JPH08274512A - マイクロ波半導体集積回路装置 - Google Patents

マイクロ波半導体集積回路装置

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JPH08274512A
JPH08274512A JP7073259A JP7325995A JPH08274512A JP H08274512 A JPH08274512 A JP H08274512A JP 7073259 A JP7073259 A JP 7073259A JP 7325995 A JP7325995 A JP 7325995A JP H08274512 A JPH08274512 A JP H08274512A
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wiring board
printed wiring
ground conductor
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Yukio Murata
幸男 村田
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Mitsubishi Electric Corp
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    • H05K1/141—One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters

Abstract

(57)【要約】 【目的】 この発明は小型化するとともに、電磁遮蔽効
果、及び放熱性を上げたマイクロ波半導体集積回路装置
を得ることを目的としている。 【構成】 ストリップ線路を有する高誘電率のストリッ
プ線路基板３ａと、上記ストリップ線路基板のストリッ
プ導体面の反対面に密着した放熱板２ａと、上記ストリ
ップ線路基板のストリップ導体面に対向して設けた接地
導体パターン６と上記ストリップ線路基板との電気的イ
ンターフェス端子を有するプリント配線板５と、上記放
熱板がストリップ線路基板を包囲して上記プリント配線
板の接地導体パターンと電気的接続して上記ストリップ
線路から輻射される電磁波を遮蔽する手段と、を備え、
上記ストリップ線路基板のストリップ導体面の実装部品
からの発熱を上記ストリップ線路基板の背面の放熱板か
ら放熱し、且つ上記放熱板がストリップ線路を形成する
ストリップ線路基板背面の接地導体板を構成するもので
ある。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波半導体集積回
路装置、特に高周波電力増幅回路装置のパッケージに関
する。
【０００２】
【従来の技術】図１１は特開平５−１６７３０２号公報
に示された従来の高周波電力増幅回路装置の外観を示す
分解斜視図であり、図において２は放熱板、３はストリ
ップ線路基板、１１はカバー部材である。図１２は一般
的なボールグリッドアレーのセラミックパッケージの断
面図である。図において１０は半導体チップ、１２はパ
ッケージの配線導体である。図１３は文献“従来のリー
ドフレームを用いない新ＩＣパッケージ”，電子材料
（１９９４．９）に示されたＩＣパッケージ構造であ
る。１２は配線基板、１３は配線導体である。
【０００３】次に、図１１の動作について説明する。ス
トリップ線路基板３は放熱板２の上に取付けられ、スト
リップ線路基板上にあるチップ部品が発生する熱は放熱
板２からカバー部材１１を介して放熱される。カバー部
材１１は放熱板２と嵌合接続され、ストリップ線路から
発生する電磁波を遮蔽される。図１２は、半導体チップ
１０の発熱を放熱板２へ伝導させ放熱される。半導体チ
ップ１０への接続は配線基板１２上に設けた配線導体１
３を介してボール形状の半田と接続されている半導体パ
ッケージである。この構造には内部から発生する電磁波
を遮蔽するものはない。図１３は、図１２と同様に半導
体チップ１０で発生された熱は放熱板２へ放熱される。
放熱板２はコの字状に形成され内部で発生する電磁波の
輻射を遮蔽している。半導体チップ１０への配線は配線
基板１２上に配線半導体１３にて接続され、上記文献に
よれば、配線基板は誘電率３程度のポリイミドで２０〜
