JPH0272654A - Icパッケージ及びその接続構造 - Google Patents
Icパッケージ及びその接続構造Info
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- JPH0272654A JPH0272654A JP22254288A JP22254288A JPH0272654A JP H0272654 A JPH0272654 A JP H0272654A JP 22254288 A JP22254288 A JP 22254288A JP 22254288 A JP22254288 A JP 22254288A JP H0272654 A JPH0272654 A JP H0272654A
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
概要
ICチップを収容するためのICパッケージ及びその接
続構造に関し、 漏話特性の改善を目的とし、 例えば、ICチップが載置固定される導電性のステージ
と、上記ICチップの近傍からパッケージ外部に導出さ
れる導電性の複数の端子とを具備して構成されるICパ
ッケージにおいて、上記ステージを上記複数の端子のう
ちの一部に電気的に接続して構成する。
続構造に関し、 漏話特性の改善を目的とし、 例えば、ICチップが載置固定される導電性のステージ
と、上記ICチップの近傍からパッケージ外部に導出さ
れる導電性の複数の端子とを具備して構成されるICパ
ッケージにおいて、上記ステージを上記複数の端子のう
ちの一部に電気的に接続して構成する。
産業上の利用分野
本発明は、ICチップを収容するためのICパッケージ
及びその接続構造に関する。
及びその接続構造に関する。
近年、例えば情報通信の分野においては、装置の小型化
及び信号処理速度の高速化にともない、高周波特性に優
れたICチップが多数開発され実用に供されるようにな
っている。ICチップは、一般に、能動・受動画素子に
よる単一又は複数の回路が単一の半導体基板上に一体と
して作りこまれた回路構造を有しており、このため、(
イ)ICチップを外部回路と電気的に接続するために、
(ロ)環境からICチップを物理的、化学的に保護する
ために、(ハ)発生した熱を効果的に外部に放散するた
めに、通常、絶縁体及び導体を組み合わせて構成される
ICパッケージ内に収容して実用される。この種のIC
パッケージに要求されることは、上記(イ)〜(ハ)の
他に、ICチップの高周波特性を損なわないこと等であ
る。
及び信号処理速度の高速化にともない、高周波特性に優
れたICチップが多数開発され実用に供されるようにな
っている。ICチップは、一般に、能動・受動画素子に
よる単一又は複数の回路が単一の半導体基板上に一体と
して作りこまれた回路構造を有しており、このため、(
イ)ICチップを外部回路と電気的に接続するために、
(ロ)環境からICチップを物理的、化学的に保護する
ために、(ハ)発生した熱を効果的に外部に放散するた
めに、通常、絶縁体及び導体を組み合わせて構成される
ICパッケージ内に収容して実用される。この種のIC
パッケージに要求されることは、上記(イ)〜(ハ)の
他に、ICチップの高周波特性を損なわないこと等であ
る。
従来の技術
第11図は、従来の一般的なICパッケージの主要構成
要素であるパッケージ本体の平面図(a)、側面図(b
)、底面図(C)である。このパッケージ本体は、平板
ブロック2上に、ICチップが収容される空間を郭成す
るために第1枠部材4を積み重ね、さらに第1枠部材4
上に、ICチップの配線部が収容される空間を郭成する
た必に第2枠部材6を積み重ねて構成されている。8は
ICチップを載置固定するために平板ブロック2上に形
成されたステージ、10はICチップを外部回路と電気
的に接続するためにパンケージ本体内部から外部に導出
された端子、12は後述する蓋部材を第2枠部材6上に
固定するためのプレートである。
要素であるパッケージ本体の平面図(a)、側面図(b
)、底面図(C)である。このパッケージ本体は、平板
ブロック2上に、ICチップが収容される空間を郭成す
るために第1枠部材4を積み重ね、さらに第1枠部材4
上に、ICチップの配線部が収容される空間を郭成する
た必に第2枠部材6を積み重ねて構成されている。8は
ICチップを載置固定するために平板ブロック2上に形
成されたステージ、10はICチップを外部回路と電気
的に接続するためにパンケージ本体内部から外部に導出
された端子、12は後述する蓋部材を第2枠部材6上に
固定するためのプレートである。
このようなパッケージ本体にICチップを収容する場合
について、第12図により説明する。尚、第12図は第
