JP3500335B2 - 高周波回路装置 - Google Patents

高周波回路装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロ波やミリ波
帯などで使用される高周波回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の高周波回路装置について図3を参
照して説明する。符号31は、たとえば金属ケースの底
部を構成する基台で、基台31上に、高周波回路部分3
2および直流回路部分33が実装されている。
【0003】高周波回路部分32は、キャリアプレート
321およびキャリアプレート321上の中央に配置さ
れたMMICやFETなど高周波信号を処理する高周波
部品322、高周波部品322の周囲に配置された高周
波基板323などから構成されている。高周波基板32
3の表面には、高周波信号を伝送するストリップ線路な
どの回路パターン324が形成され、高周波基板323
の裏面には接地電極325が形成されている。高周波基
板323は、その接地電極325部分がキャリアプレー
ト321と接合されている。高周波部品322と回路パ
ターン324間はワイヤWで接続され、回路パターン3
24と接地電極325間はスルーホール326で電気的
に接続されている。
【0004】直流回路部分33は、直流基板331およ
び直流基板331上に配置されたコンデンサチップや抵
抗などの直流部品332、直流基板331の表面に形成
された回路パターン333、直流基板331の裏面に形
成された接地電極334などから構成されている。直流
基板331は、その接地電極334部分が基台31と接
合されている。直流基板331の表面に形成された回路
パターン333と裏面に形成された接地電極334間は
スルーホール335で電気的に接続されている。
【0005】上記した構成の場合、高周波回路部分32
および直流回路部分33はそれぞれ別々に形成され、ま
た、高周波回路部分32の回路パターン324と直流回
路部分33の回路パターン333は、たとえば金線のワ
イヤWによって電気的に接続されている。
【0006】次に、従来の他の高周波回路装置について
図4を参照して説明する。
【0007】符号41は、たとえば金属ケースの底部を
構成する基台で、基台41上に多層基板42が配置され
ている。多層基板42は、上から順に位置する第1ない
し第3の複数の基板421、422、423などから構
成されている。第1基板421上には、中央にMMIC
やFETなどの高周波部品43が配置され、その両側に
コンデンサチップ、抵抗などの直流部品44が配置さ
れ、さらに、高周波信号や直流信号を伝送する回路パタ
ーン45が形成されている。
【0008】第1基板421と第2基板422との間、
および、第2基板422と第3基板423との間には、
たとえば直流信号を伝送する回路パターン46、47が
設けられている。第3基板423の裏面には接地電極4
8が形成され、接地電極48の部分が基台41に接合さ
れている。
【0009】高周波部品43と回路パターン45はワイ
ヤWで電気的に接続され、各回路パターン45〜47ど
うし、あるいは、回路パターン45〜47と接地電極4
8間はそれぞれスルーホール49を介して適宜接続され
ている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】図3で説明した従来の
高周波回路装置は、装置全体の面積が大きくなると、バ
イアス電圧を供給するための線路長が長くなり大型化す
る。また、高周波部品などを電磁シールドするためのパ
ッケージやシールド板が必要とされ、量産化や低価格化
が困難になっている。
【0011】図4で説明した従来の高周波回路装置は、
高周波信号や直流信号を伝送する回路パターンが形成さ
れる基板を多層化している。このため、集積度が上がり
小型化できる。しかし、高周波部品が上層に構成されて
いるため、高周波部品の電力増幅用素子などが発生した
熱を放熱させる場合、熱は放熱性の悪い複数の基板を経
て基台に伝達される。そのため、良好な放熱特性が得ら
れない。
【0012】本発明は、上記した欠点を解決し、小型化
や量産性にすぐれ、放熱特性が良好な高周波回路装置を
提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波回路装置
は、積層した複数の基板の各面のうち第1の面に直流信
号を伝送する直流用回路パターンが形成され、前記第1
の面よりも下層に位置する第2の面に高周波信号を伝送
する高周波用回路パターンが形成され、一番下に位置す
る基板裏面に接地電極が形成され、かつ、その一部に前
記接地電極が露出する空間が設けられた多層基板と、こ
の多層基板の前記接地電極と接合された金属基台と、前
記多層基板の前記空間内に露出した前記接地電極上に配
置された高周波部品とを具備している。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態について図1を
参照して説明する。符号11は、たとえば半導体素子な
どを気密に封止するための金属ケースの底部を構成する
基台で、基台11上に多層基板12が配置されている。
多層基板12は、たとえば上から順に位置する第1ない
し第3の複数の基板121、122、123などから構
成されている。多層基板12の一番下に位置する基板1
23の裏面にはたとえば全体に接地電極13が設けられ
ている。多層基板12の一部に、複数の基板121、1
22、123部分などが除去された空間14が設けら
れ、空間14内では接地電極13が露出している。多層
基板12は、その接地電極13部分が基台11に接合さ
れている。
【0015】多層基板12の表面、たとえば一番上に位
置する第1基板121上には、コンデンサチップや抵抗
