JP3297607B2 - 高周波回路用パッケージ - Google Patents
高周波回路用パッケージInfo
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波回路用パッケ
ージに関し、特に導体線路の配線を使用した信号入出力
部における高周波信号の伝搬特性の悪化を改善した高周
波回路用パッケージに関するものである。
ージに関し、特に導体線路の配線を使用した信号入出力
部における高周波信号の伝搬特性の悪化を改善した高周
波回路用パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＭＨｚ帯やＧＨｚ帯の高周波信号を用い
る無線通信機器用等の高周波回路あるいはＳｉ（シリコ
ン）やＧａＡｓ（ガリウム砒素）等で形成された高周波
半導体集積回路等の半導体素子を収容する高周波回路用
パッケージにおいては、パッケージの内部に回路や素子
が収容されて気密封止され、それら内部の回路や素子と
外部の回路とを接続して高周波信号の良好な伝搬特性を
得るために導体線路の配線を使用した信号入出力部が形
成される。
る無線通信機器用等の高周波回路あるいはＳｉ（シリコ
ン）やＧａＡｓ（ガリウム砒素）等で形成された高周波
半導体集積回路等の半導体素子を収容する高周波回路用
パッケージにおいては、パッケージの内部に回路や素子
が収容されて気密封止され、それら内部の回路や素子と
外部の回路とを接続して高周波信号の良好な伝搬特性を
得るために導体線路の配線を使用した信号入出力部が形
成される。
【０００３】そのような高周波回路用パッケージの例を
図５に要部断面図で、また図６に要部平面図で示す。
図５に要部断面図で、また図６に要部平面図で示す。
【０００４】図５および図６に示す高周波回路用パッケ
ージ１において、２はセラミック等から成る絶縁基板、
３は絶縁基板２に接合され高周波回路用パッケージ１の
容器を構成してその側壁となる絶縁枠体、４は絶縁基板
２の下面に形成された金属膜、５は高周波回路用パッケ
ージ１の蓋体、６は絶縁基板２上に搭載された高周波半
導体素子、７および８は配線としての導体線路である。
導体線路７・８は絶縁基板２と絶縁枠体３と蓋体５とに
より構成される容器の内側から外側にかけて導出され、
絶縁基板２と絶縁枠体３とに挟まれた気密封止部により
気密に封止されている。この高周波回路用パッケージ１
では導体線路７は信号線路、８はグランド線路とされ、
信号線路７は高周波半導体素子６の電極と、またグラン
ド線路８は半導体素子６のグランド電極と、それぞれア
ルミニウムまたは金の接続線９で接続されている。
ージ１において、２はセラミック等から成る絶縁基板、
３は絶縁基板２に接合され高周波回路用パッケージ１の
容器を構成してその側壁となる絶縁枠体、４は絶縁基板
２の下面に形成された金属膜、５は高周波回路用パッケ
ージ１の蓋体、６は絶縁基板２上に搭載された高周波半
導体素子、７および８は配線としての導体線路である。
導体線路７・８は絶縁基板２と絶縁枠体３と蓋体５とに
より構成される容器の内側から外側にかけて導出され、
絶縁基板２と絶縁枠体３とに挟まれた気密封止部により
気密に封止されている。この高周波回路用パッケージ１
では導体線路７は信号線路、８はグランド線路とされ、
信号線路７は高周波半導体素子６の電極と、またグラン
ド線路８は半導体素子６のグランド電極と、それぞれア
ルミニウムまたは金の接続線９で接続されている。
【０００５】そして、信号線路７およびグランド線路８
はそれぞれ外部回路基板（図示せず）の対応する配線と
半田等により接続されて、所望の高周波信号処理装置が
構成される。
はそれぞれ外部回路基板（図示せず）の対応する配線と
半田等により接続されて、所望の高周波信号処理装置が
構成される。
【０００６】このような従来の高周波回路用パッケージ
１においては、絶縁基板２上面に形成された信号線路７
は、絶縁基板２の下面にグランド層としての金属膜４が
形成されていることから、半導体素子６が収容された内
側ならびに絶縁枠体３の外側においてはその線路の上部
が空間であるためマイクロストリップライン構造とな
り、また気密封止部分では絶縁基板２と絶縁枠体３とで
挟まれているためストリップライン構造となる。
１においては、絶縁基板２上面に形成された信号線路７
