JP2002050733A - 高周波用パッケージ、配線ボードおよび高周波モジュール - Google Patents

高周波用パッケージ、配線ボードおよび高周波モジュール

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JP2002050733A
JP2002050733A JP2000231742A JP2000231742A JP2002050733A JP 2002050733 A JP2002050733 A JP 2002050733A JP 2000231742 A JP2000231742 A JP 2000231742A JP 2000231742 A JP2000231742 A JP 2000231742A JP 2002050733 A JP2002050733 A JP 2002050733A
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frequency
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wiring board
board
dielectric
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Shinichi Koriyama
慎一 郡山
Kenji Kitazawa
謙治 北澤
Naoyuki Shino
直行 志野
Hidehiro Nanjiyou
英博 南上
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Kyocera Corp
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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    • H01L2224/4809—Loop shape
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    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
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    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】高周波素子を個々にパッケージに収納し、それ
らを配線ボード上に実装してなるアイソレーション特性
に優れた高周波モジュール得る。 【解決手段】誘電体ボード１６表面に配線回路層１７が
形成された配線ボードａ表面に、高周波素子２を搭載し
た高周波用パッケージｂを搭載し、配線回路層１７とパ
ッケージｂに設けられた入力端子１２ａおよび出力端子
１２ｂを接続することによって高周波用パッケージｂを
配線ボードａに実装してなる高周波モジュールＡにおい
て、モジュールＡが、高周波的に複数の区域に分断され
ており、その分断境界線Ｌが少なくとも配線ボードａ上
に実装された少なくとも１つの高周波用パッケージｂ１
に設けられた入力端子１２ａと出力端子１２ｂとの間を
横切るように設定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波素子を搭載
するための高周波用パッケージ、これを実装するための
配線ボードおよび、前記高周波用パッケージを前記配線
ボードに実装した高周波モジュールに関するものであ
り、特に信号の周波数が１０ＧＨｚ以上の高周波信号を
取り扱う場合におけるアイソレーション性を向上させる
ための改良に関するものである。
【０００２】
【従来技術】近年、高度情報化時代を迎え、情報伝達に
用いられる電波は１〜３０ＧＨｚのマイクロ波領域か
ら、更に３０〜３００ＧＨｚのミリ波領域の周波数まで
活用することが検討されており、例えば、車間レーダー
のようなミリ波の電波を用いた応用システムも提案され
るようになっている。
【０００３】このようなモジュール構造としては、従来
は、１つの絶縁基板の表面にすべての高周波素子を実装
して、それらを一括して気密封止するマルチチップ型モ
ジュールが主流であった。
【０００４】図８は、従来のマルチチップ型モジュール
を示す平面図（ａ）とその断面図（ｂ）である。なお、
図８（ａ）では蓋体は省略した。図３によれば、マルチ
チップ型モジュール３１は、絶縁基板３２、金属製枠体
３３、金属製蓋体３４とその内部に実装された複数の高
周波素子３５からなっている。それぞれの高周波素子３
５は絶縁基板３２表面に形成された高周波線路３６とワ
イヤーボンディング等によって接続されている。
【０００５】また、送信部のように大信号を取り扱う部
分と、受信部のように小信号を取り扱う部分を１つのモ
