JP2015149649A - ミリ波帯用半導体パッケージおよびミリ波帯用半導体装置 - Google Patents

ミリ波帯用半導体パッケージおよびミリ波帯用半導体装置 Download PDF

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Abstract

【課題】再現性に優れたミリ波帯用半導体パッケージを提供すること。【解決手段】実施形態に係るミリ波帯用半導体パッケージは、金属製の基体、回路基板、および金属製の蓋体、を具備する。前記基体は、第１の非貫通穴および第２の非貫通穴を有する。前記回路基板は、前記基体上に配置されており、表面には、入力用信号線路および出力用信号線路が設けられている。前記蓋体は、前記回路基板上に配置され、第１の貫通孔および第２の貫通孔を有する。この蓋体は、前記第１の貫通孔が前記基体の前記第１の非貫通穴の直上に配置されるとともに、前記第２の貫通孔が前記基体の前記第２の非貫通穴の直上に配置されるように前記回路基板上に配置される。そして、前記第１の貫通孔および前記第１の非貫通穴は第１の導波管を構成するとともに、前記第２の貫通孔および前記第２の非貫通穴は第２の導波管を構成する。【選択図】図６

Description

本発明の実施形態は、ミリ波帯用半導体パッケージおよびミリ波帯用半導体装置に関する。
３０ＧＨｚ以上のミリ波帯などにおいて動作する半導体チップが実装される従来のミリ波帯用半導体パッケージは、半導体チップが載置される基体、一端が半導体チップに接続され、他端がアンテナとして機能する信号線、および半導体チップを覆うように、基体上に設けられた蓋体、を有する。このような従来のミリ波帯用半導体パッケージは、外部電気回路等に接続される導波管内に、信号線を挿入することにより使用される。
しかしながら、従来のミリ波帯用半導体パッケージと導波管とは別部品であるため、パッケージに対する導波管の取り付け状態は、導波管を取り付ける毎に変化する。従って、ミリ波帯用半導体パッケージを備えたミリ波帯用半導体装置の再現性は悪い、という問題がある。
特開平１０−６５０３８号公報 特許第３４６４１１８号公報 特許第３４８５５２０号公報
実施形態は、再現性に優れたミリ波帯用半導体パッケージおよびミリ波帯用半導体装置を提供することを目的とする。
実施形態に係るミリ波帯用半導体パッケージは、金属製の基体、回路基板、および金属製の蓋体、を具備する。前記基体は、第１の非貫通穴および第２の非貫通穴を有する。前記回路基板は、前記基体上に配置されており、表面には、入力用信号線路および出力用信号線路が設けられている。前記蓋体は、前記回路基板上に配置され、第１の貫通孔および第２の貫通孔を有する。この蓋体は、前記第１の貫通孔が前記基体の前記第１の非貫通穴の直上に配置されるとともに、前記第２の貫通孔が前記基体の前記第２の非貫通穴の直上に配置されるように前記回路基板上に配置される。そして、前記第１の貫通孔および前記第１の非貫通穴は第１の導波管を構成するとともに、前記第２の貫通孔および前記第２の非貫通穴は第２の導波管を構成する。
また、実施形態に係るミリ波帯用半導体装置は、金属製の基体、回路基板、金属製の蓋体、および半導体チップ、を具備する。前記基体は、第１の非貫通穴および第２の非貫通穴を有する。前記回路基板は、前記基体上に配置され、一部に貫通孔を有し、表面には入力用信号線路および出力用信号線路が設けられている。前記蓋体は、前記回路基板上に配置され、第１の貫通孔および第２の貫通孔を有する。前記半導体チップは、前記回路基板の貫通孔内に配置されるように前記基体の表面上に載置され、前記入力用信号線路および前記出力用信号線路に電気的に接続されている。ここで、前記蓋体は、前記第１の貫通孔が前記基体の前記第１の非貫通穴の直上に配置されるとともに、前記第２の貫通孔が前記基体の前記第２の非貫通穴の直上に配置されるように前記回路基板上に配置されている。そして、前記第１の貫通孔および前記第１の非貫通穴は第１の導波管を構成するとともに、前記第２の貫通孔および前記第２の非貫通穴は第２の導波管を構成する。
