JPH0744023Y2 - マイクロ波集積回路用パツケ−ジ - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は、マイクロ波集積回路用パッケージに関し、さ
らに詳しくは、衛星搭載用等に好適な超高周波特性なら
びに超気密性を必要とするマイクロ波増幅器などを収納
したマイクロ波集積回路用パッケージに関する。

［従来の技術］ 従来、マイクロ波集積回路を構成している増幅器等の収
納パッケージとしては、例えば実開昭59−3548号公報に
開示されている第3A図に示すようなものが知られてい
る。ここで、１は図示されていないケース等にねじ等で
取付可能な金属基体であり、２は金属基体１上に設けら
れた金属製あるいはセラミック製の枠体である。なお、
枠体２は電磁シールド効果が得られる点や不要な共振現
象の抑制ができる点で金属製の方が多用されている。

３はマイクロ波集積回路増幅器であり、枠体２内の金属
基体１上に取付られていて、一方、枠体２の方向を同じ
くする平行壁にはセラミック端子として構成された高周
波入出力端子４やバイアス電圧供給用端子５が複数個、
図示のように配列されている。すなわち、4Aは高周波入
力用マイクロストリップ基板、4Bは高周波出力用マイク
ロストリップ基板、また5Aはバイアス電圧供給用のマイ
クロストリップ基板であり、６はこれらのストリップ基
板上に配設されたマイクロストリップによる表面導体ま
たは線路導体、更に７はこれらのストリップ基板上に重
ねるようにして枠壁2Aに埋設されたセラミック等による
絶縁体である。

かくして、マイクロ波集積回路増幅器３と、導体６とは
ボンディングワイヤ8Aや金リボン8Bによって電気的に接
続される。９は枠体２の上面に覆蓋される蓋部材、10は
金属基体１を不図示のケースに固定するためのねじ用の
孔である。

また、第3A図に示した形態とは別に、第3B図に示すよう
なマイクロ波回路増幅器用の金属パッケージが例えば実
開昭61−86944号公報に開示されている。本例は、高周
波入力信号あるいは高周波出力信号とバイアス電圧とを
同一端子で取扱う増幅器用のもので、ここで、11はその
リード端子、12は蓋部材９を密封させるためのろう材で
ある。

ただし、本例は内部に高周波入力信号とバイアス電圧と
を分離する機能を有するようなマイクロ波集積回路増幅
器には適用できるが、一般のマイクロ波集積回路増幅器
にはそのまま使用できず、この形態のものを使用するた
めにはパッケージの外部と内部との間に直流電圧と高周
波信号の重畳／分離用回路を必要とし、また、多数のバ
イアス電圧を必要とする回路には使用できない等汎用性
のないものである。

そこで、再び第3A図の例に戻るが、かかる形態のパッケ
ージにおいてパッケージ内に複数のマイクロ波集積回路
増幅器が収納される場合、バイアス電圧の種類も増え、
必然的にバイアス電圧供給用端子の数もそれに連れて増
加するので、パッケージが大型化し、パッケージの実装
密度の低下を招くと共に、高周波化が図れない。

すなわち、第3A図に示すように、線路導体６が設けられ
るマイクロストリップ基板4A,4Bおよび5Aにおいては、
その導体６と枠体２との間の絶縁性が確保されねばなら
ず、また、高周波入出力特性の高品質化を図る点からマ
イクロストリップ基板の幅を導体６の幅に対して約３〜
５倍とする必要があり、端子自体の幅が大きくなる結
果、枠体２の一辺の長さが長くなってしまい、パッケー
ジの小型化および適用できる入出力信号の超高周波化が
図れないという欠点があった。

［考案が解決しようとする問題点］ すなわち、以上に述べてきたように、従来の形態のマイ
クロ波集積回路用パッケージでは、高周波信号入出力用
信号線と直交する方向の枠壁間の幅を短縮することが困
難であり、そのために、高周波化が図れず、特に数多く
のバイアス電圧供給用端子を設ける場合、ますます枠
体、従ってパッケージ自体の寸法の増大を招く。

そこで、本考案の目的は、上述従来の欠点を除去し、数
多くのバイアス電圧供給用端子に対しても枠体の長さを
増大させることなく配列させることができてパッケージ
内の実装密度を高め、良好な高周波特性が得られ、しか
も端子用のマイクロセラミック基板等セラミック部品の
数が少なくて簡単な製造工程ですむ廉価なマイクロ波集
積回路用パッケージを提供することにある。

［問題点を解決するための手段］ かかる目的を達成するために、本考案は、マイクロ波集
積回路を取り付けた基体と、該基体上に前記マイクロ波
集積回路を取り囲んで設けられた方形の枠体とを有する
マイクロ波集積回路用パッケージにおいて、少なくとも
１条の導体を表面に配置してなるセラミック基板の複数
個を、その各セラミック基板において前記少なくとも１
条の導体の両端部が露出するようにして、複数段に積層
し、その最上部層に直下の導体の両端部を露出させつつ
絶縁体を配置して一体化したセラミック端子部材を、前
記基体および枠体に埋設して、前記マイクロ波集積回路
との間の接続を行うようにしたことを特徴とするもので
ある。

［作用］ 本考案マイクロ波集積回路用パッケージによれば、バイ
アス電圧供給用等の端子を階段状に累積して多段化し、
その最上部層に絶縁体を配置して一体化した状態のマイ
クロストリップ基板型の端子としたことによって、枠壁
の長さの増大を伴うことなく端子の増加に対処すること
が可能となり、高周波化を図る点からも貢献する処が大
である。

