JP2000164764A

JP2000164764A - 高周波用配線基板の実装構造

Info

Publication number: JP2000164764A
Application number: JP33636598A
Authority: JP
Inventors: Satoru Tomie; 覚冨江; Shinichi Koriyama; 慎一郡山; Kenji Kitazawa; 謙治北澤
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1998-11-26
Filing date: 1998-11-26
Publication date: 2000-06-16

Abstract

(57)【要約】【課題】中心導体とグランド層を有するマイクロストリ
ップの伝送モードの伝送線路を有する高周波用配線基板
同士を伝送特性を劣化させずに接続する。【解決手段】誘電体基板２の裏面に形成された中心導体
９と、内部に形成されたグランド層８とを具備する高周
波伝送線路を有するパッケージ１を、誘電体基板の表面
に形成された中心導体１５と、基板１４の内部に形成さ
れたグランド層１６とを具備する高周波伝送線路を有す
る外部回路基板に実装するための構造であって、パッケ
ージ１の中心導体９と外部回路基板１４の中心導体とを
導電性接着材２１によって接続するとともに、パッケー
ジ１のグランド層８と外部回路基板１４のグランド層１
６とを、スルーホール導体１８、導電性接着材２２、ス
ルーホール導体２０等からなり、中心導体９、１５ａ同
士の接続部の両側を経由して設けられた２つの接続導体
路によって接続する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は高周波用配線基板の
実装構造に関するもので、例えば、マイクロ波帯からミ
リ波帯領域の高周波用の半導体素子を収納あるいは搭載
する高周波用半導体パッケ−ジを外部回路基板に対して
実装する場合等に好適に適用される実装構造に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】従来、マイクロ波やミリ波の信号を取り
扱う高周波用半導体パッケージは、一般には、誘電体基
板および枠体により形成されたキャビティ内に高周波素
子を収納して蓋体によって気密に封止されており、高周
波素子はキャビティ内の誘電体基板表面に形成された高
周波伝送線路と接続されている。また、誘電体基板の裏
面には、外部回路基板との接続部を具備する高周波伝送
線路が設けられている。

【０００３】そして、キャビティ内の高周波伝送線路は
枠体を貫通してキャビティ外に引き出され、更に誘電体
基板の端面を経由して裏面に配設された高周波伝送線路
と接続される。また、他の接続方法としては、誘電体基
板内を貫通するスルーホール導体によって接続したり、
さらには、誘電体基板内部にグランド層を設け、そのグ
ランド層内に形成したスロット孔によって電磁結合によ
って接続すること（特願平９−１８６２６８号）も提案
されている。

【０００４】そして、このような高周波用配線基板は、
誘電体基板の裏面に形成された高周波伝送線路の接続部
を外部回路基板表面に形成された高周波伝送線路と半田
等の接着剤を介して接続することにより、高周波用配線
基板は、外部回路基板と半導体素子とは電気的な信号の
伝達が行われる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】通常、上記のパッケー
ジおよび外部回路基板においては、高周波信号の伝送特
性に優れていることと接続容易性の点で、パッケージの
高周波伝送線路は、中心導体と、その背面にグランド層
を有するマイクロストリップの伝送モードによって形成
されている。

【０００６】また、外部回路基板における高周波伝送線
路も同様な理由から、中心導体と、その背面にグランド
層を有するマイクロストリップの伝送モードで形成され
ている。

【０００７】しかしながら、マイクロストリップの伝送
モードの高周波伝送線路を有するパッケージを、マイク
ロストリップの伝送モードの高周波伝送線路を有する外
部回路基板に対して、中心導体同士を半田等によって接
続して実装した場合、その実装部では、中心導体の上下
に誘電体を介してグランド層が形成されたストリップラ
インの伝送モードとなるために、効率のよい接続ができ
なくなってしまうという問題があった。これは、電磁界
分布がパッケージと外部回路基板で逆方向に形成される
ため、接続部でモードが不連続となるためである。

