JPH09321215A - マイクロ波回路用パッケージ - Google Patents

マイクロ波回路用パッケージ

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JPH09321215A
JPH09321215A JP8109617A JP10961796A JPH09321215A JP H09321215 A JPH09321215 A JP H09321215A JP 8109617 A JP8109617 A JP 8109617A JP 10961796 A JP10961796 A JP 10961796A JP H09321215 A JPH09321215 A JP H09321215A
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metal substrate
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博 植松
Hiroshi Kudo
工藤　　浩
Masanobu Urabe
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 パッケージ内容積を小さく構成でき、安定し
た高周波特性が得られる信頼性の高いマイクロ波回路用
パッケージを提供する。 【解決手段】 金属製基板３を備え、この金属製基板３
上にモノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）１
１，１２を取り付けて封止した構造のマイクロ波回路用
パッケージにおいて、同一の金属製基板３上に複数のＭ
ＭＩＣ１１，１２を取り付けると共に、各ＭＭＩＣ１
１，１２を仕切る誘電体のスペーサ１５を取り付けて封
止したことを特徴とするマイクロ波回路用パッケージ１
０。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、モノリシックマイ
クロ波集積回路（ＭＭＩＣ）等を使用したマイクロ波回
路を封止して回路形成するのに好適なマイクロ波回路用
パッケージの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】特開平４−１２９４０２号公報に記載さ
れているように、一般にＧａＡｓＦＥＴ等のＭＭＩＣ素
子を使用したマイクロ波回路は、ＭＭＩＣ素子そのもの
とこれを駆動する駆動回路とが接続されて構成される。
【０００３】半導体チップで構成されたＭＭＩＣ素子
は、一般には気密状態にシーリング（封止）されて使用
されるので、駆動回路とともに図１０のように接続構成
されていた。
【０００４】即ち、チップ状のＭＭＩＣ素子１は、その
駆動回路２１を形成したセラミックの回路基板２ととも
に、コバール（ｋｏｖａｒ）等の金属製基板（ベースプ
レート）３上にマウントされている。
【０００５】駆動回路２１は、抵抗体やコンデンサ・チ
ップ、トランジスタ・チップ等、単体部品からなる他の
回路素子２１Ａにより、ハイブリッド構成されている。
【０００６】この駆動回路２１の一端はボンディングワ
イヤ４１によって前記金属製基板３に絶縁して貫通され
たバイアス供給用の直流（ＤＣ）端子３１に接続されて
いる。
【０００７】また、金属製基板３上にマウントされたＭ
ＭＩＣ素子１も、同じく絶縁して貫通された高周波（Ｒ
Ｆ）端子３２とボンディングワイヤ４２によって接続さ
れている。
【０００８】駆動回路２１の出力端とＭＭＩＣ素子１と
の間は、ボンディングワイヤ４３によって接続構成され
ているから、ＤＣ端子３１から供給の直流電力は駆動回
路２１により所定のバイアス電圧に変換された後ＭＭＩ
Ｃ素子１に印加され、ＭＭＩＣ素子１の高周波出力はボ
ンディングワイヤ４２からＲＦ端子３２を経て導出され
る。なお、３１Ａ，３２Ａは絶縁体を示す。
【０００９】また、金属製基板３にはパッケージ用のセ
ラミックからなるフレーム５を介して上蓋６が密封され
るように取付けられる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構成の
マイクロ波回路用パッケージ５０では、金属製基板３上
の同一面にＭＭＩＣ素子１及び駆動回路２１がともにマ
ウントされて（取り付けられて）いるが、全体の小型化
と高集積化の観点から、ＭＭＩＣ素子をこれを組み合わ
せて構成されたＭＭＩＣとし、複数のＭＭＩＣをマウン
トする（取り付ける）ことが望まれる。
【００１１】しかし、金属製基板３が広くなると、箱状
のパッケージ内空間容積が大きくなるのは避けられず、
その結果、マイクロ波帯（１〜１００ＧＨｚ）の不要波
モードが発生したり、異常共振回路が形成されやすくな
