JP2000151222A - 高周波モジュール - Google Patents
高周波モジュールInfo
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- JP2000151222A JP2000151222A JP10324250A JP32425098A JP2000151222A JP 2000151222 A JP2000151222 A JP 2000151222A JP 10324250 A JP10324250 A JP 10324250A JP 32425098 A JP32425098 A JP 32425098A JP 2000151222 A JP2000151222 A JP 2000151222A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波モジュールにおいて、大規模集積化に
対応でき、外部回路との接続が容易で可換性を高くする
こと。 【解決手段】 高周波回路用半導体のベアチップ２が載
置され高周波の入出力を行う導波管インターフェイスを
形成する穴３ａを有する金属下板３と、前記ベアチップ
に電気的に接続された高周波回路４ｃを有する有機基板
４と、前記高周波回路に非接触状態で前記有機基板を挟
んで前記金属下板と張り合わされる金属上板５とを備
え、前記有機基板は、前記金属下板および前記金属上板
からはみ出させた部分に他の回路基板と接続するための
直流バイアスおよび中間周波数のインターフェイスＩが
形成されている。
対応でき、外部回路との接続が容易で可換性を高くする
こと。 【解決手段】 高周波回路用半導体のベアチップ２が載
置され高周波の入出力を行う導波管インターフェイスを
形成する穴３ａを有する金属下板３と、前記ベアチップ
に電気的に接続された高周波回路４ｃを有する有機基板
４と、前記高周波回路に非接触状態で前記有機基板を挟
んで前記金属下板と張り合わされる金属上板５とを備
え、前記有機基板は、前記金属下板および前記金属上板
からはみ出させた部分に他の回路基板と接続するための
直流バイアスおよび中間周波数のインターフェイスＩが
形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波モジュー
ル、特にマイクロ波およびミリ波帯で用いるモジュール
に関する。
ル、特にマイクロ波およびミリ波帯で用いるモジュール
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のマイクロ波及びミリ波帯のモジュ
ールでは、ケース共振等に代表されるマイクロ波ミリ波
信号への悪影響を押さえ、かつ、ベアの半導体を外部環
境から保護するため金属壁で囲まれたいわゆるＭＩＣ形
式が一般的に用いられてきた。
ールでは、ケース共振等に代表されるマイクロ波ミリ波
信号への悪影響を押さえ、かつ、ベアの半導体を外部環
境から保護するため金属壁で囲まれたいわゆるＭＩＣ形
式が一般的に用いられてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の形式では、
四方が金属壁で囲まれるため、ＤＣ（直流バイアス）及
び中間周波数の短絡を防ぐように外部とのインターフェ
イスは、ガラス封入された金属ピンを用いてきた。これ
は、パッケージのコストが上昇するばかりでなく、近年
の急激な回路集積化及び大規模化に対応することが困難
であるという不都合があった。更に、ピン数が増大して
いくとき、外部回路基板と接続が難しくなり可換性が著
しく低下するという問題があった。
四方が金属壁で囲まれるため、ＤＣ（直流バイアス）及
び中間周波数の短絡を防ぐように外部とのインターフェ
イスは、ガラス封入された金属ピンを用いてきた。これ
は、パッケージのコストが上昇するばかりでなく、近年
の急激な回路集積化及び大規模化に対応することが困難
であるという不都合があった。更に、ピン数が増大して
いくとき、外部回路基板と接続が難しくなり可換性が著
しく低下するという問題があった。
【０００４】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
ので、大規模集積化に対応でき、外部回路との接続が容
易で可換性が高い高周波モジュールを提供することを目
的とする。
