JP2001053508A - 高周波回路部品の実装構造 - Google Patents
高周波回路部品の実装構造Info
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- JP2001053508A JP2001053508A JP11230339A JP23033999A JP2001053508A JP 2001053508 A JP2001053508 A JP 2001053508A JP 11230339 A JP11230339 A JP 11230339A JP 23033999 A JP23033999 A JP 23033999A JP 2001053508 A JP2001053508 A JP 2001053508A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波回路部品の高周波接地を確実に行うこ
とで、増幅器の増幅率の低下を防ぎ、異常発振を防止す
ることができるなど、良好な高周波特性を得ることがで
きる高周波回路部品の実装構造の提供を目的とする。 【解決手段】 表面にマイクロストリップライン１２
２、１２３が形成され、裏面にベタアースが形成された
誘電体基板１２１と、前記ベタアースに接合された金属
基板１４１と、該金属基板１４１と接合された金属筐体
１５１とを具備し、前記誘電体基板１２１の裏面に高周
波回路部品が実装され、該高周波回路部品の入出力端子
は前記マイクロストリップライン１２２、１２３とスル
ーホール１３２ａ、１３３ａにより電気的に接続され、
前記高周波回路部品と対向する前記金属基板に貫通穴１
４２を設ける。
とで、増幅器の増幅率の低下を防ぎ、異常発振を防止す
ることができるなど、良好な高周波特性を得ることがで
きる高周波回路部品の実装構造の提供を目的とする。 【解決手段】 表面にマイクロストリップライン１２
２、１２３が形成され、裏面にベタアースが形成された
誘電体基板１２１と、前記ベタアースに接合された金属
基板１４１と、該金属基板１４１と接合された金属筐体
１５１とを具備し、前記誘電体基板１２１の裏面に高周
波回路部品が実装され、該高周波回路部品の入出力端子
は前記マイクロストリップライン１２２、１２３とスル
ーホール１３２ａ、１３３ａにより電気的に接続され、
前記高周波回路部品と対向する前記金属基板に貫通穴１
４２を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波回路部品の
実装構造に関するものであり、特にトランジスタ等の能
動素子、及び能動素子と受動素子を一体化したＭＩＣ
（マイクロ波集積回路）等のマイクロ波帯及びミリ波帯
等の高周波領域で用いられる高周波回路部品の実装構造
に関するものである。
実装構造に関するものであり、特にトランジスタ等の能
動素子、及び能動素子と受動素子を一体化したＭＩＣ
（マイクロ波集積回路）等のマイクロ波帯及びミリ波帯
等の高周波領域で用いられる高周波回路部品の実装構造
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、周波数資源の枯渇により、これま
で利用されていないマイクロ波・ミリ波帯のシステム応
用が期待されている。他の低い周波数と比較して空間減
衰が大きく無線伝送距離が短い為に周波数の繰り返し利
用が可能であるという利点があり、広帯域伝送が可能な
ことから、大容量の情報を高速に伝送するのに適した高
速無線ＬＡＮシステム、コードレスカメラシステム、画
像モニタシステム、高速無線ネットワーク等の実用化が
急ピッチで進められている。
で利用されていないマイクロ波・ミリ波帯のシステム応
用が期待されている。他の低い周波数と比較して空間減
衰が大きく無線伝送距離が短い為に周波数の繰り返し利
用が可能であるという利点があり、広帯域伝送が可能な
ことから、大容量の情報を高速に伝送するのに適した高
速無線ＬＡＮシステム、コードレスカメラシステム、画
像モニタシステム、高速無線ネットワーク等の実用化が
急ピッチで進められている。
【０００３】このようなシステムを実現するために、Ｍ
ＩＣ等の高周波回路部品が使用されている。ＭＩＣには
アルミナなどの誘電体基板上に伝送線路を形成しそれに
チップ部品を搭載したハイブリッドＭＩＣ（ＨＭＩ