り、マイクロ波回路としての所望の機能が得られないお
それがある。
【００１２】そこで本発明は、金属製基板３を備え、こ
の金属製基板３上にＭＭＩＣ等を取り付けて封止した構
造のマイクロ波回路用パッケージにおいて、上記従来の
課題を解決し、パッケージ内容積をより小さく構成し得
て、同時に安定した高周波特性が得られる信頼性の高い
マイクロ波回路用パッケージを提供することを目的とす
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１に係るマイクロ
波回路用パッケージは、同一の金属製基板上に複数のＭ
ＭＩＣを取り付けると共に、各ＭＭＩＣを仕切る誘電体
のスペーサを取り付けて封止したことを特徴とする。
【００１４】各ＭＭＩＣを仕切る誘電体のスペーサを取
り付けて封止することで、パッケージ内容積をより小さ
く構成でき、不要波モードや異常共振等を引き起こさな
いようにすることができる。
【００１５】また、各ＭＭＩＣを誘電体のスペーサで仕
切りこの誘電体に対して略対称に配置することで、各Ｍ
ＭＩＣを同一の共振系でパッケージングでき、不要波モ
ードや異常共振等を引き起こさないようにすることがで
きると共に、各ＭＭＩＣの動作特性を均一にすることが
でき、マイクロ波回路の信頼性を高めることができる。
【００１６】請求項２に係るマイクロ波回路用パッケー
ジは、金属製基板上にＭＭＩＣの基板と略同一の高さの
誘電体基板を取り付けて封止すると共に、この誘電体基
板上にストリップ導体を設けてマイクロストリップ線路
を形成したことを特徴とする。
【００１７】金属製基板上にＭＭＩＣの基板と略同一の
高さの誘電体基板を取り付けて封止することで、パッケ
ージ内容積をより小さく構成でき、不要波モードや異常
共振等を引き起こさないようにすることができる。
【００１８】また、ＭＭＩＣの基板と略同一（同一の場
合を含む）の高さの誘電体基板上にストリップ導体を設
けてマイクロストリップ線路を形成することで、ストリ
ップ導体とＭＭＩＣの回路面とをほぼ同一平面上に配置
することができると共に両者間の配線を短くすることが
でき、少なくともＭＭＩＣの基板と誘電体基板の高さが
略同一でない場合に比べてこの高さの違いに基づく不要
波モードや異常共振を抑止することができ、この点でマ
イクロ波回路の動作の信頼性を高めることができる。更
に、このマイクロストリップ線路により高周波信号を低
い伝送損失で安定にＭＭＩＣに供給することができる。
【００１９】請求項３に係るマイクロ波回路用パッケー
ジは、同一の金属製基板上に複数のＭＭＩＣを取り付け
ると共に、ＭＭＩＣの基板と略同一の高さで各ＭＭＩＣ
を仕切る誘電体基板を取り付けて封止し、この誘電体基
板上にストリップ導体を設けてマイクロストリップ線路
を形成したことを特徴とする。
【００２０】金属製基板上にＭＭＩＣの基板と略同一の
高さの誘電体基板を取り付けて封止することで、パッケ
ージ内容積をより小さく構成でき、不要波モードや異常
共振等を引き起こさないようにすることができる。
【００２１】更に、各ＭＭＩＣを誘電体基板で仕切りこ
の誘電体に対して略対称に配置することで、各ＭＭＩＣ
を同一の共振系でパッケージングでき、不要波モードや
異常共振等を引き起こさないようにすることができると
共に、各ＭＭＩＣの動作特性を均一にすることができ、
マイクロ波回路の信頼性を高めることができる。
【００２２】また、ＭＭＩＣの基板と略同一（同一の場
合を含む）の高さの誘電体基板上にストリップ導体を設
けてマイクロストリップ線路を形成することで、ストリ
ップ導体とＭＭＩＣの回路面とをほぼ同一平面上に配置
することができると共に両者間の配線を短くすることが
でき、少なくともＭＭＩＣの基板と誘電体基板の高さが
略同一でない場合に比べてこの高さの違いに基づく不要
波モードや異常共振を抑止することができ、この点でマ
イクロ波回路の動作の信頼性を高めることができる。更
に、このマイクロストリップ線路により高周波信号を低
い伝送損失で安定にＭＭＩＣに供給することができる。
【００２３】請求項４では、請求項２または請求項３記
載のマイクロ波回路用パッケージにおいて、前記マイク
ロストリップ線路で形成した回路素子を備えたことを特
徴とする。
【００２４】マイクロストリップ線路でキャパシタンス
やインダクタンス等の回路素子を形成することで、回路
素子を低く小さく形成することができ、ＭＭＩＣ内に形
成が困難な回路素子、または、ＭＭＩＣ内に小さく形成
することが困難な回路素子をＭＭＩＣ（のチップ）と一
緒に容易にパッケージングすることができる。
【００２５】また、ＭＭＩＣの基板と略同一（同一の場
合を含む）の高さの誘電体基板上にストリップ導体を設
けて回路素子を形成することで、この回路素子とＭＭＩ