11図(a)におけるx■−xn線断面に沿った端面に
相当している。例えばステージ8をAu等の金属から形
成してICチップ14を半田付けによりステージ8上に
固定し、ICチップ14の接続端子をボンディングワイ
ヤ16により端子10に電気的に接続し、ICチップ1
4及びその配線部分を気密封止するために、例えば金属
からなるプレート12に金属からなる蓋部材18を半田
付けして密閉したものである。このようにICチップ1
4、蓋部材18を半田付は固定するためにステージ8、
プレート12を金属から形成する場合には、これらを例
えば端子10と同様に例えばAu蒸着により形成するこ
とができる。
について、第12図により説明する。尚、第12図は第
11図(a)におけるx■−xn線断面に沿った端面に
相当している。例えばステージ8をAu等の金属から形
成してICチップ14を半田付けによりステージ8上に
固定し、ICチップ14の接続端子をボンディングワイ
ヤ16により端子10に電気的に接続し、ICチップ1
4及びその配線部分を気密封止するために、例えば金属
からなるプレート12に金属からなる蓋部材18を半田
付けして密閉したものである。このようにICチップ1
4、蓋部材18を半田付は固定するためにステージ8、
プレート12を金属から形成する場合には、これらを例
えば端子10と同様に例えばAu蒸着により形成するこ
とができる。
絶縁体からなる平板ブロック2、第1枠部材4及び第2
枠部材6は例えばセラミックスから形成され、これらを
互いに焼結することにより容易に一体化することができ
る。
枠部材6は例えばセラミックスから形成され、これらを
互いに焼結することにより容易に一体化することができ
る。
発明が解決しようとする課題
ステージ8が上述のように金属から形成されている場合
、ステージ8の縁部と端子10間には浮遊容量C+ 、
C2が生じ、ICチップの入出力部に対応するパッケ
ージ本体の端子間には、入力端子、容量CI、ステージ
8、容量C2、出力端子の経路で漏話が生じる。一方、
プレート12、蓋部材18が金属から形成されている場
合には、端子とプレート12又は蓋部材18との間に浮
遊容量C3、C−が生じ、入力端子、容量C3、蓋部材
18、容量C4、出力端子の経路で漏話が生じる。
、ステージ8の縁部と端子10間には浮遊容量C+ 、
C2が生じ、ICチップの入出力部に対応するパッケ
ージ本体の端子間には、入力端子、容量CI、ステージ
8、容量C2、出力端子の経路で漏話が生じる。一方、
プレート12、蓋部材18が金属から形成されている場
合には、端子とプレート12又は蓋部材18との間に浮
遊容量C3、C−が生じ、入力端子、容量C3、蓋部材
18、容量C4、出力端子の経路で漏話が生じる。
第13図は漏話特性の測定例を示すグラフであり、測定
グラフAについて縦軸は漏話量(d B)、横軸は周波
数(MHz)である。周波数が高くなるに従って浮遊容
量のりアクタンスが減少し、漏話量が増大しており、3
00MHzにおいて−28,7dBの漏話が生じている
。このような漏話特性をICパッケージが有していると
、収容されたICチップが増幅器でありその周波数特性
が同図においてBで示されるように300MHzで+3
0dB程度の利得を有している場合に、回路が発振する
。従って、このような漏話特性を有するICパッケージ
は、高周波特性が良好な増幅器、高利得な増幅器には不
向きである。このように、漏話特性を改善すること、つ
まり、第13図において漏話特性曲線をグラフ中の下方
向又は右方向に変移させることが技術的課題となってい
る。
グラフAについて縦軸は漏話量(d B)、横軸は周波
数(MHz)である。周波数が高くなるに従って浮遊容
量のりアクタンスが減少し、漏話量が増大しており、3
00MHzにおいて−28,7dBの漏話が生じている
。このような漏話特性をICパッケージが有していると
、収容されたICチップが増幅器でありその周波数特性
が同図においてBで示されるように300MHzで+3
0dB程度の利得を有している場合に、回路が発振する
。従って、このような漏話特性を有するICパッケージ
は、高周波特性が良好な増幅器、高利得な増幅器には不
向きである。このように、漏話特性を改善すること、つ
まり、第13図において漏話特性曲線をグラフ中の下方
向又は右方向に変移させることが技術的課題となってい
る。
そこで、本発明は、漏話特性を改善することとその実現
に適したICパッケージを提供することを目的としてい
る。
に適したICパッケージを提供することを目的としてい
る。
課題を解決するための手段
ICパッケージの漏話特性を改善するためには、導電性
のステージ、蓋部材を高周波的に接地すること、即ち、
直接接地するかあるいは使用される高周波数において大