ジュールに組み込む場合、図８に示したようにそれぞれ
を高周波的に隔離するために、高周波素子と高周波素子
と接続する高周波線路３６を跨ぐようにシールド板３７
が設けられており、このシールド板３７は金属製枠体３
３に一体的に設けられている。
【０００６】このようなマルチチップ型モジュールにお
いては、必要な高周波回路を１つの配線基板に構成する
ためにサイズが大きくなってしまい、配線基板の反り
や、枠体、蓋体の変形等により気密封止の歩留まりに問
題があった。
【０００７】このような問題を解消する１つの方法とし
ては、高周波素子を個々に小型のパッケージに気密封止
し、それらを配線ボードにそれぞれ実装してモジュール
を構成することが考えられる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、信号周
波数が１０ＧＨｚ以上の高周波になると、高周波素子を
個別にパッケージに収納しそれを配線ボードに実装して
なるモジュールにおいては、アイソレーションを高める
ための具体的な構造については提案されていない。そこ
で、従来のマルチチップ型モジュールでのアイソレーシ
ョン性を高めるための構造を適用し、パッケージとパッ
ケージとの間の配線ボード上の配線回路層を跨ぐように
シールド板を形成することによってある程度のアイソレ
ーション性を有する。
【０００９】しかしながら、シールド板と配線回路層間
には間隙が形成されているために、この間隙を信号がも
れないように、信号波長長さの１／４未満とすることが
望まれるが、高周波領域ではその隙間を非常に小さくす
ることが必要となるが、マイクロストリップ線路などか
らなる配線回路層の表面の近傍にシールド板を設ける
と、マイクロストリップ線路のモードが変化してしま
い、伝送特性に影響をオ耐えるおそれがあった。
【００１０】従って、本発明は、高周波素子を個々にパ
ッケージに収納し、それらを配線ボード上に実装してな
る高周波モジュールに適し、モジュールにおけるアイソ
レーション特性を良好にできる高周波用パッケージおよ
び配線ボードを提供するとともに、それらを用いてアイ
ソレーション特性に優れた高周波モジュールを提供する
ことを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記課題
に鑑み検討を重ねた結果、高周波素子を個々にパッケー
ジに収納し、それらを配線ボード上に実装してなる高周
波モジュールにおけるアイソレーションについて検討を
重ねた結果、配線ボード上に実装された少なくとも１つ
のパッケージの入力端子と出力端子を分断するように、
シールド板やスルーホール導体などを設けることによっ
てモジュールのアイソレーション特性を確保できること
を見いだし本発明に至った。
【００１２】即ち、本発明の高周波用パッケージは、誘
電体基板と、前記誘電体基板とともにキャビティを形成
しており、そのキャビティ内の誘電体基板表面に搭載さ
れる高周波素子を気密に封止するための導電性蓋体と、
外部回路と接続するための入力端子および出力端子と、
前記端子と高周波素子と接続するために誘電体基板の内
部および／または表面に形成された配線回路層とを具備
してなるものであって、前記入力端子と前記出力端子と
を高周波的に分断してなることを特徴とするものであ
る。
【００１３】なお、高周波的に分断する具体的な構造と
しては、前記誘電体基板の前記分断境界線上に、前記基
板内部に複数のスルーホール導体を互いに信号波長長さ
の１／４未満の隙間をもって一列に配設することが簡単
でかつ容易であり、端子間のアイソレーション性を高め
ることができる。
【００１４】また、本発明の配線ボードは、誘電体ボー
ドの表面に配線回路層が形成されてなり、前記配線回路
層に対して、高周波素子を搭載した高周波用パッケージ
に設けられた入力端子および出力端子を接続することに
よって、前記高周波用パッケージを実装する実装部を設
けてなるものであって、この配線ボードが、高周波的に
複数の区域に分断されており、その分断境界線が配線ボ
ード上の少なくとも１つの高周波用パッケージ実装部に
おける入力端子との接続部と出力端子との接続部との間
を分断していることを特徴とするものである。
【００１５】なお、高周波的に分断する具体的な構造と
しては、前記誘電体ボードの前記分断境界線上に、複数
のスルーホール導体を、互いに信号波長長さの１／４未
満の隙間をもって一列に配設することが簡単で容易であ
ることから望ましい。また、前記誘電体ボードのパッケ
ージ実装表面の反対側表面、あるいは誘電体ボードの内
部にグランド層が形成されてなり、前記スルーホール導
体が、実装表面から前記グランド層にまで伸びて形成さ
れていることが望ましい。
【００１６】さらに、本発明の高周波モジュールは、誘
電体ボード表面に配線回路層が形成された配線ボード表
