JPH09102579A - 高周波モジュ−ル - Google Patents
高周波モジュ−ルInfo
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- JPH09102579A JPH09102579A JP7256431A JP25643195A JPH09102579A JP H09102579 A JPH09102579 A JP H09102579A JP 7256431 A JP7256431 A JP 7256431A JP 25643195 A JP25643195 A JP 25643195A JP H09102579 A JPH09102579 A JP H09102579A
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/301—Electrical effects
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波集積回路から発生する熱を効率よく外
部に放出し、高周波集積回路の温度上昇を低減する。 【解決手段】 高周波集積回路と誘電体多層基板との間
に外装とは別の内装金属カバ−を配置し、高周波集積回
路をこの内装金属カバ−の上面に直付する。高周波集積
回路と誘電体多層基板との電気的な接続は、内装金属カ
バ−の上面に設けた窓を介して行う。外装の金属カバ−
と内装の金属カバ−は、共にマザ−ボ−ドのグラウンド
・パタ−ンに半田接合する。
部に放出し、高周波集積回路の温度上昇を低減する。 【解決手段】 高周波集積回路と誘電体多層基板との間
に外装とは別の内装金属カバ−を配置し、高周波集積回
路をこの内装金属カバ−の上面に直付する。高周波集積
回路と誘電体多層基板との電気的な接続は、内装金属カ
バ−の上面に設けた窓を介して行う。外装の金属カバ−
と内装の金属カバ−は、共にマザ−ボ−ドのグラウンド
・パタ−ンに半田接合する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば移動体通信
機器用のパワ−・アンプ・モジュ−ルのような高出力集
積回路を使用する高周波モジュ−ルに関する。
機器用のパワ−・アンプ・モジュ−ルのような高出力集
積回路を使用する高周波モジュ−ルに関する。
【０００２】
【従来の技術】図４及び図５に示すように、一般に、パ
ワ−・アンプ・モジュ−ル等の高周波モジュ−ルは、高
周波集積回路２が誘電体多層基板１上に搭載され、金属
カバ−４で外装されて構成されている。
ワ−・アンプ・モジュ−ル等の高周波モジュ−ルは、高
周波集積回路２が誘電体多層基板１上に搭載され、金属
カバ−４で外装されて構成されている。
【０００３】誘電体多層基板１は、誘電体セラミックシ
−ト上にコンデンサ、コイル及びストリップ・ラインな
どの配線を印刷形成し、これらの誘電体セラミックシ−
トの４層から１０層ぐらいを積層して一体化し焼成され
ている。
−ト上にコンデンサ、コイル及びストリップ・ラインな
どの配線を印刷形成し、これらの誘電体セラミックシ−
トの４層から１０層ぐらいを積層して一体化し焼成され
ている。
【０００４】誘電体多層基板１の外形寸法は、凡そ幅５
ｍｍ×長さ８ｍｍ×厚さ１．１ｍｍぐらいである。
ｍｍ×長さ８ｍｍ×厚さ１．１ｍｍぐらいである。
【０００５】誘電体多層基板１には、入出力用の電極１
ａ及び１ｂが、４つの側面のうちの２つの対向する側面
に底面側端縁に沿って、夫々底面から厚さの凡そ二分の
一にかけて設けられている。
ａ及び１ｂが、４つの側面のうちの２つの対向する側面
に底面側端縁に沿って、夫々底面から厚さの凡そ二分の
一にかけて設けられている。
【０００６】高周波集積回路２、例えば、ＭＭＩＣ（モ
ノリシック・マイクロウェ−ブ集積回路）は、誘電体多
層基板１に搭載され、誘電体多層基板１と一体化してパ
ワ−・アンプ・モジュ−ル等の高周波モジュ−ルを構成
している。
ノリシック・マイクロウェ−ブ集積回路）は、誘電体多
層基板１に搭載され、誘電体多層基板１と一体化してパ
ワ−・アンプ・モジュ−ル等の高周波モジュ−ルを構成
している。
【０００７】ＭＭＩＣは、ＦＥＴ（電界効果トランジス
タ）などの能動素子や、キャパシタ、インダクタ、抵抗
などの受動素子をＧａＡｓ（ガリウム・ヒ素）の半導体
基板上に作り込んだマイクロ波半導体集積回路である。
タ）などの能動素子や、キャパシタ、インダクタ、抵抗
などの受動素子をＧａＡｓ（ガリウム・ヒ素）の半導体