４２ミクロンの厚さ、配線導体は銅材で最小幅７５ミク
ロンである。この場合、高周波を伝送するためインピー
ダンス整合をとり、且つパッケージを小型化を図るため
にはポリイミドの誘電率が低すぎる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロ波半導
体集積回路装置のパッケージは以上の様に構成され、カ
バー部材と放熱板の両方を必要とするので、構造が複雑
になり小形化されず、また、熱発生源から熱は放熱板か
らカバー部材を通って放熱されるので熱伝導がよくな
く、その結果、空間へ熱がうまく放熱されないという課
題があった。また、ボールグリッドアレー半導体パッケ
ージにおいては電磁遮蔽効果が得られないという課題が
あった。リードフレームのないＩＣパッケージにおいて
は、配線基板が薄く、配線基板の誘電率が小さく、小型
化が難しいという課題があった。
【０００５】この発明は上記のような課題を解消するた
めになされたもので、小型化するとともに、電磁遮蔽効
果、及び放熱効果を上げたマイクロ波半導体集積回路装
置を得ることを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、請求項１に係わる発明のマイクロ波半導体集積回路
装置は、ストリップ線路を有する高誘電率のストリップ
線路基板と、上記ストリップ線路基板のストリップ導体
面の反対面に密着した放熱板と、上記ストリップ線路基
板のストリップ導体面に対向して設けた接地導体パター
ン及び上記ストリップ線路を有するストリップ線路基板
との電気的インターフェス端子を有するプリント配線板
と、上記放熱板と上記プリント配線板の接地導体パター
ンとを電気的接続して上記ストリップ線路から輻射され
る電磁波を遮蔽する手段と、を備え、上記ストリップ線
路基板のストリップ導体面の実装部品からの発熱を上記
ストリップ線路基板の背面の放熱板から放熱し、且つ上
記放熱板がストリップ線路を形成するストリップ線路基
板背面の接地導体板を構成することを特徴とする。
【０００７】また、請求項２に係わる発明のマイクロ波
半導体集積回路装置は、請求項１に係わる発明のマイク
ロ波半導体集積回路装置の放熱板とプリント配線板の接
地導体パターンとを電気的接続して上記ストリップ線路
から輻射される電磁波を遮蔽する手段として、上記放熱
板がストリップ線路基板を包囲して上記プリント配線板
の接地導体パターンと電気的接続することを特徴とす
る。
【０００８】また、請求項３に係わる発明のマイクロ波
半導体集積回路装置は、請求項１に係わる発明のマイク
ロ波半導体集積回路装置の放熱板とプリント配線板の接
地導体パターンとを電気的接続して上記ストリップ線路
から輻射される電磁波を遮蔽する手段として、ストリッ
プ線路基板をキャビティ形状とし、キャビティ形状のス
トリップ線路基板側面にスルーホール導体もしくはキャ
スタレーション導体を所定のピッチ間隔に設けて、放熱
板とプリント配線板の接地導体パターンとを接続するこ
とを特徴とする。
【０００９】また、請求項４に係わる発明のマイクロ波
半導体集積回路装置は、請求項１に係わる発明のマイク
ロ波半導体集積回路装置の放熱板とプリント配線板の接
地導体パターンとを電気的接続して上記ストリップ線路
から輻射される電磁波を遮蔽する手段として、ストリッ
プ線路基板をキャビティ形状とし、キャビティ形状のス
トリップ線路基板側面にスルーホール導体もしくはキャ
スタレーション導体を高周波の波長の１／４より短いピ
ッチ間隔に設けて、放熱板とプリント配線板の接地導体
パターンとを接続することを特徴とする。
【００１０】また、請求項５に係わる発明のマイクロ波
半導体集積回路装置は、請求項１に係わる発明のマイク
ロ波半導体集積回路装置の放熱板とプリント配線板の接
地導体パターンとを電気的接続して上記ストリップ線路
から輻射される電磁波を遮蔽する手段として、ストリッ
プ線路基板をキャビティ形状とし、キャビティ形状のス
トリップ線路基板側面外壁に金属膜を設けて、放熱板と
プリント配線板の接地導体パターンとを接続することを
特徴とする。
【００１１】また、請求項６に係わる発明のマイクロ波
半導体集積回路装置は、請求項１から請求項５までの何
れか記載のマイクロ波半導体集積回路装置の高誘電率の
ストリップ線路基板として誘電率を８以上の高誘電率基