は、絶縁基板２の下面にグランド層としての金属膜４が
形成されていることから、半導体素子６が収容された内
側ならびに絶縁枠体３の外側においてはその線路の上部
が空間であるためマイクロストリップライン構造とな
り、また気密封止部分では絶縁基板２と絶縁枠体３とで
挟まれているためストリップライン構造となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の高周波回路用パッケージ１においては、信
号線路７のストリップライン構造となる部分では信号線
路７の上部に位置する絶縁枠体３の誘電率または厚さに
対応して特性インピーダンスが低下するために、信号線
路７を伝搬する高周波信号に対してマイクロストリップ
ライン構造となる部分との間で特性インピーダンスの不
整合による反射損失等が生じて、高周波信号の伝搬特性
が悪くなるという問題点があった。
ような従来の高周波回路用パッケージ１においては、信
号線路７のストリップライン構造となる部分では信号線
路７の上部に位置する絶縁枠体３の誘電率または厚さに
対応して特性インピーダンスが低下するために、信号線
路７を伝搬する高周波信号に対してマイクロストリップ
ライン構造となる部分との間で特性インピーダンスの不
整合による反射損失等が生じて、高周波信号の伝搬特性
が悪くなるという問題点があった。
【０００８】これに対して、例えば特公平８−12887 号
には、信号線路のストリップライン構造となる部分（気
密封止部分）の線路幅をマイクロストリップライン構造
となる他の部分の線路幅より狭くした高周波回路用パッ
ケージが提案されている。
には、信号線路のストリップライン構造となる部分（気
密封止部分）の線路幅をマイクロストリップライン構造
となる他の部分の線路幅より狭くした高周波回路用パッ
ケージが提案されている。
【０００９】これによれば、気密封止部分において信号
線路の線路幅を狭くした部分の特性インピーダンスが大
きくなり、結果として信号線路のマイクロストリップラ
イン構造となる部分と同じ特性インピーダンスとするこ
とが可能となって特性インピーダンスの整合をとること
ができるというものである。
線路の線路幅を狭くした部分の特性インピーダンスが大
きくなり、結果として信号線路のマイクロストリップラ
イン構造となる部分と同じ特性インピーダンスとするこ
とが可能となって特性インピーダンスの整合をとること
ができるというものである。
【００１０】しかしながら、この特公平８−12887 号に
提案された構造によれば、気密封止部分において信号線
路の線路幅が変化するため却って高周波信号の伝搬モー
ドの乱れが存在することとなり、その結果、高周波信号
の伝搬特性が悪くなるという問題点があった。
提案された構造によれば、気密封止部分において信号線
路の線路幅が変化するため却って高周波信号の伝搬モー
ドの乱れが存在することとなり、その結果、高周波信号
の伝搬特性が悪くなるという問題点があった。
【００１１】本発明は上記事情に鑑みて本発明者が鋭意
研究に努めた結果完成したものであり、その目的は、導
体線路の配線を使用した信号入出力部における高周波信
号の特性インピーダンスおよび伝搬モードの不整合をな
くした、高周波信号の良好な伝搬特性を有する高周波回
路用パッケージを提供することにある。
研究に努めた結果完成したものであり、その目的は、導
体線路の配線を使用した信号入出力部における高周波信
号の特性インピーダンスおよび伝搬モードの不整合をな
くした、高周波信号の良好な伝搬特性を有する高周波回
路用パッケージを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波回路用パ
ッケージは、下面に金属層を有する絶縁基板と、その絶
縁基板の上面に接合され、内側に前記絶縁基板の上面に
搭載された高周波回路または高周波半導体素子を収容す
るための空所を有する絶縁枠体と、前記絶縁基板の上面
に前記絶縁枠体の内側から外側にわたって形成され、そ
の一部が前記絶縁基板と前記絶縁枠体とで挟持されてい
る信号線路とを具備する高周波回路用パッケージにおい
て、前記絶縁枠体の内側および外側に位置する前記信号
線路の両側に、それぞれ前記絶縁枠体の側壁から前記信
号線路の端までの長さに等しい長さを有する線路パター
ンを、前記信号線路に対して平行に等間隔に併設すると
ともに前記金属層に電気的に接続したことを特徴とする
