａ、８Ｂからなる
低域ろ波回路を内蔵しているので、実装時にこれらの部
品を外付けしなくとも、高周波信号が直流バイアス回路
に洩れ込むことを有効に防止できる。
プ１を封止するパンケージの内部に一体的にチョークコ
イル７Ａ、７Ｂとチップコンデンサ８Ａ、８Ｂからなる
低域ろ波回路を内蔵しているので、実装時にこれらの部
品を外付けしなくとも、高周波信号が直流バイアス回路
に洩れ込むことを有効に防止できる。
また、これらの部品を外付けする必要はないために、ト
ランジスタをマイクロストリンブライン基板上に構成す
る場合でも、このマイクロストリップライン基板に部品
を付加する必要はなく、インピーダンス整合を好適にと
ることができる。また、外付は部品が不要のため、増幅
器が大型化されることもない。
ランジスタをマイクロストリンブライン基板上に構成す
る場合でも、このマイクロストリップライン基板に部品
を付加する必要はなく、インピーダンス整合を好適にと
ることができる。また、外付は部品が不要のため、増幅
器が大型化されることもない。
なお、チョークコイルやチップコンデンサは周波数が高
くなれば小型に構成できるため、これらを一体化したト
ランジスタの形状や寸法は、これらの部品を内蔵しない
トランジスタと同程度に抑えることができる。
くなれば小型に構成できるため、これらを一体化したト
ランジスタの形状や寸法は、これらの部品を内蔵しない
トランジスタと同程度に抑えることができる。
以上説明したように本発明は、トランジスタのバイアス
回路を構成する部品をトランジスタのパッケージ内に一
体的に内蔵しているので、トランジスタの実装に際して
は、バイアス回路を構成する部品をトランジスタと共に
実装する必要がなく、インピーダンスを好適に整合でき
るとともに、トランジスタで構成する増幅器等の小型化
を実現できる効果がある。
回路を構成する部品をトランジスタのパッケージ内に一
体的に内蔵しているので、トランジスタの実装に際して
は、バイアス回路を構成する部品をトランジスタと共に
実装する必要がなく、インピーダンスを好適に整合でき
るとともに、トランジスタで構成する増幅器等の小型化
を実現できる効果がある。
第１図は本発明の高周波トランジスタの一実施例の平面
図、第２図はその回路図、第３図は従来のバイアス回路
に使用する低域ろ波回路の回路図である。 １・・・トランジスタチップ、２・・・基板、３・・・
コレクタ電極、４・・・エミッタ電極、５Ａ、５Ｂ・・
・金属細線、６Ａ、６Ｂ・・・バイアス電極、７Ａ、７
Ｂ・・・チョークコイル、８Ａ、８Ｂ・・・チップコン
デンサ、１１・・・チョ−クコイル、１２・・・コンデ
ンサ。
図、第２図はその回路図、第３図は従来のバイアス回路
に使用する低域ろ波回路の回路図である。 １・・・トランジスタチップ、２・・・基板、３・・・
コレクタ電極、４・・・エミッタ電極、５Ａ、５Ｂ・・
・金属細線、６Ａ、６Ｂ・・・バイアス電極、７Ａ、７
Ｂ・・・チョークコイル、８Ａ、８Ｂ・・・チップコン
デンサ、１１・・・チョ−クコイル、１２・・・コンデ
ンサ。
Claims (1)
- １、トランジスタチップを封止するパッケージ内に、該
トランジスタのバイアス回路を構成する部品を一体的に
内蔵したことを特徴とする高周波トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18411188A JPH0233963A (ja) | 1988-07-23 | 1988-07-23 | 高周波トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18411188A JPH0233963A (ja) | 1988-07-23 | 1988-07-23 | 高周波トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0233963A true JPH0233963A (ja) | 1990-02-05 |
Family
ID=16147581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18411188A Pending JPH0233963A (ja) | 1988-07-23 | 1988-07-23 | 高周波トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0233963A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5113722A (en) * | 1990-06-22 | 1992-05-19 | Jatco Corporation | Timing control during downshift to engine braking range |
| JP2006501678A (ja) * | 2002-09-30 | 2006-01-12 | クリー・マイクロウェイブ・インコーポレーテッド | Ｒｆバイパス・出力マッチングネットワークを有するパッケージに収納されたｒｆパワートランジスタ |
| US7990223B1 (en) | 2010-05-31 | 2011-08-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency module and operating method of the same |
-
1988
- 1988-07-23 JP JP18411188A patent/JPH0233963A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5113722A (en) * | 1990-06-22 | 1992-05-19 | Jatco Corporation | Timing control during downshift to engine braking range |
| JP2006501678A (ja) * | 2002-09-30 | 2006-01-12 | クリー・マイクロウェイブ・インコーポレーテッド | Ｒｆバイパス・出力マッチングネットワークを有するパッケージに収納されたｒｆパワートランジスタ |
| US7990223B1 (en) | 2010-05-31 | 2011-08-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency module and operating method of the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110719076B (zh) | 半导体放大器 | |
| JPH0233963A (ja) | 高周波トランジスタ | |
| TW200417140A (en) | Dielectric component array | |
| JPH0115226Y2 (ja) | ||
| JPH1093012A (ja) | 高周波集積回路装置 | |
| JPH0272654A (ja) | Ｉｃパッケージ及びその接続構造 | |
| CA1134489A (en) | High frequency semiconductor device | |
| JPS5838613Y2 (ja) | ハイブリツド集積化高周波トランジスタ増幅器 | |
| JPH01125959A (ja) | 高周波用パッケージ | |
| JPH079439Y2 (ja) | 電子回路用基板のシールド構造 | |
| JPH04129402A (ja) | マイクロ波回路用パッケージ | |
| JPH042492Y2 (ja) | ||
| JP4795154B2 (ja) | ノイズフィルタ実装基板 | |
| JPH04271161A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0445247Y2 (ja) | ||
| JPS6259462B2 (ja) | ||
| JPS6043022B2 (ja) | マイクロ波装置モジュ−ル | |
| JPH04109701A (ja) | マイクロ波半導体装置 | |
| JP2000106475A (ja) | 回路基板装置 | |
| JPH02134906A (ja) | 高周波電力増幅用デバイス | |
| JPH02180055A (ja) | 半導体装置のパッケージ | |
| JPH01190104A (ja) | 高周波発振装置 | |
| JPH07114334B2 (ja) | 増幅器モジユ−ル | |
| EP0020787A1 (en) | High frequency semiconductor unit | |
| JPH07193410A (ja) | バラクタダイオード装荷型共振器 |