Ｃ）、及びＧａＡｓ、Ｓｉ等の半導体基板上に受動素子
と能動素子を一括製造したモノリシックＭＩＣ（ＭＭＩ
Ｃ）等がある。
ＩＣ等の高周波回路部品が使用されている。ＭＩＣには
アルミナなどの誘電体基板上に伝送線路を形成しそれに
チップ部品を搭載したハイブリッドＭＩＣ（ＨＭＩ
Ｃ）、及びＧａＡｓ、Ｓｉ等の半導体基板上に受動素子
と能動素子を一括製造したモノリシックＭＩＣ（ＭＭＩ
Ｃ）等がある。
【０００４】以下に従来の高周波回路部品の実装構造を
説明する。図９は、マイクロ波・ミリ波帯等の高周波ユ
ニットの外観斜視図である。図中に示すように、金属筐
体１１のキャビティ部に１２乃至１５の複数の誘電体基
板が併設されており、各々の誘電体基板上には一つある
いは複数の高周波回路部品であるパッケージＭＭＩＣ１
２ａ、ＭＭＩＣチップ１３ａが実装され、図示しないが
各誘電体基板間の信号ラインは金属細線によるワイヤボ
ンディングにより電気的に接続される。そして、金属筐
体１１の側壁には誘電体基板の信号ライン及びグランド
と接続されたコネクタ１６が設けられ外部回路と接続さ
れる。
説明する。図９は、マイクロ波・ミリ波帯等の高周波ユ
ニットの外観斜視図である。図中に示すように、金属筐
体１１のキャビティ部に１２乃至１５の複数の誘電体基
板が併設されており、各々の誘電体基板上には一つある
いは複数の高周波回路部品であるパッケージＭＭＩＣ１
２ａ、ＭＭＩＣチップ１３ａが実装され、図示しないが
各誘電体基板間の信号ラインは金属細線によるワイヤボ
ンディングにより電気的に接続される。そして、金属筐
体１１の側壁には誘電体基板の信号ライン及びグランド
と接続されたコネクタ１６が設けられ外部回路と接続さ
れる。
【０００５】また、図示しないが高周波回路部品の実装
方法として、ＭＭＩＣチップ１３ａを実装する場合は金
属細線によるワイヤボンディング、リボンボンディン
グ、あるいは金属バンプを用いて直接接続するフリップ
チップボンディング等があり、パッケージＭＭＩＣ１２
ａを実装する場合としては導電性接着剤もしくは半田付
けによる接続方法がある。
方法として、ＭＭＩＣチップ１３ａを実装する場合は金
属細線によるワイヤボンディング、リボンボンディン
グ、あるいは金属バンプを用いて直接接続するフリップ
チップボンディング等があり、パッケージＭＭＩＣ１２
ａを実装する場合としては導電性接着剤もしくは半田付
けによる接続方法がある。
【０００６】図１０は一枚の誘電体基板に一つのパッケ
ージＭＭＩＣを実装した従来の一実施例の外観斜視図で
ある。コバール（Ｆｅ―Ｎｅ―Ｃｏ合金）等の導電性の
金属基板２２上に誘電体基板２１が金すず（ＡｕＳｎ）
等によるろう付けや半田付けにより接合され、誘電体基
板２１上に低雑音増幅器であるパッケージＭＭＩＣ２４
が実装される。パッケージＭＭＩＣ２４は入出力端子２
４ａ、２４ｂ及びグランド端子２４ｃ、２４ｄを有して
おり、入出力端子２４ａ、２４ｂは誘電体基板２１に形
成されたマイクロストリップライン２５、２６に導電性
接着剤により電気的に接続され、グランド端子２４ｃ、
２４ｄはアースパターン２７、２８に接続される。そし
て、表面のアースパターン２７、２８と裏面のベタアー
ス３１はスルーホール２７ａ、２８ａにより接続されて
いる。
ージＭＭＩＣを実装した従来の一実施例の外観斜視図で
ある。コバール（Ｆｅ―Ｎｅ―Ｃｏ合金）等の導電性の
金属基板２２上に誘電体基板２１が金すず（ＡｕＳｎ）
等によるろう付けや半田付けにより接合され、誘電体基
板２１上に低雑音増幅器であるパッケージＭＭＩＣ２４
が実装される。パッケージＭＭＩＣ２４は入出力端子２
４ａ、２４ｂ及びグランド端子２４ｃ、２４ｄを有して
おり、入出力端子２４ａ、２４ｂは誘電体基板２１に形
成されたマイクロストリップライン２５、２６に導電性
接着剤により電気的に接続され、グランド端子２４ｃ、
２４ｄはアースパターン２７、２８に接続される。そし
て、表面のアースパターン２７、２８と裏面のベタアー
ス３１はスルーホール２７ａ、２８ａにより接続されて
いる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記構成
にあっては、誘電体基板２１の両面のアースがスルーホ
ール２７ａ、２８ａを介して接続されているためスルー
ホール２７ａ、２８ａのインダクタンス成分が存在し、