ので、大規模集積化に対応でき、外部回路との接続が容
易で可換性が高い高周波モジュールを提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するため、以下の構成を採用した。すなわち、請求項
１記載の高周波モジュールでは、高周波回路用半導体の
ベアチップが載置され高周波の入出力を行う導波管イン
ターフェイスを形成する穴を有する金属下板と、前記ベ
アチップに電気的に接続された高周波回路を有する有機
基板と、前記高周波回路に非接触状態で前記有機基板を
挟んで前記金属下板と張り合わされる金属上板とを備
え、前記有機基板は、前記金属下板および前記金属上板
からはみ出させた部分に他の回路基板と接続するための
直流バイアスおよび中間周波数のインターフェイスが形
成されている技術が採用される。
決するため、以下の構成を採用した。すなわち、請求項
１記載の高周波モジュールでは、高周波回路用半導体の
ベアチップが載置され高周波の入出力を行う導波管イン
ターフェイスを形成する穴を有する金属下板と、前記ベ
アチップに電気的に接続された高周波回路を有する有機
基板と、前記高周波回路に非接触状態で前記有機基板を
挟んで前記金属下板と張り合わされる金属上板とを備
え、前記有機基板は、前記金属下板および前記金属上板
からはみ出させた部分に他の回路基板と接続するための
直流バイアスおよび中間周波数のインターフェイスが形
成されている技術が採用される。
【０００６】請求項２記載の高周波モジュールでは、請
求項１記載の高周波モジュールにおいて、前記ベアチッ
プは、熱硬化性低誘電率のガラス材料でモールドされて
いる技術が採用される。
求項１記載の高周波モジュールにおいて、前記ベアチッ
プは、熱硬化性低誘電率のガラス材料でモールドされて
いる技術が採用される。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る高周波モジュ
ールの第１実施形態を、図１から図７を参照しながら説
明する。これらの図において、符号１はモジュール、２
はベアチップ、３は金属ベース、４は有機基板、５は金
属キャップである。
ールの第１実施形態を、図１から図７を参照しながら説
明する。これらの図において、符号１はモジュール、２
はベアチップ、３は金属ベース、４は有機基板、５は金
属キャップである。
【０００８】本実施形態は、図１から図６に示すよう
に、本発明に係る高周波モジュールとしてマイクロ波ミ
リ波帯用のモジュール１に適用したものであって、マイ
クロ波ＩＣ（高周波回路用半導体素子）であるベアチッ
プ２を載置し導波管インターフェイスを形成するため穴
３ａを有する板状の金属ベース（金属下板）３と、ベア
チップ２搭載のためのキャビティ４ａ、バイアホール４
ｂ、マイクロ波及びミリ波回路４ｃを有する多層構造で
弾力性を有した有機基板（例えば、ポリイミド材料基
板）４と、マイクロ波及びミリ波回路４ｃに非接触状態
で有機基板４を挟んで金属ベース３と張り合わされる板
状の金属キャップ（金属上板）５を備えている。
に、本発明に係る高周波モジュールとしてマイクロ波ミ
リ波帯用のモジュール１に適用したものであって、マイ
クロ波ＩＣ（高周波回路用半導体素子）であるベアチッ
プ２を載置し導波管インターフェイスを形成するため穴
３ａを有する板状の金属ベース（金属下板）３と、ベア
チップ２搭載のためのキャビティ４ａ、バイアホール４
ｂ、マイクロ波及びミリ波回路４ｃを有する多層構造で
弾力性を有した有機基板（例えば、ポリイミド材料基
板）４と、マイクロ波及びミリ波回路４ｃに非接触状態
で有機基板４を挟んで金属ベース３と張り合わされる板
状の金属キャップ（金属上板）５を備えている。
【０００９】前記有機基板４には、マイクロ波及びミリ
波回路４ｃを形成するのに必要となる能動デバイス及び
受動回路が搭載され、多層構造によって、図２に示すよ
うに、内層または表面パターンを利用して、マイクロ波
及びミリ波回路４ｃ、トランジスタ等の能動デバイスに
バイアスを供給するＤＣ回路４ｄおよび中間周波数回路
４ｅが形成されている。また、有機基板４は、金属ベー
ス３に導電性接着剤として高融点ソルダーＳを用いて接
合され、金属ベース３および金属キャップ５からＦＰＣ
構造を採る部分をはみ出させて、はみ出し部分４ｆを有
している。そして、このはみ出し部分４ｆに他の回路基