きなりアクタンスを生じることがないコンデンサを介し
て接地することが有効である。ここで、コンデンサを介
して接地することを含めているのは、ICチップのステ
ージに密着する部分が必ずしも零電位とは限らないから
である。このような高周波的な接地は、以下に示す(1
)〜(3)の構成のICパッケージにより容易に行い得
る。
のステージ、蓋部材を高周波的に接地すること、即ち、
直接接地するかあるいは使用される高周波数において大
きなりアクタンスを生じることがないコンデンサを介し
て接地することが有効である。ここで、コンデンサを介
して接地することを含めているのは、ICチップのステ
ージに密着する部分が必ずしも零電位とは限らないから
である。このような高周波的な接地は、以下に示す(1
)〜(3)の構成のICパッケージにより容易に行い得
る。
(1) ICチップが載置固定される導電性のステ
ージと、上記ICチップの近傍からパッケージ外部に導
8される導電性の複数の端子とを具備して構成されるI
Cパンケージにおいて、上記ステージを上記複数の端子
のうちの一部に電気的に接続する。
ージと、上記ICチップの近傍からパッケージ外部に導
8される導電性の複数の端子とを具備して構成されるI
Cパンケージにおいて、上記ステージを上記複数の端子
のうちの一部に電気的に接続する。
(2> ICチップの近傍からパッケージ外部に導
出される導電性の複数の端子と、上記ICチップを密閉
するための導電性の蓋部材とを具備して構成されるIC
パンケージにおいて、上記蓋部材を上記複数の端子のう
ちの一部に電気的に接続する。
出される導電性の複数の端子と、上記ICチップを密閉
するための導電性の蓋部材とを具備して構成されるIC
パンケージにおいて、上記蓋部材を上記複数の端子のう
ちの一部に電気的に接続する。
(3) ICチップが載置固定される導電性のステ
ージと、上記ICチップの近傍からパッケージ外部に導
出される導電性の複数の端子と、上記ICチップを密閉
するための導電性の蓋部材とを具備して構成されるIC
パッケージにおいて、上記ステージ及び上記蓋部材を上
記複数の端子のうちの一部に電気的に接続する。
ージと、上記ICチップの近傍からパッケージ外部に導
出される導電性の複数の端子と、上記ICチップを密閉
するための導電性の蓋部材とを具備して構成されるIC
パッケージにおいて、上記ステージ及び上記蓋部材を上
記複数の端子のうちの一部に電気的に接続する。
作 用
(1)の構成によれば、導電性のステージが電気的に接
続された端子を容易に高周波的に接地することができる
から、漏話量を減衰させて漏話特性を改善することがで
きる。
続された端子を容易に高周波的に接地することができる
から、漏話量を減衰させて漏話特性を改善することがで
きる。
(2)の構成によれば、導電性の蓋部材が電気的に接続
された端子を容易に高周波的に接地することができるか
ら、漏話量を減衰させて漏話特性を改善することができ
る。
された端子を容易に高周波的に接地することができるか
ら、漏話量を減衰させて漏話特性を改善することができ
る。
(3)の構成によれば、導電性のステージ及び蓋部材が
電気的に接続された端子を容易に高周波的に接地するこ
とができるから、漏話量を減衰させて漏話特性を改善す
ることができる。
電気的に接続された端子を容易に高周波的に接地するこ
とができるから、漏話量を減衰させて漏話特性を改善す
ることができる。
実 施 例
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は(1)の構成の第1実施例を示すパッケージ本
体の平面図、第2図は第1図における■■線に沿った端
面図である。尚、従来構成(第11図及び第12図)と
同一の部分に配置されている部材については同一の符号
を付すとともにその説明を一部省略する(以下同様)。
体の平面図、第2図は第1図における■■線に沿った端
面図である。尚、従来構成(第11図及び第12図)と
同一の部分に配置されている部材については同一の符号
を付すとともにその説明を一部省略する(以下同様)。
この実施例では、複数の端子10のうち、パッケージ本
体の隅の近傍に位置し互いに概略回転対称の位置関係に
ある端子10a、10bを第1枠部材4の内壁面4aに
沿って延在させ、その先端をステージ8に電気的に接続
している。この電気的な接続は、平板ブロック2及び第
1枠部材4がセラミックスから形成されている場合にこ
れらを焼結するときに自動的になすことができるが、レ
ーザスポット溶接等によってなしても良い。ここで、ス
テージ8に電気的に接続される端子10a、10bをパ
ッケージ本体10の隅の近傍に位置させているのは、隅
の近傍の比較的長い端子が信号線等に使用されることが
少ないからである。
