JPS6051009A - マイクロ波発振器 - Google Patents

マイクロ波発振器

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JPS6051009A
JPS6051009A JP58158414A JP15841483A JPS6051009A JP S6051009 A JPS6051009 A JP S6051009A JP 58158414 A JP58158414 A JP 58158414A JP 15841483 A JP15841483 A JP 15841483A JP S6051009 A JPS6051009 A JP S6051009A
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JP
Japan
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dielectric resonator
dielectric
airtight space
semiconductor
dielectric substrate
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Pending
Application number
JP58158414A
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English (en)
Inventor
Motoo Mizumura
水村　元夫
Kenzo Wada
賢三 和田
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Priority to DE8484110307T priority patent/DE3477315D1/de
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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
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    • H03B2201/01—Varying the frequency of the oscillations by manual means
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、発振用の半導体チップを使用すると共に、誘
電体共振器によシ発振周波数を安定化した誘電体共振器
制御集積化形のマイクロ波発振器に関するものである。
第１図は従来例の内部平面図、第２図は第１図における
Ａ−Ａ断面図を示し、１は誘電体基板、２は発振周波数
安定化の為の誘電体共振器、３は発振用の半導体チップ
、４は誘電体基板１上に形成された誘電体共振器２と電
磁界的に結合している、出力とシ出し用の導体バタン、
５は半導体テップ３と誘けされた誘電体基板１上の導体
パターンである。
なお、導体パターン６は、半導体テップ３を直流的に接
地する為、金属シャーシ１０とボンディング線によシ接
続されている。ｔた、７，８．９は棲渉絡基板１上の回
路と外部の回路との接続用端子であり、Ｔは発振出力と
り出し用端子、８゜９は半導体テップ３へ直流バイアス
を供給する為の端子であって、１１は金属カバーである
。
こ＼において、半導体チップ３を使用して発振回路を構
成する場合、半導体チップ３を外気（特に湿度）の影響
から保護する為、シャーシ１０とカバー１１とからなる
パッケージを気密構造にする必要があシ、第１図、第２
図に示す従来例においては、端子７〜９を気密構造にす
ると共に、カバー１１とシャーシ１０とをノ１ンダ付は
等によシ気密宿造にするものとなっている。
しかし、第１図、第２図に示す従来の構成では、発振器
が経時変化または温度変化等によシ周波数変動をおこし
た場合、周波数調整が外部から行なえないと共に、発振
器の調整時においても、誘電体共振器２の寸法公差、及
び、比誘電率のバラツキ等による周波数偏差を吸収し、
周波数を必要な値にセットすることも外部からは行なえ
ない欠点を生じている。
この対策としては、第３図に示すとおシカパー１１へね
じ穴を穿設し、周波数調整用の金属ネジ１２を螺入のう
え、周波数を調整するものとすればよＧが、この構成で
は、カバー１１と金属ネジ１２との間において気密構造
が保てなくなり、半導体チップ３が外気にさらされ信頼
性が著しく低下する欠点を生ずる。
本発明は、従来のか＼る欠点を根本的に解決する目的を
有し、片面が気密状に封止された箱状の金属シャーシと
、該金属シャーシの内周面と周辺が気密状に固定され前
記片面との間に気密空間を形成しかつ該気密空間側へ発
振用の半導体を搭載した誘電体基板と、核誘電体基板の
前記気密空間側と反対側に固定されかつ前記半導体と電
磁界的に結合した誘電体共振器と、該誘電体共振器と対
向して外部よシ進退自在として操作される調整ねじとを
備えたことを特徴とするマイクロ波発振器を提供するも
のである。
以下、実施例葡示す第４図以降により本発明の詳細な説
明する。
第４図は断面図、第５図は内部平面図、第６図は内部底
面図を示し、従来例と同等の機能を有するものには同一
番号を付しておシ、１３は本発明に用いる金属シャーシ
、１４はカバー、１５は誘電体基板であり、本例では、
カバー１４に調整ネジ１２が螺入されている。
また、この例では、３端子素子（ＳＺバイポーラトラン
ジスタ、又は、ＧａＡｓ電界効果形トランジスタ等）に