基板上に作り込んだマイクロ波半導体集積回路である。
【０００８】又、高周波集積回路２は、誘電体多層基板
１上に実装された後、接続線を含めた表面全体が樹脂に
より覆われて固められ、被覆部３が形成される。
１上に実装された後、接続線を含めた表面全体が樹脂に
より覆われて固められ、被覆部３が形成される。
【０００９】被覆部３は、例えばエポキシ樹脂のような
合成樹脂で形成され、高周波集積回路２を外部から保護
し、又、防湿の役割をしている。
合成樹脂で形成され、高周波集積回路２を外部から保護
し、又、防湿の役割をしている。
【００１０】高周波集積回路２と誘電体多層基板１は、
金属カバ−４の内側に収納される。
金属カバ−４の内側に収納される。
【００１１】金属カバ−４は、洋白等の金属で箱形に形
成され、４つの側面のうちの２つの対向する側面の端部
には、突起部４ａ、４ｂが突設されている。
成され、４つの側面のうちの２つの対向する側面の端部
には、突起部４ａ、４ｂが突設されている。
【００１２】金属カバ−４は、誘電体多層基板１の側面
の上半分をピッタリと覆い、突起部４ａ、４ｂは、誘電
体多層基板１の電極１ａ、１ｂを設けていない方の側面
の一部を底面まで覆っている。
の上半分をピッタリと覆い、突起部４ａ、４ｂは、誘電
体多層基板１の電極１ａ、１ｂを設けていない方の側面
の一部を底面まで覆っている。
【００１３】又、金属カバ−４の上面の内側には、高周
波集積回路２と接触しないように空間を残している。
波集積回路２と接触しないように空間を残している。
【００１４】誘電体多層基板１は、例えばＰＨＳ（パ−
ソナル・ハンディホン・システム）などの基板であるマ
ザ−ボ−ド５上に搭載され、誘電体多層基板１の側面電
極１ａ、１ｂとマザ−ボ−ド５上の配線パタ−ンとが半
田接合されて電気的に接続される。
ソナル・ハンディホン・システム）などの基板であるマ
ザ−ボ−ド５上に搭載され、誘電体多層基板１の側面電
極１ａ、１ｂとマザ−ボ−ド５上の配線パタ−ンとが半
田接合されて電気的に接続される。
【００１５】又、金属カバ−４の突起部４ａ、４ｂとマ
ザ−ボ−ド５上に設けられたグラウンド・パタ−ンは、
半田接合により接続される。
ザ−ボ−ド５上に設けられたグラウンド・パタ−ンは、
半田接合により接続される。
【００１６】従って、誘電体多層基板１と高周波集積回
路２は、金属カバ−４に依って電磁シ−ルドされる。
路２は、金属カバ−４に依って電磁シ−ルドされる。
【００１７】又、高周波集積回路２から発生した熱は、
誘電体多層基板１を介して金属カバ−４から放熱され、
更に誘電体多層基板１を介してマザ−ボ−ド５へ放熱さ
れる。
誘電体多層基板１を介して金属カバ−４から放熱され、
更に誘電体多層基板１を介してマザ−ボ−ド５へ放熱さ
れる。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような高周波モジュ−ルの構成では、高周波集積回路
２から発した熱が充分に外部へ放熱されず、内部に滞留
する為、高周波集積回路２自体の温度上昇が大きくなっ
ていた。故に、高周波集積回路２の信頼性の確保が充分
に出来ず、又、高周波集積回路２の出力を充分に大きく
出来ないという問題点があった。
たような高周波モジュ−ルの構成では、高周波集積回路
２から発した熱が充分に外部へ放熱されず、内部に滞留
する為、高周波集積回路２自体の温度上昇が大きくなっ
ていた。故に、高周波集積回路２の信頼性の確保が充分
に出来ず、又、高周波集積回路２の出力を充分に大きく
出来ないという問題点があった。
【００１９】本発明は、上述のような従来の欠点に鑑み
なされたもので、その目的は、高周波集積回路から発せ
られる熱を効率よく外部へ放出する構成の高周波モジュ
−ルを提供する事である。
なされたもので、その目的は、高周波集積回路から発せ
られる熱を効率よく外部へ放出する構成の高周波モジュ
−ルを提供する事である。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成する為になされたもので、その特徴は、外装金属カ
バ−で外装された高周波モジュ−ルに於いて、外装金属
カバ−の内側にその側面を内接させて設けた内装金属カ
バ−と、該内装金属カバ−の内側に収納した誘電体多層
基板と、前記内装金属カバ−の外側に搭載した高周波集
積回路と、前記内装金属カバ−を貫通して設けて前記高
周波集積回路を前記誘電体多層基板に接続する配線用の
窓部とで高周波モジュ−ルを構成する事である。