パッケージＭＭＩＣ２４の良好な高周波接地がとれなく
なり、増幅器の増幅率を落としたり、異常発振を起こす
など高周波特性が非常に悪くなるという問題がある。
にあっては、誘電体基板２１の両面のアースがスルーホ
ール２７ａ、２８ａを介して接続されているためスルー
ホール２７ａ、２８ａのインダクタンス成分が存在し、
パッケージＭＭＩＣ２４の良好な高周波接地がとれなく
なり、増幅器の増幅率を落としたり、異常発振を起こす
など高周波特性が非常に悪くなるという問題がある。
【０００８】この問題の対策として、図示しないがパッ
ケージＭＭＩＣ２４のグランド端子２４ｃ、２４ｄとス
ルーホール２７ａ、２８ａのそれぞれの間にコンデンサ
を実装し、コンデンサとスルーホール２７ａ、２８ａの
インダクタンス成分による直列共振により両面のアース
を高周波的に短絡する方法がある。しかしながら、短絡
されるのは共振周波数近辺の限られた帯域のみであり、
また、共振周波数においてもスルーホールの直流抵抗、
コンデンサの損失抵抗等により完全に短絡することがで
きないという問題がある。
ケージＭＭＩＣ２４のグランド端子２４ｃ、２４ｄとス
ルーホール２７ａ、２８ａのそれぞれの間にコンデンサ
を実装し、コンデンサとスルーホール２７ａ、２８ａの
インダクタンス成分による直列共振により両面のアース
を高周波的に短絡する方法がある。しかしながら、短絡
されるのは共振周波数近辺の限られた帯域のみであり、
また、共振周波数においてもスルーホールの直流抵抗、
コンデンサの損失抵抗等により完全に短絡することがで
きないという問題がある。
【０００９】本発明はこのような従来の問題を解決する
べくなされたものであり、高周波接地を確実に行うこと
により、増幅器の増幅率低下を防止する、異常発振を防
ぐ等の良好な高周波特性を得ることができる高周波回路
部品の実装構造を提供することを目的とする。
べくなされたものであり、高周波接地を確実に行うこと
により、増幅器の増幅率低下を防止する、異常発振を防
ぐ等の良好な高周波特性を得ることができる高周波回路
部品の実装構造を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、表面にマイクロストリップラインが形成され、裏面
の信号パターンを除く略全面にベタアースが形成された
誘電体基板と、前記ベタアースに接合された金属基板
と、該金属基板の前記ベタアースと接合した面と平行す
る他面と接合された金属筐体とを具備し、前記誘電体基
板の裏面に高周波回路部品が実装され、該高周波回路部
品の入出力端子は前記マイクロストリップラインとスル
ーホールにより電気的に接続され、前記高周波回路部品
と対向する方向に逃げ空間を設けたことを特徴とする高
周波回路部品の実装構造であり、スルーホールを介すこ
となく確実に前記高周波回路部品の高周波接地をとるこ
とができ、良好な高周波特性を得ることができるという
作用を有する。
は、表面にマイクロストリップラインが形成され、裏面
の信号パターンを除く略全面にベタアースが形成された
誘電体基板と、前記ベタアースに接合された金属基板
と、該金属基板の前記ベタアースと接合した面と平行す
る他面と接合された金属筐体とを具備し、前記誘電体基
板の裏面に高周波回路部品が実装され、該高周波回路部
品の入出力端子は前記マイクロストリップラインとスル
ーホールにより電気的に接続され、前記高周波回路部品
と対向する方向に逃げ空間を設けたことを特徴とする高
周波回路部品の実装構造であり、スルーホールを介すこ
となく確実に前記高周波回路部品の高周波接地をとるこ
とができ、良好な高周波特性を得ることができるという
作用を有する。
【００１１】請求項２に記載の発明は、具体例として、
金属基板に貫通穴を設けることにより逃げ空間を構成し
ている。
金属基板に貫通穴を設けることにより逃げ空間を構成し
ている。
【００１２】請求項３に記載の発明は、具体例として、
金属基板にキャビティ部を設けることにより逃げ空間を
構成している。
金属基板にキャビティ部を設けることにより逃げ空間を
構成している。
【００１３】請求項４に記載の発明は、具体例として、
金属基板に貫通穴を設け、かつ、金属筐体にキャビティ
部を設けることにより逃げ空間を構成している。
金属基板に貫通穴を設け、かつ、金属筐体にキャビティ