Ｃの回路面とをほぼ同一平面上に配置することができる
と共に両者間の配線を短くすることができ、少なくとも
ＭＭＩＣの基板と誘電体基板の高さが略同一でない場合
に比べてこの高さの違いに基づく不要波モードや異常共
振を抑止することができ、この点でマイクロ波回路の動
作の信頼性を高めることができる。
【００２６】請求項５では、請求項２〜請求項４記載の
マイクロ波回路用パッケージにおいて、マイクロストリ
ップ線路とＭＭＩＣとを接続するビームリードを備えた
ことを特徴とする。
【００２７】マイクロストリップ線路とＭＭＩＣとをビ
ームリードで接続することで、強固なリードで少ないイ
ンダクタンスで両者を接続でき、マイクロ波回路の高周
波動作特性の向上を図ることができる。
【００２８】また、誘電体基板をＭＭＩＣの基板と略同
一の高さとすることでビームリードによる接続を容易に
することができる。更に、マイクロ波回路用パッケージ
自体の振動に対しても強い構造とすることができ、マイ
クロ波回路の信頼性を高めることができる。
【００２９】請求項６では、請求項１記載のマイクロ波
回路用パッケージにおいて、金属製基板上にフレームを
取り付け、このフレームおよびこれに当接する上蓋でＭ
ＭＩＣを封止すると共に、誘電体のスペーサをＭＭＩＣ
の基板よりも高くし、この誘電体をフレームの材質と同
一にしたことを特徴とする。
【００３０】誘電体のスペーサをＭＭＩＣの基板よりも
高くし、この誘電体をフレームの材質と同一にすること
で、各ＭＭＩＣをあたかもフレームで仕切って取り囲む
ようにすることができ、この誘電体に対してＭＭＩＣを
略対称に配置することで、各ＭＭＩＣを同一の共振系で
パッケージングでき、不要波モードや異常共振等を引き
起こさないようにすることができるとともに、各ＭＭＩ
Ｃの動作特性を均一にすることができ、マイクロ波回路
の信頼性を高めることができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施形
態に基づいて説明する。なお、図１０に示した従来の構
成と同一構成には同一符号を付して詳細な説明は省略す
る。
【００３２】図１は、本発明のマイクロ波回路用パッケ
ージの説明的断面図である。図２は、本発明のマイクロ
波回路用パッケージの説明的平面図であり、図１におい
てフレーム５と上蓋６（例えば、誘電体で構成した上
蓋）を取り除いた場合の平面図に対応し、−矢視断
面図が図１に対応している。
【００３３】図１と図２に示すマイクロ波回路用パッケ
ージ１０は、金属製基板３を備え、この金属製基板３上
にＭＭＩＣ１１，１２を取り付けて封止した構造をなし
ている。同一の金属製基板３上に複数のＭＭＩＣ１１，
１２を取り付けると共に、各ＭＭＩＣ１１，１２を仕切
る誘電体のスペーサ１５を取り付けて封止してある。
【００３４】ＭＭＩＣ１１の一端（電源供給端）は、金
属製基板３を絶縁して貫通し所定のバイアス電圧を供給
するバイアス供給用のＤＣ端子３４，３５とボンディン
グワイヤ４４，４５によって接続されている。
【００３５】ＭＭＩＣ１２の一端（電源供給端）は、金
属製基板３を絶縁して貫通し所定のバイアス電圧を供給
するバイアス供給用のＤＣ端子３６，３７とボンディン
グワイヤ４６，４７によって接続されている。
【００３６】各ＭＭＩＣを仕切る誘電体のスペーサを取
り付けて封止することで、パッケージ内容積をより小さ
く構成し、誘電体のスペーサに対して各ＭＭＩＣと各Ｄ
Ｃ端子を略対称に配置している。
【００３７】ＭＭＩＣ１１の高周波入力端は、ＲＦ端子
１１Ａとボンディングワイヤによって接続されている。
ＭＭＩＣ１１の２つの高周波出力端は、各々ＲＦ端子１
１Ｂ，１１Ｃとボンディングワイヤによって接続されて
いる。
【００３８】ＭＭＩＣ１２の高周波入力端は、ＲＦ端子
１２Ａとボンディングワイヤによって接続されている。
ＭＭＩＣ１２の２つの高周波出力端は、各々ＲＦ端子１
２Ｂ，１２Ｃとボンディングワイヤによって接続されて
いる。
【００３９】ＤＣ端子３４〜３７を金属製基板３面の垂
直方向に伸ばし、ＲＦ端子１１Ａ〜１１Ｃ，１２Ａ〜１
２Ｃを金属製基板３の対向する辺に設けて金属製基板３
面の水平方向または略水平方向に伸ばすことで、このマ
イクロ波回路用パッケージ１０の隣接配置および高密度
実装ができるようにしている。
【００４０】図３は、本発明のマイクロ波回路用パッケ
ージの説明的断面図である。図４は、本発明のマイクロ
波回路用パッケージの説明的平面図であり、図３におい
てフレーム５と上蓋６を取り除いた場合の平面図に対応
し、−矢視断面図が図３に対応している。
【００４１】図３と図４に示すマイクロ波回路用パッケ
ージ１０は、金属製基板３を備え、この金属製基板３上