【０００８】従って、本発明は前記課題を解消せんとし
て成されたもので、その目的は中心導体とグランド層を
有するマイクロストリップの伝送モードの高周波伝送線
路を具備する２つの高周波用配線基板同士を伝送特性を
劣化させずに接続することができるとともに、接続後の
信頼性が安定した実装構造を提供することを目的とす
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
に対して検討を重ねた結果、第１の誘電体基板の裏面に
形成された第１の中心導体と、該第１の誘電体基板の内
部または表面に形成された第１のグランド層とを具備す
る第１の高周波伝送線路を有する第１の高周波用配線基
板を、第２の誘電体基板の表面に形成された第２の中心
導体と、該第２の誘電体基板の内部または裏面に形成さ
れた第２のグランド層とを具備する第２の高周波伝送線
路を有する第２の高周波用配線基板に実装するにあた
り、前記第１の高周波用配線基板の前記第１の中心導体
と前記第２の高周波用配線基板の前記第２の中心導体と
を導電性接着材によって接続するとともに、前記第１の
高周波用配線基板の第１のグランド層と前記第２の高周
波用配線基板の前記第２のグランド層とを、前記第１お
よび第２の誘電体基板内部あるいは端面に設けられ、前
記中心導体同士の接続部の両側を経由して設けられた２
つの接続導体路によって接続することによって、２つの
配線基板におけるマイクロストリップの伝送モードの高
周波伝送線路間の伝送特性を向上できることを見いだし
た。

【００１０】かかる実装構造においては、前記接続導体
路が、前記中心導体と直交するように略直線的に形成さ
れてなることが望ましい。

【００１１】また、具体的な接続導体路としては、前記
第１の誘電体基板内部に設けられたビアホール導体と、
前記第１の誘電体基板裏面に被着形成された第１の接続
パッドと、前記第２の誘電体基板表面に被着形成された
第２の接続パッドと、前記第１の誘電体基板内部に設け
られたビアホール導体と、前記第１の接続パッドと前記
第２の接続パッドとを接続する導電性接着材と、によっ
て構成するか、あるいは、前記第１の誘電体基板の端面
に形成された導体帯と、前記第１の誘電体基板裏面に被
着形成された第１の接続パッドと、前記第２の誘電体基
板表面に被着形成された第２の接続パッドと、前記第１
の誘電体基板内部に設けられたビアホール導体と、前記
第１の接続パッドと前記第２の接続パッドとを接続する
導電性接着材と、によって構成することが望ましい。

【００１２】また、かかる実装構造の応用例として、第
１の高周波用配線基板の表面に、高周波素子を搭載する
とともに高周波素子と接続された第３の高周波伝送線路
を形成し、前記第１の高周波伝送線路と、前記第３の高
周波伝送線路とを前記第１のグランド層内に設けられた
スロット孔を介して電磁的に接続するか、または前記第
１のグランド層内を貫通するビアホール導体によって電
気的に接続したものを用いることができる。

【００１３】本発明によれば、高周波用配線基板の外部
回路基板との接続部において、前記第１の高周波用配線
基板の前記第１の中心導体と前記第２の高周波用配線基
板の前記第２の中心導体とを導電性接着材によって接続
するとともに、前記前記第１の高周波用配線基板の第１
のグランド層と前記第２の高周波用配線基板の前記第２
のグランド層とを、前記第１および第２の誘電体基板内
部あるいは端面に設けられ、前記中心導体同士の接続部
の両側を経由して設けられた２つの接続導体路によって
接続することにより、マイクロストリップの伝送モード
の高周波用伝送線路を有する第１および第２の高周波用
配線基板間の結合性を高めることができ、損失の小さい
伝送特性を確保することができる。

