JPS60229403A - 電気回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は誘電体基板の両主平面にわたって回路を形成し
た電気回路に係り、特に両主平面の回路間を両主平面の
マイクロストリップ線路と共平面線路間の分布結合によ
り電気的に接続した電気回路に関するものである。

〔発明の背景〕

近年、微細化技術の進展により半導体集積回路の集積度
が向上し、多機能の回路が１チツプ上で構成されるよう
にＡってきた。これを反映して種々のモジュールないし
電子装置の小形化が進んでいる。半導体集積回路他を誘
電体基板上に搭載して特定の機能を持つ電気回路を構成
Ｌｔモジュールレベルにおいては、多層配線技術を用い
て小形化を図ったり、比較的低周波の信号を扱う場合に
は誘電体基板の両主平面に回路を形成し、両回路間をス
ルホールにより電気的に接続して小形化が行なわれる場
合もある。

比較的低周波の電気回路では、集中定数素子を用いて集
中定数回路として回路設計が行なわれる。ところで高速
のパルス信号を扱う場合や、マイクロ波帯以上の高周波
回路では、素子や配線を分布定数的に考察する必要があ
り、低周波回路に比較して回路設計に格別の配慮が要求
される。

例えば、スルホールを用いて基板の両主平面の回路を電
気的に接続するという点に関しては高周波回路において
は通常スルホール部においてもインピーダンスを整合さ
せる必要がある。

このため高周波回路においては、基板の両主平面に回路
を形成することは一般には行なわれていない。比較的高
周波の信号を扱う電気回路において回路の小形化を達成
する方法としては、その表面に印刷法や蒸着法で回路パ
ターンを形成し、必要により部品を搭載する回路基体と
しての誘電体基板に誘電率の大きいセラミック基板を使
用する方法が採られる傾向にある。すなわち、比誘電率
がｇｒの基板を用いた場合、比誘電率εｒと基板の厚み
ｈおよび線路幅Ｗで決まる実効比誘電率ｔ−εｅｆｆと
すれば、波長が真空中での波長の１　／Ｖ７ｉｉ７にな
るという波長短縮効果を利用して回路の小形化が図られ
ている。しかし、この波長短縮効果は、上記したように
実効誘電率の平方根で効くため、回路の小形化には比較
的大きな誘電率を有するセラミック基板が必要である。

例えば、通常の純度のアルミナセラミクスの比誘電率は
９〜１０であり、このアルミナセラミクスに対して波長
ヲ１／２ζけるためには、比誘電率がす１は４０の高誘
電率セラミック基板を用いる必要がある。さらに波長上
１７２にするには、比誘を率がほぼ１４０の高誘電率セ
ラミクスが必要となる。ところで、Ｕｌ（Ｆ帯以上の高
周波帯の電気回路では、良好な電気特性全実現するため
誘電体基板に対１．でも低拶失性が要求される。

しかし、一般には誘電率が高くなればセラミクスの損失
は増大し、誘電損失角の正接ｔａｎδくｏ、ｏｏｌを満
たすセラミクスの比誘電率はたかだか１００程度である
。このため高誘電率基板を使用し、波長短縮効果を利用
して回路を小形化することには限界がある。この小形化
の限界を克服して高周波回路の大幅な小形化を°達成す
る一方法は、低周波回路において公知である基板の両生
平面に回路を形成することである。しかしこの場合にお
いて高誘電率セラミック基板を用いることは、高誘電率
セラミクスが一般にもろくスルホールの形成が困難で、
スルホールを用いて基板両主平面に回路を一体に形成す
ることは困難である。このためスルホールを用いること
なく基板の両生平面ζこ回路を一体に形成しよって回路
の小形化を達成するには、従来技術にない新規な両生平
面の回路を電気的に接続する技術が要求される。

基板の両生平面にわたって高周波回路を形成した公知例
は［Ｒｏｎｄｅ　Ｊにより提案された方向性結合器があ
る。これは原理的にはマイクロストリップ線路とスロッ
ト線路間の分布結合を利用した方向性結合器で、マイク
ロストリップ線路だけを用いて１／４波長分布結合形方
向性結合器を密結合化することは一般に困難であるが、
この欠点を解決し密結合を実現したものである。