面に、高周波素子を搭載した高周波用パッケージを搭載
し、前記配線回路層とパッケージに設けられた入力端子
および出力端子を接続することによって、前記高周波用
パッケージを配線ボードに実装してなるものであって、
高周波モジュールが、高周波的に複数の区域に分断され
ており、その分断境界線が少なくとも配線ボード上に実
装された少なくとも１つの高周波用パッケージに設けら
れた入力端子と出力端子との間を横切っていること特徴
とするものである。
【００１７】望ましくは、前記高周波用パッケージおよ
び配線ボードは、いずれも入力端子と出力端子とが高周
波的に分断された構造の前述したパッケージ、および前
述した配線ボードであることが望ましい。
【００１８】また、このモジュールにおいては、前記分
断境界線上に沿って、前記誘電体ボード表面から垂直方
向にシールド板を設けることによって３次元的空間領域
まで分断することができ、アイソレーション性をさらに
高めることができる。
【００１９】なお、このシールド板は、分断されたパッ
ケージの外表面と、信号波長長さの１／４未満の間隙
で、または導電性接着剤によって相互に接合してなるこ
とが望ましい。そして、前記高周波用パッケージにおけ
る分断境界線上に配設されたスルーホール導体と、前記
配線ボードにおける分断境界線上に配設されたスルーホ
ール導体とを互いに電気的に接続することが望ましい。
【００２０】本発明によれば、上記のように高周波モジ
ュールを高周波的に少なくとも２つの区域に分断すると
ともに、その分断境界線を配線ボード上に実装されたパ
ッケージにおける入出力端子間を横切るように設定する
ことにより、分断境界をパッケージを横切るように設け
ることによって、パッケージ内を通過する高周波信号の
みが分断境界線を超えることができ、不要な高周波信号
は、シールド構造によってシールドされる結果、モジュ
ールのアイソレーション性を高めることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明の高周波モジュールを図面
に基づき詳述する。図１は、本発明の高周波モジュール
の一例を説明するための概略平面図であり、図２は図１
のｘ−ｘ断面図である。図１、図２において、本発明の
高周波モジュールＡによれば、配線ボードａの表面に
は、複数の高周波用パッケージｂが搭載されている。
【００２２】そのうち、パッケージｂ１内には、高周波
発振素子１が気密に封止されており、高周波発振デバイ
ス２を構成している。この高周波発振デバイス２は、左
右に高周波信号を供給している。なお、高周波発振デバ
イス２の左側は受信回路であって、各素子をパッケージ
ｂ２、ｂ３、ｂ４に気密に封止してなるバッファーアン
プ３、ミキサ４およびローノイズアンプ５に順次接続さ
れている。
【００２３】次に、高周波用パッケージｂの典型的な構
造を図３の概略断面図に示した。高周波用パッケージｂ
の誘電体材料からなる誘電体基板７の表面には、接着剤
８によって導電性蓋体９が接合されており、誘電体基板
７とその導電性蓋体９によってキャビティ１０が形成さ
れている。そして、このキャビティ１０内における誘電
体基板７表面には、高周波素子（高周波発振素子）１と
接続される配線層１１が被着形成されており、この配線
層１１に対して高周波素子１がワイヤ等によって接続さ
れている。また、この誘電体基板７の裏面には、外部回
路と接続するための入力端子１２ａと出力端子１２ｂと
が設けられている。また、誘電体基板７内には、グラン
ド層１３が形成されており、このグランド層１３と配線
層１１によってマイクロストリップ線路が形成されてい
る。そして、この入力端子１２ａ、出力端子１２ｂは、
グランド層１３と非接触状態のスルーホール導体１４に
よって配線層１１と接続されている。その結果、入力端
子１２ａ、出力端子１２ｂは、スルーホール導体１４お
よび配線層１１を経由して高周波素子１と電気的に接続
されている。
【００２４】また、この誘電体基板７のキャビティ１０
を形成している枠体内には、グランド層１３と導電性蓋
体９とを電気的に接続するスルーホール導体１５がキャ
ビティ１０の周囲の枠体内に互いに信号波長長さの１／
４未満の隙間をもって設けられている。かかる構成によ
れば、キャビティ１０は、導電性蓋体９、スルーホール
導体１５、およびグランド層１３によって高周波的に完
全に隔離されている。
【００２５】一方、配線ボードａは、図１、図２に示す
ように、誘電体ボード１６の表面に配線回路層１７が形
成され、また誘電体ボード１６の内部にはグランド層１
８が形成されており、マイクロストリップ線路を形成し
ている。この配線回路層１７には、各パッケージの入力
端子１２ａ、出力端子１２ｂと接続される端子１９ａ、
１９ｂを有する実装部が設けられており、この端子１９
ａ、１９ｂ形成部にパッケージｂ１〜ｂ５が実装されて
いる。
