JPS59169212A - マイクロ波発振装置 - Google Patents

マイクロ波発振装置

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JPS59169212A
JPS59169212A JP58044995A JP4499583A JPS59169212A JP S59169212 A JPS59169212 A JP S59169212A JP 58044995 A JP58044995 A JP 58044995A JP 4499583 A JP4499583 A JP 4499583A JP S59169212 A JPS59169212 A JP S59169212A
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resonator
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dielectric resonator
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水村　元夫
Kenzo Wada
賢三 和田
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NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、マイクロ波発振装置に関し、特に、発振用の
半導体能動素子のチップを使用して誘電体共振器によシ
発振周波数を安定化した誘電体制御集積化発振器に関す
るものである。
従来、考えられている誘電体制御集積化発振器の構成例
を第１図（ａ）、Φ）に示す。第１図（ａ）は従来例を
カバーを除去して上からみた平面図、第１図（ｂ）は第
１図（ａ）のＡ−に線に沿った断面図である。
第１図（ａ）、（ｂ）において、１はアルミナセラミッ
ク等の高誘電率基板を示し、該高誘電率基板１の上に、
出力域９出し用のパターン３、誘電体共振器２と半導体
能動素子６とを電磁界結合させる為の結合パターン４及
び半導体能動素子６をろう付けする為のパターン５が形
成されている。
７は金属のシャーシであり、８は金属のカバー、９は発
振出力取シ出し用の端子、１０．１１は半導体能動素子
に１）Ｃバイアスを供給する為の端子をそれぞｎ示す。
第１図に示した従来例では、半導体能動素子チンプロは
ＧａＡｓ　ＦＥＴチップの場合を示しており、ゲート電
極がパターン４に接続されドレイン電極が接地されてい
る。
半導体能動素子チップを使用する場合には、チップを外
気（特に湿気）から保護する為にシャーシ７とカバー８
とからなる発振器パンケージを気密構造にすることが８
擬である。第１図に示した従来例では端子９．１０　、
１１とシャーシ７は気密構造になっておシ、又シャーシ
７とカバー８ははんだ付は等により気密構造とすること
ができる。
しかしながら、第１図に示す如き従来例には以下に述べ
る欠点がある。すなわち、第１図に示した従来例の発振
器が気密封止完了後に、経年変化、温度変化等によシ周
波数変動をおこした場合には周波数調整ができないとい
う事である。
又、気密封止前の発振器の調整時に於いても誘電体共振
器の寸法公差からくる周波数偏差を吸収し、周波数を必
要な値にセントすることができない。もし、カバー８に
第２図に示す様なタップ孔をあけて周波数調整用の金属
ねじ１２をｉｂ付けて周波数をあわせられる様にすると
、こんどは気密封止を保つことができなくなシ、半導体
チップが外気にさらさ詐ることになυ信頼度が著るしく
劣化する。
以上述べた如く、従来の構成力法では、気密封止と周波
数調整という２つの重要な要求を同時に満足することは
できなかった。
本発明は従来の上記事情に鑑みてなされたものであシ、
従って本発明の目的は、従来の上記欠点を改善し、気密
封止と周波数調整を同時に行うことができる新規な発振
器を提供することにある。
上記目的を達成する為に、本発明に係るマイクロ波発振
装置は、マイクロ波能動素子のチップを使用し誘電体共
振器により周波数を安定化している誘電体制御集積化発
振器において、集積回路を構成している高誘電率基板を
気密封止の為のパンケージの一部として使用し、上記気
密封止したパッケージの外側から上記パッケージの内側
に設けられた誘電体共振器に対向して金属ねじを入れて
構成され、上記誘電体共振器と上記金属ねじとの距離を
変えることにより周波数調整を行うことを特徴とする。
次に本発明をその好ましい一実施例について図面を参照
しながら具体的に説明する。
第３図（ａ）は本発明に係るマイクロ波発振装置の一実
施例をカバーを除去して示す平面図、第３図（ｂ）は第
３図（ａ）のＢ−Ｂ線に沿って切断し矢印の方向に見た
断面図である。第３図（ａ）、（ｂ）に於いて第１図と
同等の機能を有するものには同一の参照番号を付してい
る。
第３図において、発振器のノ（ツケージは、金属シャー
シ７と、カバー８と、高誘電率基板１により構成されて
いる。
本発明においては、金属シャーシ１７の底部は肉厚に形
成されておシ、しかも誘電体共振器２の位置の部分にタ
ップ孔１７ａがあけられている。該タップ孔１７Ｈに周
波数調整用の金属ねじ２２が螺合されている。更に、本
発明では、高誘電率基板１の裏面導体パターンは、誘電
体共振器２の下面部分が一部削除されている。この様に
高誘電率基板１の裏面パターンを一部削除することによ
り、誘電体共振器２に励振されている電磁界の一部がシ
ャーシ１７のタッグ孔１７ａへ漏れ出すことができる。
従って、金属ねじ２２の位置を変えることによシ、発振
周波数を調整することができる。この場合に・電磁界的
なシールドは、金属シャーシ１７とねじ２２によシ保た
れているので、放射損失により誘電体共振器の無負荷Ｑ
が低下する心配は殆んどない。
又、気密制止は金属シャーシ１７、カバー８及び高誘電
率基板１により確実に行うことができる為に、半導体チ
ップ６が外気によシ影響を受けることがない。
以上述べた如く、本発明によれば、気密封止によシ半導
体チップの信頼度を保った上でなおかつ簡単な構成によ
り気密封止後においても容易にしかも的確に発振周波数
の調整を行うことができる。
【図面の簡単な説明】 第１図（ａ）は従来におけるこの種の装置の構成例をカ
バーを除去して示す平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ
）の八−に線に沿って切断し矢印の方向に見た断面図、
第２図は本発明を説明する為の断面図、第３図（ａ）は
本発明の一実施例をカバーを除去して示す平面図、第３
図（ｂ）は第３図（ａ）のＢ　−Ｂ’線に沿って切断し
矢印の方向に見た断面図である。 １・・・高誘電率基板、２＠・・誘電体共振器、３．４
．５ｅ・番パターン、６＠−・半導体能動素子、７．１
７・・φ金属シャーシ、８・・拳金網カバー、９．１０
，１１−・・端子、１２．２２・ΦΦねじ 特許出願人　　　日本電気株式会社 代　理　人　　　弁理士　熊谷雄太部 （ｂ） 第１図 ２ 第２図 ■− （０） 」 第３図 ＪＢ’ ７