よシ発振器を構成した場合を示しており、半導体チップ
３０ベース電極又はゲート電極はボンディングワイヤ線
によシ誘電体基板１５上の導体パターン５と結合され、
直流ノ（イアスが端子８゜９によシ外部から半導体チッ
プ３へ供給される。
こ＼ンおいて、半導体テップ３の搭載されている部分は
、シャーシ１３．カバー１１及び誘電体基板１５によシ
気密封止されていると共に、発振周波数決定用の誘電体
共振器２は、誘電体基板１５を介し、半導体チップ３が
搭載され、かつ、気密封止された空間の反対面にと９つ
けられ、誘電体基板１５を介して導体パターン５と電磁
界的に結合し、発振回路を構成しておシ、発振出力は、
誘電体共振器２と導体パターン４とが電磁界的に結合す
ることにより、端子７から取り出すことができるものと
なっている。
すなわち、シャーシ１３の片面は、カバー１１によシ気
密状に封止され全体が箱状になっていると共に、これの
内周面には、連続した突出段部１１１が形成されておシ
、これへ、誘電体基板１５の周辺が気密状に固定され、
カバー１１側との間に気密空間１３ｂを形成している。
また、誘電体基板１５の気密空間１３ｂ側には、半導体
チップ３が搭載されていると共に、これと反対側には誘
電体共振器２が固定され、導体パターン５を介して半導
体チップ３と電磁界的に結合している一方、裏面カバー
１４にねじ穴を穿設し、これへ調整用の金属ねじ１２が
螺入されており、これを外部から回転させることによシ
、金属ねじ１２の先端が誘電体共振器２と対向のうえ進
退自在として操作され、発振周波数の調整が行なわれる
ものとなっている。
したがって、半導体チップ３は、完全に外気と遮断され
、高信頼性が得られると共に、金属ねじ１２により、外
部から発振周波数を調整することが自在とたる。
たｙし、誘電体基板１５上の導体パターン４゜５と誘電
体共振器２とは、電磁界的に結合しさえすれば良く、結
合手段を特に限定する必要に力いが、第４図乃至第６図
では、第５図のＢ−Ｂ断面図を第７図に示すとおり、サ
スベンディラドストリップラインによシ、誘電体共振器
２と導体バタ−ン４，５とを電磁界的に結合している。
第８図は、コプレナーストリップラインによシ、気密封
止した空間内の導体パターン４．５と、誘電体基板１５
を介する誘電体共振器２とを結合させた例の斜視図であ
シ、こ＼において、１６は接地導体である。
なお、裏面カバー１４は、放射損失により誘電体共振器
２の無負荷Ｑが低下することを防ぐ為に使用されるもの
であり、特に気密構造とする必要はない。以上の説明に
より明らかなとおり本発明によれば、半導体チップを搭
載した部分のみを気密封止し、誘電体共振器は気密封止
構造の一部である誘電体基板を介して電磁界的に結合し
ているため、誘電体共振器を収容する空間は気密封止の
必要がなく、簡単な構成によシ、発振周波数の調整を自
在に行うことができると共に、半導体チップの信頼性を
劣化させるおそれが完全に排除されるものとなシ、マイ
クロ波の発振において顕著な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第３図は従来例を示し、第１図は内部平面図
、第２図は第１図におけるＡ−Ａ断面図、第３図は調整
ねじを設けた場合の断面図、第４図以降は本発明の実施
例を示し、第４図は断面図、第５図は内部平面図、第６
図は内部底面図、第７図は第５図におけるＢ−Ｂ断面図
、第８図は他の実施例を示す斜視図である。 ２・・・・誘電体共振器、３・・・・半導体チップ（半
導体）、４．５・・・・導体パターン、１１・・・・カ
バー、１３−・・争シャーシ（金属シャーシ）、１３ａ
・・・・突出段部、１３ｂ　・・・・気密空間、１４・
・・・裏面カバー、１５・・・・誘電体基板。 代理人有理上内原　晋、″）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 片面が気密状に封止された箱状の金属シャーシと、該金
    属シャーシの内周面と周辺が気密状に固定され前記片面
    との間に気密空間を形成しかつ該気密空間側へ発振用の
    半導体を搭載した誘電体基板と、該誘電体基板の前記気
    密空間側と反対側に固定されかつ前記半導体と電磁界的
    に結合した誘電体共振器と、該誘電体共振器と対向して
    外部よシ進退自在として操作される調整ねじとを備えた
    ことを特徴とするマイクロ波発振器。
JP58158414A 1983-08-30 1983-08-30 マイクロ波発振器 Pending JPS6051009A (ja)

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CA000461921A CA1225705A (en) 1983-08-30 1984-08-28 Microwave oscillator
AU32454/84A AU560645B2 (en) 1983-08-30 1984-08-28 Microwave oscillator
EP84110307A EP0137281B1 (en) 1983-08-30 1984-08-29 Microwave oscillator
DE8484110307T DE3477315D1 (en) 1983-08-30 1984-08-29 Microwave oscillator

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EP (1) EP0137281B1 (ja)
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