ものである。
ッケージは、下面に金属層を有する絶縁基板と、その絶
縁基板の上面に接合され、内側に前記絶縁基板の上面に
搭載された高周波回路または高周波半導体素子を収容す
るための空所を有する絶縁枠体と、前記絶縁基板の上面
に前記絶縁枠体の内側から外側にわたって形成され、そ
の一部が前記絶縁基板と前記絶縁枠体とで挟持されてい
る信号線路とを具備する高周波回路用パッケージにおい
て、前記絶縁枠体の内側および外側に位置する前記信号
線路の両側に、それぞれ前記絶縁枠体の側壁から前記信
号線路の端までの長さに等しい長さを有する線路パター
ンを、前記信号線路に対して平行に等間隔に併設すると
ともに前記金属層に電気的に接続したことを特徴とする
ものである。
【００１３】本発明の高周波回路用パッケージによれ
ば、絶縁基板に容器を構成する絶縁枠体を接合して形成
される絶縁基板の上面の前記絶縁枠体の内側および外側
に位置する信号線路の両側に、それぞれ絶縁枠体の側壁
から各信号線路の端までの長さに等しい長さを有する線
路パターンを、信号線路に対して平行に等間隔で併設す
るとともにその線路パターンを絶縁基板の下面の金属層
に接続したことから、誘電体である絶縁基板と絶縁枠体
とで挟持されていることによりその挟持部分で小さくな
る傾向を有する信号線路の特性インピーダンスに対し
て、その挟持部分の前後において信号線路が露出してい
る部分である絶縁枠体の内側および外側に位置する信号
線路についてもその両側に併設させた線路パターンと信
号線路との間隔を調整することにより特性インピーダン
スを小さくすることができ、その結果、挟持部分の信号
線路の特性インピーダンスと同じにすることが可能とな
り、信号入出力部における特性インピーダンスの不整合
が生ずることはない。
ば、絶縁基板に容器を構成する絶縁枠体を接合して形成
される絶縁基板の上面の前記絶縁枠体の内側および外側
に位置する信号線路の両側に、それぞれ絶縁枠体の側壁
から各信号線路の端までの長さに等しい長さを有する線
路パターンを、信号線路に対して平行に等間隔で併設す
るとともにその線路パターンを絶縁基板の下面の金属層
に接続したことから、誘電体である絶縁基板と絶縁枠体
とで挟持されていることによりその挟持部分で小さくな
る傾向を有する信号線路の特性インピーダンスに対し
て、その挟持部分の前後において信号線路が露出してい
る部分である絶縁枠体の内側および外側に位置する信号
線路についてもその両側に併設させた線路パターンと信
号線路との間隔を調整することにより特性インピーダン
スを小さくすることができ、その結果、挟持部分の信号
線路の特性インピーダンスと同じにすることが可能とな
り、信号入出力部における特性インピーダンスの不整合
が生ずることはない。
【００１４】また、信号線路の線路幅は絶縁基板と絶縁
枠体とで挟持された挟持部分と他の部分とで変わること
がないため、線路幅の変化による高周波信号の伝搬モー
ドの乱れをなくすことができる。
枠体とで挟持された挟持部分と他の部分とで変わること
がないため、線路幅の変化による高周波信号の伝搬モー
ドの乱れをなくすことができる。
【００１５】さらに、信号線路の両側に併設する線路パ
ターンは絶縁基板の下面の金属層と電気的に接続されて
いるので、信号配線が複数本配設されている場合に隣接
する信号配線同士が電磁界的に結合するのをシールドし
て防止する効果も有しており、この結果、高周波信号の
伝搬特性がより一層向上するという作用効果も有するも
のである。
ターンは絶縁基板の下面の金属層と電気的に接続されて
いるので、信号配線が複数本配設されている場合に隣接
する信号配線同士が電磁界的に結合するのをシールドし
て防止する効果も有しており、この結果、高周波信号の
伝搬特性がより一層向上するという作用効果も有するも
のである。
【００１６】従って、本発明によれば、導体線路の配線
を使用した信号入出力部における高周波信号の特性イン
ピーダンスおよび伝搬モードの不整合をなくした、高周
波信号の良好な伝搬特性を有する高周波回路用パッケー
ジとなる。
を使用した信号入出力部における高周波信号の特性イン
ピーダンスおよび伝搬モードの不整合をなくした、高周
波信号の良好な伝搬特性を有する高周波回路用パッケー
ジとなる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明を詳