この例のように、基板の両生平面にわたって回路を形成
すると小形化の点で効果が大きいばかりでなく、回路機
能の向上、ないし新機能の実現が可能なものの、同構成
は受動回路であり、回路素子は接続されていない。そし
てスロット線路はスロット部近傍に電磁界のエネルギー
を集中させて信号の伝搬を行なうものであり、その線路
構造上回路素子を線路に並列接続することに適している
が、直列接続は実際上不可能である。このためスロット
線路を用いては任意の回路素子を接続、ないし搭載した
基板の両生平面にわたる電気回路を実現することは極め
て困難である。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前記した従来技術の問題点に鑑みてな
され、誘電体基板の両生平面にわたって回路を形成して
それらを接続し、小形化ないし回路機能の向上を図った
電気回路を提供することにある。

〔発明の概要〕

本発明の特徴は、回路基板の第１の主平面のマイクロス
トリップ線路と第２の主平面に形成した共平面線路との
間の分布結合により基板両主平面の回路間を電気的に接
続した点にある。

〔発明の実施例〕

以下本発明の実施例を図面を用いて説明する０第１図は
本発明の要部であるマイクロストリップ線路と共平面線
路（コプレーナ線路）との結合部を示す部分断面図で、
誘電体基板１の第１の主平面に線路部２と第２の主平面
の接地層部５よりなるマイクロストリップ線路を、第２
の主平面にマイクロストリップ線路と共通の接地層部３
とスリット４および線路部５よりカる共平面線路を形成
している。

なお、第１図においては、マイクロストリップ線路と共
平面線路が互いに平行に結合している場合の断面図を示
したものであるが、結合の形状は、平行に限定される本
のではなく、例えば互いに直交してもよい。

第１図に示すように基板１の両生平面のマイクロストリ
ップ線路と共平面線路とを結合させた場合、その結合特
性は基板１の誘電率εと板厚りや両線路部２．５の線路
幅Ｗ、Ｗｌおよびスリット４の幅りにより変化する。ま
た結合線路としての線路特性は両線路部を終端する終端
条件によっても変化する。基板両面のマイクロストリッ
プ線路と共平面線路の分布結合に関する結合特性を理論
的および実験的に検討した結果明らかになった点の一例
を以下に示す。

すなわち、第１図におけるマイクロストリップ線路およ
び共平面線路の線路部（共振部）２５を第２図および第
３図において模式的に示せば、共平面線路の一端の終端
条件により、その他端正こ接続した負荷インピーダンス
８（５０Ω）への供給電力に関して定義した結合度Ｓ２
１およびＳａ＞は、概略第４図および第５図に示す特性
となる。なお、第２図、第３図において、６は信号源、
７は信号源インピーダンス、９はマイクロストリップ線
路終端のキャパシタ（集中静電容量）である。また、！
は両線踏部２，５の結合長である。

さらに第４図、第５図における実線の曲線１゜は共平面
線路の一端を接地した場合の結合線の結合特性を示し、
１１は共平面線路の一端を開放した結合線線路の結合特
性を示す。また、横軸βは位相定数であり、縦軸のＳｌ
、Ｓ２はそれぞれ電力比で、次式により表わされる。

Ｓ１＝１０１ｏｇ　ｌ　Ｐ２／ＰＩ　ＩＳｚ＝１０１ｏ
ｇ　Ｉ　Ｐｓ／Ｐｓ　１第４図、第５図に示すようにマ
イクロストリップ線路と共平面線路の結合線路の特性の
一例を上記したが、本実施例は検討の結果間らかになっ
た結合線路の上記のような特性を利用したものである。

以下本発明の実施例をさらに具体的に説明する。第６図
は第１の発明における第１の実施例を示すもので、高周
波回路における基本回路素子である共振器を構成したも
のである。マイク路により入出力線路１２．　Ｌ５を形
成している。このような回路素子を用いれば種々の機能
を有する回路が実現できる。

例えば第７図は、第１の発明１こおける第２の実施例を
示すもので、共平面線路とマイクロストリップ線路共振
器により構成したバンドパスフィルタを示すものである
。すなわち、１２．１３は誘電体基板の第２の主平面に
形成し九人力線および出力線であり、１４．１５は第１
の主平面に形成した両端開放の互いに略平行のマイクロ
ストリップ線路共振器である。この二つの共振器は通過
帯周波数のほぼ１／２波長相当の長さを有し、おのおの
その一端は共平面線路と結合している。