板を用いることを特徴とする。
【００１２】
【作用】以上のように構成された請求項１，２，６に係
わる発明のマイクロ波半導体集積回路装置では、ストリ
ップ線路基板の周囲を放熱板とプリント配線板の接地導
体パターンとで包囲することによりストリップ線路から
輻射される電磁波を遮蔽するとともに、上記ストリップ
線路基板の背部に密着して外部へ大きく露出した上記の
放熱板により実装部品から発生する熱の放熱特性を上げ
ることができ、且つストリップ線路基板に高誘電率基板
を用いて小型化することができる。
【００１３】また、請求項３，４，６に係わる発明のマ
イクロ波半導体集積回路装置では、ストリップ線路基板
をキャビティ形状とし、キャビティ形状のストリップ線
路基板側面にスルーホール導体もしくはキャスタレーシ
ョン導体を所定のピッチ間隔（高周波の波長の１／４よ
り短いピッチ間隔）に設けて、放熱板とプリント配線板
の接地導体パターンとを接続することによりストリップ
線路から輻射される電磁波を遮蔽するとともに、上記ス
トリップ線路基板の背部に密着して外部へ大きく露出し
た上記の放熱板により実装部品から発生する熱の放熱特
性を上げることができ、且つストリップ線路基板に高誘
電率基板を用いて小型化することができる。
【００１４】また、請求項５，６に係わる発明のマイク
ロ波半導体集積回路装置では、ストリップ線路基板をキ
ャビティ形状とし、キャビティ形状のストリップ線路基
板側面外壁に金属膜を設けて、放熱板とプリント配線板
の接地導体パターンとを接続することによりストリップ
線路から輻射される電磁波を遮蔽するとともに、上記ス
トリップ線路基板の背部に密着して外部へ大きく露出し
た上記の放熱板により実装部品から発生する熱の放熱特
性を上げることができ、且つストリップ線路基板に高誘
電率基板を用いて小型化することができる。
【００１５】
【実施例】
実施例１．以下、この発明の実施例１について説明す
る。図１は高周波電力回路装置の実施例１を示す概念的
な構造図（図２（ａ）の電力増幅モジュール１、図２
（ｂ）のプリント配線板５を組立てた後のＡＡ断面図）
である。図２（ａ），図２（ｂ）はそれぞれ電力増幅モ
ジュール１、プリント配線板５を示す斜視図である。図
において、１は電力増幅モジュール、２ａは放熱板、３
ａは平板形状のストリップ線路基板、４はストリップ線
路、４ａはストリップ導体、５はプリント配線板、６は
プリント配線板の接地導体パターン、７はプリント配線
板の導体、８はチップ部品、９ａはプリント配線板５の
導体とストリップ線路基板３ａのストリップ導体４ａと
をつなぐリードである。
【００１６】次に、動作について説明する。図２
（ａ），図２（ｂ）に示すそれぞれ電力増幅モジュール
１と、プリント配線板５とを組立てることにより、放熱
板２ａはプリント配線板の接地導体パターン６と電気的
に接続され、放熱板２ａとプリント配線板の接地導体パ
ターン６とに囲まれたストリップ線路基板は電磁遮蔽さ
れるとともに、上記ストリップ線路基板３上のトランジ
スタ１０やチップ部品８の熱は放熱板２ａへ伝導して周
囲空間へ放熱される。また、上記放熱板２ａはストリッ
プ線路基板の部品実装面の反対面に密着していることに
よりストリップ線路を構成する接地導体板として機能す
る。
【００１７】プリント配線板の導体７と電力増幅モジュ
ール１のリード９ａとはプリント配線板５と、電力増幅
モジュール１との接続インタフェースで、例えばプリン
ト配線板５の導体７から電力増幅モジュール１のリード
９ａを介して電力増幅モジュール１のストリップ線路４
へ高周波信号を伝搬する。
【００１８】一般的に、携帯電話は移動性が重要であり
小型化は必須事項である。従来、マイクロ波線路のイン
ピーダンスは５０Ωが一般的であり、これを実現するた
めには、ストリップ線路の誘電率が小さいとストリップ
線路幅が広くなり小型化が難しくなる。小型化するため
誘電率の高い材質のストリップ線路基板を選択して伝搬
波長を短くし、ストリップ線路長を短くパターニングす
ることができる。誘電率８以上の材質は一般的にはセラ
ミック、ポリフェニレンオキサイド樹脂（ＰＰＯ）、窒
化アルミ（ＡＬＮ）があげられる。
【００１９】ストリップ線路基板３の電気的誘電率を８
以上とすることにより、ストリップ線路を伝搬する波長
を短くして、また放熱板２ａをストリップ線路を構成す