など複数の直流部品15が配置され、また、直流の電気
信号を伝送するための直流用回路パターン16が形成さ
れている。第1基板121の裏面あるいは第2基板12
2の表面にも直流の電気信号を伝送する直流用回路パタ
ーン17が形成されている。第2基板122の裏面ある
いは第3基板123の表面には、高周波信号を伝送する
高周波用回路パターン18が形成されている。なお、各
回路パターン16〜18どうし、および、各回路パター
ン16〜18と接地電極13間はスルーホール19を介
して、適宜、電気的に接続されている。
【0016】多層基板12の空間14内に位置する接地
電極13上には、MMICやFETなど高周波信号を処
理する高周波部品20が配置され、高周波部品20と高
周波用回路パターン18はワイヤWで接続されている。
空間14の開口部分は金属製シールド板21で覆われ、
高周波部品20を電磁シールドしている。この場合、シ
ールド板21の周辺は、たとえば、一番上に位置する基
板121上に形成され、接地された回路パターン部分に
接続されている。
【0017】上記した高周波回路装置を組み立てる場
合、たとえば直流部品15や高周波部品20などを所定
位置に配置した多層基板12の接地電極13部分が基台
11上に接合される。その後、多層基板12を囲む壁
(図示せず)の開口部分を蓋(図示せず)で覆い、高周
波部品20などを気密に封止する。
【0018】上記した構成によれば、多層基板を用い、
複数の基板それぞれの面のうち、所定の面に直流信号を
伝送する直流用回路パターンを設け、これよりも下層に
位置する基板面に高周波信号を伝送する高周波用回路パ
ターンを形成している。また、直流用回路パターンどう
し、あるいは、直流用回路パターンと高周波用回路パタ
ーンとの間、あるいは、直流用回路パターンや高周波用
回路パターンと接地用電極との間を、それぞれスルーホ
ールによって電気的に接続している。
【0019】この場合、接続のための付加部品が不要と
なり、小型化でき、量産性も向上する。また、直流用回
路パターンや高周波用回路パターンなどが重畳して配置
されているため集積度が上がり、より一層の小型化が可
能となる。また、高周波部品が基台と接する接地電極上
に配置され、高周波部品と基台との間に基板が存在しな
いため、高周波部品が発生する熱が効率よく基台に伝達
され、良好な放熱特性が得られる。
【0020】次に、本発明の他の実施形態について図2
を参照して説明する。図2では、図1に対応する部分に
は同一の符号を付し、重複する説明は一部省略する この実施形態では、多層基板12の一部を貫通させて空
間14が形成されている。この場合、基台11に接合さ
れた多層基板12の空間14内では基台11が露出し、
露出した基台11上に高周波用部品20が直接実装され
ている。このため、高周波用部品20が発生する熱は基
台11に直接伝達され、図3の構成よりも良好な放熱特
性が得られる。
【0021】なお、上記の各実施形態において、高周波
用回路パターンが形成される基板面を挟んで位置する基
板面、たとえばその上下に位置する2つの基板面全体に
導電層を形成し、この導電層を接地すれば、高周波回路
部分における電磁シールド性が向上する。
【0022】上記した実施形態では、多層基板を3層で
形成している。しかし、この発明は、基板が3層の場合
に限らず、複数層で形成した場合に対し適用できる。
【0023】
【発明の効果】本発明によれば、小型化や量産性にすぐ
れ、放熱特性が良好な高周波回路装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態を説明するための断面図であ
る。
【図2】本発明の他の実施形態を説明するための断面図
である。
【図3】従来例を説明するための断面図である。
【図4】他の従来例を説明するための断面図である。
【符号の説明】
11…基台 12…多層基板 121…多層基板を構成する第1基板 122…多層基板を構成する第2基板 123…多層基板を構成する第2基板 13…接地用電極 14…多層基板の空間 15…直流部品 16…直流用回路パターン 17…直流用回路パターン 18…高周波用回路パターン 19…スルホール 20…高周波部品 21…シールド板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平6−291521(JP,A) 特開 平6−112351(JP,A) 特開 平1−13755(JP,A) 実開 平5−20401(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/12 301 H01L 25/00

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 積層した複数の基板の各面のうち第1の
    面に直流信号を伝送する直流用回路パターンが形成さ
    れ、前記第1の面よりも下層に位置する第2の面に高周
    波信号を伝送する高周波用回路パターンが形成され、
    番下に位置する基板裏面に接地電極が形成され、かつ、
    その一部に前記接地電極が露出する空間が設けられた
    層基板と、この多層基板の前記接地電極と接合された
    基台と、前記多層基板の前記空間内に露出した前記接
    地電極上に配置された高周波部品とを具備した高周波回
    路装置。
  2. 【請求項2】 高周波部品が配置された空間の開口部分
    を覆う金属製シールド板を設けた請求項1記載の高周波
    回路装置。
  3. 【請求項3】 多層基板の上面に直流回路部品が配置さ
    れた請求項1記載の高周波回路装置。
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