このような構成のフィルタにおいて、大刀線路１２に入
力された信号は大刀線路１２と第１の共振器１４の結合
により第１の共振器１４に到達し、第１の共振器１４の
共援特性により選択通過した信号は第１および第２の共
振器１４．１５の間の結合により第２の共振器１５に到
達して第２の共振器１５でさらに選択を受ける。すなわ
ち、第１および詔２の共振器で信号が選択を受け、これ
を通過した信号が第２の共振器１５と出力線１５との間
の結合により出力線１５より出力される。このような構
成のフィルタにおいては第８図に示すような特性が得ら
れた。第８図において縦軸（ＡＴＴ）は減衰度、横軸は
周波数（ｆ）を表わしている。また同図においてｆｏは
通過周波数の中心を表わしたものであり、さらに同図よ
りｆＯの近傍にトラップが形成されているのがわかる。

このトラップは第７図における共平面線路による人出力
線路１２．１３間の結合によりできたもので、入出力線
路１２．１５間の結合を調整することによりトラップを
調整でき、通過帯域外の減衰を大きくとることができる
。また、この構成のフィルタにおいては入力線１２もし
くは出力線１５と共振器１４もしくは１５との間の結合
を密結合にすることが重要であるが、共平面線路とマイ
クロス）　ＩＪツブ線路の結合を利用して比較的容易に
密結合が実現できた。

以上の実施例においては、基板の一方の主平面において
信号の入出力が行なわれるが、機能的には基板の両生平
面に形成された回路バタンの間の両生平面にわたる作用
から一つの回路機能が生じたものである。

第９図は第２の発明における実施例で、基板の第１の主
平面にマイクロストリップ線路２を用いてＦ’　Ｍ変調
回路を形成し、その出力を基板の第２の主平面の共平面
線路線路部５より外部に取り出すように構成したもので
ある。第９図では高周波部のみを示してバイアス回路等
は省略している。

第１０図は、第５の発明の実施例を示す発振器の回路図
で、高周波部のみを簡略に示している。

本発明は基板の両生平面に回路を形成することで発振器
を小形化することを主たる目的にしたものであるが、こ
の目的のためさらに基板として高誘電率セラミック基板
を用いる。すなわちマイクロストリップ線路共振器を用
いたＵＨＦ帯や数ＧＨｚ程度のマイクロ波帯の発振器で
は、発振器の面積に対して共振器の占める面積が大きく
、このため高誘電率基板の波長短縮効果を利用してマイ
クロストリップ線路共振器２自体も小形化しておく。こ
の基板については発振スペクトルの純度他の理由からｔ
ａｎδの小さい低損失性が要求されることは言うまでも
ない。

この、場合、一般に高誘電率セラミクスはもろくスルホ
ールの形成が困難で、このため同実施例の構成のように
してスルホールを設けることなく発振出力を基板の第２
の主平面に形成した増幅器１６に伝達する。この第１０
図の回路図におけるａ　−ａ’部分の断面図１第１１図
に示す。第２の主平面において、第１の主平面に形成し
たマイクロストリップ線路共振器２に対向する位置１ζ
共平面線路の線路部５が設けてあり、この両者の結合全
通して発振出力金共平面線路線路部５ｆこ直列に接続し
た増幅器１６に伝達する構成としである。この増幅器は
、発振器の負荷の変動が発振出力の変動となる、負荷の
発振器への影響を軽減するために設けた緩衝増幅器であ
る。

上記のように同実施例の発振器においては基板にスルホ
ールを設けることなく第１の主平面に形成した発振器で
発生した発振出力を第２の主平面に形成した増幅器１６
に伝達できる。この場合直流成分の伝達は必要ないが、
直流的にも接続する必要のある回路に対してスルホール
の形成を水弟３の発明および第１．第２の発明は排除す
るものでは々い。直流的にも接続する場合にはスルホー
ルの形成が可能な基板を用いてスルホールを設け、本発
明の構成における分布結合に直流的な結合を付加すれば
よい。また実施例を示す第１０図においては発振回路と
して変形コルピッツ発振回路を用いたが、本発明がこの
回路形式に限定されるものでないことは言うまでもない
。

なお、第１１図において、１７．１７’はトランジスタ
、１８はキャパシタ、１９はチップ抵抗、２０は導体配
線、２１はこれらの構成部品を収納するシールドケース
である。同構成ｔこおける機能説明は後述する。