る接地導体板として、また、電磁遮蔽部材としての機能
をもたせることにより上記電力増幅モジュール１の小型
化を実現することができる。
【００２０】図３は、図２（ａ）の電力増幅モジュール
１の放熱板の他の形状例を示す外観斜視図である。電力
増幅モジュール１をプリント配線板の接地導体パターン
６へ半田接続することにより平板形状のストリップ線路
基板３を５面から包囲して、電磁遮蔽を行う。
【００２１】図４は、図２（ａ）の電力増幅モジュール
１のリードの他の形状例を示す外観斜視図である。この
場合、プリント配線板に電力増幅モジュール１をプリン
ト配線板の接地導体パターン６へ表面実装が可能とな
る。
【００２２】実施例２．図５は高周波電力回路装置の実
施例２を示す概念的な断面構造図（図６（ａ）の電力増
幅モジュール１、図６（ｂ）のプリント配線板５を組立
てた後のＢＢ断面図）である。図６（ａ），図６（ｂ）
はそれぞれ電力増幅モジュール１、プリント配線板５を
示す斜視図である。図において、１は電力増幅モジュー
ル、２ｃは放熱板、３ｂはキャビティ形状のストリップ
線路基板、４はストリップ線路、４ａはストリップ導
体、５はプリント配線板、６はプリント配線板の接地導
体パターン、７はプリント配線板の導体、８はチップ部
品、９ａはプリント配線板５の導体とストリップ線路基
板３ｂのストリップ導体４ａとをつなぐリード、１０は
トランジスタ、１４はキャビティ形状のストリップ線路
基板の側面部に一定ピッチ（高周波の遮断波長の１／４
より短いピッチ）で設けたスルーホールで放熱板２ｃと
プリント配線板の接地導体パターン６とを接続する放熱
板導体１４である。
【００２３】次に、動作について説明する。図６
（ａ），図６（ｂ）に示すそれぞれ電力増幅モジュール
１と、プリント配線板５とを組立てることにより、放熱
板２ｃはプリント配線板の接地導体パターン６と上記の
キャビティ形状のストリップ線路基板の側面部に一定ピ
ッチで設けたスルーホールからなる放熱板導体１４によ
って電気的に接続され、放熱板２ｃとプリント配線板の
接地導体パターン６とに囲まれたキャビティ形状のスト
リップ線路基板の内部は電磁遮蔽されるとともに、上記
ストリップ線路基板３ｂ上のトランジスタ１０やチップ
部品８の熱は放熱板２ｃへ伝導して周囲空間へ放熱され
る。また、上記放熱板２ｃはキャビティ形状のストリッ
プ線路基板の部品実装面の反対面に密着していることに
よりストリップ線路を構成する接地導体板として機能す
る。
【００２４】プリント配線板の導体７と電力増幅モジュ
ール１のリード９ａとはプリント配線板５と、電力増幅
モジュール１との接続インタフェースで、例えばプリン
ト配線板５の導体７から電力増幅モジュール１のリード
９ａを介して電力増幅モジュール１のストリップ線路４
へ高周波信号を伝搬するのは実施例１と同様である。高
周波電力回路装置をキャビティ形状のストリップ線路基
板３ｂをもって構成することにより、平板形状のストリ
ップ線路基板３ａをもって構成する場合に比べ、放熱板
がシンプルな構造になる。
【００２５】以上より、実施例１と同様に、ストリップ
線路基板３ｂの電気的誘電率を８以上とすることによ
り、ストリップ線路を伝搬波長を短くして、放熱板２ｃ
をストリップ線路を構成する接地導体板として、また、
電磁遮蔽部材としての機能をもたせることにより上記電
力増幅モジュール１の小型化を実現することができる。
【００２６】図７は、図６（ａ）の電力増幅モジュール
１の裏面を示す外観斜視図であり、キャビティ形状のス
トリップ線路基板の３ｂがプリント配線板５の接地導体
パターン６に接する部分には金属膜１５が設けてあり、
キャビティ形状のストリップ線路基板の側面部に一定ピ
ッチで設けたスルーホールからなる放熱板導体１４と上
記プリント配線板５の接地導体パターン６との接続を良
好なものとしている。
【００２７】図８は、図６（ａ）の電力増幅モジュール
１の放熱板の他の形状例を示す外観斜視図であり、ま
た、図６（ａ）の電力増幅モジュール１のリードの他の
形状例を示す外観斜視図である。この場合、プリント配
線板に電力増幅モジュール１をプリント配線板の接地導
体パターン６へ表面実装が可能となる。る。
【００２８】図９は、図８の電力増幅モジュール１のリ
ードの他の形状例を示す外観斜視図である。