部を設けることにより逃げ空間を構成している。
【００１４】請求項５に記載の発明は、表面にマイクロ
ストリップラインが形成され、裏面の信号パターンを除
く略全面にベタアースが形成された誘電体基板と、前記
ベタアースに接合された金属筐体とを具備し、前記誘電
体基板の裏面に高周波回路部品が実装され、該高周波回
路部品の入出力端子は前記マイクロストリップラインと
スルーホールにより電気的に接続され、前記高周波回路
部品と対向する前記金属筐体にキャビティ部を設けたこ
とを特徴とする高周波回路部品の実装構造であり、スル
ーホールを介すことなく確実に前記高周波回路部品の高
周波接地をとることができ、良好な高周波特性を得るこ
とができるという作用を有する。
ストリップラインが形成され、裏面の信号パターンを除
く略全面にベタアースが形成された誘電体基板と、前記
ベタアースに接合された金属筐体とを具備し、前記誘電
体基板の裏面に高周波回路部品が実装され、該高周波回
路部品の入出力端子は前記マイクロストリップラインと
スルーホールにより電気的に接続され、前記高周波回路
部品と対向する前記金属筐体にキャビティ部を設けたこ
とを特徴とする高周波回路部品の実装構造であり、スル
ーホールを介すことなく確実に前記高周波回路部品の高
周波接地をとることができ、良好な高周波特性を得るこ
とができるという作用を有する。
【００１５】請求項６に記載の発明は、逃げ空間の高周
波回路部品と対向する面及び側面の少なくとも一つの面
に電波吸収体を配置したことを特徴とする高周波回路部
品の実装構造であり、前記逃げ空間内で導波管モード波
が伝搬することに起因する異常発振等の発生を防ぐこと
ができるという作用を有する。
波回路部品と対向する面及び側面の少なくとも一つの面
に電波吸収体を配置したことを特徴とする高周波回路部
品の実装構造であり、前記逃げ空間内で導波管モード波
が伝搬することに起因する異常発振等の発生を防ぐこと
ができるという作用を有する。
【００１６】請求項７に記載の発明は、逃げ空間に熱導
電性材料を充填させたことを特徴とする高周波回路部品
の実装構造であり、特に高出力の高周波回路部品の放熱
対策を行うことができるという作用を有する。
電性材料を充填させたことを特徴とする高周波回路部品
の実装構造であり、特に高出力の高周波回路部品の放熱
対策を行うことができるという作用を有する。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図１
乃至図８を参照して詳述する。まず図１乃至図４により
本発明の第一の実施の形態について説明する。図１は分
解斜視図であり、図２は外観斜視図、図３はＡ−Ａ線断
面図、図４は金属筐体側から見た誘電体基板（裏面）の
斜視図である。
乃至図８を参照して詳述する。まず図１乃至図４により
本発明の第一の実施の形態について説明する。図１は分
解斜視図であり、図２は外観斜視図、図３はＡ−Ａ線断
面図、図４は金属筐体側から見た誘電体基板（裏面）の
斜視図である。
【００１８】低雑音増幅器であるパッケージＭＭＩＣ２
４が実装されているセラミック等の誘電体基板１２１の
裏面には、二つの信号パターン１３２、１３３を除き略
全面にベタアース１３１が形成されている。また、パッ
ケージＭＭＩＣ２４は入出力端子２４ａ、２４ｂ及びグ
ランド端子２４ｃ、２４ｄを有しており、導電性接着剤
もしくは半田付けにより入出力端子２４ａ、２４ｂは二
つの信号パターン１３２、１３３に、グランド端子２４
ｃ、２４ｄはアースパターン１３１にそれぞれ接続され
る。また、信号パターン１３２は誘電体基板表面のマイ
クロストリップライン１２２とスルーホール１３２ａに
より接続されており、同様に信号パターン１３３とマイ
クロストリップライン１２３とスルーホール１３３ａと
接続されている。
４が実装されているセラミック等の誘電体基板１２１の
裏面には、二つの信号パターン１３２、１３３を除き略
全面にベタアース１３１が形成されている。また、パッ
ケージＭＭＩＣ２４は入出力端子２４ａ、２４ｂ及びグ
ランド端子２４ｃ、２４ｄを有しており、導電性接着剤
もしくは半田付けにより入出力端子２４ａ、２４ｂは二
つの信号パターン１３２、１３３に、グランド端子２４
ｃ、２４ｄはアースパターン１３１にそれぞれ接続され
る。また、信号パターン１３２は誘電体基板表面のマイ