本実施形態に係るミリ波帯用半導体装置を斜め上方から見た場合の模式的な分解斜視図である。 本実施形態に係るミリ波帯用半導体装置を斜め下方から見た場合の模式的な分解斜視図である。 本実施形態に係るミリ波帯用半導体パッケージの基体を模式的に示す図であって、同図（ａ）は、基体を斜め上方から見た場合の模式的な斜視図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）の一点鎖線Ａ−Ａ´に沿って示す基体の模式的な断面図である。 本実施形態に係るミリ波帯用半導体パッケージの回路基板を模式的に示す図であって、同図（ａ）は、回路基板を斜め上方から見た場合の模式的な斜視図であり、同図（ｂ）は、回路基板を上方から見た場合の模式的な平面図であり、同図（ｃ）は、回路基板を下方から見た場合の模式的な平面図であり、同図（ｄ）は、同図（ａ）の一点鎖線Ｂ−Ｂ´に沿って示す回路基板の模式的な断面図である。 本実施形態に係るミリ波帯用半導体パッケージの蓋体を模式的に示す図であって、同図（ａ）は、蓋体を斜め上方から見た場合の模式的な斜視図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）の一点鎖線Ｃ−Ｃ´に沿って示す蓋体の模式的な断面図である。 本実施形態に係るミリ波帯用半導体装置を示す、図３（ｂ）、図４（ｄ）、図５（ｂ）に対応する断面図である。 本実施形態に係るミリ波帯用半導体パッケージの蓋体の変形例を模式的に示す図であって、同図（ａ）は、変形例に係る蓋体を斜め上方から見た場合の模式的な斜視図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）の一点鎖線Ｃ−Ｃ´に沿って示す蓋体の模式的な断面図である。
本実施形態に係るミリ波帯用半導体パッケージおよびミリ波帯用半導体装置は、ミリ波を導波する導波管をミリ波帯用体用半導体パッケージに内蔵させることにより、ミリ波帯用半導体パッケージおよびミリ波帯用半導体装置の再現性を向上させることができるものである。以下、この実施形態に係るミリ波帯用半導体パッケージおよびミリ波帯用半導体装置について説明する。
図１は、本実施形態に係るミリ波帯用半導体装置を斜め上方から見た場合の模式的な分解斜視図である。また、図２は、本実施形態に係るミリ波帯用半導体装置を斜め下方から見た場合の模式的な分解斜視図である。図１、図２に示すように、本実施形態に係るミリ波帯用半導体装置１０は、基体２１、信号線路２２等を備える回路基板２３、および蓋体２４、を有するミリ波帯用半導体パッケージ２０内部に、半導体チップ１１が実装されたものである。
ミリ波帯用半導体パッケージ２０を構成する基体２１および蓋体２４はそれぞれ、直方体状の金属ブロックである。また、回路基板２３は、誘電体基板２５の表面上に所望の回路パターン等が形成されるとともに、裏面上に所望のパターンが形成されたものである。
以下に、このようなミリ波帯用半導体パッケージ２０について詳細に説明する。
図３はそれぞれ、本実施形態に係るミリ波帯用半導体パッケージ２０の基体２１を模式的に示す図である。同図（ａ）は、基体２１を斜め上方から見た場合の模式的な斜視図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）の一点鎖線Ａ−Ａ´に沿って示す基体２１の模式的な断面図である。