【００２９】以上の実施例２を示す図５，７，８，９で
は、キャビティ形状のストリップ線路基板の側面部に一
定ピッチで設けたスルーホール導体からなる放熱板導体
１４について説明したが、スルーホールの代わりにキャ
スタレーシヨン導体からなる放熱板導体１４を用いても
同様の効果が得られる。
【００３０】実施例３．図１０は高周波電力回路装置の
実施例３を示す電力増幅モジュールの外観斜視図であ
る。図において、２ｅは山形の放熱板、１５は金属膜で
あり、キャビティ形状のストリップ線路基板の側面部に
一定ピッチで設けたスルーホールからなる放熱板導体１
４の代わりに、キャビティ形状のストリップ線路基板の
側面部外側に金属膜１５を有することにより、放熱板２
ｅはプリント配線板の接地導体パターン６と電気的に接
続され、放熱板２ｃとキャビティ形状のストリップ線路
基板の側面部外側に金属膜１５とプリント配線板の接地
導体パターン６とに囲まれたキャビティ形状のストリッ
プ線路基板の内部は電磁遮蔽されるとともに、上記スト
リップ線路基板３ｂ上のトランジスタ１０やチップ部品
８の熱は放熱板２ｅへ伝導して周囲空間へ放熱される。
また、上記放熱板２ｅはキャビティ形状のストリップ線
路基板の部品実装面の反対面に密着していることにより
ストリップ線路を構成する接地導体板として機能する。
放熱板２ｅが山形の形状により一層放熱効果を得ること
ができる。
【００３１】
【発明の効果】以上のように、請求項１，２，６に係わ
る発明によれば、ストリップ線路基板の周囲を、ストリ
ップ線路を構成する接地導体板を兼ねる放熱板と、スト
リップ線路基板のストリップ導体面に対向して設けられ
たプリント配線板の接地導体パターンとで包囲すること
によりストリップ線路から輻射される電磁波を遮蔽し、
上記ストリップ線路基板の背部に密着して外部へ大きく
露出した上記放熱板により実装部品から発生する熱の放
熱特性を上げ、且つストリップ線路基板に高誘電率基板
を用いて小型化したマイクロ波半導体集積回路装置を得
ることができる。
【００３２】また、請求項３，４，６に係わる発明によ
れば、ストリップ線路基板をキャビティ形状とし、キャ
ビティ形状のストリップ線路基板側面にスルーホール導
体もしくはキャスタレーション導体を所定のピッチ間隔
（高周波の波長の１／４より短いピッチ間隔）に設け
て、ストリップ線路を構成する接地導体板を兼ねる放熱
板と、ストリップ線路基板のストリップ導体面に対向し
て設けられたプリント配線板の接地導体パターンとを接
続することにより、ストリップ線路から輻射される電磁
波を遮蔽し、上記ストリップ線路基板の背部に密着して
外部へ大きく露出した上記放熱板により実装部品から発
生する熱の放熱特性を上げ、且つストリップ線路基板に
高誘電率基板を用いて小型化したマイクロ波半導体集積
回路装置を得ることができる。
【００３３】また、請求項５，６に係わる発明によれ
ば、ストリップ線路基板をキャビティ形状とし、キャビ
ティ形状のストリップ線路基板側面外壁に金属膜を設け
て、ストリップ線路を構成する接地導体板を兼ねる放熱
板と、ストリップ線路基板のストリップ導体面に対向し
て設けられたプリント配線板の接地導体パターンとを接
続することによりストリップ線路から輻射される電磁波
を遮蔽し、上記ストリップ線路基板の背部に密着して外
部へ大きく露出した上記放熱板により実装部品から発生
する熱の放熱特性を上げ、且つストリップ線路基板に高
誘電率基板を用いて小型化したマイクロ波半導体集積回
路装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高周波電力増幅回路装置の実施例１を
示す概念的な断面構造図である。
【図２】図１の電力増幅モジュール及びプリント配線板
を示す外観斜視図である。
【図３】図１（ａ）の電力増幅モジュールの放熱板の他
の形状例を示す外観斜視図である。
【図４】図１（ａ）の電力増幅モジュールのリードの他
の形状例を示す外観斜視図である。
【図５】本発明の高周波電力増幅回路装置の実施例２を
示す概念的な断面構造図である。
【図６】図５の電力増幅モジュール及びプリント配線板
を示す外観斜視図である。
【図７】図６（ａ）の電力増幅モジュールの裏面を示す
外観斜視図である。
【図８】図６（ａ）の電力増幅モジュールの放熱板及び
リードの他の形状例を示す外観斜視図である。