板と接続するためのＤＣおよび中間周波数のインターフ
ェイスＩが形成されている。
波回路４ｃを形成するのに必要となる能動デバイス及び
受動回路が搭載され、多層構造によって、図２に示すよ
うに、内層または表面パターンを利用して、マイクロ波
及びミリ波回路４ｃ、トランジスタ等の能動デバイスに
バイアスを供給するＤＣ回路４ｄおよび中間周波数回路
４ｅが形成されている。また、有機基板４は、金属ベー
ス３に導電性接着剤として高融点ソルダーＳを用いて接
合され、金属ベース３および金属キャップ５からＦＰＣ
構造を採る部分をはみ出させて、はみ出し部分４ｆを有
している。そして、このはみ出し部分４ｆに他の回路基
板と接続するためのＤＣおよび中間周波数のインターフ
ェイスＩが形成されている。
【００１０】すなわち、マイクロ波及びミリ波帯の入出
力は導波管インタフェースによるが、中間周波数及びＤ
Ｃの信号ラインは、表層及び内層パターンを利用して、
はみ出し部分４ｆの一カ所にＤＣ及び中間周波数のイン
ターフェイスＩとして集約され、ＦＰＣ接続可能な形に
整形されている。さらに、有機基板４は、図５に示すよ
うに、消費電力が大きく放熱が必要なベアチップ２を金
属ベース３に直に搭載するためのキャビティ４ａと、マ
イクロ波及びミリ波回路４ｃ同士の干渉を防ぐため、周
波数に応じてその間隔を最適化されたバイアホール４ｂ
で接地することで各回路を区切り、かつ、金属キャップ
５の取り付けを可能にする張りしろパターン４ｇとが形
成されている。
力は導波管インタフェースによるが、中間周波数及びＤ
Ｃの信号ラインは、表層及び内層パターンを利用して、
はみ出し部分４ｆの一カ所にＤＣ及び中間周波数のイン
ターフェイスＩとして集約され、ＦＰＣ接続可能な形に
整形されている。さらに、有機基板４は、図５に示すよ
うに、消費電力が大きく放熱が必要なベアチップ２を金
属ベース３に直に搭載するためのキャビティ４ａと、マ
イクロ波及びミリ波回路４ｃ同士の干渉を防ぐため、周
波数に応じてその間隔を最適化されたバイアホール４ｂ
で接地することで各回路を区切り、かつ、金属キャップ
５の取り付けを可能にする張りしろパターン４ｇとが形
成されている。
【００１１】したがって、有機基板４は、図４に示すよ
うに、金属ベース３と所望の特性が得られるように設計
された導波管インターフェイスを形成し、同時に各回路
をアイソレートできる形状に整形された金属キャップ５
とで、図１の点線囲みに示されるように、ＤＣ及び中間
周波数のインターフェイスＩをはみ出させた形でサンド
イッチ構造を実現する。当然、ＤＣ及び中間周波数信号
線路部分は、図２に示すように、張り合わせの張りしろ
部分の内層４ｈを通っている。
うに、金属ベース３と所望の特性が得られるように設計
された導波管インターフェイスを形成し、同時に各回路
をアイソレートできる形状に整形された金属キャップ５
とで、図１の点線囲みに示されるように、ＤＣ及び中間
周波数のインターフェイスＩをはみ出させた形でサンド
イッチ構造を実現する。当然、ＤＣ及び中間周波数信号
線路部分は、図２に示すように、張り合わせの張りしろ
部分の内層４ｈを通っている。
【００１２】前記金属キャップ５には、導波管インター
フェイスを形成するとともにマイクロ波及びミリ波回路
４ｃ同士の干渉を防ぐための敷居部５ａが設けられてい
る。すなわち、このモジュール１は、金属キャップ５、
有機基板４および金属ベース３の３つを張り合わせた構
造を有し、マイクロ波及びミリ波帯の入出力として有機
基板４上の一般的なマイクロストリップライン−導波管
を有するが、ＤＣ及び中間周波数のインターフェイスＩ
は、マイクロ波及びミリ波回路４ｃを実現する一枚の有
機基板４を、図１から６に示すように、部分的に金属ベ
ース３及び金属キャップ５からはみ出させ、図７に示す
ように、ＦＰＣ構造で別の回路基板と接続する構造を有
している。なお、符号３ｂ、４ｉおよび５ｂは、モジュ
ール１の固定用のねじ穴である。
フェイスを形成するとともにマイクロ波及びミリ波回路
４ｃ同士の干渉を防ぐための敷居部５ａが設けられてい
る。すなわち、このモジュール１は、金属キャップ５、
有機基板４および金属ベース３の３つを張り合わせた構
造を有し、マイクロ波及びミリ波帯の入出力として有機
基板４上の一般的なマイクロストリップライン−導波管
を有するが、ＤＣ及び中間周波数のインターフェイスＩ
