JPS60247305A - 発振器 - Google Patents
発振器Info
- Publication number
- JPS60247305A JPS60247305A JP59104245A JP10424584A JPS60247305A JP S60247305 A JPS60247305 A JP S60247305A JP 59104245 A JP59104245 A JP 59104245A JP 10424584 A JP10424584 A JP 10424584A JP S60247305 A JPS60247305 A JP S60247305A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microstrip line
- dielectric
- oscillator
- substrate
- dielectric substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
- H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
- H03B9/14—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance
- H03B9/148—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance the frequency being determined by a dielectric resonator
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ産業上の利用分野
本発明は、マイクロ波集積回路等の発振器に係り、とく
に誘電体共振器（以下ＤＲと略称する）のＱＯの低下の
防止を図った発振器に関する。
に誘電体共振器（以下ＤＲと略称する）のＱＯの低下の
防止を図った発振器に関する。
近年、通信機等に用いられる周波数は益々高く（波長は
短く）なり、これらの発振器として誘電体基板に配設さ
れたマイクロストリップラインと誘電体共振器を結合さ
せる発振器が多用されているのことは周知である。とこ
ろでＤＲの近傍に高周波損失のある誘電帯基板が存在す
ると、ＤＲのＱＯが低下する。このＱＯの低下番最小限
とする構成の改善が強く要望されている。
短く）なり、これらの発振器として誘電体基板に配設さ
れたマイクロストリップラインと誘電体共振器を結合さ
せる発振器が多用されているのことは周知である。とこ
ろでＤＲの近傍に高周波損失のある誘電帯基板が存在す
ると、ＤＲのＱＯが低下する。このＱＯの低下番最小限
とする構成の改善が強く要望されている。
（ｂ）従来の技術
第２図は従来の発振器を説明するための（ａｌは側断面
図、（ｂ）は平面図である。
図、（ｂ）は平面図である。
セラミック等からなる誘電体基板２の上にマイクロスト
リップライン３及び直流バイアスを供給するローパス回
路１０を配設し、マイクロストリップライン３の端部に
ガンダイオード等の半導体素子４を接続した状態で、銅
等からなる金属筺体６に螺入した周波数調整ねじ７に誘
電体等からなるスペーサ８を介して接着したＤＲ５を、
周波数調整ねじ７を矢印Ａ−Ｂ方向に昇降せしめて調整
する構造となっている。ところがマイクロストリップラ
イン３とＤＲ５を結合せしめる周波数調整においては、
ＤＲ５の近傍に基板２（誘電体）があると、マイクロ波
集積回路（以下ＭＩＣと略称する）ではＤＲ５の近辺に
マイクロストリップライン３の基板２（誘電体）がある
ため、誘電体基板２のｔａｎ δ（誘電体損失角）や誘
電体基板２を取付けるための半田、または導電接着剤に
より損失を生じＤＲ５のＱｏが低下して出力損失が増加
して、周波数安定度が悪くなる。
リップライン３及び直流バイアスを供給するローパス回
路１０を配設し、マイクロストリップライン３の端部に
ガンダイオード等の半導体素子４を接続した状態で、銅
等からなる金属筺体６に螺入した周波数調整ねじ７に誘
電体等からなるスペーサ８を介して接着したＤＲ５を、
周波数調整ねじ７を矢印Ａ−Ｂ方向に昇降せしめて調整
する構造となっている。ところがマイクロストリップラ
イン３とＤＲ５を結合せしめる周波数調整においては、
ＤＲ５の近傍に基板２（誘電体）があると、マイクロ波
集積回路（以下ＭＩＣと略称する）ではＤＲ５の近辺に
マイクロストリップライン３の基板２（誘電体）がある
ため、誘電体基板２のｔａｎ δ（誘電体損失角）や誘
電体基板２を取付けるための半田、または導電接着剤に
より損失を生じＤＲ５のＱｏが低下して出力損失が増加
して、周波数安定度が悪くなる。
一方この損失を減少する手段として誘電体基板２の幅を
ストリップラインに近ずけることが考えられるが、ロー
パス回路１０などの他の回路が１枚の基板で構成できな
くなり集積度が落ちる。このためコストアップになり、
接続ポイントの増加で信頼度が低下する。また基板幅が
細くなるので機械的強度が低下する欠点があった ｆｃ）発明が解決しようとする問題点 本発明はマイクロストリップラインによる種々の回路を
構成したＭＩＣの集積度を下げることなく上記り、Ｒ５
のＱｏが低下する問題点を解決するためになされたもの
で、ＤＲ５の電磁界と誘電体基板２の干渉を出来るだけ
少なくして、ＤＲ５のＱＯの低下を最小限に押さえるよ
うにした新規なる発振器を提供することを目的とするも
のである。
ストリップラインに近ずけることが考えられるが、ロー
パス回路１０などの他の回路が１枚の基板で構成できな
くなり集積度が落ちる。このためコストアップになり、
接続ポイントの増加で信頼度が低下する。また基板幅が
細くなるので機械的強度が低下する欠点があった ｆｃ）発明が解決しようとする問題点 本発明はマイクロストリップラインによる種々の回路を
構成したＭＩＣの集積度を下げることなく上記り、Ｒ５
のＱｏが低下する問題点を解決するためになされたもの
で、ＤＲ５の電磁界と誘電体基板２の干渉を出来るだけ
少なくして、ＤＲ５のＱＯの低下を最小限に押さえるよ
うにした新規なる発振器を提供することを目的とするも
のである。
（ｄ１問題点を解決するかための手段
その目的を達成するために本発明は、誘電体基板に配設
されたマイクロストリップラインと誘電体共振器とから
なる発振器を、前記マイクロストリップラインと誘電体
共振器の結合部を前記誘電体基板の端部に移動するとと
もに、前期マイクロストリップラインを前期結合部に近
接せしめたことによって達成される。
されたマイクロストリップラインと誘電体共振器とから
なる発振器を、前記マイクロストリップラインと誘電体
共振器の結合部を前記誘電体基板の端部に移動するとと
もに、前期マイクロストリップラインを前期結合部に近