にＭＭＩＣ１１，１２，１３を取り付けて封止した構造
をなしている。同一の金属製基板３上に複数のＭＭＩＣ
１１，１２，１３を取り付けると共に、ＭＭＩＣ１１，
１２を仕切る誘電体のスペーサ１５と、ＭＭＩＣ１２，
１３を仕切る誘電体のスペーサ１６とを取り付けて封止
してある。
【００４２】ＭＭＩＣ１１の一端（電源供給端）は、金
属製基板３を絶縁して貫通し所定のバイアス電圧を供給
するバイアス供給用のＤＣ端子３４，３５とボンディン
グワイヤ４４，４５によって接続されている。
【００４３】ＭＭＩＣ１２の一端（電源供給端）は、金
属製基板３を絶縁して貫通し所定のバイアス電圧を供給
するバイアス供給用のＤＣ端子３６，３７とボンディン
グワイヤ４６，４７によって接続されている。
【００４４】ＭＭＩＣ１３の一端（電源供給端）は、金
属製基板３を絶縁して貫通し所定のバイアス電圧を供給
するバイアス供給用のＤＣ端子３８，３９とボンディン
グワイヤ４８，４９によって接続されている。
【００４５】各ＭＭＩＣを仕切る誘電体のスペーサを取
り付けて封止することで、パッケージ内容積をより小さ
く構成し、誘電体のスペーサに対して各ＭＭＩＣと各Ｄ
Ｃ端子を略対称に配置している。
【００４６】ＭＭＩＣ１１の高周波入力端は、ＲＦ端子
１１Ａとボンディングワイヤによって接続されている。
ＭＭＩＣ１１の２つの高周波出力端は、各々ＲＦ端子１
１Ｂ，１１Ｃとボンディングワイヤによって接続されて
いる。
【００４７】ＭＭＩＣ１２の高周波入力端は、ＲＦ端子
１２Ａとボンディングワイヤによって接続されている。
ＭＭＩＣ１２の２つの高周波出力端は、各々ＲＦ端子１
２Ｂ，１２Ｃとボンディングワイヤによって接続されて
いる。
【００４８】ＭＭＩＣ１３の高周波入力端は、ＲＦ端子
１３Ａとボンディングワイヤによって接続されている。
ＭＭＩＣ１３の２つの高周波出力端は、各々ＲＦ端子１
３Ｂ，１３Ｃとボンディングワイヤによって接続されて
いる。
【００４９】ＤＣ端子３４〜３９を金属製基板３面の垂
直方向に伸ばし、ＲＦ端子１１Ａ〜１１Ｃ，１２Ａ〜１
２Ｃ，１３Ａ〜１３Ｃを金属製基板３の対向する辺に設
けて金属製基板３面の水平方向または略水平方向に伸ば
すことで、このマイクロ波回路用パッケージ１０の隣接
配置および高密度実装ができるようにしている。
【００５０】図５は、本発明のマイクロ波回路用パッケ
ージの説明的断面図である。図６は、本発明のマイクロ
波回路用パッケージの説明的平面図であり、図５におい
てフレーム５と上蓋６を取り除いた場合の平面図に対応
し、−矢視断面図が図５に対応している。
【００５１】図５と図６に示すマイクロ波回路用パッケ
ージ１０は、金属製基板３を備え、この金属製基板３上
にＭＭＩＣ１１，１２を取り付けて封止した構造をなし
ている。金属製基板３上にＭＭＩＣ１１，１２の基板
（ＭＭＩＣチップ）と略同一の高さの誘電体基板１４を
取り付けて封止すると共に、この誘電体基板１４上にス
トリップ導体（不図示）を設け、このストリップ導体と
誘電体基板１４と金属製基板３とでマイクロストリップ
線路を形成している。例えば、ストリップ導体の幅を
０．４８ｍｍとし、ストリップ導体の高さを０．００６
ｍｍとし、誘電体基板１４の高さは０．５１ｍｍとして
その材料にアルミナ磁器を使用する。
【００５２】ＭＭＩＣ１１の一端は、金属製基板３を絶
縁して貫通し所定のバイアス電圧を供給するバイアス供
給用のＤＣ端子３４，３５とボンディングワイヤ４４，
４５によって接続されている。
【００５３】ＭＭＩＣ１２の一端は、金属製基板３を絶
縁して貫通し所定のバイアス電圧を供給するバイアス供
給用のＤＣ端子３６，３７とボンディングワイヤ４６，
４７によって接続されている。
【００５４】金属製基板３上にＭＭＩＣ１１，１２の基
板と略同一の高さの誘電体基板１４を取り付けて封止す
ることで、パッケージ内容積をより小さく構成してい
る。
【００５５】ＭＭＩＣ１１，１２とマイクロストリップ
線路とをビームリード１１Ｄ，１２Ｄで接続している。
ＭＭＩＣ１１の高周波入力端は、誘電体基板１４上のス
トリップ導体（不図示）とビームリード１１Ｄによって
接続されている。ＭＭＩＣ１２の高周波入力端は、誘電
体基板１４上のストリップ導体（不図示）とビームリー
ド１２Ｄによって接続されている。
【００５６】ＭＭＩＣ１１の２つの高周波出力端は、各
々ＲＦ端子１１Ｂ，１１Ｃとボンディングワイヤによっ
て接続されている。ＭＭＩＣ１２の２つの高周波出力端
は、各々ＲＦ端子１２Ｂ，１２Ｃとボンディングワイヤ
によって接続されている。
【００５７】また、誘電体基板１４上のストリップ導体
（不図示）は、ＲＦ端子１４Ａとボンディングワイヤに
よって接続されている。誘電体基板１４上のストリップ