達成する為になされたもので、その特徴は、外装金属カ
バ−で外装された高周波モジュ−ルに於いて、外装金属
カバ−の内側にその側面を内接させて設けた内装金属カ
バ−と、該内装金属カバ−の内側に収納した誘電体多層
基板と、前記内装金属カバ−の外側に搭載した高周波集
積回路と、前記内装金属カバ−を貫通して設けて前記高
周波集積回路を前記誘電体多層基板に接続する配線用の
窓部とで高周波モジュ−ルを構成する事である。
【００２１】これにより、高周波集積回路で発生する熱
は、直接内装金属カバ−を伝わり、更に外装金属カバ−
に伝達され、マザ−ボ−ドと空気中に効率良く放散され
る。
は、直接内装金属カバ−を伝わり、更に外装金属カバ−
に伝達され、マザ−ボ−ドと空気中に効率良く放散され
る。
【００２２】従って、高周波集積回路の温度上昇を抑え
る事が出来、高周波集積回路は、信頼性を確保して出力
を充分に大きくする事が出来る。
る事が出来、高周波集積回路は、信頼性を確保して出力
を充分に大きくする事が出来る。
【００２３】又、高周波集積回路と誘電体多層基板との
電気的な接続は、内装金属カバ−の窓部を介してボンデ
ィング・ワイヤ等で行う事が出来る。
電気的な接続は、内装金属カバ−の窓部を介してボンデ
ィング・ワイヤ等で行う事が出来る。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の一つにつき
以下に説明をする。尚、従来例と同じ部分には同じ符号
を用いて、その説明を省略する。 図１乃至図
３に示すのは、本発明の実施の形態に係る高周波モジュ
−ルの概略図である。
以下に説明をする。尚、従来例と同じ部分には同じ符号
を用いて、その説明を省略する。 図１乃至図
３に示すのは、本発明の実施の形態に係る高周波モジュ
−ルの概略図である。
【００２５】高周波集積回路２は、内装金属カバ−６上
の設置位置６ｃに導電性接着剤により直付けされる。誘
電体多層基板１は、内装金属カバ−６の内側に収納され
る。
の設置位置６ｃに導電性接着剤により直付けされる。誘
電体多層基板１は、内装金属カバ−６の内側に収納され
る。
【００２６】内装金属カバ−６は、洋白等の金属で箱形
に形成され、４つの側面のうちの２つの対向する側面の
端部には、突起部６ｄ、６ｅ、が突設されている。
に形成され、４つの側面のうちの２つの対向する側面の
端部には、突起部６ｄ、６ｅ、が突設されている。
【００２７】内装金属カバ−６に誘電体多層基板１を収
納すると、突起部６ｄ、６ｅの先端部の位置は、内部に
収納した誘電体多層基板１の底面の端縁の位置と略一致
する。
納すると、突起部６ｄ、６ｅの先端部の位置は、内部に
収納した誘電体多層基板１の底面の端縁の位置と略一致
する。
【００２８】この為、誘電体多層基板１の入出力用電極
１ａ、１ｂは、内装金属カバ−６の突起部６ｄ、６ｅの
無い側面部で露出している。
１ａ、１ｂは、内装金属カバ−６の突起部６ｄ、６ｅの
無い側面部で露出している。
【００２９】内装金属カバ−６の上面の略中央部６ｃに
は、高周波集積回路２が設置され、その両脇の突起部６
ｄ、６ｅの側には、内装金属カバ−６を貫通する窓６
ａ、６ｂが設けられている。
は、高周波集積回路２が設置され、その両脇の突起部６
ｄ、６ｅの側には、内装金属カバ−６を貫通する窓６
ａ、６ｂが設けられている。
【００３０】高周波集積回路２に設けられた配線用の電
極であるランド（図示せず）と誘電体多層基板１の上面
に設けられた配線用のランド（図示せず）とは、窓６
ａ、６ｂを介してボンディング・ワイヤ等で電気的に接
続される。
極であるランド（図示せず）と誘電体多層基板１の上面
に設けられた配線用のランド（図示せず）とは、窓６
ａ、６ｂを介してボンディング・ワイヤ等で電気的に接
続される。
【００３１】高周波集積回路２は、接続線と窓６ａ、６
ｂと共に表面全体を合成樹脂により覆い固められ、被覆
部３が形成される。
ｂと共に表面全体を合成樹脂により覆い固められ、被覆
部３が形成される。
【００３２】誘電体多層基板１を収納した内装金属カバ
−６と高周波集積回路２とは、外装金属カバ−７の内側
に収納される。外装金属カバ−７は、洋白等の金属で箱
形に形成され、その内側の下部側面７ｃは内装金属カバ
−６の外側側面６ｆとピッタリ接触しているが、その内
側の表面７ｄと内装金属カバ−６の間には、被覆部３と
接触しないように空間が設けられている。
−６と高周波集積回路２とは、外装金属カバ−７の内側
に収納される。外装金属カバ−７は、洋白等の金属で箱