細に説明する。なお、本発明は以下の例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変
更・改良を加えることは何ら差し支えない。
細に説明する。なお、本発明は以下の例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変
更・改良を加えることは何ら差し支えない。
【００１８】図１は本発明の高周波回路用パッケージの
実施の形態の例を示す要部平面図であり、図２および図
３・図４はそれぞれ図１のＡ−Ａ’線断面図およびＢ−
Ｂ’線断面図・Ｃ−Ｃ’線断面図である。
実施の形態の例を示す要部平面図であり、図２および図
３・図４はそれぞれ図１のＡ−Ａ’線断面図およびＢ−
Ｂ’線断面図・Ｃ−Ｃ’線断面図である。
【００１９】図１〜図４に示した本発明の高周波回路用
パッケージ10において、11はセラミック等から成る絶縁
基板、12は絶縁枠体であり、絶縁枠体12は絶縁基板11の
上面に搭載された高周波回路または高周波半導体素子等
をその絶縁枠体12の内側に気密封止すべく絶縁基板11の
上面に接合されて絶縁基板11とともに高周波回路用パッ
ケージ10の容器を構成し、その容器の側壁となる。
パッケージ10において、11はセラミック等から成る絶縁
基板、12は絶縁枠体であり、絶縁枠体12は絶縁基板11の
上面に搭載された高周波回路または高周波半導体素子等
をその絶縁枠体12の内側に気密封止すべく絶縁基板11の
上面に接合されて絶縁基板11とともに高周波回路用パッ
ケージ10の容器を構成し、その容器の側壁となる。
【００２０】13は絶縁基板11の下面に形成された金属
膜、14は高周波回路用パッケージ10の蓋体である。蓋体
14は通常は金属キャップにより形成されて絶縁枠体12に
接合され、絶縁基板11の上面に搭載された高周波回路ま
たは高周波半導体素子を絶縁枠体12の内側、すなわち絶
縁基板11と絶縁枠体12と蓋体14とにより構成される容器
の内部に気密封止する。なお、蓋体14を絶縁枠体12と同
様の絶縁材料で作製した場合には、蓋体14と絶縁枠体12
とを一体化し、蓋体14の一部が高周波回路用パッケージ
10の容器の側壁をなすようにして絶縁枠体12を兼ねるよ
うにしてもよい。
膜、14は高周波回路用パッケージ10の蓋体である。蓋体
14は通常は金属キャップにより形成されて絶縁枠体12に
接合され、絶縁基板11の上面に搭載された高周波回路ま
たは高周波半導体素子を絶縁枠体12の内側、すなわち絶
縁基板11と絶縁枠体12と蓋体14とにより構成される容器
の内部に気密封止する。なお、蓋体14を絶縁枠体12と同
様の絶縁材料で作製した場合には、蓋体14と絶縁枠体12
とを一体化し、蓋体14の一部が高周波回路用パッケージ
10の容器の側壁をなすようにして絶縁枠体12を兼ねるよ
うにしてもよい。
【００２１】15は絶縁基板11上に搭載された高周波集積
回路等の高周波半導体素子である。
回路等の高周波半導体素子である。
【００２２】この高周波半導体素子15は他の高周波回路
であってもよい。16は高周波信号用の信号配線であり、
絶縁基板11の上面に前記容器の内側の高周波半導体素子
15周辺から外側にわたって形成された導体線路から成
る。
であってもよい。16は高周波信号用の信号配線であり、
絶縁基板11の上面に前記容器の内側の高周波半導体素子
15周辺から外側にわたって形成された導体線路から成
る。
【００２３】この信号線路16は内側配線部分16ａと気密
封止配線部分16ｂと外側端子部分16ｃとから成り、気密
封止配線部分16ｂは容器の側壁部分において絶縁基板11
と絶縁枠体12とで挟持されて気密に封止され、ストリッ
プライン構造を構成している。なお、このような気密封
止手段には、半導体素子収納用パッケージにおける公知
の手段を採用することができる。
封止配線部分16ｂと外側端子部分16ｃとから成り、気密
封止配線部分16ｂは容器の側壁部分において絶縁基板11
と絶縁枠体12とで挟持されて気密に封止され、ストリッ
プライン構造を構成している。なお、このような気密封
止手段には、半導体素子収納用パッケージにおける公知
の手段を採用することができる。
【００２４】17はアルミニウムまたは金等の接続線であ
り、これにより信号線路16と高周波半導体素子15の電極