導体（不図示）により種々の回路素子を形成してもよ
く、例えば、高周波信号を分配する分配器を形成して、
ＲＦ端子数を削減してもよい。
【００５８】ＤＣ端子３４〜３７を金属製基板３面の垂
直方向に伸ばし、ＲＦ端子１１Ｂ，１１Ｃ，１２Ｂ，１
２Ｃ，１４Ａを金属製基板３の対向する辺に設けて金属
製基板３面の水平方向または略水平方向に伸ばすこと
で、このマイクロ波回路用パッケージ１０の隣接配置お
よび高密度実装ができるようにしている。
【００５９】図７は、本発明のマイクロ波回路用パッケ
ージの説明的平面図であり、フレームと上蓋を取り除い
た場合の平面図に対応し、−矢視断面図は図１のよ
うになる。
【００６０】図７に示すマイクロ波回路用パッケージ１
０は、金属製基板３を備え、この金属製基板３上にＭＭ
ＩＣ１１，１２を取り付けて封止した構造をなしてい
る。同一の金属製基板３上に複数のＭＭＩＣ１１，１２
を取り付けると共に、各ＭＭＩＣ１１，１２を仕切る誘
電体のスペーサ１５を取り付けて封止してある。また、
金属製基板３上にＭＭＩＣ１１，１２の基板（ＭＭＩＣ
チップ）と略同一の高さの誘電体基板１４を取り付けて
封止すると共に、この誘電体基板１４上にストリップ導
体（不図示）を設け、このストリップ導体と誘電体基板
１４と金属製基板３とでマイクロストリップ線路を形成
している。
【００６１】ＭＭＩＣ１１の一端は、金属製基板３を絶
縁して貫通し所定のバイアス電圧を供給するバイアス供
給用のＤＣ端子３４，３５とボンディングワイヤ４４，
４５によって接続されている。
【００６２】ＭＭＩＣ１２の一端は、金属製基板３を絶
縁して貫通し所定のバイアス電圧を供給するバイアス供
給用のＤＣ端子３６，３７とボンディングワイヤ４６，
４７によって接続されている。
【００６３】各ＭＭＩＣ１１，１２を仕切る誘電体のス
ペーサ１５を取り付けて封止することで、パッケージ内
容積をより小さく構成し、誘電体のスペーサ１５に対し
て各ＭＭＩＣと各ＤＣ端子を略対称に配置している。ま
た、金属製基板３上にＭＭＩＣ１１，１２の基板と略同
一の高さの誘電体基板１４を取り付けて封止すること
で、パッケージ内容積をより小さく構成している。
【００６４】ＭＭＩＣ１１，１２とマイクロストリップ
線路とをビームリード１１Ｄ，１２Ｄで接続している。
ＭＭＩＣ１１の高周波入力端は、誘電体基板１４上のス
トリップ導体（不図示）とビームリード１１Ｄによって
接続されている。ＭＭＩＣ１２の高周波入力端は、誘電
体基板１４上のストリップ導体（不図示）とビームリー
ド１２Ｄによって接続されている。
【００６５】ＭＭＩＣ１１の２つの高周波出力端は、各
々ＲＦ端子１１Ｂ，１１Ｃとボンディングワイヤによっ
て接続されている。ＭＭＩＣ１２の２つの高周波出力端
は、各々ＲＦ端子１２Ｂ，１２Ｃとボンディングワイヤ
によって接続されている。
【００６６】また、誘電体基板１４上のストリップ導体
（不図示）は、ＲＦ端子１４Ａとボンディングワイヤに
よって接続されている。誘電体基板１４上のストリップ
導体（不図示）により種々の回路素子を形成してもよ
く、例えば、高周波信号を分配する分配器を形成して、
ＲＦ端子数を削減してもよい。
【００６７】ＤＣ端子３４〜３７を金属製基板３面の垂
直方向に伸ばし、ＲＦ端子１１Ｂ，１１Ｃ，１２Ｂ，１
２Ｃ，１４Ａを金属製基板３の対向する辺に設けて金属
製基板３面の水平方向または略水平方向に伸ばすこと
で、このマイクロ波回路用パッケージ１０の隣接配置お
よび高密度実装ができるようにしている。
【００６８】図８は、本発明のマイクロ波回路用パッケ
ージの説明的断面図である。図９は、本発明のマイクロ
波回路用パッケージの説明的平面図であり、図８におい
てフレーム５と上蓋６を取り除いた場合の平面図に対応
し、−矢視断面図が図８に対応している。
【００６９】図８と図９に示すマイクロ波回路用パッケ
ージ１０は、金属製基板３を備え、この金属製基板３上
にＭＭＩＣ１１，１２を取り付けて封止した構造をなし
ている。また、金属製基板３上にＭＭＩＣ１１，１２の
基板（ＭＭＩＣチップ）と略同一の高さの誘電体基板１
４を取り付けて封止すると共に、この誘電体基板１４上
にストリップ導体（不図示）を設け、このストリップ導
体と誘電体基板１４と金属製基板３とでマイクロストリ
ップ線路を形成している。更に、誘電体基板１４をＴ字
型にして各ＭＭＩＣ１１，１２を仕切るように取り付け
て封止している。
【００７０】ＭＭＩＣ１１の一端は、金属製基板３を絶
縁して貫通し所定のバイアス電圧を供給するバイアス供
給用のＤＣ端子３４，３５とボンディングワイヤ４４，
４５によって接続されている。
【００７１】ＭＭＩＣ１２の一端は、金属製基板３を絶
縁して貫通し所定のバイアス電圧を供給するバイアス供