は、マイクロ波及びミリ波回路４ｃを実現する一枚の有
機基板４を、図１から６に示すように、部分的に金属ベ
ース３及び金属キャップ５からはみ出させ、図７に示す
ように、ＦＰＣ構造で別の回路基板と接続する構造を有
している。なお、符号３ｂ、４ｉおよび５ｂは、モジュ
ール１の固定用のねじ穴である。
【００１３】すなわち、モジュール１は、ねじ６によっ
て基台７に固定されるとともに、はみ出し部分４ｆにＦ
ＰＣコネクタ８を接続することによって、ＤＣ及び中間
周波数のインターフェイスＩと基台８側のＤＣ及び中間
周波数制御回路用ＰＷＢ（プリント基板）９とを電気的
に接続することができる。したがって、本実施形態のモ
ジュール１では、図７に示すように、他の低周波制御回
路とはみ出された有機基板４のはみ出し部分４ｆでＦＰ
Ｃ接続され、モジュール１内にバイアスの供給及び中間
周波数等の入出力が行われる。
て基台７に固定されるとともに、はみ出し部分４ｆにＦ
ＰＣコネクタ８を接続することによって、ＤＣ及び中間
周波数のインターフェイスＩと基台８側のＤＣ及び中間
周波数制御回路用ＰＷＢ（プリント基板）９とを電気的
に接続することができる。したがって、本実施形態のモ
ジュール１では、図７に示すように、他の低周波制御回
路とはみ出された有機基板４のはみ出し部分４ｆでＦＰ
Ｃ接続され、モジュール１内にバイアスの供給及び中間
周波数等の入出力が行われる。
【００１４】次に、本発明に係る高周波モジュールの第
２実施形態を、図８から図１３を参照しながら説明す
る。
２実施形態を、図８から図１３を参照しながら説明す
る。
【００１５】第２実施形態と第１実施形態との異なる点
は、第１実施形態の有機基板４が多層構造であるのに対
し、図８から図１３に示すように、第２実施形態のモジ
ュール１１における有機基板１４は、低価格化を目的と
して単層のものを用いている点である。単層の有機基板
１４は、図９および図１２に示すように、表面パターン
を利用したマイクロ波及びミリ波回路１４ｃとトランジ
スタ等の能動デバイスにバイアスを供給するＤＣ回路１
４ｄと中間周波数回路１４ｅ、消費電力が大きく放熱が
必要なベアチップ２を金属ベース１３上に直に実装可能
にするキャビティ１４ａ、マイクロ波及びミリ波回路１
４ｃ同士の干渉を防ぐため各回路を区切るために周波数
に応じてその間隔を最適化されたバイアホール１４ｂに
よって接地された金属キャップ１５張り付け用の張りし
ろパターン１４ｇを有している。
は、第１実施形態の有機基板４が多層構造であるのに対
し、図８から図１３に示すように、第２実施形態のモジ
ュール１１における有機基板１４は、低価格化を目的と
して単層のものを用いている点である。単層の有機基板
１４は、図９および図１２に示すように、表面パターン
を利用したマイクロ波及びミリ波回路１４ｃとトランジ
スタ等の能動デバイスにバイアスを供給するＤＣ回路１
４ｄと中間周波数回路１４ｅ、消費電力が大きく放熱が
必要なベアチップ２を金属ベース１３上に直に実装可能
にするキャビティ１４ａ、マイクロ波及びミリ波回路１
４ｃ同士の干渉を防ぐため各回路を区切るために周波数
に応じてその間隔を最適化されたバイアホール１４ｂに
よって接地された金属キャップ１５張り付け用の張りし
ろパターン１４ｇを有している。
【００１６】有機基板１４のＤＣおよび中間周波数の信
号ラインは、はみ出し部分１４ｆの一カ所にまとめら
れ、図１２に示すように、ＦＰＣ接続可能な形に整形さ
れている。有機基板１４は、図９に示すように、第１実
施形態と同様に、導波管インターフェイスを形成する穴
１３ａを有する金属ベース１３と、図１１に示すように
所望の特性が得られるように設計された導波管インター
フェイスを形成するためかつ各回路をアイソレートする
ために整形された金属キャップ１５とにより、図８から
図１０に示すように、ＤＣ及び中間周波数のインターフ
ェイスＩの部分をはみ出させた形でサンドイッチ構造を
実現する。
号ラインは、はみ出し部分１４ｆの一カ所にまとめら
れ、図１２に示すように、ＦＰＣ接続可能な形に整形さ
れている。有機基板１４は、図９に示すように、第１実
施形態と同様に、導波管インターフェイスを形成する穴
１３ａを有する金属ベース１３と、図１１に示すように
所望の特性が得られるように設計された導波管インター