図３（ａ）（ｂ）に示すように、直方体状の金属ブロックである基体２１には、表面から裏面方向に向かって所定距離だけ延在し、基体２１を貫通しないように、第１の非貫通穴２６および第２の非貫通穴２７が設けられている。これらの非貫通孔２６、２７はそれぞれ、後述する蓋体の貫通孔３５、３６とともに、ミリ波を導波する導波管１２を構成する。
なお、第１の非貫通穴２６および第２の非貫通穴２７における所定距離とは、基体２１の表面上に回路基板２３が載置された際に、回路基板２３の表面から非貫通穴２６、２７の底面までの距離Ｌ１（図６）が、λ／４（ただしλは、使用されるミリ波の波長である）となる距離を意味する。
このような基体２１は、金属製であればよいが、基体２１の表面上に載置される半導体チップ１１（図１および図２）から発せられる熱の放熱性を良好にするために、例えば銅（Ｃｕ）等の熱伝導性に優れた金属からなることが好ましい。
図４はそれぞれ、本実施形態に係るミリ波帯用半導体パッケージ２０の回路基板２３を模式的に示す図である。同図（ａ）は、回路基板２３を斜め上方から見た場合の模式的な斜視図であり、同図（ｂ）は、回路基板２３を上方から見た場合の模式的な平面図であり、同図（ｃ）は、回路基板２３を下方から見た場合の模式的な平面図であり、同図（ｄ）は、同図（ａ）の一点鎖線Ｂ−Ｂ´に沿って示す回路基板２３の模式的な断面図である。
図４各図に示すように、回路基板２３は、誘電体基板２５の表面上に所望の回路パターン等が形成されるとともに、裏面上に所望のパターンが形成されたものである。
誘電体基板２５は、例えばセラミック等からなる板状のものであり、略中央領域には、半導体チップ１１等を配置するための略長方形状の貫通孔２８が設けられている。
図４（ａ）、（ｂ）、（ｄ）に示すように、この誘電体基板２５の表面上には、入出力用信号線路２２ａ、２３ｂ、複数のバイアス供給線路２９、および第１の接地パターン３０、を含む回路パターンが、例えば銅（Ｃｕ）等の金属薄膜により設けられている。
入力用信号線路２２ａは、誘電体基板２５の表面上において、略長方形状の貫通孔２８の長辺上から、誘電体基板２５の一方に向かって所定距離だけ延在している。この入力用信号線路２２ａは、その一端において後述の導波管１２を導波されるミリ波を受信し、受信したミリ波を、他端に電気的に接続される半導体チップ１１に導波する線路である。
出力用信号線路２２ｂは、誘電体基板２５の表面上において、入力用信号線路２２ａが接する長辺に対向する上記貫通孔２８の長辺上から、入力用信号線路２２ａの延在方向と反対方向に向かって所定距離だけ延在している。この出力用信号線路２２ｂは、その一端に電気的に接続される半導体チップ１１から導波されるミリ波を、他端において導波管１２に送信する線路である。
したがって、入力用信号線路２２ａおよび出力用信号線路２２ｂにおける所定距離とはそれぞれ、これらの信号線路２２ａ、２２ｂが、導波管１２を導波されるミリ波を送受信するためのモノポールアンテナとして機能する程度の長さを意味する。
複数のバイアス供給線路２９はそれぞれ、誘電体基板２５の表面上において、略長方形状の貫通孔２８のたとえば短辺上から、誘電体基板２５の周辺部に沿って伸び、誘電体基板２５の一辺に接するように延在している。これらのバイアス供給線路２９はそれぞれ、半導体チップ１１にＤＣバイアスを供給するための線路である。
第１の接地パターン３０は、入力用信号線路２２ａ、出力用信号線路２２ｂ、および複数のバイアス供給線路２９と絶縁されるように、誘電体基板２５の表面上のほぼ全面に設けられている。この第１の接地パターン３０は、入力用信号線路２２ａの一端付近において、略長方形状に除去されている、また、第１の接地パターン３０は、出力用信号線路２２ｂの他端付近において、略長方形状に除去されている。