クロストリップライン１２２とスルーホール１３２ａに
より接続されており、同様に信号パターン１３３とマイ
クロストリップライン１２３とスルーホール１３３ａと
接続されている。
【００１９】誘電体基板１２１のベタアース１３１はコ
バール（Ｆｅ―Ｎｅ―Ｃｏ合金）等の導電性の金属基板
１４１に金すず（ＡｕＳｎ）等によるろう付けや半田付
けにより接合される。金属基板１４１には、パッケージ
ＭＭＩＣ２４及び信号パターン１３２、１３３と接触し
ないように逃げ空間を設ける必要があり、貫通穴１４２
が設けられている。そして４隅には螺子貫通穴１４３が
設けられており、金属筐体１５１には螺子穴１５２が形
成され螺子１６１により金属基板１４１は金属筐体１５
１に螺着される。
バール（Ｆｅ―Ｎｅ―Ｃｏ合金）等の導電性の金属基板
１４１に金すず（ＡｕＳｎ）等によるろう付けや半田付
けにより接合される。金属基板１４１には、パッケージ
ＭＭＩＣ２４及び信号パターン１３２、１３３と接触し
ないように逃げ空間を設ける必要があり、貫通穴１４２
が設けられている。そして４隅には螺子貫通穴１４３が
設けられており、金属筐体１５１には螺子穴１５２が形
成され螺子１６１により金属基板１４１は金属筐体１５
１に螺着される。
【００２０】以上の構成において、誘電体基板１２１は
螺子貫通穴を設けず螺子１６１を逃げているが、これは
誘電体基板１２１の材質がセラミックの場合、螺子１６
１を締めた時に誘電体基板１２１が圧力により割れてし
まうのを防ぐ為である。あるいは螺子１６１を用いない
方法として、ろう付けや半田付けにより金属基板１２１
を金属筐体１５１に接合させても良い。
螺子貫通穴を設けず螺子１６１を逃げているが、これは
誘電体基板１２１の材質がセラミックの場合、螺子１６
１を締めた時に誘電体基板１２１が圧力により割れてし
まうのを防ぐ為である。あるいは螺子１６１を用いない
方法として、ろう付けや半田付けにより金属基板１２１
を金属筐体１５１に接合させても良い。
【００２１】以上のように、パッケージＭＭＩＣのグラ
ンド端子はスルーホールを介すことがないため確実に高
周波接地をとることができ、良好な高周波特性を得るこ
とができる。
ンド端子はスルーホールを介すことがないため確実に高
周波接地をとることができ、良好な高周波特性を得るこ
とができる。
【００２２】次に図５乃至図８により、その他の実施の
形態を説明する。図５は第二の実施の形態を示すＡ−Ａ
線断面図である。本形態では、パッケージＭＭＩＣ２４
の逃げ空間として金属基板２４１には貫通穴ではなくキ
ャビティ部２４２を形成している。これは、パッケージ
ＭＭＩＣ２４の高さが金属基板２４１の厚み以下である
場合の逃げ空間の形成例である。
形態を説明する。図５は第二の実施の形態を示すＡ−Ａ
線断面図である。本形態では、パッケージＭＭＩＣ２４
の逃げ空間として金属基板２４１には貫通穴ではなくキ
ャビティ部２４２を形成している。これは、パッケージ
ＭＭＩＣ２４の高さが金属基板２４１の厚み以下である
場合の逃げ空間の形成例である。
【００２３】図６は第三の実施の形態を示すＡ−Ａ線断
面図であり、金属基板１４１は貫通穴１４２を設け、更
に金属筐体２５１にキャビティ部２５２を形成してい
る。これは、パッケージＭＭＩＣ２４の高さが金属基板
１４１の厚み以上ある場合の逃げ空間の形成例である。
面図であり、金属基板１４１は貫通穴１４２を設け、更
に金属筐体２５１にキャビティ部２５２を形成してい
る。これは、パッケージＭＭＩＣ２４の高さが金属基板
１４１の厚み以上ある場合の逃げ空間の形成例である。
【００２４】図７は第四の実施の形態を示すＡ−Ａ線断
面図である。本形態は金属基板を除いた構成であり、誘
電体基板１２１は金属筐体２５１にろう付けもしくは半
田付けにより接合されている。そして、逃げ空間として
金属筐体２５１にキャビティ部２５２を形成している。
通常は、第一の実施の形態において説明したように金属
基板を螺子により金属筐体に螺着する構造であるが、本
第四の実施の形態では金属筐体を除いても実現可能であ
ることを表している。
面図である。本形態は金属基板を除いた構成であり、誘
電体基板１２１は金属筐体２５１にろう付けもしくは半
田付けにより接合されている。そして、逃げ空間として
金属筐体２５１にキャビティ部２５２を形成している。
通常は、第一の実施の形態において説明したように金属