【００１４】特に、前記接続導体路を前記中心導体と直
交するように略直線的に形成することにより、第１の配
線基板と第２の配線基板におけるグランド層同士を最短
距離で接続することができる結果、中心導体とグランド
層を移動する電流経路差を最小にすることができ、別の
モードの発生を抑制することができる。また、グランド
層間で生じるインダクタンスを最小にすることができ
る。

【００１５】また、前記接続導体路が、前記第１の誘電
体基板内部に設けられたビアホール導体と、前記第１の
誘電体基板裏面に被着形成された第１の接続パッドと、
前記第２の誘電体基板表面に被着形成された第２の接続
パッドと、前記第１の誘電体基板内部に設けられたビア
ホール導体と、前記第１の接続パッドと前記第２の接続
パッドとを接続する導電性接着材と、により構成する
か、または前記第１の誘電体基板の端面に形成された導
体帯と、前記第１の誘電体基板裏面に被着形成された第
１の接続パッドと、前記第２の誘電体基板表面に被着形
成された第２の接続パッドと、前記第１の誘電体基板内
部に設けられたビアホール導体と、前記第１の接続パッ
ドと前記第２の接続パッドとを接続する導電性接着材
と、から構成することにより、第１および第２の配線基
板とを中心導体間のロウ材などの導電性接着材による固
定のみならず、中心導体の両側において、接続導体路に
おける電極パッド同士をロウ材接続することができるた
めに、強固に固定することができる。

【００１６】特に、後者の接続導体路においては、第１
の配線基板の端面に形成された導体帯が接続部の位置を
示す作用をなし、第２の配線基板における実装部に対し
て、導体帯を整合させながら表面実装を行うことによ
り、実装時の位置ズレが最小限に抑えられ、実装部にお
ける伝送特性の劣化を抑えることができる。

【００１７】また、第１の高周波用配線基板において、
第１の誘電体基板の表面に、高周波素子と接続された第
３の高周波伝送線路が形成され、この第１の高周波用伝
送線路と第３の高周波伝送線路とを、前記第１のグラン
ド層内に設けられたスロット孔を介して電磁的に接続す
ることにより、スルーホール導体やビアホール導体等に
よる接続の場合に比較して、高周波領域において高周波
信号を伝送損失を抑制しつつ、第１の高周波用伝送線路
と第３の高周波用伝送線路間を接続することができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明の高周波用配線基板を図面
に基づき詳述する。図１は本発明の高周波用配線基板の
実装構造の典型的応用例として、第１の配線基板として
高周波用パッケージを、第２の配線基板としてマザーボ
ードなどの外部回路基板に実装した場合の構造を示す断
面図である。また、図１の構造におけるＸ−Ｘ断面図を
図５に示した。

【００１９】図１において、高周波用パッケージ１は、
誘電体材料からなる誘電体基板２と蓋体３によりキャビ
ティ４が形成されており、そのキャビティ４内にはＩＣ
等の高周波素子５が搭載されている。誘電体基板２の高
周波素子５搭載部の周囲にはＡｕ・Ｓｉ合金等のメタラ
イズシール部６が形成され、蓋体３はこのシール部６に
接合されている。

【００２０】誘電体基板２の表面には、図２の誘電体基
板２の高周波素子５搭載面側の配線図に示される通り、
キャビティ４内の領域に、高周波素子５に信号を伝送す
るための中心導体７が被着形成されており、その一端
は、高周波素子５と接続されている。

【００２１】尚、高周波素子５は中心導体７上にＡｕ・
Ｓｎ合金等によって直接搭載することにより小さな伝送
損失で接続することができるが、中心導体７と高周波素
子５は、その他、金リボンや複数のワイヤボンディング
で接続したり、ポリイミド等の基板にＣｕ等の導体を形
成した導体板等により接続することも可能である。

【００２２】また、誘電体基板２内には導体層からなる
グランド層８がほぼ誘電体基板２の全面にわたり形成さ
れ、誘電体基板２表面に形成された中心導体７とともに
第３の高周波伝送線路Ｃとしてマイクロストリップの伝
送モードであるマイクロストリップ線路を形成してい
る。