形に形成され、その内側の下部側面７ｃは内装金属カバ
−６の外側側面６ｆとピッタリ接触しているが、その内
側の表面７ｄと内装金属カバ−６の間には、被覆部３と
接触しないように空間が設けられている。
【００３３】又、外装金属カバ−７の４つの側面のうち
の２つの対向する側面の端部には、突起部７ａ、７ｂが
突設されている。外装金属カバ−７の内側に内装金属カ
バ−６を収納すると、突起部６ｄは突起部７ａの内側に
接し、突起部６ｅは突起部７ｂの内側に接する。又、突
起部７ａ、７ｂの先端部の位置は、突起部６ｄ、６ｅの
先端部の位置と一致する。この為、誘電体多層基板１の
入出力用電極１ａ、１ｂは、外装金属カバ−７の側面部
で露出している。
の２つの対向する側面の端部には、突起部７ａ、７ｂが
突設されている。外装金属カバ−７の内側に内装金属カ
バ−６を収納すると、突起部６ｄは突起部７ａの内側に
接し、突起部６ｅは突起部７ｂの内側に接する。又、突
起部７ａ、７ｂの先端部の位置は、突起部６ｄ、６ｅの
先端部の位置と一致する。この為、誘電体多層基板１の
入出力用電極１ａ、１ｂは、外装金属カバ−７の側面部
で露出している。
【００３４】高周波モジュ−ルは、マザ−ボ−ド５上に
搭載される。この場合、両金属カバ−６、７から露出さ
れている誘電体多層基板１の側面電極１ａ、１ｂとマザ
−ボ−ド５上の配線パタ−ンとが半田接合に依って電気
的に接続される。外装金属カバ−７の突起部７ａ、７ｂ
は、内装金属カバ−６の突起部６ｄ、６ｅと共にマザ−
ボ−ド５のグラウンド・パタ−ン（図示せず）と半田接
合される。
搭載される。この場合、両金属カバ−６、７から露出さ
れている誘電体多層基板１の側面電極１ａ、１ｂとマザ
−ボ−ド５上の配線パタ−ンとが半田接合に依って電気
的に接続される。外装金属カバ−７の突起部７ａ、７ｂ
は、内装金属カバ−６の突起部６ｄ、６ｅと共にマザ−
ボ−ド５のグラウンド・パタ−ン（図示せず）と半田接
合される。
【００３５】誘電体多層基板１と高周波集積回路２は、
内装金属カバ−６と外装金属カバ−７により電磁シ−ル
ドされ、特に高周波集積回路２は、上下２枚の金属カバ
−により確実に電磁シ−ルドされている。従って、高周
波集積回路２は、外部よりの電磁気的な影響を受けず、
又、外部へも電磁気的な影響を及さない。
内装金属カバ−６と外装金属カバ−７により電磁シ−ル
ドされ、特に高周波集積回路２は、上下２枚の金属カバ
−により確実に電磁シ−ルドされている。従って、高周
波集積回路２は、外部よりの電磁気的な影響を受けず、
又、外部へも電磁気的な影響を及さない。
【００３６】高周波集積回路２が動作時に発生する熱
は、内装金属カバ−６を伝わってマザ−ボ−ド５のグラ
ウンド・パタ−ンへ放熱される。又、同時に内装金属カ
バ−６と外装金属カバ−７とを伝わって空気中へも効率
良く放散される。従って、高周波集積回路２の温度上昇
を低減出来るので、高周波集積回路２の信頼性を高め、
出力を大きくする事が出来る。
は、内装金属カバ−６を伝わってマザ−ボ−ド５のグラ
ウンド・パタ−ンへ放熱される。又、同時に内装金属カ
バ−６と外装金属カバ−７とを伝わって空気中へも効率
良く放散される。従って、高周波集積回路２の温度上昇
を低減出来るので、高周波集積回路２の信頼性を高め、
出力を大きくする事が出来る。
【００３７】
【発明の効果】本発明によると、高周波集積回路から発
せられた熱を主として誘電体多層基板を介さずに、二つ
の金属カバ−を通してマザ−ボ−ドと空気中に放出出来
るので、高周波集積回路の温度上昇が少なくなり、その
分高周波集積回路の信頼性が高まり、出力を大きく出来
る。
せられた熱を主として誘電体多層基板を介さずに、二つ
の金属カバ−を通してマザ−ボ−ドと空気中に放出出来
るので、高周波集積回路の温度上昇が少なくなり、その
分高周波集積回路の信頼性が高まり、出力を大きく出来
る。
【００３８】又、高周波集積回路は、周りを金属カバ−
で覆われるので、確実に電磁シ−ルドされた状態を実現
出来る。
で覆われるので、確実に電磁シ−ルドされた状態を実現
出来る。
【００３９】その結果、高周波モジュ−ル自体から放射
する電磁波により、他の電気回路や回路モジュ−ルに悪
影響が及ぶのを防ぐ事が出来、又、他の高周波モジュ−
ルや外部からの電磁波による悪影響を防ぐ事が出来る。
する電磁波により、他の電気回路や回路モジュ−ルに悪
影響が及ぶのを防ぐ事が出来、又、他の高周波モジュ−
ルや外部からの電磁波による悪影響を防ぐ事が出来る。
【図１】本発明の一つの実施の形態に係る高周波モジュ