基板を螺子により金属筐体に螺着する構造であるが、本
第四の実施の形態では金属筐体を除いても実現可能であ
ることを表している。
【００２５】また、例えば周波数が６０ＧＨｚの場合、
逃げ空間の高さ寸法ｈが半波長（６０ＧＨｚの場合は
２．５ｍｍ）以上のときに逃げ空間内で導波管モード波
が伝搬し異常発振等の悪影響が起こる場合がある。その
場合は逃げ空間のパッケージＭＭＩＣ２４と対向する対
向面２５２ａと四側面２５２ｂ（計５面）の一面あるい
は複数面に電波吸収体２５３を配置することにより、導
波管モード波の発生を抑制することができる。図中では
対向面２５２ａに電波吸収体２５３を配置した例を示し
ている。尚、これは本実施の形態に限らず第一乃至第三
の実施の形態においても同様に実施することができる。
逃げ空間の高さ寸法ｈが半波長（６０ＧＨｚの場合は
２．５ｍｍ）以上のときに逃げ空間内で導波管モード波
が伝搬し異常発振等の悪影響が起こる場合がある。その
場合は逃げ空間のパッケージＭＭＩＣ２４と対向する対
向面２５２ａと四側面２５２ｂ（計５面）の一面あるい
は複数面に電波吸収体２５３を配置することにより、導
波管モード波の発生を抑制することができる。図中では
対向面２５２ａに電波吸収体２５３を配置した例を示し
ている。尚、これは本実施の形態に限らず第一乃至第三
の実施の形態においても同様に実施することができる。
【００２６】図８は第五の実施の形態を示すＡ−Ａ線断
面図である。では高周波回路部品としてパワーアンプ等
を使用し、消費電力が大きく発熱量が大きい場合に逃げ
空間であるキャビティ部２５２に熱伝導シリコン等の熱
伝導性材料２６３を充填することにより放熱対策を容易
に行うことができ、電力効率も向上する。尚、本形態は
第一乃至第四の実施の形態においても同様に実施するこ
とができる。
面図である。では高周波回路部品としてパワーアンプ等
を使用し、消費電力が大きく発熱量が大きい場合に逃げ
空間であるキャビティ部２５２に熱伝導シリコン等の熱
伝導性材料２６３を充填することにより放熱対策を容易
に行うことができ、電力効率も向上する。尚、本形態は
第一乃至第四の実施の形態においても同様に実施するこ
とができる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、高
周波回路部品をベタアース面側に実装することにより、
スルーホールを介すことなく確実に高周波回路部品の高
周波接地を行うことができ、増幅器の増幅率低下を防
ぎ、異常発振を防止する等、良好な高周波特性を得るこ
とができる。
周波回路部品をベタアース面側に実装することにより、
スルーホールを介すことなく確実に高周波回路部品の高
周波接地を行うことができ、増幅器の増幅率低下を防
ぎ、異常発振を防止する等、良好な高周波特性を得るこ
とができる。
【００２８】また導波管モード波の伝搬を防ぐ為逃げ空
間の高さ寸法を半波長以下に設計するのが望ましいが、
部品高さ等の理由により逃げ空間の高さ寸法を半波長以
上にし導波管モードが発生する場合は、電波吸収体を逃
げ空間内に配置することにより、容易に対策することが
できる。
間の高さ寸法を半波長以下に設計するのが望ましいが、
部品高さ等の理由により逃げ空間の高さ寸法を半波長以
上にし導波管モードが発生する場合は、電波吸収体を逃
げ空間内に配置することにより、容易に対策することが
できる。
【００２９】更に、パワーアンプ等の消費電力が大きく
発熱量が大きい高周波回路部品を使用する場合において
も、逃げ空間である貫通穴及びキャビティ部に熱導電性
材料を充填することにより確実に放熱対策をすることが
でき、高周波回路部品の熱による破壊、電力効率劣化を
防ぐことができる。
発熱量が大きい高周波回路部品を使用する場合において
も、逃げ空間である貫通穴及びキャビティ部に熱導電性
材料を充填することにより確実に放熱対策をすることが
でき、高周波回路部品の熱による破壊、電力効率劣化を
防ぐことができる。
【図１】本発明の第一の実施の形態を示す分解斜視図。
【図２】本発明の第一の実施の形態を示す外観斜視図。
【図３】本発明の第一の実施の形態を示すＡ−Ａ線断面
図。
図。
【図４】金属筐体側から見た誘電体基板（裏面）の斜視
図。
図。
【図５】本発明の第二の実施の形態を示すＡ−Ａ線断面
図。
図。