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. マイクロ波能動素子のチップを使用し誘電体共振器によ
    り周波数を安定化している誘電体制御集積化発振器に於
    て、集積回路を構成している高誘電率基板を気密封止の
    為のパッケージの一部として使用し、上記気密封止した
    ノくツケージの外側から上記パッケージの内側に設けら
    れた誘電体共振器に向って金属ねじを入れ、上記誘電体
    共振器と上記金属ねじとの距離を変えることによシ周波
    数調整を行う事を特徴とするマイクロ波発振装置。
JP58044995A 1983-03-16 1983-03-16 マイクロ波発振装置 Granted JPS59169212A (ja)

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JP58044995A JPS59169212A (ja) 1983-03-16 1983-03-16 マイクロ波発振装置
AU25641/84A AU575807B2 (en) 1983-03-16 1984-03-15 Microwave oscillator
CA000449653A CA1210461A (en) 1983-03-16 1984-03-15 Microwave oscillator
DE8484102852T DE3483789D1 (de) 1983-03-16 1984-03-15 Mikrowellenoszillator.
EP84102852A EP0121824B1 (en) 1983-03-16 1984-03-15 Microwave oscillator

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JPH0381321B2 JPH0381321B2 (ja) 1991-12-27

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CA (1) CA1210461A (ja)
DE (1) DE3483789D1 (ja)

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EP0121824A1 (en) 1984-10-17
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JPH0381321B2 (ja) 1991-12-27

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