体の隅の近傍に位置し互いに概略回転対称の位置関係に
ある端子10a、10bを第1枠部材4の内壁面4aに
沿って延在させ、その先端をステージ8に電気的に接続
している。この電気的な接続は、平板ブロック2及び第
1枠部材4がセラミックスから形成されている場合にこ
れらを焼結するときに自動的になすことができるが、レ
ーザスポット溶接等によってなしても良い。ここで、ス
テージ8に電気的に接続される端子10a、10bをパ
ッケージ本体10の隅の近傍に位置させているのは、隅
の近傍の比較的長い端子が信号線等に使用されることが
少ないからである。
この実施例によれば、ICパッケージを例えばフリップ
チップボンディング、リフロ一方式等によりプリント配
線板上に実装して端子10a、10bを他の端子と同様
にプリント配線板上の配線パターンに接続したときに、
その配線パターンを直接接地するか、あるいは通常の方
法により実装されたコンデンサを介して接地することに
より、ステージ8を容易に高周波的に接地することがで
きる。
チップボンディング、リフロ一方式等によりプリント配
線板上に実装して端子10a、10bを他の端子と同様
にプリント配線板上の配線パターンに接続したときに、
その配線パターンを直接接地するか、あるいは通常の方
法により実装されたコンデンサを介して接地することに
より、ステージ8を容易に高周波的に接地することがで
きる。
第3図は(1)の構成の第2実施例を示すパッケージ本
体の端面図であり、その断面位置は第2図に相当してい
る。この実施例では、端子を第1枠部材4に沿って延在
させることによって端子とステージの電気的な接続をは
かるのではなく、接続すべき端子に対応した位置に、ス
テージ8から導体パターン3a、3bを延在させ、その
先端部にて対応した端子10.10と電気的に接続する
ようにしている。この構成によっても、ステージ8を容
易に高周波的に接地することができる。
体の端面図であり、その断面位置は第2図に相当してい
る。この実施例では、端子を第1枠部材4に沿って延在
させることによって端子とステージの電気的な接続をは
かるのではなく、接続すべき端子に対応した位置に、ス
テージ8から導体パターン3a、3bを延在させ、その
先端部にて対応した端子10.10と電気的に接続する
ようにしている。この構成によっても、ステージ8を容
易に高周波的に接地することができる。
第4図は1、(1)の構成においてステージを高周波的
に接地したときの漏話特性を示すグラフであり、縦軸は
漏話量(dB)、横軸は周波数(MHz)である。従来
構成と比較して、300MH2において、漏話量が−2
8,7dBから−57゜9dBに改善されていることが
明らかである。
に接地したときの漏話特性を示すグラフであり、縦軸は
漏話量(dB)、横軸は周波数(MHz)である。従来
構成と比較して、300MH2において、漏話量が−2
8,7dBから−57゜9dBに改善されていることが
明らかである。
第5図は、(2)の構成の第1実施例を示すパッケージ
本体の平面図、第6図は第5図におけるVI−VI線に
沿った端面図である。この実施例では、プレート12の
パッケージ本体の隅部近傍に位置する部分を部分的に第
2枠部材6の内壁面6aに沿って延在させ、その導体1
2a、12bを介してプレート12と対応する端子10
.10との電気的な接続をなしている。この構成により
、例えば半田付けによりプレート12に固定された蓋部
材18を、特別な配線を行うことなしに容易に高周波的
に接地することができる。
本体の平面図、第6図は第5図におけるVI−VI線に
沿った端面図である。この実施例では、プレート12の
パッケージ本体の隅部近傍に位置する部分を部分的に第
2枠部材6の内壁面6aに沿って延在させ、その導体1
2a、12bを介してプレート12と対応する端子10
.10との電気的な接続をなしている。この構成により
、例えば半田付けによりプレート12に固定された蓋部
材18を、特別な配線を行うことなしに容易に高周波的
に接地することができる。
第7図はく2)の構成の第2実施例を示すパッケージ本
体の端面図であり、その断面位置は第6図に相当してい
る。この実施例では、第2縁部材6及びプレート12に
スルーホール20を設け、このスルーホール20の導体
部を介してプレート12と対応する端子10を電気的に
接続するようにしている。この構成により、蓋部材18
を容易に高周波的に接地することが可能になる。
体の端面図であり、その断面位置は第6図に相当してい
る。この実施例では、第2縁部材6及びプレート12に
スルーホール20を設け、このスルーホール20の導体
部を介してプレート12と対応する端子10を電気的に
接続するようにしている。この構成により、蓋部材18