【００２６】上記図１、図２の高周波モジュールＡによ
れば、高周波発振デバイス２から左右に高周波信号を供
給しており、高周波発振デバイス２の左側は受信回路を
構成している。また、ローノイズアンプ５では、外部ア
ンテナ（図示せず）で受信した微弱な信号が増幅され、
ミキサ４へと接続され、ミキサ４では、ローノイズアン
プ５から入出力された受信信号と、高周波発振デバイス
２から発振された発振信号とを混合し、中間周波信号を
生成している。
【００２７】一方、発振デバイス２より右側は送信回路
で、発振デバイス２から供給された高周波信号をハイパ
ワーアンプ６で増幅し、外部の送信アンテナに信号を供
給している。
【００２８】上記の高周波モジュールによれば、この送
信回路のハイパワーアンプ６から外部の送信アンテナま
では比較的大きな高周波信号が伝送されるが、送信回路
の送信信号が受信回路に侵入すると受信回路が誤動作を
起こすため、送信回路と受信回路は、高周波的に分断す
ることが望ましい。
【００２９】そこで、本発明によれば、図１に示すよう
に、送信回路と受信回路とを高周波的に分断されてお
り、その分断境界線Ｌは、配線ボードａ上に実装される
高周波パッケージｂのうちの少なくとも１つのパッケー
ジを横切るように設定されている。具体的には、図１の
高周波モジュールＡにおいては、高周波発振デバイス２
を構成する高周波パッケージｂ１を横切るように設定さ
れている。即ち、この分断境界線Ｌは、パッケージｂ１
の入力端子１２ａと出力端子１２ｂとの間を横切ってい
る。
【００３０】そして、本発明によれば、高周波モジュー
ルＡにおける分断境界線Ｌ上に沿って、配線ボードａの
表面には、図４の配線ボードａの平面図にも示される通
り、パッケージｂの実装部以外の領域には、導体帯２０
が被着形成されており、この導体帯２０には、導電性材
料からなるシールド板２１が、配線ボードａの表面から
垂直方向に接着剤２２によって取り付けられている。
【００３１】また、このシールド板２１のパッケージｂ
１搭載部では、図５の図１におけるｙ−ｙ断面図に示す
ように、高周波パッケージｂ１の外表面となる導電性蓋
体９や誘電体基板７との隙間が信号波長長さの１／４未
満となるように、パッケージｂ１の外表面形状に整合し
た切欠き部２３が設けられており、この隙間には適宜、
接着剤２４が充填されている。
【００３２】このように、配線ボードａの表面およびこ
のボードａ表面に実装された高周波パッケージｂの表面
における上部空間は、シールド板２１によって高周波的
に分断されている。
【００３３】また、この分断境界線Ｌが横切る高周波パ
ッケージｂ１の内部構造について、図５、図６のパッケ
ージにおける誘電体基板の裏面のパターン図をもとに説
明する。この図５、６に示される通り、パッケージｂ１
の誘電体基板７内のグランド層１３の下方には、分断境
界線Ｌに沿って、誘電体基板７のグランド層１３から誘
電体基板裏面に貫通するスルーホール導体２５が互いに
信号波長長さの１／４未満の隙間をもって一列に複数個
設けられている。また、誘電体基板７の裏面には、図６
に示すように導体パッド２６が設けられており、スルー
ホール導体２５は導体パッド２６とそれぞれ電気的に接
続されている。これによって、パッケージｂ１内の誘電
体基板７内はスルーホール導体２５によって高周波的に
分断されている。
【００３４】一方、配線ボードａの誘電体ボード１６に
は、分断境界線Ｌに沿って、図４および図５に示すよう
に、パッケージｂ１実装部を横切るように、スルーホー
ル導体２７が互いに信号波長長さの１／４未満の隙間を
もって一列に複数個設けられている。また、誘電体ボー
ド１６の表面には導体パッド２８が設けられており、ス
ルーホール導体２７は導体パッド２８とそれぞれ電気的
に接続されている。また、スルーホール導体２７の他端
は、誘電体ボード１６内のグランド層１８と電気的に接
続されている。かかる構造によって、配線ボードａ内
は、分断境界線Ｌに沿ってスルーホール導体２７によっ
て高周波的に分断されている。
【００３５】また、配線ボードａの表面に実装されたパ
ッケージｂ１と、配線ボードａの端子１９ａ、１９ｂと
は、パッケージｂ１の入力端子１２ａ、１２ｂと半田な
どの導電性接着剤２９によって電気的に接続されてい
る。それと同時に、パッケージｂ１の誘電体基板７の裏
面に形成された導体パッド２６と、配線ボードａ表面の
導体パッド２８も半田などの導電性接着剤２９によって
電気的に接続されている。これによって、パッケージｂ
１と配線ボードａとの隙間もこの導体パッド２６、２８
間を接続する導電性接着剤２９によって高周波的に分断
されている。
【００３６】一般に、不要信号の漏れは、空間や基板内
を介した直接結合で生じるが、上記のように、図１〜図
６の高周波モジュールにおいて、受信回路と送信回路の
境界に位置する配線ボードａ上に実装された高周波パッ