【図６】本発明の第三の実施の形態を示すＡ−Ａ線断面
図。
図。
【図７】本発明の第四の実施の形態を示すＡ−Ａ線断面
図。
図。
【図８】本発明の第五の実施の形態を示すＡ−Ａ線断面
図。
図。
【図９】従来の高周波ユニットの外観斜視図。
【図１０】従来の一実施例を示す外観斜視図。
２４・・・パッケージＭＭＩＣ、１２１・・・誘電体基板、１
２２、 １２３・・・マイクロストリップライン、１３１・・
・ベタアース、１３２ａ、１３３ａ・・・スルーホール、１
４１・・・金属基板、１４２・・・貫通穴、１５１・・・金属筐
体
２２、 １２３・・・マイクロストリップライン、１３１・・
・ベタアース、１３２ａ、１３３ａ・・・スルーホール、１
４１・・・金属基板、１４２・・・貫通穴、１５１・・・金属筐
体
Claims (7)
- 【請求項１】 表面にマイクロストリップラインが形成
され、裏面の信号パターンを除く略全面にベタアースが
形成された誘電体基板と、前記ベタアースに接合された
金属基板と、該金属基板の前記ベタアースと接合した面
と平行する他面と接合された金属筐体とを具備し、前記
誘電体基板の裏面には高周波回路部品が実装され、該高
周波回路部品の入出力端子は前記マイクロストリップラ
インとスルーホールにより電気的に接続され、前記高周
波回路部品と対向する方向に逃げ空間を設けたことを特
徴とする高周波回路部品の実装構造。 - 【請求項２】 前記逃げ空間として金属基板に貫通穴を
設けたことを特徴とする請求項１記載の高周波回路部品
の実装構造。 - 【請求項３】 前記逃げ空間として金属基板にキャビテ
ィ部を設けたことを特徴とする請求項１記載の高周波回
路部品の実装構造。 - 【請求項４】 前記逃げ空間として金属筐体にキャビテ
ィ部を設けたことを特徴とする請求項２記載の高周波回
路部品の実装構造。 - 【請求項５】 表面にマイクロストリップラインが形成
され、裏面の信号パターンを除く略全面にベタアースが
形成された誘電体基板と、前記ベタアースに接合された
金属筐体とを具備し、前記誘電体基板の裏面に高周波回
路部品が実装され、該高周波回路部品の入出力端子は前
記マイクロストリップラインとスルーホールにより電気
的に接続され、前記高周波回路部品と対向する前記金属
筐体にキャビティ部を設けたことを特徴とする高周波回
路部品の実装構造。 - 【請求項６】 前記逃げ空間の高周波回路部品と対向す
る面及び側面の少なくとも一つの面に電波吸収体を配置
したことを特徴とする請求項２乃至５のいずれかに記載
の高周波回路部品の実装構造。 - 【請求項７】 前記逃げ空間に熱導電性材料を充填させ
たことを特徴とする請求項３乃至６のいずれかに記載の
高周波回路部品の実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11230339A JP2001053508A (ja) | 1999-08-17 | 1999-08-17 | 高周波回路部品の実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11230339A JP2001053508A (ja) | 1999-08-17 | 1999-08-17 | 高周波回路部品の実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001053508A true JP2001053508A (ja) | 2001-02-23 |
Family
ID=16906304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11230339A Pending JP2001053508A (ja) | 1999-08-17 | 1999-08-17 | 高周波回路部品の実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2001053508A (ja) |
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- 1999-08-17 JP JP11230339A patent/JP2001053508A/ja active Pending
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