［実施例］ 以下に、図面を参照して本考案の実施例を具体的に説明
する。

第１図は本考案にかかわる複数の端子を階段状に累積し
た形態のマイクロストリップ基板型セラミック端子部材
の一例を示す。すなわち、従来のものは第3A図に示した
ように１つのセラミック基板上にマイクロストリップ線
路の導体６が電極パターンとして設けられ、その上に絶
縁体７が重ねられて端子４や５が構成されているにすぎ
なかったが、本例では、大小複数のセラミック基板、こ
の場合２枚のセラミック基板21Aおよび21Bと、更にその
上に絶縁体（セラミックスであってもよい）７が階段状
に重ねられ、個々のセラミック基板21Aおよび21B上にマ
イクロストリップによる表面導体もしくは線路導体６が
配設される。

かくして、複数のバイアス電圧供給用端子５を上述した
ような累積マイクロストリップ基板型のセラミック端子
部材50として構成した実施例を第２図に示す。ここで、
31は金属基体、32は基体31上の複数のマイクロ波集積回
路増幅器３を囲繞するようにして配設された金属枠体で
ある。また、本例では、金属基体31に段差部31Aが形成
されていて、この段差部31Aと枠壁32Aおよび段差部31A
と枠型32Bにかけて高周波入出力端子４および複数のバ
イアス電圧供給用端子を有するセラミック端子部材がそ
れぞれ埋設されている。

なおここで、マイクロ波集積回路増幅器３の双互間およ
び増幅器３と個々のバイアス電圧供給用線路導体６との
間はボンディングワイヤ8Aで接続され、また、増幅器３
と高周波入出力端子４の線路導体６との間は金リボン8B
によって接続される。

そこで次に、このような構成のパッケージを製造する場
合について述べると、焼結前のセラミックシートである
大小のグリーンシート上にマイクロストリップ線路用の
導体膜をパターンニングしてからこれら複数のシートを
積層し、その上部に絶縁体７を設置して一体化した上、
金属枠体接着用のメタライズ層を枠体32および金属基体
31との接合部に設けるようにするだけでよい。

従って、セラミック端子部材50として端子の製造個数を
削減することができる点で製造コストの低減につなが
り、また、バイアス電圧供給用端子５の横並びの数が少
なくなるので、金属枠体32の構造をそれだけ強固にする
ことができて安定したパッケージが得られる。

なお、上述した例ではセラミック基板が２段の場合であ
ったが、本考案の適用はこれに限られるものではなく、
例えば３段あるいはそれ以上とすることができるのはい
うまでもない。また、セラミック基板上に設けられる表
面導体あるいは線路導体についても、１本に限らず個々
のセラミック基板上に複数の上述した導体を並列に配設
させるようにすることも可能である。

［考案の効果］ 以上説明してきたように、本考案によれば、少なくとも
１条の導体を表面に配置してなるセラミック基板の複数
個を、その各セラミック基板において前記少なくとも１
条の導体の両端部が露出するようにして、複数段に積層
し、その最上部層に直下の導体の両端部を露出させつつ
絶縁体を配置して一体化したセラミック端子部材を、前
記基体および枠体に埋設して、前記マイクロ波集積回路
との間の接続を行うようにしたので、パッケージ内に複
数のマイクロ波集積回路増幅器を実装する場合や供給バ
イアス電圧の種数や端子数を数多く必要とする場合の金
属パッケージとして好適であり、また、パッケージの小
型化が図れる点で高周波化に貢献し、廉価でしかも強固
な構造のマイクロ波集積回路用パッケージを提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案にかかるセラミック端子部材の構成の一
例を示す斜視図、 第２図は本考案マイクロ波集積回路用パッケージの構成
の一例を示す斜視図、 第3A図および第3B図は従来のマイクロ波集積回路用パッ
ケージの構成の２例をそれぞれ示す斜視図である。 1,31……金属基体、31A……段差部、2,32……金属枠
体、2A,32A,32B……枠壁、３……マイクロ波集積回路増
幅器、４……高周波入出力端子、4A,4B,5A……マイクロ
ストリップ基板、５……バイアス電圧供給用端子、６…
…（線路または表面）導体、７……絶縁体、8A……ボン
ディングワイヤ、8B……金リボン、９……蓋部材、10…
…ねじ孔、11……リード線、21A,21B……セラミック基
板、50……セラミック端子部材。

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】マイクロ波集積回路を取り付けた基体と、
   該基体上に前記マイクロ波集積回路を取り囲んで設けら
   れた方形の枠体とを有するマイクロ波集積回路用パッケ
   ージにおいて、 少なくとも１条の導体を表面に配置してなるセラミック
   基板の複数個を、その各セラミック基板において前記少
   なくとも１条の導体の両端部が露出するようにして、複
   数段に積層し、その最上部層に直下の導体の両端部を露
   出させつつ絶縁体を配置して一体化したセラミック端子
   部材を、前記基体および枠体に埋設して、前記マイクロ
   波集積回路との間の接続を行うようにしたことを特徴と
   するマイクロ波集積回路用パッケージ。
2. 【請求項２】実用新案登録請求の範囲第１項記載のマイ
   クロ波集積回路用パッケージにおいて、 前記端子部材のうち、バイアス電圧供給用の端子部材
   を、高周波入出力用の端子部材が配設された枠壁と交差
   する方向の枠壁に配設したことを特徴とするマイクロ波
   集積回路用パッケージ。