−ルを示す断面図である。
−ルを示す断面図である。
【図２】本発明の一つの実施の形態に係る高周波モジュ
−ルを示す分解図である。（ａ）は外装の金属カバ−の
斜視図、（ｂ）は内側の金属カバ−と高周波集積回路の
斜視図、（ｃ）は誘電体多層基板の斜視図である。
−ルを示す分解図である。（ａ）は外装の金属カバ−の
斜視図、（ｂ）は内側の金属カバ−と高周波集積回路の
斜視図、（ｃ）は誘電体多層基板の斜視図である。
【図３】本発明の一つの実施の形態に係る高周波モジュ
−ルを示す平面図である。
−ルを示す平面図である。
【図４】一般的な高周波モジュ−ルを示す断面図であ
る。
る。
【図５】一般的な高周波モジュ−ルを示す分解図であ
る。（ａ）は金属カバ−の斜視図、（ｂ）は誘電体多層
基板と高周波集積回路の斜視図である。
る。（ａ）は金属カバ−の斜視図、（ｂ）は誘電体多層
基板と高周波集積回路の斜視図である。
１ 誘電体多層基板 １ａ、１ｂ 電極 ２ 高周波集積回路 ３ 被覆部 ４ 金属カバ− ４ａ、４ｂ 突起部 ５ マザ−ボ−ド ６ 内装金属カバ− ６ａ、６ｂ 窓 ６ｃ 設置位置 ６ｄ、６ｅ 突起部 ６ｆ 外側側面 ７ 外装金属カバ− ７ａ、７ｂ 突起部 ７ｃ 内側の下部側面 ７ｄ 内側の表面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０３Ｆ 3/189 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｑ 3/60 Ｈ０１Ｌ 27/04 Ｈ Ｈ０５Ｋ 9/00 // Ｈ０５Ｋ 3/46
Claims (1)
- 【請求項１】外装金属カバ−で外装された高周波モジュ
−ルに於いて、 外装金属カバ−の内側にその側面を内接させて設けた内
装金属カバ−と、該内装金属カバ−の内側に収納した誘
電体多層基板と、前記内装金属カバ−の外側に搭載した
高周波集積回路と、前記内装金属カバ−を貫通して設け
て前記高周波集積回路を前記誘電体多層基板に接続する
配線用の窓部とで構成することを特徴とする高周波モジ
ュ−ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7256431A JPH09102579A (ja) | 1995-10-03 | 1995-10-03 | 高周波モジュ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7256431A JPH09102579A (ja) | 1995-10-03 | 1995-10-03 | 高周波モジュ−ル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09102579A true JPH09102579A (ja) | 1997-04-15 |
Family
ID=17292572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7256431A Pending JPH09102579A (ja) | 1995-10-03 | 1995-10-03 | 高周波モジュ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09102579A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10109552B2 (en) | 2014-08-26 | 2018-10-23 | Mitsubishi Electric Corporation | High frequency module |
-
1995
- 1995-10-03 JP JP7256431A patent/JPH09102579A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10109552B2 (en) | 2014-08-26 | 2018-10-23 | Mitsubishi Electric Corporation | High frequency module |
| US10468323B2 (en) | 2014-08-26 | 2019-11-05 | Mitsubishi Electric Corporation | High frequency module |
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