給用のＤＣ端子３６，３７とボンディングワイヤ４６，
４７によって接続されている。
【００７２】各ＭＭＩＣ１１，１２を仕切る誘電体基板
１４を取り付けて封止することで、パッケージ内容積を
より小さく構成し、Ｔ字型の誘電体基板１４における中
央の突起部に対して各ＭＭＩＣと各ＤＣ端子を略対称に
配置している。また、金属製基板３上にＭＭＩＣ１１，
１２の基板と略同一の高さの誘電体基板１４を取り付け
て封止することで、パッケージ内容積をより小さく構成
している。
【００７３】ＭＭＩＣ１１，１２とマイクロストリップ
線路とをビームリード１１Ｄ，１２Ｄで接続している。
ＭＭＩＣ１１の高周波入力端は、誘電体基板１４上のス
トリップ導体（不図示）とビームリード１１Ｄによって
接続されている。ＭＭＩＣ１２の高周波入力端は、誘電
体基板１４上のストリップ導体（不図示）とビームリー
ド１２Ｄによって接続されている。
【００７４】ＭＭＩＣ１１の２つの高周波出力端は、各
々ＲＦ端子１１Ｂ，１１Ｃとボンディングワイヤによっ
て接続されている。ＭＭＩＣ１２の２つの高周波出力端
は、各々ＲＦ端子１２Ｂ，１２Ｃとボンディングワイヤ
によって接続されている。
【００７５】また、誘電体基板１４上のストリップ導体
（不図示）は、ＲＦ端子１４Ａとボンディングワイヤに
よって接続されている。誘電体基板１４上のストリップ
導体（不図示）により種々の回路素子を形成してもよ
く、例えば、高周波信号を分配する分配器を形成して、
ＲＦ端子数を削減してもよい。
【００７６】ＤＣ端子３４〜３７を金属製基板３面の垂
直方向に伸ばし、ＲＦ端子１１Ｂ，１１Ｃ，１２Ｂ，１
２Ｃ，１４Ａを金属製基板３の対向する辺に設けて金属
製基板３面の水平方向または略水平方向に伸ばすこと
で、このマイクロ波回路用パッケージ１０の隣接配置お
よび高密度実装ができるようにしている。
【００７７】なお、上記の各実施形態において、誘電体
基板１４上のストリップ導体（マイクロストリップ線路
のストリップ導体）とＲＦ端子１４Ａとを金等のビーム
リードや帯状リボンで接続してもよい。ＭＭＩＣ１１，
１２，１３の高周波入力端とＲＦ端子１１Ａ，１２Ａ，
１３Ａとを金等のビームリードや帯状リボンで接続して
もよい。ＭＭＩＣ１１，１２，１３の高周波出力端とＲ
Ｆ端子１１Ｂ，１１Ｃ，１２Ｂ，１２Ｃ，１３Ｂ，１３
Ｃとを金等のビームリードや帯状リボンで接続してもよ
い。ビームリード１１Ｄ，１２Ｄに代えて、帯状リボン
を用いてもよい。ＲＦ端子と金属製基板３との間に誘電
体を介在させてもよい。
【００７８】上記の各実施形態において、ボンディング
ワイヤを用いずに金等のビームリードや帯状リボンで接
続し、上蓋を低くしてマイクロ波回路用パッケージの小
型化を図ってもよい。
【００７９】また、マイクロ波回路用パッケージのフレ
ーム５の材質で誘電体のスペーサ１５を形成してもよ
く、マイクロ波回路用パッケージのフレーム５の内側に
金属膜を形成してある場合は、誘電体のスペーサ１５の
表面（または側面）に金属膜を形成してもよい。
【００８０】ＲＦ端子１１Ａ〜１１Ｃ，１２Ａ〜１２
Ｃ，１３Ａ〜１３Ｃ，１４Ａは、ＤＣ端子３４〜３９と
同様に、金属製基板３面の垂直方向に伸ばしてもよい。
ＲＦ端子のボンディング部は常に幅広にする必要はな
く、幅を狭くしてもよい。
【００８１】本発明を特願平７−２３９３１１号にて提
案しているレーダーモジュール及びアンテナ装置に適用
してもよい。例えば、ＭＭＩＣ中に４個の高周波数の電
界効果トランジスタ（ＦＥＴ）と２個のミキサーを備
え、このＭＭＩＣをマイクロ波回路用パッケージに複数
取り付けてマルチチップ回路を構成してもよい。
【００８２】誘電体基板１４上のストリップ導体（不図
示）により種々の回路素子を形成する場合は、ストリッ
プ導体を一部広くしたり、または狭くしたりすることに
より分布定数形回路素子を形成できる。図１１にマイク
ロストリップ線路（のストリップ導体）で形成した回路
素子を例示する。なお、上記実施形態は本発明の一例で
あり、本発明は上記実施形態に限定されない。
【００８３】
【発明の効果】請求項１のマイクロ波回路用パッケージ
によれば、各ＭＭＩＣを仕切る誘電体のスペーサを取り
付けて封止することで、パッケージ内容積をより小さく
構成でき、不要波モードや異常共振等を引き起こさない
ようにすることができる。
【００８４】また、各ＭＭＩＣを誘電体のスペーサで仕
切りこの誘電体に対して略対称に配置することで、各Ｍ
ＭＩＣを同一の共振系でパッケージングでき、不要波モ
ードや異常共振等を引き起こさないようにすることがで
きると共に、各ＭＭＩＣの動作特性を均一にすることが
でき、マイクロ波回路の信頼性を高めることができる。
【００８５】請求項２のマイクロ波回路用パッケージに