とが接続されている。なお、高周波半導体素子15のグラ
ンド電極とグランド線路（図示せず）または後述する線
路パターンとの間も必要に応じて同様に接続線で接続さ
れる。また、信号線路16およびグランド線路はそれぞれ
外部回路基板（図示せず）の配線と半田等により接続さ
れて、所望の高周波信号処理装置が構成される。
り、これにより信号線路16と高周波半導体素子15の電極
とが接続されている。なお、高周波半導体素子15のグラ
ンド電極とグランド線路（図示せず）または後述する線
路パターンとの間も必要に応じて同様に接続線で接続さ
れる。また、信号線路16およびグランド線路はそれぞれ
外部回路基板（図示せず）の配線と半田等により接続さ
れて、所望の高周波信号処理装置が構成される。
【００２５】そして、18ａおよび18ｃはそれぞれ線路パ
ターンであり、絶縁基板11の上面の絶縁枠体12の内側お
よび外側に位置する信号線路16の内側配線部分16ａおよ
び外側端子部分16ｃの両側に配設した、それぞれ絶縁枠
体12の側壁から内側配線部分16ａおよび外側端子部分16
ｃのそれぞれの端までの長さに等しい長さを有する導体
線路であって、内側配線部分16ａおよび外側端子部分16
ｃに対して平行に等間隔Ｓで併設するとともに、金属層
13に電気的に接続したものであることを特徴としてい
る。これにより、信号線路16の内側配線部分16ａおよび
外側端子部分16ｃは、上部が空間となっているマイクロ
ストリップライン構造であるとともに、グランド付コプ
レナライン構造を構成している。
ターンであり、絶縁基板11の上面の絶縁枠体12の内側お
よび外側に位置する信号線路16の内側配線部分16ａおよ
び外側端子部分16ｃの両側に配設した、それぞれ絶縁枠
体12の側壁から内側配線部分16ａおよび外側端子部分16
ｃのそれぞれの端までの長さに等しい長さを有する導体
線路であって、内側配線部分16ａおよび外側端子部分16
ｃに対して平行に等間隔Ｓで併設するとともに、金属層
13に電気的に接続したものであることを特徴としてい
る。これにより、信号線路16の内側配線部分16ａおよび
外側端子部分16ｃは、上部が空間となっているマイクロ
ストリップライン構造であるとともに、グランド付コプ
レナライン構造を構成している。
【００２６】このグランド付コプレナライン構造を構成
している内側配線部分16ａと線路パターン18ａおよび外
側端子部分16ｃと線路パターン18ｃとの間隔Ｓを調整す
ることにより、内側配線部分16ａおよび外側端子部分16
ｃの特性インピーダンスを調整して小さくすることがで
き、ストリップライン構造である気密封止配線部分１６
ｂにおいて小さくなっている特性インピーダンスと整合
させることができる。なお、各線路パターン１８ａ・18
ｃと金属層13との電気的な接続手段は、半導体素子収納
用パッケージにおける公知の手段を採用することができ
る。
している内側配線部分16ａと線路パターン18ａおよび外
側端子部分16ｃと線路パターン18ｃとの間隔Ｓを調整す
ることにより、内側配線部分16ａおよび外側端子部分16
ｃの特性インピーダンスを調整して小さくすることがで
き、ストリップライン構造である気密封止配線部分１６
ｂにおいて小さくなっている特性インピーダンスと整合
させることができる。なお、各線路パターン１８ａ・18
ｃと金属層13との電気的な接続手段は、半導体素子収納
用パッケージにおける公知の手段を採用することができ
る。
【００２７】内側配線部分16ａと線路パターン18ａおよ
び外側端子部分16ｃと線路パターン18ｃとの間隔Ｓは、
上記のように特性インピーダンスを整合させるように選
定される。例えば、絶縁基板11と絶縁枠体12のそれぞれ
の誘電率をε＝10、それぞれの厚さをｔ＝ 350μｍ、信
号配線16の厚さをｄ＝20μｍ、幅をｗ＝ 100μｍとし
て、気密封止配線部分16ｂの高周波信号に対する特性イ
ンピーダンスをＺ0 ＝50Ωとした場合であれば、内側配
線部分16ａおよび外側端子部分16ｃの特性インピーダン
スはＺ0 ＝74Ωとなり、特性インピーダンスの不整合が
生じることになる。これに対して、内側配線部分16ａお
よび外側端子部分16ｃの両側にそれぞれ 100μｍの間隔
Ｓをもって線路パターン18ａ・18ｃを併設すれば、内側
配線部分16ａおよび外側端子部分16ｃにおける特性イン