なお、このように接地パターン３０が除去されることにより露出する誘電体基板２５の略長方形状の表面領域は、後述の導波管１２内に含まれる領域である。従って、第１の接地パターン３０を除去することにより露出される誘電体基板２５の略長方形状の表面領域を、表面導波領域３１と称する。
次に、図４（ｃ）、（ｄ）に示すように、誘電体基板２５の裏面上には、第２の接地パターン３２が、例えば銅（Ｃｕ）等の金属薄膜により設けられている。第２の接地パターン３２は、誘電体基板２５の裏面上のほぼ全面に設けられているが、表面導波領域３１に対応する領域は除去されている。接地パターン３０と接地パターン３２とは多数のスルーホール（図中では省略している）により電気的に接続されている。
なお、このように接地パターン３２が除去されることにより露出する誘電体基板２５の略長方形状の裏面領域も、表面領域と同様に、後述の導波管１２内に含まれる領域である。従って、第２の接地パターン３２を除去することにより露出される誘電体基板２５の略長方形状の裏面領域を、裏面導波領域３３と称する。
図５はそれぞれ、本実施形態に係るミリ波帯用半導体パッケージ２０の蓋体２４を模式的に示す図である。同図（ａ）は、蓋体２４を斜め上方から見た場合の模式的な斜視図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）の一点鎖線Ｃ−Ｃ´に沿って示す蓋体の模式的な断面図である。
直方体状の金属ブロックである蓋体２４は、上述の回路基板２３上に配置されるものであるが、蓋体２４とバイアス供給線路２９との接触を抑制するために、図５（ａ）（ｂ）および図２にそれぞれ示すように、蓋体２４の裏面のうち、バイアス供給線路２９が配置される領域に対応するリング状の領域３４は、浅くくり抜かれている。
このようなリング状の領域３４を有する蓋体２４には、図５（ｂ）および図２に示すように、裏面２４ａから側面２４ｂ、２４ｃに向かって蓋体２４を貫通するＬ字状の第１の貫通孔３５および第２の貫通孔３６がそれぞれ設けられている。第１の貫通孔３５は、裏面２４ａから第１の側面２４ｂに向かって蓋体２４を貫通し、第２の貫通孔３６は、裏面２４ａから第１の側面２４ｂに対向する第２の側面２４ｃに向かって蓋体２４を貫通するように設けられている。これらの貫通孔３５、３６はそれぞれ、基体２１の非貫通穴２６、２７とともに、ミリ波を導波する導波管１２を構成する。
各々の貫通孔３５、３６はそれぞれ、図５（ａ）に示すように、その断面が横長形状である、いわゆるＥ面ベンド型の貫通孔であるが、断面形状が縦長形状である、いわゆるＨ面ベンド型の貫通孔であってもよい。
また、図５（ｂ）および図２に示すように、蓋体２４の裏面２４ａにおいて、第１の貫通孔３５と第２の貫通孔３６との間には、半導体チップ１１を配置するための第１の凹部３７が設けられており、また、各々の貫通孔３５、３６と第１の凹部３７とを連結するように第２の凹部３８が設けられている。
図６は、上述のミリ波帯用半導体パッケージ２０に半導体チップ１１が搭載されたミリ波帯用半導体装置１０を示す、図３（ｂ）、図４（ｄ）、図５（ｂ）に対応する断面図である。
図６に示すように、回路基板２３は、この裏面に設けられた裏面導波領域３３が、基体２１の第１の非貫通穴２６および第２の非貫通穴２７の上端上に配置され、回路基板２３裏面の第２の接地パターン３２が、基体２１の表面に接触するように、基体２１の表面上に載置される。また、蓋体２４は、第１の貫通孔３５および第２の貫通孔３６が、回路基板２３の表面導波領域３１上に配置され、裏面２４ａが回路基板２３表面の第１の接地パターン３０に接触するように、回路基板２３上に載置される。
そして、基体２１、回路基板２３、および蓋体２４のそれぞれには、図１および図２に示すように各々を貫通するネジ孔１４が設けられており、これらのネジ孔１４に固定用のネジを挿入することにより、基体２１、回路基板２３、および蓋体２４は相互に固定される。
