JPH04129402A - マイクロ波回路用パッケージ - Google Patents

マイクロ波回路用パッケージ

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Publication number
JPH04129402A
JPH04129402A JP2250983A JP25098390A JPH04129402A JP H04129402 A JPH04129402 A JP H04129402A JP 2250983 A JP2250983 A JP 2250983A JP 25098390 A JP25098390 A JP 25098390A JP H04129402 A JPH04129402 A JP H04129402A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
board
package
microwave
mmic
Prior art date
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Pending
Application number
JP2250983A
Other languages
English (en)
Inventor
Shoichi Kamata
鎌田 昭一
Tomohide Soejima
副島 知英
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2250983A priority Critical patent/JPH04129402A/ja
Publication of JPH04129402A publication Critical patent/JPH04129402A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Waveguide Connection Structure (AREA)
  • Waveguides (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は、例えば、モノリシックマイクロ波集積回路
(MMIC)素子を収納して回路形成するのに好適なマ
イクロ波回路用パッケージの改良に関する。
(従来の技術) 一般にGaAsF E T等のMMIC素子を使用した
マイクロ波回路は、MMIC素子そのものとこれを駆動
する駆動回路とが接続されて構成される。
半導体チップで構成されたMMIC素子は、般には気密
状態にシーリング(封止)されて使用されるので、駆動
回路とともに第5図のように接続構成されていた。
即チ、チップ状のMM I C素子1は、その駆動回路
21を形成したセラミックの回路基板2とともに、コバ
ール(kovar)等の金属製基板(ベースプレート)
3上にマウントされている。
駆動回路21は、抵抗体やコンデンサ・チップ。
トランジスタ・チップ等、単体部品からなる他の回路素
子21aにより、ハイブリッド構成されている。
この駆動回路21の一端はボンディングワイヤ41によ
って前記金属製基板3に絶縁して貫通されたバイアス供
給用の直流(DC)端子31に接続されている。
また、金属製基板3上にマウントされたMMIC素子1
も、同じく絶縁して貫通された高周波(RF)端子32
とボンディングワイヤ42によって接続されている。
駆動回路21の出力端とMMIC素子1との間は、ボン
ディングワイヤ43によって接続構成されているから、
DC端子31から供給の直流電力は駆動回路21により
所定のバイアス電圧に変換された後MMIC素子1に印
加され、MMIC素子1の高周波出力はボンディングワ
イヤ42からRF端子32を経て導出される。なお、3
1a、32aは絶縁体を示す。
また、金属製基板2にはパッケージ用のセラミックから
なるフレーム5を介して上蓋6が密封されるように取付
けられる。
ところで、上記構成のパッケージでは、金属製基板3上
の同一面にMMIC素子I素子側動回路21がともにマ
ウントされているので、金属製基板3は広い面積を必要
とし、全体の小形化の障害となっていた。
また、金属製基板3面が広くなると、箱状のパッケージ
内空間容積か大となるのは避けられず、その結果、マイ
クロ波帯の不要波モートが発生したり、異常共振回路が
形成されやすくなり、マイクロ波回路としての所望の機
能が得られなくなるので対策が要望されていた。
(発明が解決しようとする課題) 以上のように、従来のマイクロ波回路用パッケージは、
パッケージ内部の容積が大となり、形状か大形化すると