ピーダンスはそれぞれほぼＺ0 ＝50Ωとなり、特性イン
ピーダンスの不整合は生じなくなる。また同時に、信号
線路16の線路幅が内側配線部分16ａおよび気密封止配線
部分16ｂ・外側端子部分16ｃで一定であるので、高周波
信号の信号伝搬モードの乱れも生じない。
び外側端子部分16ｃと線路パターン18ｃとの間隔Ｓは、
上記のように特性インピーダンスを整合させるように選
定される。例えば、絶縁基板11と絶縁枠体12のそれぞれ
の誘電率をε＝10、それぞれの厚さをｔ＝ 350μｍ、信
号配線16の厚さをｄ＝20μｍ、幅をｗ＝ 100μｍとし
て、気密封止配線部分16ｂの高周波信号に対する特性イ
ンピーダンスをＺ0 ＝50Ωとした場合であれば、内側配
線部分16ａおよび外側端子部分16ｃの特性インピーダン
スはＺ0 ＝74Ωとなり、特性インピーダンスの不整合が
生じることになる。これに対して、内側配線部分16ａお
よび外側端子部分16ｃの両側にそれぞれ 100μｍの間隔
Ｓをもって線路パターン18ａ・18ｃを併設すれば、内側
配線部分16ａおよび外側端子部分16ｃにおける特性イン
ピーダンスはそれぞれほぼＺ0 ＝50Ωとなり、特性イン
ピーダンスの不整合は生じなくなる。また同時に、信号
線路16の線路幅が内側配線部分16ａおよび気密封止配線
部分16ｂ・外側端子部分16ｃで一定であるので、高周波
信号の信号伝搬モードの乱れも生じない。
【００２８】なお、線路パターン18ａ・18ｃの幅につい
ては、設計上の留意点として電磁界結合を低減させるよ
うにする配慮を行なうとともにそれぞれの高周波回路用
パッケージのサイズやパターン数等の仕様との関係を考
慮して、できるだけ幅を広くとることが好ましい。
ては、設計上の留意点として電磁界結合を低減させるよ
うにする配慮を行なうとともにそれぞれの高周波回路用
パッケージのサイズやパターン数等の仕様との関係を考
慮して、できるだけ幅を広くとることが好ましい。
【００２９】また、線路パターン18ａ・18ｃの厚みにつ
いては、厚みが厚い程電磁界結合を低減させることが可
能なためできるだけ厚くすることが好ましいが、一般的
には下地メタライズ層が10〜30μｍの厚みで形成され、
その上にＮｉメッキやＡｕメッキが１〜20μｍの厚みで
施されることにより線路パターン18ａ・18ｃが形成され
る。
いては、厚みが厚い程電磁界結合を低減させることが可
能なためできるだけ厚くすることが好ましいが、一般的
には下地メタライズ層が10〜30μｍの厚みで形成され、
その上にＮｉメッキやＡｕメッキが１〜20μｍの厚みで
施されることにより線路パターン18ａ・18ｃが形成され
る。
【００３０】絶縁基板11ならびに絶縁枠体12としては、
例えばアルミナやムライト等のセラミックスやガラスセ
ラミックス、あるいはテフロン・ガラスエポキシ・ポリ
イミド等の樹脂系材料などが用いられる。また、容器の
側壁となる気密封止部分におけるこれらの接合は、例え
ば絶縁基板11にスクリーン印刷法により信号線路16とな
る導体層を形成し、絶縁枠体12を積層して同時焼成する
ことによって接合すればよい。
例えばアルミナやムライト等のセラミックスやガラスセ
ラミックス、あるいはテフロン・ガラスエポキシ・ポリ
イミド等の樹脂系材料などが用いられる。また、容器の
側壁となる気密封止部分におけるこれらの接合は、例え
ば絶縁基板11にスクリーン印刷法により信号線路16とな
る導体層を形成し、絶縁枠体12を積層して同時焼成する
ことによって接合すればよい。
【００３１】蓋体14は例えば金属材料から成り、Ａｕ−
Ｓｎ等のロウ材を用いて絶縁枠体12と接合し、気密封止
される。また、前述のように絶縁枠体12と同様の絶縁材
料を用いてもよい。
Ｓｎ等のロウ材を用いて絶縁枠体12と接合し、気密封止
される。また、前述のように絶縁枠体12と同様の絶縁材
料を用いてもよい。
【００３２】信号線路16ならびに線路パターン18ａ・18
ｃは、ＣｕやＭｏＭｎ＋Ｃｕ・Ｗ＋Ａｕなどを用いて厚
膜印刷あるいは薄膜形成手段・メッキ処理などの方法に
より形成され、その厚みや幅は、それらにより信号線路
16の特性インピーダンスの不整合をなくすように設定す
ればよい。
ｃは、ＣｕやＭｏＭｎ＋Ｃｕ・Ｗ＋Ａｕなどを用いて厚
膜印刷あるいは薄膜形成手段・メッキ処理などの方法に
より形成され、その厚みや幅は、それらにより信号線路