このように構成されたミリ波帯用半導体パッケージ２０において、基体２１の第１の非貫通穴２６と蓋体２４の第１の貫通孔３５とは、内部に回路基板２３の表面導波領域３１および裏面導波領域３３を含む第１の導波管１２ａを構成する。同様に、基体２１の第２の非貫通穴２７と蓋体２４の第２の貫通孔３６とは、内部に回路基板２３の表面導波領域３１および裏面導波領域３３を含む第２の導波管１２ｂを構成する。
また、このように構成されたミリ波帯用半導体パッケージ２０において、回路基板２３の入出力用信号線路２２ａ、２２ｂはそれぞれ、このような導波管１２ａ、１２ｂ内に、Ｌ２＝λ／４（ただしλは、使用されるミリ波の波長である）だけ挿入された状態となり、モノポールアンテナとして機能する。
以上に説明したミリ波帯用半導体パッケージ２０内には、ミリ波において動作する半導体チップ１１が実装されている。半導体チップ１１は、例えばミリ波の電力を増幅する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）である。
半導体チップ１１は、金属製のチップマウントプレート１５を介して基体２１の表面上に載置される。この半導体チップ１１は、チップマウントプレート１５ともに、基体２１の表面、回路基板２３の貫通孔２８の側面、および蓋体２４の第１の凹部３７によって略囲まれる空間Ｓ１内に配置されるように、基板２１の表面上に載置される。
なお、蓋体２４の第１の凹部３７内には、例えばセラミック等の誘電体からなる凹状のチップカバー体１６が配置されている。従って、より詳細には、半導体チップ１１は、チップマウントプレート１５ともに、基体２１の表面、回路基板の２３貫通孔２８の側面、およびチップカバー体１６によって略囲まれる空間Ｓ２内に配置されるように、基板２１の表面上に載置される。
このように載置された半導体チップ１１は、回路基板２３の入力用信号線路２２ａの他端と、例えばワイヤー１３等の接続導体によって、電気的に接続されるとともに、回路基板２３の出力用信号線路２２ｂの一端と、例えばワイヤー１３等の接続導体によって、電気的に接続される。
このようにミリ波帯用半導体パッケージ２０に半導体チップ１１が実装されることにより構成されるミリ波帯用半導体装置１０において、図６の矢印ＩＮ方向から第１の導波管１２ａ内にミリ波が入力されると、そのミリ波は、第１の導波管１２ａ内を導波され、第１の導波管１２ａ内に挿入配置された入力用信号線路２２ａにおいて受信される。
受信されたミリ波は、入力用信号線路２２ａを介して半導体チップ１１に入力され、半導体チップ１１内において所望の信号処理（例えば電力増幅）がなされる。
信号処理がなされたミリ波が半導体チップ１１から出力用信号線路２２ｂに出力されると、そのミリ波は、出力用信号線路２２ｂから第２の導波管１２ｂ内に送信される。第２の導波管１２ｂ内に送信されたミリ波は、第２の導波管１２ｂ内を導波され、図６の矢印ＯＵＴ方向に出力される。
以上に説明した本実施形態に係るミリ波帯用半導体パッケージ２０およびミリ波帯用半導体装置１０によれば、ミリ波を導波する導波管１２ａ、１２ｂがミリ波帯用体用半導体パッケージ２０に内蔵されるため、例えば入出力用信号線路２２ａ、２２ｂと導波管１２ａ、１２ｂとの相対位置が変化することが抑制され、再現性に優れたミリ波帯用半導体パッケージ２０およびミリ波帯用半導体装置１０を提供することができる。
なお、入出力用信号線路２２ａ、２２ｂと導波管１２ａ、１２ｂとの相対位置が例えば０．５ｍｍずれただけで、ミリ波は３ｄＢ程度（半分程度）の電力を損失する。従って、再現性に優れ、したがって、例えば入出力用信号線路２２ａ、２２ｂを導波管１２ａ、１２ｂに対して所望の位置に高精度に配置することができることは、ミリ波帯用半導体パッケージ２０およびミリ波帯用半導体装置１０においては極めて重要である。