【００２３】さらに、誘電体基板２の裏面には、図３の
誘電体基板２の裏面の配線図に示される通り、中心導体
９が形成されており、誘電体基板２内のグランド層８と
ともに第１の高周波伝送線路Ａとしてマイクロストリッ
プの伝送モードであるマイクロストリップ線路を形成し
ている。

【００２４】また、第１の高周波伝送線路Ａの端部に
は、外部回路基板との接続部が形成されている。この接
続部は、中心導体９と、その両脇に接続パッド１０が設
けられている。

【００２５】そして、誘電体基板２内のグランド層８内
には、導体が被着形成されないスロット孔１１が形成さ
れており、第１の信号伝送線路Ａと第３の信号伝送線路
Ｃとは、スロット孔１１を介して、各線路の中心導体
７、９の端部が対峙するように形成することにより電磁
結合され、両線路Ａ，Ｃ間で損失のない信号の伝達が行
われる。

【００２６】中心導体７と中心導体９は、グランド層８
に形成されたスロット孔１１を介して、それぞれの導体
の端部が伝送信号の波長λの１／２相当の長さで重なる
ような位置に形成されることが望ましい。

【００２７】スロット孔１１の形状は、長辺と短辺とか
ら成る長方形や楕円形状の細長い孔であり、該形状は使
用周波数と周波数の帯域幅を特定することができる。そ
のため、スロット孔１１の長辺は伝送信号の波長λの１
／２相当の長さにするのが望ましく、スロット孔１１の
短辺は伝送信号の波長λの１／５相当の長さから１／５
０相当の長さに設定するのが望ましい。

【００２８】なお、上記第１の高周波伝送線路Ａと第３
の高周波伝送線路Ｃとの接続は、上記のようにグランド
層８に形成されたスロット孔１１を介して電磁的に接続
することが高周波信号の伝送特性の観点から最も望まし
いが、信号周波数が５０ＧＨｚ以下の場合においては、
前記中心導体７と中心導体９とを誘電体基板２内をグラ
ンド層８と接触することなく、貫通するように設けられ
たスルーホール導体（図示せず）によって直接接続する
ことも可能である。

【００２９】また、上記パッケージ１に代表される配線
基板における誘電体基板２としては、アルミナ（Ａｌ₂
Ｏ₃）、ガラスセラミックス、窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）、窒化珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）等のセラミックスや有機
樹脂を構成要素とする有機質絶縁材によって構成される
が、高周波信号の伝送損失を小さくするためには、高周
波伝送線路Ａ，Ｃを形成する導体としては、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ａｕ等の低抵抗導体を用いることが望ましく、この
点からは前記絶縁基体は焼成温度が８００〜１０００℃
で焼成可能なガラスセラミックスなどのセラミック材料
から構成されることが最適であり、この組み合わせによ
り絶縁基体と高周波伝送線路とを同時焼成によって形成
することができる。

【００３０】また、蓋体３は、キャビティ４からの電磁
波が外部に漏洩するのを防止できる材料から構成されて
いることが望ましく、セラミックス、セラミックス−金
属複合材料、ガラスセラミックス、ガラス有機樹脂系複
合材料等が使用できる。

【００３１】パッケージ１において、接続部の中心導体
９の両側に形成された接続パッド１０を、スルーホール
導体１８によってパッケージ１内部に形成されたグラン
ド層８と電気的に接続することにより、接続パッド１０
は、グランド層８と同電位に保たれ、この接続部はグラ
ンド付きコプレーナ線路によって構成されることとな
る。