次に第４の発明の実施例について述べる。まず第１２図
に例示したようなキャパシタ９で終端した１／４波長の
マイクロストリップ線路２の共振器においては、ｂ−ｂ
’から右側を見たインビーブ／７．２は と表わせることが周知の事ｉｔ用いて計算することによ
り確かめられる。従ってこの共振器のインダクタンスし
は となる。ここでＺｏけマイクロストリップ線路２の特性
インピーダンスであり、γは伝搬定数である。

なお、ωは角周波数、ＣＴ７はキャパシタ９の容量、ｌ
は線路２の長さを示す。よって、ｂ−ｂ’から左側を見
たインピーダンスの虚数部を＝１／ωＣＴ（ＣＴは等価
容量）とすれば、第１２図で示した発振器の発振周波数
ｆは ｆ　＝１／２πｊ「Ｇ であることがわかる。以上述べたことがら、部品特性の
ばらつき、すなわち千ヤパゾタの容量値のばらつき等に
よる発振周波数ｆの変動に対しては、マイクロストリッ
プ線路共蚤器２のインダクタンスを調整することが発振
周波数調整の有効な手段であることが理解できる。上記
目的のためにはマイクロス）　ＩＪツブ線路共振器２の
特性インピーダンスＺｏ　ｆ　ＷＡ　整すればよい。こ
のマイクロストリップ線路２の特性インピーダンスＺｏ
は大、板１の板厚りおよび線路幅Ｗの関数であるから、
ｈまたはＷｔ変えることにより特性インピーダンスＺＯ
を変えることができる。しかし基板１の板写ｈｔ回路パ
ターンを形成し部品搭載仮に変更することは不可能に近
い。一方線路幅Ｗを変えれば第２の主平面にマイクロス
トリップ線路共振器２に対向する位置に設けた共平面線
路の線路部５との結合度を変化させるため、線路幅Ｗを
調整して発振周波数ｆを調整する方法は妥当でない。従
って本発明は、以下に述べるように、マイクロストリッ
プ線路共振器２と共平面線路５の結合度を変えることな
くマイクロストリップ線路２の特性インピーダンスＺｏ
を調整し、それによって発振周波数ｆｆｔ調整する手段
を、まず第１の実施例をもって説明する。

第１２図（および第１０図）におけるａ　−Ｂ’部の断
面を示す第１１図において、基板１に導体ノくターンを
印刷法もしくは蒸着法で形成する。このときマイクロス
トリップ線路共振器２は、その特性インピーダンスが部
品の特性にばらつきがないとする場合の値に対し若干低
インピーダンスになるよう、線路幅Ｗおよび共平面線路
における線路部５と接地層３との間のスリット４の幅り
等を決め、これを形成しておく。抵抗体は印刷法もしく
は蒸着法で形成するか、チップ抵抗を用い基板１に搭載
する。キャパシタ１８け−等の部品も搭載して発振器を
構成する。

上記のようＩこ構成した発振器の発振周波数を測定し、
所望の周波数に対するずれに応じ、第１５図に例示する
ような共平面線路の線路部５と接地層部３１に１第１４
図に例示するようにレーザもしくはサンドブラスト等を
用いてトリミング部２２の部分を削り取る。これにより
、マイクロストリップ線路共振器２の特性インピーダン
スＺｏがトリミング部２２の削り取り量に応じて高くな
り、所望のインピーダンスにトリミングすることができ
る。このとき、共平面線路の線路部５の長さｌ】が長く
なりマイクロストリップ線路共振器２との結合度が変化
するが、これに対しては、線路部５の線路幅Ｗ１の長さ
１１が常に一定になるよう第１４図に示すごとくその他
端を緩衝増幅器１６との接続を保持してその線路幅Ｗ１
を減少させるようにトリミング部２２′の部分をトリミ
ングすればよい。これによりマイクロストリップ線路共
振器２の特性インピーダンスＺｏはさらに高くなるが、
これを見込んでトリミング部２２．２２’のトリミング
を行なう。このようなトリミング法により、マイクロス
トリップ線路共振器２と共平面線路５の結合度を変える
ことなく、マイクロストリップ線路共振器２の特性イン
ピーダンスＺｏを調整し、よって発振周波数ｆを調整す
ることができる。