また、以上に説明した本実施形態に係るミリ波帯用半導体パッケージ２０およびミリ波帯用半導体装置１０によれば、導波管１２ａ、１２ｂの主体を構成する第１、第２の貫通孔３５、３６は、蓋体２４に設けられている。従って、基体２１の裏面を放熱フィン等の冷却機構に固定することができる。この結果、放熱性を向上させることもできる。
また、以上に説明した本実施形態に係るミリ波帯用半導体パッケージ２０およびミリ波帯用半導体装置１０によれば、導波管１２ａ、１２ｂの主体を構成する第１、第２の貫通孔３５、３６は、蓋体２４に設けられている。従って、さらに放熱性に優れたミリ波帯用半導体パッケージ２０およびミリ波帯用半導体装置１０を提供することができる。
すなわち、導波管の主体を構成する第１、第２の貫通孔を基体２１に設け、第１、第２の非貫通穴を蓋体２４に設けても、導波管が内蔵されたミリ波用半導体パッケージおよびミリ波帯用半導体装置を提供することができる。しかしながら、半導体チップ１１において発せられる熱の放熱板としても作用する基体２１に、導波管の主体を構成する第１、第２の貫通孔を設けると、第１、第２の貫通孔が放熱経路を制限し、放熱性が劣化する。
これに対して本実施形態のように、導波管１２ａ、１２ｂの主体を構成する第１、第２の貫通孔３５、３６を蓋体２４に設けることにより、貫通孔３５、３６より体積が小さい第１、第２の非貫通穴２６、２７を基体２１に設けることができ、上述の場合と比較して、導波管１２ａ、１２ｂを具備することによる放熱経路の制限を緩和することができる。従って、さらに放熱性に優れたミリ波帯用半導体パッケージ２０およびミリ波帯用半導体装置１０を提供することができる。
以上に、本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
例えば図７（ａ）、（ｂ）に示すように、第１、第２の貫通孔３５´、３６´は、裏面２４ａから表面２４ｄに向かって蓋体２４´を貫通するように設けられてもよい。このように第１、第２の貫通孔３５´、３６´を設けた場合であっても、上述の実施形態に係るミリ波帯用半導体パッケージ２０およびミリ波帯用半導体装置１０と同様の効果を得ることができる。
１０・・・ミリ波帯用半導体装置
１１・・・半導体チップ
１２・・・導波管
１２ａ・・・第１の導波管
１２ｂ・・・第２の導波管
１３・・・ワイヤー
１４・・・ネジ孔
１５・・・チップマウントプレート
１６・・・チップカバー体
２０・・・ミリ波帯用半導体パッケージ
２１・・・基体
２２・・・信号線路
２２ａ・・・入力用信号線路
２２ｂ・・・出力用信号線路
２３・・・回路基板
２４、２４´・・・蓋体
２４ａ・・・裏面
２４ｂ・・・第１の側面
２４ｃ・・・第２の側面
２４ｄ・・・表面
２５・・・誘電体基板
２６・・・第１の非貫通穴
２７・・・第２の非貫通穴
２８・・・貫通孔
２９・・・バイアス供給線路
３０・・・第１の接地パターン
３１・・・表面導波領域
３２・・・第２の接地パターン
３３・・・裏面導波領域
３４・・・リング状の領域
３５、３５´・・・第１の貫通孔
３６、３６´・・・第２の貫通孔
３７・・・第１の凹部
３８・・・第２の凹部

Claims (10)

  1. 第１の非貫通穴および第２の非貫通穴を有する金属製の基体と、
    この基体上に配置され、表面に入力用信号線路および出力用信号線路が設けられた回路基板と、
    この回路基板上に配置され、第１の貫通孔および第２の貫通孔を有する金属製の蓋体と、
    を具備し、
    前記蓋体は、前記第１の貫通孔が前記基体の前記第１の非貫通穴の直上に配置されるとともに、前記第２の貫通孔が前記基体の前記第２の非貫通穴の直上に配置されるように前記回路基板上に配置され、