ともに、不要波モードや異常共振等を引起こす欠点があ
った。
そこでこの発明は、上記従来の欠点を解消し、パッケー
ジ内容積をより小さく構成し得て、同時に安定した高周
波特性が得られるマイクロ波回路用パッケージを提供す
ることを特徴とする。
[発明の構成コ (課題を解決するための手段) この発明によるマイクロ波回路用パッケージは、金属製
基板と、この金属製基板上面にマイクロ波集積回路素子
とともに固定して取付けられ導電パターンが形成された
多層基板と、この多層基板上に取付けられ上下に連なる
導電線路が形成されたフレームと、このフレーム上に前
記金属製基板面と対向して取付けられ前記導電線路を介
して前記マイクロ波集積回路素子及び多層基板の導電パ
ターンに電気的に接続される回路基板とを具備し、前記
マイクロ波集積回路素子とともに前記回路基板に装着さ
れる他の回路素子を収納することを特徴とする。
(作用) この発明によるマイクロ波回路用パッケージは、回路基
板はMMIC素子がマウントされる金属製基板に対向す
るように構成されたので、金属製基板の取付は面積を少
なくでき、パッケージ内容積をより小さくすることがで
きる。
(実施例) 以下、この発明によるマイクロ波回路用パッケージの実
施例を図面を参照し詳細に説明する。
なお、第5図に示した従来の構成と同一構成には同一符
号を付して詳細な説明は省略する。
即ち、第1図はこの発明によるマイクロ波回路用パッケ
ージの一実施例を示す断面図である。
コバール等の金属製基板3面には、MMIC素子1とと
もに、導電パターン7aを形成したセラミック製の多層
基板7がマウントされている。
この多層基板7上には、フレーム5を介して上蓋ともな
る回路基板2が取付けられる。回路基板2には導電パタ
ーン2aか形成され、この導電パターン2aが他の回路
素子21aに接続されることによって駆動回路21が構
成されている。
また、フレーム5には夫々スルーホールからなる複数の
導電線路51が形成され、金属製基板3のDC端子31
と駆動回路21とは、多層基板7と導電線路51を有す
るフレーム5とを介して電気的に接続されている。
なお、DC端子31は多層基板7にろう付けされ、絶縁
体31aを介して金属製基板3に貫通して取付けられて
いる。
従って、駆動回路21用のDC電力はDC端子31から
多層基板7.フレーム5を介して駆動回路21に供給さ
れるともに、駆動回路21のDCバイアス出力電圧はフ
レーム5の導電線路51及び多層基板7の導電パターン
7a、ボンディングワイヤ43を順次介してMMI C
素子1に供給され、マイクロ波出力電力はボンディング
ワイヤ42.RF端子32を介して導出される。
以上のように、この発明によるマイクロ波回路用パッケ
ージは、パッケージ内でMMIC素子1と駆動回路21
(即ち回路基板2)とか上下方向に対向して構成された
ので、金属製基板2の面積は少なくて済み、パッケージ
内の容積を著しく小さくできる。
即ち、回路基板2はMMIC素子1とは取付は面が分離
されパッケージの上蓋をも兼ねたことから、電気的不要
波信号が発生しにくくなるとともに、金属製基板1の面
積も小さくてきるから、他の装置への取付は面積が少な
くて済み、高密度実装が可能となる利点が得られる。
なお、上記実施例では、フレーム5と多層基板7及び回
路基板2との間は互いにフレーム5上端面で位置合せを
行い、各導電パターン間ではんだ付は接続されるか、製
造組立てに際して、フレーム5と回路基板2との間の位
置決めをピンを利用して作業をしやすくすることもでき
る。
即ち、第2図はこの発明によるマイクロ波回路用パッケ
ージの第2の実施例を示す断面図である。
第1の実施例(第1図に示す)と相違する点は、フレー
ム5の導電線路51に金属製のピン5aを植立し、回路
基板2にはこの金属製ピン5aか挿入される貫通孔2b
が形成され、導電パターン2aとはんだ付は接続される
ように構成されている。
従って、金属製のピン5aは電気的な接触子の役割を果
たすとともに、フレーム5と回路基板2とを組合わせる
ときの位置決め機能をも兼ね備えるのでパッケージの製
造組立て作業が容易となる。
また、上記第1.及び第2の実施例では、フレーム5の
導電線路51は縦(上下)方向にスルーホールを形成し
た構成となっているが、要するに多層基板7と回路基板
2との間に電気的な接続かなされていれば良いので、ス
ルーホールを形成することなく、例えばフレーム5の表
面へのメタライジングにより導電線路を形成して構成し
ても良い。
第3図はこの発明によるマイクロ波回路用パッケージの
第3の実施例を示す断面図で、フレーム5の内側壁上下
方向にメタライジングにより帯状の導電線路52を形成