次に第１５図は本発明の第２の実施例を示すものである
。第１４図の第１の実施例は第１２図に示す集中静電容
量９で終端し九共振器の場合の発振周波数の調整方法で
あったのに対し、本実施例は分布結合により形成される
分布静電容量９′で終端したマイクロストリップ線路共
振器２を有する発振器の場合の発振周波数の調整方法に
関する。第１５図に示すようにマイクロストリップ線路
共振器２の一端に同一主平面において接地層２３を近接
して設け、マイクロストリップ線路共振器２と接地層２
５間のギャップを広げるよう接地層２５のトリミング部
２４の部分を削ν取り分布静電容量９′を小さくする方
向にトリミングして発振周波数ｆを調整する。

さらに第１６図は本発明の第３の実施例を示すものであ
る。第１および第２の実施例がキャパシタ９．９′で容
量終端した１／４波長マイクロストリツプ線路共振器２
全用いた発振器の場合の発振周波数の調整方法であった
のに対し、本実施例は一端を接地した１／４波長マイク
ロス）　ＩＪツブ線路共振器２を用いた発振器の場合の
発振周波数の調整方法に関する。この場合は第１７図に
示すようにマイクロストリップ線路共振器２の長さを長
くするように、レーザもしくはサンドブラスト等を用い
て接地１１２５のトリミング部２６０部分をトリミング
することにより発振周波数ｆを調整するものである。な
お以上の実施例では１／４波長マイクロストリツプ線路
共振器を有する発振器の発振周波数の調整方法について
述べたが、本発明は１／４波長マイクロストリツプ線路
共振器を有する発振器の発振周波数の調整方法に限定さ
れるものではない。小型化の点で一般に１／４波長マイ
クロストリップ線路共振器が使用されるが、１／２波長
マイクロストリツプ線路共振器が用いられることもあり
、この場合ｔこおいても第１の実施例で示した方法によ
り発振周波数の調整が可能であることは言うまでもない
。以上のようにして各実施例によれば、マイクロストリ
ップ線路共振器を有し基板の両主平面に回路を形成して
小形化した発振器において、基板の両主平面を接続する
マイクロストリップ線路と共平面線路の結合度を変える
ことなく、それぞれパターンの部分削除によりマイクロ
ストリップ線路共振器の特性インピーダンスないしはこ
の共振器の長さまたは分布静電容量等を調整して発振器
の発振周波数を調整できる０ 〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明によれば基板の両生面にわた
って回路を形成することにより、片側の主平面に形成し
た回路だけでは実現が比較的困難な特性や機能が容易に
実現できる。また基板にスルホールの形成が可能か否か
にかかわらず、基板の両主平面に回路を形成してこの両
主平面の回路間を電気的に接続することができ回路の大
幅な小形化が達成できる。さらにマイクロストリッて線
路共振器を有する発振器において、マイクロストリップ
線路共振器と共平面線路の結合により発振出方を第２の
主平面に形成した回路に伝達でき、この結合の特性を変
えることなく発振周波数も調整できる等の利点並びに効
果がある。