フェイスを形成するためかつ各回路をアイソレートする
ために整形された金属キャップ１５とにより、図８から
図１０に示すように、ＤＣ及び中間周波数のインターフ
ェイスＩの部分をはみ出させた形でサンドイッチ構造を
実現する。
【００１７】但し、ここでの有機基板１４は単層である
ため、ＤＣおよび中間周波数信号線路部分を、図９に示
すように、有機基板１４を挟み込む金属ベース１３と金
属キャップ１５との張り合わせの張りしろ部分を対向さ
せずに、有機基板１４上の信号線路をバイアホール１４
ｂにて、それぞれの張りしろを避けるように加工された
金属ベース１３および金属キャップ１５を張り合わせる
構造にすることで単層の有機基板１４を用いたＦＰＣ構
造を実現する。
ため、ＤＣおよび中間周波数信号線路部分を、図９に示
すように、有機基板１４を挟み込む金属ベース１３と金
属キャップ１５との張り合わせの張りしろ部分を対向さ
せずに、有機基板１４上の信号線路をバイアホール１４
ｂにて、それぞれの張りしろを避けるように加工された
金属ベース１３および金属キャップ１５を張り合わせる
構造にすることで単層の有機基板１４を用いたＦＰＣ構
造を実現する。
【００１８】次に、本発明に係る高周波モジュールの第
３実施形態を、図１４を参照しながら説明する。
３実施形態を、図１４を参照しながら説明する。
【００１９】第３実施形態と第１実施形態との異なる点
は、第１実施形態の有機基板４が一つのはみ出し部分４
ｆを有して一つのＦＰＣ構造を備えていたのに対し、図
１４に示すように、第３実施形態のモジュール２１にお
ける有機基板２４は、１モジュールに３つのはみ出し部
分２４ｆを有し、それぞれにＦＰＣ構造のＤＣ及び中間
周波数のインターフェースＩが形成されている点であ
る。
は、第１実施形態の有機基板４が一つのはみ出し部分４
ｆを有して一つのＦＰＣ構造を備えていたのに対し、図
１４に示すように、第３実施形態のモジュール２１にお
ける有機基板２４は、１モジュールに３つのはみ出し部
分２４ｆを有し、それぞれにＦＰＣ構造のＤＣ及び中間
周波数のインターフェースＩが形成されている点であ
る。
【００２０】すなわち、複数箇所で別の基板とＤＣ及び
中間周波数のインターフェースＩを接触させ固定するこ
とで、発生する接続点での応力を吸収できる構造とな
る。
中間周波数のインターフェースＩを接触させ固定するこ
とで、発生する接続点での応力を吸収できる構造とな
る。
【００２１】次に、本発明に係る高周波モジュールの第
４実施形態を、図１５を参照しながら説明する。
４実施形態を、図１５を参照しながら説明する。
【００２２】第４実施形態と第２時実施形態との異なる
点は、第４実施形態のモジュール３１におけるベアチッ
プ２が、熱硬化性低誘電率のガラス（例えばシリコンガ
ラス）３２でモールドされている点である。すなわち、
第４実施形態のモジュール３１は、金属キャップ３５の
張り合わせの構造から起因する完全な気密性が保てない
ような接着剤を用いる場合に採用されるものであって、
ベアチップ２の耐湿度を高めるために、図１５に示すよ
うに、ベアチップ２部分に熱硬化性低誘電率のガラス３
２をポッティングし、キュアした構造を有するものであ
る。
点は、第４実施形態のモジュール３１におけるベアチッ
プ２が、熱硬化性低誘電率のガラス（例えばシリコンガ
ラス）３２でモールドされている点である。すなわち、
第４実施形態のモジュール３１は、金属キャップ３５の
張り合わせの構造から起因する完全な気密性が保てない
ような接着剤を用いる場合に採用されるものであって、
ベアチップ２の耐湿度を高めるために、図１５に示すよ
うに、ベアチップ２部分に熱硬化性低誘電率のガラス３
２をポッティングし、キュアした構造を有するものであ
る。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、以下の効果を奏する。 （１）請求項１記載の高周波モジュールによれば、有機
基板の金属下板および金属上板からはみ出させた部分に
他の回路基板と接続するための直流バイアスおよび中間
周波数のインターフェイスが形成されているので、ＦＰ
Ｃ構造にてＤＣ及び中間周波数を処理するための別の回
路との接続を容易にすることで、接続工数低減及び容易
な可換性を実現することができる。また、モジュール規
模の大規模化及び高集積化にも、高周波としてマイクロ