し、この導電線路52を介して多層基板7の導電パター
ン7aと回路基板2の導電パターン2aとがはんだ付は
等により接続されるように構成されたものである。
この実施例によれば、フレーム5に、スルーホールの孔
明は作業を必要としないので、製造が容易となり、また
導電線路52が外部に露出した状態となるから、接続配
線の点検等がやりやすくなるという利点が得られる。
第4図は同じくこの発明によるマイクロ波回路用パッケ
ージの第4の実施例を示すもので、第3図と相違し導電
線路53をメタライジングにより外側面に形成するとと
もに、回路基板2の側端面に下方に垂直に接触片22を
取付けたので、回路基板2をフレーム5に嵌合して接続
し、必要に応じはんた付けするものである。従って、こ
の実施例によれば、パッケージが封止状態でも、外部が
ら接続状態が容易に確認できる利点がある。
いずれにしても、この発明によるマイクロ波回路用パッ
ケージは、フレーム5と金属製基板3との間に多層基板
7を介在させるとともに、回路基板2をパッケージの蓋
をも兼用するように金属製基板3と分離して対向させた
ので、金属製基板3の面積を少なくパッケージ内の容積
をも小さく構成できるとともに、マイクロ波帯における
異常発振等による不要波信号の発生を押えることができ
る。
また、金属製基板2の小形化は、パッケージそのものの
小形化につながり、これを採用した装置の高密度実装を
実現できるものである。
[発明の効果] この発明によるマイクロ波回路用パッケージは、金属製
基板の小形化により、マイクロ波帯における電気的動作
の安定と、全体の小形化、高密度実装を可能としたもの
であり、実用上の効果大である。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明によるマイクロ波回路用パッケージの
第1の実施例を示す断面図、第2図はこの発明によるマ
イクロ波回路用パッケージの第2の実施例を示す分解断
面図、第3図はこの発明によるマイクロ波回路用パッケ
ージの第3の実施例を示す断面図、第4図はこの発明に
よるマイクロ波回路用パッケージの第4の実施例を示す
分解断面図、第5図は従来のマイクロ波回路用パッケー
ジを示す断面図である。 1・・・MMIC素子、 2・・・回路基板、21・・
・駆動回路、  21a・・・他の回路素子、22・・
・接触片、   3・・・金属製基板、4a、4b、4
c・・・ボンディングワイヤ、5・・・フレーム、  
  5g・・・ピン、51.52.53・・・導電線路
、6・・・上蓋、7・・・多層基板、7a・・・導電パ
ターン。 +1MMIC青1 2;直重−し頃 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 金属製基板と、この金属製基板上面にマイクロ波集積回
    路素子とともに固定して取付けられ導電パターンが形成
    された多層基板と、この多層基板上に取付けられ上下に
    連なる導電線路が形成されたフレームと、このフレーム
    上に前記金属製基板面と対向して取付けられ前記導電線
    路を介して前記マイクロ波集積回路素子及び多層基板の
    導電パターンに電気的に接続される回路基板とを具備し
    、前記マイクロ波集積回路素子とともに前記回路基板に
    装着される他の回路素子を収納することを特徴としたマ
    イクロ波回路用パッケージ。
JP2250983A 1990-09-20 1990-09-20 マイクロ波回路用パッケージ Pending JPH04129402A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0798782A3 (en) * 1996-03-27 1999-07-28 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Microwave circuit package
US6130640A (en) * 1996-04-03 2000-10-10 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Radar module and MMIC package for use in such radar module
JP2009099645A (ja) * 2007-10-15 2009-05-07 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置

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