【図面の簡単な説明】

添付図は本発明の詳細な説明するだめの図であって、第
１図は基板の第１の主平面に形成したマイクロストリッ
プ線路と第２の主平面の共平面線路との結合部を示す部
分断面図、第２図および第３図はマイクロストリップ線
路と共平面線路の結合状態を示す模式図、第４図および
第５図は第２図および第５図に示す結合線路の結合特性
図、第６図は第１の発明の第１の実施例を示す平面図、
第７図は第１の発明の第２の実施例を示すバンドパスフ
ィルタの平面図、第８図は第７図に示すバンドパスフィ
ルタの特性図、第９図は第２の発明の実施例を示すＦ’
Ｍ変調器の高周波部の簡略化した回路図、第１０図は第
５の発明の実施例を示す発揚器の高周波部の簡略化した
回路図、第１１図は第１０図および第１２図のａ　−ａ
’部の断面図、第１２図は第４の発明の実施例を示す発
振器の高周波部の簡略化した回路図、第１５図は第１２
図の共平面線路部分を例示する部分平面図、１１ｇ１４
図は第４の発明による発振器の第１の実施例を示す第１
５図のトリミング後の部分平面図、第１５図は第４の発
明による発振器の＄２の実施例を示すトリミング後のマ
イクロス）　ＩＪツブ線路部分の部分平面図、第１６図
は第４の発明による発振器の第５の実施例における部分
回路構成を示す部分回路図、第１７図は第４の発明によ
る発振器のｉＲ３の実施例を示すトリミング後のマイク
ロストリップ線路部分の部分平面図である。 １・・・誘電体セラミクスの回路基板　２・・・マイク
ロストリップ線路（共振器）　３・・・線路の接地層部
　４・・・共平面線路のスリット部５・・・共平面線路
の線路部　６・・・信号源　７・・・信号源インピーダ
ンス　８・・負荷インピーダンス　９・・・マイフロス
トリラグ線路終端キャパシタ（集中静電容量）　１ｏ、
１ｏ’・・・共平面線路の一端を接地した場合の結合線
の結合特性１１．１１’・・・共平面線路の一端ｔ−開
放した結合線線路の結合特性　１２・・・共振器および
バンドパスフィルタにおける共平面線路の入力線路１５
・・・共振器およびバンドパスフィルタにおける共平面
線路の出力線路　１４・・・バンドパスフィルタの第１
のマイクロストリップ線路共振器　１５・・・バンドパ
スフィルタの第２のマイクロス）ＩＪツブ線路共振器　
１６・・・増幅器　１７゜１７′　・・・トランジスタ
　１８・・・キャパシタ　１９・・・チップ抵抗　２０
・・・導体配線　２１・・・シールドケース　２２　、
２２’・・・トリミング部　２５・・・マイクロストリ
ップ線路と同一平面にある接地層２４・・・トリミング
部　２５・・・接地層　２６・・・トリきング部 １＋１！２１ 箋　２　邑 第４図 ｚ　５　回 覧ら配 鬼　１３　１５ｉ１ す ＠幅ｉ　１ら ｌ　Ｉ４　（ト） １ 増幅性　１ら 第　１５　記 ４．　昆　ＩＧ日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）回路基板の第１の主平面にマイクロストリップ線
   路を形成すると共に、前記回路基板の第２の主平面に形
   成した前記マイクロストリップ線路の接地層におけるマ
   イクロストリップ線路に対向する接地層部分に、スリッ
   トと線路部を設けて共平面線路を形成し、前記マイクロ
   ストリップ線路との間の電気的結合をとり、前記回路基
   板の第１と第２の両生平面にわたって受動ないし能動回
   路を形成してなる電気回路。 （お　信号伝送路としてマイクロストリップ線路を用い
   て回路基板の第１の主平面に電気回路を形成すると共に
   、回路基板の第２の主平面の接地層における前記マイク
   ロストリップ線路に対向する接地層部分にスリットと線
   路部を設けて共平面線路を形成し、前記第１の主平面に
   形成した電気回路の出力を、第２の主平面の共平面線路
   により第２の主平面に形成した電気回路に対して電気的
   に接続し、回路基板両面を利用して回路構成したことを
   特徴とする電気回路。 （３）　マイクロストリップ線路構造の共振器を有する
   発振回路を回路基板の第１の主平面に形成ｔすると共Ｉ
   こ、前記回路基板の第２の主平面に形成した前記共振器
   の接地層における前記共振器に対向する接地層部分にス
   リットと線路部を設けて共平面線路を形成し、前記共振
   器との間の電気的接続をとり、前記発振回路の出力信号
   を第２の主平面の前記共平面線路より外部に取り出せる
   ようにすると共に、第２の主平面に形成した電気回路に
   接続できるように構成したことを特徴とする電気回路０
   （４）前記第１および第２の主平面の前記マイクロスト
   リップ線路共振器と共平面線路との間の結合度を変える
   ことなく発振周波数を調整できる手段を有してなること
   を特徴とする特許請求の範囲第６項記載の電気回路。 （５）前記共平面線路の線路部と接地層部を接続するこ
   とによりその一端を接地した共平面線路により第２の主
   平面の電気回路に出力信号を接続する構成の発振器であ
   って、前記共平面線路線路部と接地層部の接続部を部分
   削除しｊ・つこの削除量に毘じて前記共平面線路の線路
   部の他端を他回路素子との接続を保持し該線路幅を減少
   させるように削除して、前記削除前の線路幅を保持する
   共平面線路の線路部の長さを一定に保ちながら削除する
   発振周波数を調整する手段を有して成ることを特徴とす
   る特許請求の範囲第３項記載の電気回路。 （６）前記発振周波数を調整する手段は、共振器と接地
   層との間隔を広げるよう前記接地層を部分削除すること
   によって調整される特許請求の範囲第５項に記載の電気
   回路。 （７）前記発振周波数を調整する手段は、接地層を部分
   的に削除して共振器の長さを長くすることによって調整
   される特許請求の範囲第５項に記載の電気回路。