【００３２】一方、上記パッケージ１を実装するための
第２の配線基板となる外部回路基板１４の表面の配線パ
ターン図を図４に示した。

【００３３】図４によれば、外部回路基板１４の表面に
は、パッケージ１における誘電体基板２の裏面に形成さ
れた接続部と整合するように、第２の高周波伝送線路Ｂ
として中心導体１５ａとその両脇に一対の接続パッド１
５ｂが形成されており、さらに、外部回路基板１４内部
にはグランド層１６が形成されている。また、外部回路
基板１４における実装部には、パッケージ１の角部と整
合する部分に位置合わせ印１７を形成してもよい。

【００３４】なお、外部回路基板１４は、誘電損失がミ
リ波帯においても小さい材料を用いることが望ましく、
セラミックス、ガラスセラミックス、ガラス有機樹脂系
複合材料、石英等が好適に使用できる。また、基板１４
表面に形成される線路は、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ等の低抵抗
導体からなることが望ましい。

【００３５】また、この接続パッド１０とグランド層８
との電気的な接続は、図６の実装部の斜視図に示される
ように、上記スルーホール導体１８以外にも、パッケー
ジ１の誘電体基板２の端面に形成された導体帯１９、例
えば切り欠き部内にメッキや導電材が充填された導電性
切り欠き部（キャスタレーション）、または端面への導
体の塗布によって接続することもできる。

【００３６】また、外部回路基板１４において、接続部
の中心導体９の両側に形成された接続パッド１５ｂを、
スルーホール導体２０によって外部回路基板１４内部に
形成されたグランド層１６と電気的に接続することによ
り、接続パッド１５ｂは、グランド層１６と同電位に保
たれ、この外部回路基板における接続部もグランド付き
コプレーナ線路によって構成されることとなる。

【００３７】そして、上記のパッケージ１を上記外部回
路基板１４に実装するにあたっては、パッケージ１の第
１の高周波伝送線路Ａ形成面と、外部回路基板１４の第
２の高周波伝送線路Ｂ形成面とを対面させて、中心導体
９、１５ａ同士をロウ材などの導電性接着材２１によっ
てロウ付け接続すると同士に、パッケージ１側の中心導
体９の両側に形成された接続パッド１０と、外部回路基
板１４側の中心導体１５ａの両側に形成された接続パッ
ド１５ｂ同士もロウ材などの導電性接着材２２によって
ロウ付け接続することにより、強固な接続が可能とな
る。

【００３８】この時、前記パッケージ１側のスルーホー
ル導体１８、あるいは導体帯１９と、外部回路基板１４
側のスルーホール導体２０とが、上記の接続パッド間の
導電性接着材２２を介して略直線的になるように固定す
ることが望ましい。

【００３９】その結果、パッケージ１のグランド層８と
外部回路基板１４のグランド層１６とは、スルーホール
導体１８あるいは導体帯１９、接続パッド１０、導電性
接着材２２、接続パッド１５ｂ、スルーホール導体２０
とからなる接続導体路によって、中心導体と直交するよ
うに略直線的に形成されることになり、グランド層８と
グランド層１６とを上記接続導体路によって最短距離で
接続することができる。

【００４０】なお、上記接続導体路において、パッケー
ジ１のグランド層８と接続パッド１０とを図６に示した
ような導体帯１９によって接続する場合、接続部の接続
パッド１０の線幅と実質的に同一幅にするか、または接
続パッド１０の一方の縁と導体帯１９の縁が整合するよ
うに形成することによって、誘電体基板２の裏面の接続
パッド１０の位置を基板の端面から容易に確認すること
ができることから、パッケージ１の外部回路基板１４へ
の実装箇所を黙視確認することができる。

【００４１】また、上記実装構造においては、パッケー
ジ１における第１の高周波用伝送線路Ａと第３の高周波
用伝送線路Ｃとをグランド層８内に設けられたスロット
孔１１を介した電磁的接続、あるいはグランド層８内を
貫通するビアホール導体による電気的接続した場合、図
１に示されるように、その接続部の直下に位置する外部
回路基板１４の表面に凹部あるいは貫通孔２３を形成す
ることにより第１の高周波用伝送線路Ａと第３の高周波
用伝送線路Ｃとの接続性を高めることができる。