16の特性インピーダンスの不整合をなくすように設定す
ればよい。
【００３３】また、金属層13は信号線路16や線路パター
ン18ａ・18ｃと同様の材料を用いて同様の方法により絶
縁基板11の下面のほぼ全面に形成され、その厚みは、例
えば厚膜であれば約10〜30μｍ程度とされる。
ン18ａ・18ｃと同様の材料を用いて同様の方法により絶
縁基板11の下面のほぼ全面に形成され、その厚みは、例
えば厚膜であれば約10〜30μｍ程度とされる。
【００３４】
【発明の効果】本発明の高周波回路用パッケージによれ
ば、絶縁基板と、その上面に接合されて容器を構成する
絶縁枠体とに挟持された信号線路に対して、絶縁枠体の
内側および外側に位置する信号線路の両側に、それぞれ
絶縁枠体の側壁から各信号線路の端までの長さに等しい
長さを有する線路パターンを、信号線路に対して平行に
等間隔に併設するとともにその線路パターンを絶縁基板
の下面の金属層に接続したことから、誘電体である絶縁
基板と絶縁枠体とで挟持されていることにより容器の側
壁部分、すなわち気密封止配線部分で小さくなる傾向を
有する信号線路の特性インピーダンスに対して、その気
密封止配線部分の前後において信号線路が露出している
部分である容器の内側および外側に位置する信号線路、
すなわち内側配線部分および外側端子部分についてもそ
の両側に併設させた線路パターンと信号線路との間隔を
調整することにより特性インピーダンスを小さくするこ
とができ、その結果、気密封止配線部分の信号線路の特
性インピーダンスと同じにすることが可能となり、信号
入出力部における特性インピーダンスの不整合をなくす
ことができた。
ば、絶縁基板と、その上面に接合されて容器を構成する
絶縁枠体とに挟持された信号線路に対して、絶縁枠体の
内側および外側に位置する信号線路の両側に、それぞれ
絶縁枠体の側壁から各信号線路の端までの長さに等しい
長さを有する線路パターンを、信号線路に対して平行に
等間隔に併設するとともにその線路パターンを絶縁基板
の下面の金属層に接続したことから、誘電体である絶縁
基板と絶縁枠体とで挟持されていることにより容器の側
壁部分、すなわち気密封止配線部分で小さくなる傾向を
有する信号線路の特性インピーダンスに対して、その気
密封止配線部分の前後において信号線路が露出している
部分である容器の内側および外側に位置する信号線路、
すなわち内側配線部分および外側端子部分についてもそ
の両側に併設させた線路パターンと信号線路との間隔を
調整することにより特性インピーダンスを小さくするこ
とができ、その結果、気密封止配線部分の信号線路の特
性インピーダンスと同じにすることが可能となり、信号
入出力部における特性インピーダンスの不整合をなくす
ことができた。
【００３５】また、信号線路の線路幅は絶縁基板と絶縁
枠体とで挟持された容器の側壁部分、すなわち気密封止
配線部分と他の部分、すなわち内側配線部分および外側
端子部分とで変わることがないため、線路幅の変化によ
る高周波信号の伝搬モードの乱れをなくすことができ
た。
枠体とで挟持された容器の側壁部分、すなわち気密封止
配線部分と他の部分、すなわち内側配線部分および外側
端子部分とで変わることがないため、線路幅の変化によ
る高周波信号の伝搬モードの乱れをなくすことができ
た。
【００３６】さらに、信号線路の両側に併設する線路パ
ターンは絶縁基板の下面の金属層と電気的に接続されて
いるので、信号配線が複数本配設されている場合に隣接
する信号配線同士が電磁界的に結合するのをシールドし
て防止する効果も有しており、この結果、高周波信号の
伝搬特性がより一層向上するという作用効果も有するも
のとなった。
ターンは絶縁基板の下面の金属層と電気的に接続されて
いるので、信号配線が複数本配設されている場合に隣接
する信号配線同士が電磁界的に結合するのをシールドし
て防止する効果も有しており、この結果、高周波信号の
伝搬特性がより一層向上するという作用効果も有するも
のとなった。
【００３７】従って、本発明によれば、導体線路の配線
を使用した信号入出力部における高周波信号の特性イン
ピーダンスの不整合および伝搬モードの乱れをなくし
た、高周波信号の良好な伝搬特性を有する高周波回路用
パッケージを提供することができた。
を使用した信号入出力部における高周波信号の特性イン
ピーダンスの不整合および伝搬モードの乱れをなくし