ケージｂ１の入力端子１２ａ、出力端子１２ｂ間を横切
るようにシールド板２１や、パッケージｂ１内のスルー
ホール導体２５や、配線ボードａ内のスルーホール導体
２７、およびパッケージｂ１と配線ボードａ間の導電性
接着剤２９によって高周波的に分断することによって、
必要な高周波信号をパッケージｂ１内のキャビティ１０
内のみを伝送するように構成することができ、不要信号
はキャビティ１０以外の領域においてすべて遮断するこ
とが可能になるために、高周波モジュールＡ内のアイソ
レーションを高いレベルで確保することができる。
【００３７】これまでの図１乃至図６では、配線ボード
ａの表面に形成された配線回路層１７に対してパッケー
ジの端子１２を導電性接着剤２９によって接続し、実装
してなる表面実装型の高周波モジュールについて説明し
たが、本発明の高周波モジュールは、パッケージを配線
ボードの配線層にワイヤーボンディングで接続するワイ
ヤボンディング型モジュールへも適応可能である。
【００３８】なお、上記例では、高周波モジュール表面
に垂直方向に取付けられるシールド板２１は、高周波モ
ジュールＡの配線ボードａ上、またはパッケージｂ１の
外表面に接着されたものであったが、このシールド板２
１は、モジュールに対して取り付けるのみならず、例え
ば、図７に示すように、モジュールＡを収納する導電性
筐体３０に一体的にシールド板２１を取付け、そのシー
ルド板２１の先端が、高周波モジュールＡの配線ボード
ａの表面の導体帯２０や、パッケージｂ１の外表面と、
導電性接着剤２２で接着するか、あるいは信号波長長さ
の１／４長さ未満となる間隔をもって取り付けることに
よってもシールド板２１の効果を発揮することができ
る。この図７では、配線ボードａ’の表面に、キャビテ
ィ１０を形成する壁体内を配線層１１が透過したフィー
ドスルー型パッケージｃ１〜ｃ４を実装したモジュール
Ｂである。また、パッケージｃ１〜ｃ４は、配線ボード
ａ’のグランド層１８の表面に接着固定されており、分
断されるパッケージｃ１内のグランド層１３とスルーホ
ール導体２５によって電気的に接続されている。
【００３９】また、図１〜図６の例では、受信回路と送
信回路とを分断するように高周波的に分断境界線Ｌを設
定したが、高周波モジュールにおいては、分断境界線Ｌ
は、各チャンネル間、高周波回路と中間周波回路との間
などの種々の目的に応じて所定の境界線で設けることが
できる。その場合においても実装されたパッケージの少
なくとも１つを横切るように境界線を設定することによ
って本発明の効果が発揮できる。
【００４０】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の高周波モジ
ュールによれば、高周波モジュール内を高周波的に分断
するにあたり、実装された高周波パッケージのうちの１
つのパッケージに設けられた入力端子と出力端子との間
を横切るように設けることによって、容易に良好なアイ
ソレーション特性を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高周波モジュールの一例を説明するた
めの概略平面図である。
【図２】図１の高周波モジュールにおけるｘ−ｘ断面図
である。
【図３】図１の高周波モジュールにおいて実装されてい
る高周波パッケージの典型的構造を説明するための概略
断面図である。
【図４】図１の高周波モジュールにおける配線ボードの
概略平面図である。
【図５】図１の高周波モジュールにおける分断された高
周波パッケージにおける分断境界線Ｌに沿った概略断面
図である。
【図６】分断された高周波パッケージにおける誘電体基
板の裏面の平面図である。
【図７】本発明の高周波モジュールにおける他の構造を
説明するための概略断面図である。
【図８】従来のマルチチップ型モジュールを示す（ａ）
平面図と、（ｂ）概略断面図である。
【符号の説明】
Ａ 高周波モジュール ａ 配線ボード ｂ 高周波用パッケージ １ 高周波素子 １６ 誘電体ボード １７ 配線回路層 １２ａ 入力端子 １２ｂ 出力端子 Ｌ 分断境界線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/18 Ｈ０１Ｌ 23/52 Ｄ (72)発明者 南上 英博 鹿児島県国分市山下町１番４号 京セラ株 式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 5E336 AA04 AA08 AA11 BB03 BB14 BC01 BC15 BC26 BC34 CC31 CC51 DD28 DD39 GG11 5E338 AA03 AA11 BB02 BB25 BB75 CC02 CC06 CD11 CD40 EE13

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】誘電体基板と、前記誘電体基板とともにキ