【００４２】なお、パッケージ１において、誘電体基板
２の表面に形成されたメタライズシール部６は、誘電体
基板２内部に設けられたグランド層８と前記スルーホー
ル導体１８あるいは導体帯１９を延長して形成すること
により電気的に接続することにより、パッケージ１の磁
気シールド性を高めることができる。

【００４３】さらに、本発明によれば、図６に示すよう
に、誘電体基板２の角部においても同様な導体帯２４を
形成することにより、さらにパッケージ１の外部回路基
板１４への実装時の位置合わせを容易に行うことができ
る。

【００４４】なお、上記導体帯１９、２４は、例えば、
上記パッケージ１の配線基板を作製する過程において、
誘電体基板２の周囲に切断しろ部分を形成した基板を作
製し、その誘電体基板２の端面となる境界線上の導体帯
形成箇所に、孔を明け、その孔内に真空吸引しながら導
体インクを流し込み、適宜焼き付け処理した後、前記境
界線にて切断することにより形成することができる。

【００４５】なお、上記の実施態様において、パッケー
ジ１においては、誘電体基板２のキャビティ４領域に
は、高周波用伝送線路のみならず、高周波素子５に電力
を供給するための電源層（図示せず）が形成されてお
り、電源層の一端は、高周波素子５とリボンやワイヤ、
ＴＡＢ等によってそれぞれ電気的に接続され、他端は、
誘電体基板２を貫通するスルーホール導体によって誘電
体基板２の裏面まで導出され、導出されたスルーホール
導体は、電極パッド等を介して外部回路基板１４に設け
られた電源用の端子と半田等により接続されるものであ
る。

【００４６】このように、本発明の実装構造によれば、
中心導体およびグランド層を有するマイクロストリップ
の伝送モードの伝送線路を有する高周波用半導体パッケ
ージなどの配線基板を、同様にマイクロストリップの伝
送モードの伝送線路を有する外部回路基板などに実装す
る際、両基板間の伝送線路の接続性を高め、伝送損失を
抑制した実装が可能となる。

【００４７】

【実施例】なお、本発明の構成による伝送特性を評価す
るために、以下の評価を行った。評価にあたっては、図
７に示すように、誘電体基板２の表面側の中心導体７を
高周波素子を介さずに直接接続した配線基板を作製し、
これを外部回路基板１４に実装した実装構造物に対し
て、外部回路基板１４における中心導体１５間における
信号の伝送特性をベクトルネットワークアナライザによ
って測定した。

【００４８】測定では、外部回路基板側において、ビア
ホール導体２０が存在する場合（Ｎo.１）と、存在しな
い場合（Ｎo.２）における伝送特性を図８に示した。

【００４９】図８の結果から明らかなように、３０〜４
０ＧＨｚにおいて、ビアホール導体２０のない場合は、
特性が−４ｄＢ〜−６．５ｄＢと劣化しているが、ビア
ホール導体２０を形成すると、−１ｄＢ〜−ｄＢと良好
な結果が得られた。

【００５０】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の高周波用配
線基板の実装構造は、マイクロストリップの伝送モード
の高周波用伝送線路を有する第１および第２の高周波用
配線基板の伝送線路間の接続性を高めることができ、損
失の小さい伝送特性を確保することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の高周波用配線基板の実装構造の具体例
として、高周波用パッケージを外部回路基板に実装した
実装構造を示す断面図である。