た、高周波信号の良好な伝搬特性を有する高周波回路用
パッケージを提供することができた。
【図１】本発明の高周波回路用パッケージの実施の形態
を示す要部平面図である。
を示す要部平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図４】図１のＣ−Ｃ’線断面図である。
【図５】従来の高周波回路用パッケージの例を示す要部
断面図である。
断面図である。
【図６】従来の高周波回路用パッケージの例を示す要部
平面図である。
平面図である。
10・・・・・・・高周波回路用パッケージ 11・・・・・・・絶縁基板 12・・・・・・・絶縁枠体 13・・・・・・・金属膜 15・・・・・・・高周波半導体素子 16・・・・・・・信号線路 18ａ、18ｃ・・・線路パターン Ｓ・・・・・・・間隔
Claims (1)
- 【請求項１】 下面に金属層を有する絶縁基板と、該絶
縁基板の上面に接合され、内側に前記絶縁基板の上面に
搭載された高周波回路または高周波半導体素子を収容す
るための空所を有する絶縁枠体と、前記絶縁基板の上面
に前記絶縁枠体の内側から外側にわたって形成され、そ
の一部が前記絶縁基板と前記絶縁枠体とで挟持されてい
る信号線路とを具備する高周波回路用パッケージにおい
て、前記絶縁枠体の内側および外側に位置する前記信号
線路の両側に、それぞれ前記絶縁枠体の側壁から前記信
号線路の端までの長さに等しい長さを有する線路パター
ンを、前記信号線路に対して平行に等間隔に併設すると
ともに前記金属層に電気的に接続したことを特徴とする
高周波回路用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24756896A JP3297607B2 (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 高周波回路用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24756896A JP3297607B2 (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 高周波回路用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092975A JPH1092975A (ja) | 1998-04-10 |
| JP3297607B2 true JP3297607B2 (ja) | 2002-07-02 |
Family
ID=17165438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24756896A Expired - Fee Related JP3297607B2 (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 高周波回路用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3297607B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2711830B1 (fr) * | 1993-10-29 | 1995-11-24 | Commissariat Energie Atomique | Assemblage patin de vol/bras-ressort à plots de soudures composités et procédé de réalisation. |
| JP6051814B2 (ja) * | 2012-11-27 | 2016-12-27 | 三菱電機株式会社 | 高周波装置 |
| JP2016171157A (ja) * | 2015-03-12 | 2016-09-23 | 株式会社東芝 | 高周波半導体用パッケージ |
-
1996
- 1996-09-19 JP JP24756896A patent/JP3297607B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1092975A (ja) | 1998-04-10 |
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