接せしめたことによって達成される。
ｆｅ）作用
゛即ち本発明においては、マイクロストリップラインと
ＤＲとの結合部を、マイクロストリップラインを設置し
た誘電体基板の端部に移動せしめて、ＤＲのＱｏの低下
を防止した発振器である。
ＤＲとの結合部を、マイクロストリップラインを設置し
た誘電体基板の端部に移動せしめて、ＤＲのＱｏの低下
を防止した発振器である。
（ｆｌ実施例
以下図面を参照しながら本発明に係る発振器の実施例に
ついて詳細に説明する。
ついて詳細に説明する。
第１図は、本発明に係る発振器の一実施例を説明するた
めの（ａ）は側断面図、（ｂ）は平面図である。
めの（ａ）は側断面図、（ｂ）は平面図である。
第１図において、この発明の発振器は第２図と同様、金
属基板、誘電体基板、マイクロストリップライン、ＤＲ
，周波数調整ねし等を備えているが、該マイクロストリ
ップラインとＤＲの結合部位置を移動した点に特徴を有
する。したがってマイクロストリップライン以外の部分
には第２図と同じ符号を付しており、ここではこれらの
部分の説明は省略するものとする。
属基板、誘電体基板、マイクロストリップライン、ＤＲ
，周波数調整ねし等を備えているが、該マイクロストリ
ップラインとＤＲの結合部位置を移動した点に特徴を有
する。したがってマイクロストリップライン以外の部分
には第２図と同じ符号を付しており、ここではこれらの
部分の説明は省略するものとする。
本発明を特徴づけるＤＲ５は、ＤＲ５を誘電体スペーサ
８を介して付着した周波数調整ねじ７の位置を、マイク
ロストリップライン９を設置した誘電体基板２の端部に
位置せしめるとともに、マイクロストリップライン９の
ＤＲ５との結合部分を、ＤＲ５の位置と対応するように
曲折した構造としたものである。
８を介して付着した周波数調整ねじ７の位置を、マイク
ロストリップライン９を設置した誘電体基板２の端部に
位置せしめるとともに、マイクロストリップライン９の
ＤＲ５との結合部分を、ＤＲ５の位置と対応するように
曲折した構造としたものである。
ｆｇ１発明の効果
以上の説明から明らかなように本発明に係る発振器によ
れば、？ｌＩＣの集積度を落とすことなくＤＲのＱＯの
低下を最小限とすることができるので、出力１周波数安
定度等発振器の特性向上に寄与するところが大である。
れば、？ｌＩＣの集積度を落とすことなくＤＲのＱＯの
低下を最小限とすることができるので、出力１周波数安
定度等発振器の特性向上に寄与するところが大である。
第１図は、本発明に係る発振器の一実施例を説明するた
めの（ａｌは側断面図、（ｂ）は平面図、第２図は従来
の発振器を説明するための（ａｌは側断面図、（ｂ）は
平面図である。 図において、 １は金属基板、 ２は誘電体基板、 ３．９はマイクロストリップライン、 ４は半導体素子、 ５はＤＲ。 ６は金属筐体、 ７は周波数調整ねじ、８は誘電体スペ
ーサ、 １０はローパス回路、をそれぞれ示す。
めの（ａｌは側断面図、（ｂ）は平面図、第２図は従来
の発振器を説明するための（ａｌは側断面図、（ｂ）は
平面図である。 図において、 １は金属基板、 ２は誘電体基板、 ３．９はマイクロストリップライン、 ４は半導体素子、 ５はＤＲ。 ６は金属筐体、 ７は周波数調整ねじ、８は誘電体スペ
ーサ、 １０はローパス回路、をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 誘電体基板に配設されたマイクロストリップラインと誘
電体共振器とからなる発振器を、前記マイクロストリッ
プラインと誘電体共振器の結合部を前記誘電体基板の端
部に移動するとともに、前期マイクロストリップライン
を前期結合部に近接せしめたことを特徴とする発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59104245A JPS60247305A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59104245A JPS60247305A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60247305A true JPS60247305A (ja) | 1985-12-07 |
| JPH0428163B2 JPH0428163B2 (ja) | 1992-05-13 |
Family
ID=14375557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59104245A Granted JPS60247305A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60247305A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04294616A (ja) * | 1991-03-23 | 1992-10-19 | Fukushima Nippon Denki Kk | 電圧制御発振器 |
| JPH054612U (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-22 | 日本電気株式会社 | 発振器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5553907A (en) * | 1978-10-17 | 1980-04-19 | Hitachi Ltd | Microwave oscillator |
-
1984
- 1984-05-22 JP JP59104245A patent/JPS60247305A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5553907A (en) * | 1978-10-17 | 1980-04-19 | Hitachi Ltd | Microwave oscillator |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04294616A (ja) * | 1991-03-23 | 1992-10-19 | Fukushima Nippon Denki Kk | 電圧制御発振器 |
| JPH054612U (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-22 | 日本電気株式会社 | 発振器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0428163B2 (ja) | 1992-05-13 |
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