【図２】図１の高周波用パッケージの誘電体基板の表面
の配線を説明するための図である。

【図３】本発明における高周波用パッケージの誘電体基
板の裏面の配線を説明するための図である。

【図４】図１の具体例における外部回路基板表面の配線
を説明するための図である。

【図５】図１の具体例におけるＸ−Ｘ線断面図である。

【図６】本発明における実装構造の他の具体例を説明す
るための実装部の斜視図である。

【図７】実施例において用いた評価用配線基板の実装構
造を説明するための概略断面図である。

【図８】実施例における評価用配線基板の実装構造の伝
送特性を示す図であり、Ｎo.１が本発明品、Ｎo.２が比
較品を示す。

【符号の説明】

１高周波用パッケージ２誘電体基板３蓋体４キャビティ５高周波素子６メタライズシール部７，９，１０ａ，１５ａ中心導体８，１０ｂグランド層１０接続パッド１１スロット孔１２，１３導体帯１４外部回路基板１５接続パッド（グランド層）１６グランド層１７位置合わせ印１８スルーホール導体１９、２４導体帯２０スルーホール導体２１、２２導電性接着材２３凹部Ａ第１の高周波伝送線路Ｂ第２の高周波伝送線路Ｃ第３の高周波伝送線路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の誘電体基板の裏面に形成された第１
の中心導体と、該第１の誘電体基板の内部または表面に
形成された第１のグランド層とを具備する第１の高周波
伝送線路を有する第１の高周波用配線基板を、第２の誘
電体基板の表面に形成された第２の中心導体と、該第２
の誘電体基板の内部または裏面に形成された第２のグラ
ンド層とを具備する第２の高周波伝送線路を有する第２
の高周波用配線基板に実装するための構造であって、前記第１の高周波用配線基板の前記第１の中心導体と前
記第２の高周波用配線基板の前記第２の中心導体とを導
電性接着材によって接続するとともに、前記第１の高周
波用配線基板の第１のグランド層と前記第２の高周波用
配線基板の前記第２のグランド層とを、前記第１および
第２の誘電体基板内部あるいは端面に設けられ、前記中
心導体同士の接続部の両側を経由して設けられた２つの
接続導体路によって接続してなることを特徴とする高周
波用配線基板の実装構造。
【請求項２】前記接続導体路が、前記中心導体と直交す
るように略直線的に形成されてなることを特徴とする請
求項１記載の高周波用配線基板の実装構造。
【請求項３】前記接続導体路が、前記第１の誘電体基板
内部に設けられたビアホール導体と、前記第１の誘電体
基板裏面に被着形成された第１の接続パッドと、前記第
２の誘電体基板表面に被着形成された第２の接続パッド
と、前記第１の誘電体基板内部に設けられたビアホール
導体と、前記第１の接続パッドと前記第２の接続パッド
とを接続する導電性接着材と、から構成されることを特
徴とする請求項１または請求項２記載の高周波用配線基
板の実装構造。
【請求項４】前記接続導体路が、前記第１の誘電体基板
の端面に形成された導体帯と、前記第１の誘電体基板裏
面に被着形成された第１の接続パッドと、前記第２の誘
電体基板表面に被着形成された第２の接続パッドと、前
記第１の誘電体基板内部に設けられたビアホール導体
と、前記第１の接続パッドと前記第２の接続パッドとを
接続する導電性接着材と、から構成されることを特徴と
する請求項１または請求項２記載の高周波用配線基板の
実装構造。
【請求項５】前記第１の誘電体基板の表面に、高周波素
子と接続された第３の高周波伝送線路が形成されてお
り、前記第１の高周波伝送線路と、前記第３の高周波伝
送線路とが接続されてなることを特徴とする請求項１記
載の高周波用配線基板の実装構造。
【請求項６】前記第１の高周波用伝送線路と前記第３の
高周波伝送線路とが、前記第１のグランド層内に設けら
れたスロット孔を介して電磁的に接続されてなることを
特徴とする請求項１記載の高周波用配線基板の実装構
造。
【請求項７】前記第１の高周波用伝送線路と前記第３の
高周波伝送線路とが、前記第１のグランド層内を貫通す
るビアホール導体によって電気的に接続されてなること
を特徴とする請求項２記載の高周波用配線基板の実装構
造。