波及びミリ波帯の回路を形成するため元来が高精度のパ
ターンであるので、容易に対応することができる。
基板の金属下板および金属上板からはみ出させた部分に
他の回路基板と接続するための直流バイアスおよび中間
周波数のインターフェイスが形成されているので、ＦＰ
Ｃ構造にてＤＣ及び中間周波数を処理するための別の回
路との接続を容易にすることで、接続工数低減及び容易
な可換性を実現することができる。また、モジュール規
模の大規模化及び高集積化にも、高周波としてマイクロ
波及びミリ波帯の回路を形成するため元来が高精度のパ
ターンであるので、容易に対応することができる。
【００２４】（２）請求項２記載の高周波モジュールに
よれば、ベアチップが熱硬化性低誘電率のガラス材料で
モールドされているので、張り合わせにおいて完全な気
密性が保てないような接着剤を用いる場合に、ベアチッ
プの耐湿度を高めて高信頼性を得ることができる。
よれば、ベアチップが熱硬化性低誘電率のガラス材料で
モールドされているので、張り合わせにおいて完全な気
密性が保てないような接着剤を用いる場合に、ベアチッ
プの耐湿度を高めて高信頼性を得ることができる。
【図１】本発明に係る高周波モジュールの第１実施形態
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線矢視断面図である。
【図３】本発明に係る高周波モジュールの第１実施形態
を示す底面図である。
を示す底面図である。
【図４】本発明に係る高周波モジュールの第１実施形態
における金属キャップを示す平面図およびそのＢ−Ｂ’
線矢視断面図である。
における金属キャップを示す平面図およびそのＢ−Ｂ’
線矢視断面図である。
【図５】本発明に係る高周波モジュールの第１実施形態
における有機基板を示す平面図である。
における有機基板を示す平面図である。
【図６】本発明に係る高周波モジュールの第１実施形態
における金属ベースを示す平面図およびそのＣ−Ｃ’線
矢視断面図である。
における金属ベースを示す平面図およびそのＣ−Ｃ’線
矢視断面図である。
【図７】本発明に係る高周波モジュールの第３実施形態
を示す実装状態の平面図である。
を示す実装状態の平面図である。
【図８】本発明に係る高周波モジュールの第２実施形態
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図９】図８のＤ−Ｄ’線矢視断面図である。
【図１０】本発明に係る高周波モジュールの第２実施形
態を示す底面図である。
態を示す底面図である。
【図１１】本発明に係る高周波モジュールの第２実施形
態における金属キャップを示す平面図およびそのＥ−
Ｅ’線矢視断面図である。
態における金属キャップを示す平面図およびそのＥ−
Ｅ’線矢視断面図である。
【図１２】本発明に係る高周波モジュールの第２実施形
態における有機基板を示す平面図である。
態における有機基板を示す平面図である。
【図１３】本発明に係る高周波モジュールの第２実施形
態における金属ベースを示す平面図およびそのＦ−Ｆ’
線矢視断面図である。
態における金属ベースを示す平面図およびそのＦ−Ｆ’
線矢視断面図である。
【図１４】本発明に係る高周波モジュールの第３実施形
態を示す平面図である。
態を示す平面図である。
【図１５】本発明に係る高周波モジュールの第４実施形
態を示す断面図である。
態を示す断面図である。
１、１１、２１、３１ モジュール（高周波モジュー
ル） ２ ベアチップ ３ 金属ベース（金属下板） ３ａ 穴 ４ 有機基板 ４ｃ マイクロ波及びミリ波回路（高周波回路） ５ 金属キャップ（金属上板） ３２ ガラス（ガラス材料） Ｉ ＤＣ及び中間周波数のインターフェイス（直流バイ
アスおよび中間周波数のインターフェイス）
ル） ２ ベアチップ ３ 金属ベース（金属下板） ３ａ 穴 ４ 有機基板 ４ｃ マイクロ波及びミリ波回路（高周波回路） ５ 金属キャップ（金属上板） ３２ ガラス（ガラス材料） Ｉ ＤＣ及び中間周波数のインターフェイス（直流バイ
アスおよび中間周波数のインターフェイス）
Claims (2)
- 【請求項１】 高周波回路用半導体のベアチップが載置
され高周波の入出力を行う導波管インターフェイスを形
成する穴を有する金属下板と、 前記ベアチップに電気的に接続された高周波回路を有す