を容易に高周波的に接地することが可能になる。
第8図は、(2)の構成において蓋部材を高周波的に接
地したときの漏話特性を示すグラフである。周波数30
0MHzにおいて漏話量が−49゜7dBとなっており
、従来構成と比較して漏話特性が改善されていることが
明らかである。
地したときの漏話特性を示すグラフである。周波数30
0MHzにおいて漏話量が−49゜7dBとなっており
、従来構成と比較して漏話特性が改善されていることが
明らかである。
第9図は、(3)の構成の実施例を示すパッケージ本体
の平面図であり、この実施例では、第1図及び第2図に
示された実施例並びに第5図及び第6図に示された実施
例を組み合わせてパッケージ本体を構成している。この
構成によれば、ステージ及び蓋部材を容易に高周波的に
接地することが可能になる。
の平面図であり、この実施例では、第1図及び第2図に
示された実施例並びに第5図及び第6図に示された実施
例を組み合わせてパッケージ本体を構成している。この
構成によれば、ステージ及び蓋部材を容易に高周波的に
接地することが可能になる。
第10図は、(3)の構成においてステージ及び蓋部材
を高周波的に接地したときの漏話特性を示すグラフであ
る。周波数300MHzにおいて漏話量が一70dBに
まで改善されており、極めて良好な漏話特性が得られて
いることが明らかである。
を高周波的に接地したときの漏話特性を示すグラフであ
る。周波数300MHzにおいて漏話量が一70dBに
まで改善されており、極めて良好な漏話特性が得られて
いることが明らかである。
発明の効果
以上詳述したように、本発明によれば、ICパッケージ
のステージ及び/又は蓋部材を複数の端子のうちの一部
に接続しているので、ステージ及び/又は蓋部材を当該
端子を介して容易に高周波的に接地して、漏話特性を改
善することが可能になるという効果を奏する。
のステージ及び/又は蓋部材を複数の端子のうちの一部
に接続しているので、ステージ及び/又は蓋部材を当該
端子を介して容易に高周波的に接地して、漏話特性を改
善することが可能になるという効果を奏する。
第1図は本発明(1)の構成の第1実施例を示すパッケ
ージ本体の平面図、 第2図は第1図における■−■線に沿った断面における
端面図、 第3図は本発明(1)の構成の第2実施例を示すパッケ
ージ本体の端面図、 第4図は本発明(1)の構成の効果を示すグラフ、 第5図は本発明(2)の構成の第1実施例を示すパッケ
ージ本体の平面図、 第6図は第5図におけるVI−VI線に沿った断面にお
ける端面図、 第7図は本発明(2)の構成の第2実施例を示すパッケ
ージ本体の端面図、 第8図は本発明(2)の構成の効果を示すグラフ、 第9図は本発明(3)の構成の実施例を示すパンケージ
本体の平面図、 第10図は本発明(3)の構成の効果を示すグラフ、 第11図は従来の一般的なICパッケージの主要構成要
素であるパッケージ本体の平面図(a)、側面図(b)
、底面図(C)、 第12図及び第13図は従来技術の問題点を説明するた
めの図である。 8・・・ステージ、 10・・・端子、12・・・
プレート、 14・・・ICチップ、18・・・蓋
部材。 !墓− 惰募箒 とQ;す 8暮− 区 酩 ヤ T− 貿沫 や
ージ本体の平面図、 第2図は第1図における■−■線に沿った断面における
端面図、 第3図は本発明(1)の構成の第2実施例を示すパッケ
ージ本体の端面図、 第4図は本発明(1)の構成の効果を示すグラフ、 第5図は本発明(2)の構成の第1実施例を示すパッケ
ージ本体の平面図、 第6図は第5図におけるVI−VI線に沿った断面にお
ける端面図、 第7図は本発明(2)の構成の第2実施例を示すパッケ
ージ本体の端面図、 第8図は本発明(2)の構成の効果を示すグラフ、 第9図は本発明(3)の構成の実施例を示すパンケージ
本体の平面図、 第10図は本発明(3)の構成の効果を示すグラフ、 第11図は従来の一般的なICパッケージの主要構成要
素であるパッケージ本体の平面図(a)、側面図(b)
、底面図(C)、 第12図及び第13図は従来技術の問題点を説明するた
めの図である。 8・・・ステージ、 10・・・端子、12・・・
プレート、 14・・・ICチップ、18・・・蓋
部材。 !墓− 惰募箒 とQ;す 8暮− 区 酩 ヤ T− 貿沫 や
Claims (4)
- (1)ICチップ(14)が載置固定される導電性のス
テージ(8)と、上記ICチップ(14)の近傍からパ
ッケージ外部に導出される導電性の複数の端子(10)
とを具備して構成されるICパッケージにおいて、上記
ステージ(8)を上記複数の端子(10)のうちの一部
に電気的に接続したことを特徴とするICパッケージ。 - (2)ICチップ(14)の近傍からパッケージ外部に