よれば、金属製基板上にＭＭＩＣの基板と略同一の高さ
の誘電体基板を取り付けて封止することで、パッケージ
内容積をより小さく構成でき、不要波モードや異常共振
等を引き起こさないようにすることができる。
【００８６】また、ＭＭＩＣの基板と略同一（同一の場
合を含む）の高さの誘電体基板上にストリップ導体を設
けてマイクロストリップ線路を形成することで、ストリ
ップ導体とＭＭＩＣの回路面とをほぼ同一平面上に配置
することができ、ストリップ導体の配線とＭＭＩＣの配
線とをほぼ同一平面上に配置することができると共に両
者間の配線を短くすることができ、少なくともＭＭＩＣ
の基板と誘電体基板の高さが略同一でない場合に比べて
この高さの違いに基づく不要波モードや異常共振を抑止
することができ、この点でマイクロ波回路の動作の信頼
性を高めることができる。更に、このマイクロストリッ
プ線路で高周波信号を低い伝送損失で安定にＭＭＩＣに
供給することができる。
【００８７】請求項３のマイクロ波回路用パッケージに
よれば、金属製基板上にＭＭＩＣの基板と略同一の高さ
の誘電体基板を取り付けて封止することで、パッケージ
内容積をより小さく構成でき、不要波モードや異常共振
等を引き起こさないようにすることができる。
【００８８】更に、各ＭＭＩＣを誘電体基板で仕切りこ
の誘電体に対して略対称に配置することで、各ＭＭＩＣ
を同一の共振系でパッケージングでき、不要波モードや
異常共振等を引き起こさないようにすることができると
ともに、各ＭＭＩＣの動作特性を均一にすることがで
き、マイクロ波回路の信頼性を高めることができる。
【００８９】また、ＭＭＩＣの基板と略同一（同一の場
合を含む）の高さの誘電体基板上にストリップ導体を設
けてマイクロストリップ線路を形成することで、ストリ
ップ導体とＭＭＩＣの回路面とをほぼ同一平面上に配置
することができ、ストリップ導体の配線とＭＭＩＣの配
線とをほぼ同一平面上に配置することができると共に両
者間の配線を短くすることができ、少なくともＭＭＩＣ
の基板と誘電体基板の高さが略同一でない場合に比べて
この高さの違いに基づく不要波モードや異常共振を抑止
することができ、この点でマイクロ波回路の動作の信頼
性を高めることができる。更に、このマイクロストリッ
プ線路で高周波信号を低い伝送損失で安定にＭＭＩＣに
供給することができる。
【００９０】請求項４のマイクロ波回路用パッケージに
よれば、マイクロストリップ線路（のストリップ導体）
でキャパシタンスやインダクタンス等の回路素子を形成
することで、誘電体基板上に回路素子を低く小さく形成
することができ、ＭＭＩＣ内に形成が困難な回路素子ま
たはＭＭＩＣ内に小さく形成することが困難な回路素子
をＭＭＩＣと一緒に容易にパッケージングすることがで
きる。
【００９１】また、ＭＭＩＣの基板と略同一（同一の場
合を含む）の高さの誘電体基板上にストリップ導体で形
成した回路素子を備えることで、この回路素子（のスト
リップ導体）とＭＭＩＣの回路面とをほぼ同一平面上に
配置することができ、回路素子の配線とＭＭＩＣの配線
とをほぼ同一平面上に配置することができると共に両者
間の配線を短くすることができ、少なくともＭＭＩＣの
基板と誘電体基板の高さが略同一でない場合に比べてこ
の高さの違いに基づく不要波モードや異常共振を抑止す
ることができ、この点でマイクロ波回路の動作の信頼性
を高めることができる。
【００９２】請求項５のマイクロ波回路用パッケージに
よれば、マイクロストリップ線路（のストリップ導体）
とＭＭＩＣとをビームリードで接続することで、強固な
リードで少ないインダクタンスで両者を接続でき、マイ
クロ波回路の高周波動作特性の向上を図ることができ
る。
【００９３】また、ストリップ導体を設けた誘電体基板
をＭＭＩＣの基板と略同一の高さとすることでビームリ
ードによる接続を容易にすることができる。更に、マイ
クロ波回路用パッケージ自体の振動に対しても強い構造
とすることができ、マイクロ波回路の信頼性を高めるこ
とができる。
【００９４】請求項６のマイクロ波回路用パッケージに
よれば、誘電体のスペーサをＭＭＩＣの基板よりも高く
し、この誘電体をフレームの材質と同一にすることで、
各ＭＭＩＣをあたかもフレームで仕切って取り囲むよう
にすることができ、この誘電体に対してＭＭＩＣを略対
称に配置することで、各ＭＭＩＣを同一の共振系でパッ
ケージングでき、不要波モードや異常共振等を引き起こ
さないようにすることができるとともに、各ＭＭＩＣの
動作特性を均一にすることができ、マイクロ波回路の信
頼性を高めることができる。
【００９５】以上から、本発明によれば、パッケージ内
容積を小さく構成でき、安定した高周波特性が得られる