    前記第１の貫通孔および前記第１の非貫通穴は第１の導波管を構成するとともに、前記第２の貫通孔および前記第２の非貫通穴は第２の導波管を構成することを特徴とするミリ波帯用半導体パッケージ。
  2. 前記蓋体の前記第１の貫通孔および前記第２の貫通孔はそれぞれ、裏面から側面に向かって前記蓋体を貫通するＬ字状の貫通孔であることを特徴とする請求項１に記載のミリ波帯用半導体パッケージ。
  3. 前記蓋体の前記第１の貫通孔および前記第２の貫通孔はそれぞれ、裏面から表面に向かって前記蓋体を貫通する貫通孔であることを特徴とする請求項１に記載のミリ波帯用半導体パッケージ。
  4. 前記入力用信号線路の一方の端部は、前記第１の導波管内にλ／４の長さだけ挿入されるとともに、
    前記出力用信号線路の一方の端部は、前記第２の導波管内にλ／４の長さだけ挿入されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のミリ波帯用半導体パッケージ。
  5. 前記第１の非貫通穴は、この底面が、前記入力用信号線路から下方にλ／４の長さだけ離間した位置に配置されるように設けられているとともに、
    前記第２の非貫通穴は、この底面が、前記出力用信号線路から下方にλ／４の長さだけ離間した位置に配置されるように設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のミリ波帯用半導体パッケージ。
  6. 第１の非貫通穴および第２の非貫通穴を有する金属製の基体と、
    この基体上に配置され、一部に貫通孔を有し、表面に入力用信号線路および出力用信号線路が設けられた回路基板と、
    この回路基板上に配置され、第１の貫通孔および第２の貫通孔を有する金属製の蓋体と、
    前記回路基板の貫通孔内に配置されるように前記基体の表面上に載置され、前記入力用信号線路および前記出力用信号線路に電気的に接続された半導体チップと、
    を具備し、
    前記蓋体は、前記第１の貫通孔が前記基体の前記第１の非貫通穴の直上に配置されるとともに、前記第２の貫通孔が前記基体の前記第２の非貫通穴の直上に配置されるように前記回路基板上に配置され、
    前記第１の貫通孔および前記第１の非貫通穴は第１の導波管を構成するとともに、前記第２の貫通孔および前記第２の非貫通穴は第２の導波管を構成することを特徴とするミリ波帯用半導体装置。
  7. 前記蓋体の前記第１の貫通孔および前記第２の貫通孔はそれぞれ、裏面から側面に向かって前記蓋体を貫通するＬ字状の貫通孔であることを特徴とする請求項６に記載のミリ波帯用半導体装置。
  8. 前記蓋体の前記第１の貫通孔および前記第２の貫通孔はそれぞれ、裏面から表面に向かって前記蓋体を貫通する貫通孔であることを特徴とする請求項６に記載のミリ波帯用半導体装置。
  9. 前記入力用信号線路の一方の端部は、前記第１の導波管内にλ／４の長さだけ挿入されるとともに、
    前記出力用信号線路の一方の端部は、前記第２の導波管内にλ／４の長さだけ挿入されることを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載のミリ波帯用半導体装置。
  10. 前記第１の非貫通穴は、この底面が、前記入力用信号線路から下方にλ／４の長さだけ離間した位置に配置されるように設けられているとともに、
    前記第２の非貫通穴は、この底面が、前記出力用信号線路から下方にλ／４の長さだけ離間した位置に配置されるように設けられていることを特徴とする請求項６乃至９のいずれかに記載のミリ波帯用半導体装置。
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