る有機基板と、 前記高周波回路に非接触状態で前記有機基板を挟んで前
記金属下板と張り合わされる金属上板とを備え、 前記有機基板は、前記金属下板および前記金属上板から
はみ出させた部分に他の回路基板と接続するための直流
バイアスおよび中間周波数のインターフェイスが形成さ
れていることを特徴とする高周波モジュール。 - 【請求項２】 請求項１記載の高周波モジュールにおい
て、 前記ベアチップは、熱硬化性低誘電率のガラス材料でモ
ールドされていることを特徴とする高周波モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10324250A JP2000151222A (ja) | 1998-11-13 | 1998-11-13 | 高周波モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10324250A JP2000151222A (ja) | 1998-11-13 | 1998-11-13 | 高周波モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000151222A true JP2000151222A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18163715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10324250A Pending JP2000151222A (ja) | 1998-11-13 | 1998-11-13 | 高周波モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000151222A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015149649A (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-20 | 株式会社東芝 | ミリ波帯用半導体パッケージおよびミリ波帯用半導体装置 |
| US9343793B2 (en) | 2014-02-07 | 2016-05-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Millimeter wave bands semiconductor package |
| US9536843B2 (en) | 2013-12-25 | 2017-01-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor package and semiconductor module |
-
1998
- 1998-11-13 JP JP10324250A patent/JP2000151222A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9536843B2 (en) | 2013-12-25 | 2017-01-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor package and semiconductor module |
| JP2015149649A (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-20 | 株式会社東芝 | ミリ波帯用半導体パッケージおよびミリ波帯用半導体装置 |
| US9343793B2 (en) | 2014-02-07 | 2016-05-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Millimeter wave bands semiconductor package |
| US9343794B2 (en) | 2014-02-07 | 2016-05-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Millimeter wave bands semiconductor package |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010410 |