信頼性の高いマイクロ波回路用パッケージを提供するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的
断面図
【図２】本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的
平面図
【図３】本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的
断面図
【図４】本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的
平面図
【図５】本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的
断面図
【図６】本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的
平面図
【図７】本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的
平面図
【図８】本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的
断面図
【図９】本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的
平面図
【図１０】従来のマイクロ波回路用パッケージを示す断
面図
【図１１】マイクロストリップ線路で形成した回路素子
の説明図
【符号の説明】
１…ＭＭＩＣ素子 ２…回路基板 ３…金属製基板 ５…フレーム ６…上蓋 １０，５０…マイクロ波回路用パッケージ １１，１２，１３…ＭＭＩＣ １１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ…高周波端子（ＲＦ端子） １１Ｄ…ビームリード １２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ…高周波端子（ＲＦ端子） １２Ｄ…ビームリード １３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ…高周波端子（ＲＦ端子） １４Ａ…高周波端子（ＲＦ端子） １４…誘電体基板 １５，１６…誘電体のスペーサ ２１…駆動回路 ２１Ａ…回路素子 ３１，３２，３４〜３９…直流端子（ＤＣ端子） ３１Ａ，３２Ａ，３４Ａ〜３９Ａ…絶縁体 ４１〜４９…ボンディングワイヤ Ｌ…長さ λg …波長

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属製基板を備え、この金属製基板上に
    ＭＭＩＣを取り付けて封止した構造のマイクロ波回路用
    パッケージにおいて、 同一の金属製基板上に複数のＭＭＩＣを取り付けると共
    に、各ＭＭＩＣを仕切る誘電体のスペーサを取り付けて
    封止したことを特徴とするマイクロ波回路用パッケー
    ジ。
  2. 【請求項２】 金属製基板を備え、この金属製基板上に
    ＭＭＩＣを取り付けて封止した構造のマイクロ波回路用
    パッケージにおいて、 前記金属製基板上にＭＭＩＣの基板と略同一の高さの誘
    電体基板を取り付けて封止すると共に、この誘電体基板
    上にストリップ導体を設けてマイクロストリップ線路を
    形成したことを特徴とするマイクロ波回路用パッケー
    ジ。
  3. 【請求項３】 金属製基板を備え、この金属製基板上に
    ＭＭＩＣを取り付けて封止した構造のマイクロ波回路用
    パッケージにおいて、 同一の金属製基板上に複数のＭＭＩＣを取り付けると共
    に、ＭＭＩＣの基板と略同一の高さで各ＭＭＩＣを仕切
    る誘電体基板を取り付けて封止し、この誘電体基板上に
    ストリップ導体を設けてマイクロストリップ線路を形成
    したことを特徴とするマイクロ波回路用パッケージ。
  4. 【請求項４】 前記マイクロストリップ線路で形成した
    回路素子を備えたことを特徴とする請求項２〜３記載の
    マイクロ波回路用パッケージ。
  5. 【請求項５】 前記マイクロストリップ線路と前記ＭＭ
    ＩＣとを接続するビームリードを備えたことを特徴とす
    る請求項２〜４記載のマイクロ波回路用パッケージ。
  6. 【請求項６】 前記金属製基板上にフレームを取り付
    け、このフレームおよびこれに当接する上蓋でＭＭＩＣ
    を封止すると共に、前記誘電体のスペーサをＭＭＩＣの
    基板よりも高くし、前記誘電体を前記フレームの材質と
    同一にしたことを特徴とする請求項１記載のマイクロ波
    回路用パッケージ。
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