    ャビティを形成しており、そのキャビティ内の誘電体基
    板表面に搭載される高周波素子を気密に封止するための
    導電性蓋体と、外部回路と接続するための入力端子およ
    び出力端子と、前記各端子と高周波素子と接続するため
    に誘電体基板の内部および／または表面に形成された配
    線回路層とを具備してなり、前記入力端子と出力端子と
    を高周波的に分断してなることを特徴とする高周波用パ
    ッケージ。
  2. 【請求項２】前記誘電体基板における分断境界線上に、
    複数のスルーホール導体を互いに信号波長長さの１／４
    未満の隙間をもって一列に配設してなることを特徴とす
    る請求項１記載の高周波用パッケージ。
  3. 【請求項３】誘電体ボードの表面に配線回路層が形成さ
    れてなり、前記配線回路層に対して、高周波素子を搭載
    した高周波用パッケージに設けられた入力端子および出
    力端子を接続することによって、前記高周波用パッケー
    ジを実装する実装部を設けてなる配線ボードにおいて、
    該配線ボードが、高周波的に複数の区域に分断されてお
    り、その分断境界線が配線ボード上の少なくとも１つの
    高周波用パッケージ実装部における入力端子との接続部
    と出力端子との接続部との間を分断していること特徴と
    する配線ボード。
  4. 【請求項４】前記誘電体ボードの前記分断境界線上に、
    複数のスルーホール導体を互いに信号波長長さの１／４
    未満の隙間をもって一列に配設してなることを特徴とす
    る請求項３記載の配線ボード。
  5. 【請求項５】前記誘電体ボードのパッケージ実装表面の
    反対側表面、あるいは誘電体ボードの内部にグランド層
    が形成されてなり、前記スルーホール導体が、実装表面
    から前記グランド層にまで伸びて形成されていることを
    特徴とする請求項３または請求項４記載の配線ボード。
  6. 【請求項６】誘電体ボード表面に配線回路層が形成され
    た配線ボード表面に、高周波素子を搭載した高周波用パ
    ッケージを搭載し、前記配線回路層とパッケージに設け
    られた入力端子および出力端子を接続することによっ
    て、前記高周波用パッケージを配線ボードに実装してな
    る高周波モジュールにおいて、該モジュールが、高周波
    的に複数の区域に分断されており、その分断境界線が少
    なくとも配線ボード上に実装された少なくとも１つの高
    周波用パッケージに設けられた入力端子と出力端子との
    間を横切っていること特徴とする高周波モジュール。
  7. 【請求項７】前記分断境界線上に沿って、前記誘電体ボ
    ード表面から垂直方向にシールド板を設けてなることを
    特徴とする請求項６記載の高周波モジュール。
  8. 【請求項８】前記シールド板が、前記高周波用パッケー
    ジの外表面に対して信号波長長さの１／４未満の隙間を
    もって設けられていることを特徴とする請求項７記載の
    高周波モジュール。
  9. 【請求項９】前記シールド体と前記高周波パッケージの
    間に導電性接着剤を充填してなることを特徴とする請求
    項７または請求項８記載の高周波モジュール。
  10. 【請求項１０】分断された前記高周波パッケージにおけ
    る誘電体基板の分断境界線上に複数のスルーホール導体
    を互いに信号波長長さの１／４未満の隙間をもって一列
    に配設してなることを特徴とする請求項６乃至請求項９
    のいずれか記載の高周波モジュール。
  11. 【請求項１１】前記誘電体ボードの前記分断境界線上
    に、複数のスルーホール導体を互いに信号波長長さの１
    ／４未満の隙間をもって一列に配設してなることを特徴
    とする請求項６乃至請求項１０のいずれか記載の高周波
    モジュール。
  12. 【請求項１２】前記配線ボードにおける誘電体ボードの
    パッケージ実装表面と反対側表面、あるいは誘電体ボー
    ドの内部にグランド層が形成されてなり、前記スルーホ
    ール導体が、実装表面から前記グランド層にまで伸びて
    形成されていることを特徴とする請求項１１記載の高周
    波モジュール。
  13. 【請求項１３】前記高周波用パッケージにおける分断境
    界線上に配設されたスルーホール導体と、前記配線ボー
    ドにおける分断境界線上に配設されたスルーホール導体
    とを互いに電気的に接続したことを特徴とする請求項６
    乃至請求項１２のいずれか記載の高周波モジュール。
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