【図９】図８の電力増幅モジュールのリードの他の形状
例を示す外観斜視図である。
【図１０】本発明の高周波電力増幅回路装置の実施例３
を示す電力増幅モジュールの外観斜視図である。
【図１１】従来の高周波電力増幅回路装置を示す概念的
な構造部品図である。
【図１２】従来のセラミックパッケージを示す断面構造
図である。
【図１３】従来のＩＣパッケージを示す断面構造図であ
る。
【符号の説明】
１ 電力増幅モジュール ２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ 放熱板 ３ａ，３ｂ ストリップ線路基板 ４ ストリップ線路 ４ａ ストリップ導体 ５ プリント配線板 ６ プリント配線板の接地導体パターン ７ プリント配線板の導体 ８ チップ部品（半導体、または受動部品） ９ａ，９ｂ リード １０ 半導体チップ １１ カバー部材 １２ 配線基板 １３ 配線導体 １４ 放熱板導体 １５ 金属膜

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ストリップ線路を有する高誘電率のスト
    リップ線路基板と、 上記ストリップ線路基板のストリップ導体面の反対面に
    密着した放熱板と、 上記ストリップ線路基板のストリップ導体面に対向して
    設けた接地導体パターン及び上記ストリップ線路を有す
    るストリップ線路基板との電気的インターフェス端子を
    有するプリント配線板と、 上記放熱板と上記プリント配線板の接地導体パターンと
    を電気的接続して上記ストリップ線路から輻射される電
    磁波を遮蔽する手段と、を備え、 上記ストリップ線路基板のストリップ導体面の実装部品
    からの発熱を上記ストリップ線路基板の背面の放熱板か
    ら放熱し、 且つ上記放熱板がストリップ線路を形成するストリップ
    線路基板背面の接地導体板を構成することを特徴とする
    マイクロ波半導体集積回路装置。
  2. 【請求項２】 放熱板とプリント配線板の接地導体パタ
    ーンとを電気的接続して上記ストリップ線路から輻射さ
    れる電磁波を遮蔽する手段として、 上記放熱板がストリップ線路基板を包囲して上記プリン
    ト配線板の接地導体パターンと電気的接続することを特
    徴とする請求項１記載のマイクロ波半導体集積回路装
    置。
  3. 【請求項３】 放熱板とプリント配線板の接地導体パタ
    ーンとを電気的接続して上記ストリップ線路から輻射さ
    れる電磁波を遮蔽する手段として、 ストリップ線路基板をキャビティ形状とし、キャビティ
    形状のストリップ線路基板側面にスルーホール導体もし
    くはキャスタレーション導体を所定のピッチ間隔に設け
    て、放熱板とプリント配線板の接地導体パターンとを接
    続することを特徴とする請求項１記載のマイクロ波半導
    体集積回路装置。
  4. 【請求項４】 放熱板とプリント配線板の接地導体パタ
    ーンとを電気的接続して上記ストリップ線路から輻射さ
    れる電磁波を遮蔽する手段として、 ストリップ線路基板をキャビティ形状とし、キャビティ
    形状のストリップ線路基板側面にスルーホール導体もし
    くはキャスタレーション導体を高周波の波長の１／４よ
    り短いピッチ間隔に設けて、放熱板とプリント配線板の
    接地導体パターンとを接続することを特徴とする請求項
    １記載のマイクロ波半導体集積回路装置。
  5. 【請求項５】 放熱板とプリント配線板の接地導体パタ
    ーンとを電気的接続して上記ストリップ線路から輻射さ
    れる電磁波を遮蔽する手段として、 ストリップ線路基板をキャビティ形状とし、キャビティ
    形状のストリップ線路基板側面外壁に金属膜を設けて、
    放熱板とプリント配線板の接地導体パターンとを接続す
    ることを特徴とする請求項１記載のマイクロ波半導体集
    積回路装置。
  6. 【請求項６】 高誘電率のストリップ線路基板として誘
    電率を８以上の高誘電率基板を用いることを特徴とする
    請求項１から請求項５までの何れか記載のマイクロ波半
    導体集積回路装置。
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