導出される導電性の複数の端子(10)と、上記ICチ
ップ(14)を密閉するための導電性の蓋部材(18)
とを具備して構成されるICパッケージにおいて、上記
蓋部材(18)を上記複数の端子(10)のうちの一部
に電気的に接続したことを特徴とするICパッケージ。 - (3)ICチップ(14)が載置固定される導電性のス
テージ(8)と、上記ICチップ(14)の近傍からパ
ッケージ外部に導出される導電性の複数の端子(10)
と、上記ICチップ(14)を密閉するための導電性の
蓋部材(18)とを具備して構成されるICパッケージ
において、 上記ステージ(8)及び上記蓋部材(18)を上記複数
の端子(10)のうちの一部に電気的に接続したことを
特徴とするICパッケージ。 - (4)ステージ(8)及び/又は蓋部材(18)が電気
的に接続された端子を高周波的に接地したことを特徴と
する請求項1、2又は3記載のICパッケージの接続構
造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22254288A JPH0272654A (ja) | 1988-09-07 | 1988-09-07 | Icパッケージ及びその接続構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22254288A JPH0272654A (ja) | 1988-09-07 | 1988-09-07 | Icパッケージ及びその接続構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0272654A true JPH0272654A (ja) | 1990-03-12 |
Family
ID=16784075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22254288A Pending JPH0272654A (ja) | 1988-09-07 | 1988-09-07 | Icパッケージ及びその接続構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0272654A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5225709A (en) * | 1990-06-15 | 1993-07-06 | Hitachi, Ltd. | Package having a structure for stabilizing and/or impedance-matching a semiconductor IC device accommodated therein |
US5898218A (en) * | 1996-04-26 | 1999-04-27 | Denso Corporation | Structure for mounting electronic components and method for mounting the same |
DE19521712B4 (de) * | 1994-06-15 | 2009-06-18 | Denso Corp., Kariya-shi | Vorrichtung zum Erfassen einer physikalischen Größe |
-
1988
- 1988-09-07 JP JP22254288A patent/JPH0272654A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5225709A (en) * | 1990-06-15 | 1993-07-06 | Hitachi, Ltd. | Package having a structure for stabilizing and/or impedance-matching a semiconductor IC device accommodated therein |
DE19521712B4 (de) * | 1994-06-15 | 2009-06-18 | Denso Corp., Kariya-shi | Vorrichtung zum Erfassen einer physikalischen Größe |
US5898218A (en) * | 1996-04-26 | 1999-04-27 | Denso Corporation | Structure for mounting electronic components and method for mounting the same |
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