JPH1093012A - 高周波集積回路装置 - Google Patents
高周波集積回路装置Info
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- JPH1093012A JPH1093012A JP24758596A JP24758596A JPH1093012A JP H1093012 A JPH1093012 A JP H1093012A JP 24758596 A JP24758596 A JP 24758596A JP 24758596 A JP24758596 A JP 24758596A JP H1093012 A JPH1093012 A JP H1093012A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価に小型化した高周波集積回路装置を提供
すること。 【解決手段】パッケージのセラミックからなる蓋部材５
の基板１に対面した面に高周波集積回路の整合回路を含
む受動回路部２を形成するとともに、蓋部材５の受動回
路部２が形成されている面と反対側の面に接地用金属膜
１０を設けるようにし、基板１に能動回路部を有する半
導体チップ３を載置した。
すること。 【解決手段】パッケージのセラミックからなる蓋部材５
の基板１に対面した面に高周波集積回路の整合回路を含
む受動回路部２を形成するとともに、蓋部材５の受動回
路部２が形成されている面と反対側の面に接地用金属膜
１０を設けるようにし、基板１に能動回路部を有する半
導体チップ３を載置した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は高周波集積回路装
置に関し、特に、パッケージを備えた高周波集積回路装
置に関するものである。
置に関し、特に、パッケージを備えた高周波集積回路装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、高周波回路は、整合回路等の受
動回路部と、能動回路部とにより構成されており、従来
のＭＭＩＣ（Microwave monolithic integrated circui
t)をはじめとする高周波集積回路装置は、整合回路等の
受動回路部と、能動回路部とを同一の半導体基板上に構
成したものを，あるいは受動回路部をＭＩＣ（Microwav
e Integrated Circuit）回路としてセラミック基板の一
部に形成し、能動回路部を他の半導体チップに形成し
て、このチップを上記セラミック基板の受動回路部に隣
接した位置に取り付けて構成したものを、パッケージ内
に封止することにより形成されていた。
動回路部と、能動回路部とにより構成されており、従来
のＭＭＩＣ（Microwave monolithic integrated circui
t)をはじめとする高周波集積回路装置は、整合回路等の
受動回路部と、能動回路部とを同一の半導体基板上に構
成したものを，あるいは受動回路部をＭＩＣ（Microwav
e Integrated Circuit）回路としてセラミック基板の一
部に形成し、能動回路部を他の半導体チップに形成し
て、このチップを上記セラミック基板の受動回路部に隣
接した位置に取り付けて構成したものを、パッケージ内
に封止することにより形成されていた。
【０００３】図４は従来の高周波集積回路装置の構造を
示す一部切り欠き斜視図（図４(a)), 及びこの図４(a)
のIVｂ−IVｂ線による断面図である。この高周波集積回
路装置は、受動回路部をセラミック等の基板の一部に形
成し、能動回路部を他の半導体チップに形成して、この
チップを上記セラミック基板の受動回路部に隣接した位
置に取り付け、これをパッケージ内に封止したものであ
り、図において、１はセラミックからなる誘電体基板、
２は整合回路を含む受動回路部で、基板１上にメッキ等
により形成された所定のパターン（図示せず）の金等の
金属膜及び抵抗やキャパシタ等のチップ部品により構成
されている。７は基板１上の、上記受動回路部２に隣接
した位置に設けられた金等の金属膜からなる載置用の金
属膜、３はこの金属膜７上に配置された能動回路部が形
成されている半導体チップで、この半導体チップ３の能
動回路部と上記受動回路部２とにより高周波集積回路を
構成している。なお、ここでは、半導体チップ３とのワ
イヤボンディング等が容易となるように、基板１の表面
にくぼみ部を設け、このくぼみ部の底面に金属膜７を設
け、この金属膜７上に半導体チップ３を配置している
が、このようなくぼみ部を設けない構成としてもよい。
４は基板１上に、受動回路部２や半導体チップ３を囲う
ように配置されたセラミック等の誘電体材料からなる枠
状部材、５は枠状部材４上に、受動回路部２や半導体チ
ップ３を封止するように配置されたセラミック等の誘電
体材料からなる蓋部材で、この蓋部材５と枠状部材４と
基板１とでパッケージを構成している。６は基板１上
の、枠状部材４の枠内の領域から枠外の領域にわたって
配置された、金等のメッキにより形成された金属リー
ド、８は基板１の裏面に形成された接地用金属膜、９は
接地用金属膜８と載置用金属膜７とを接続するために基
板１に設けられたスルーホールで、半導体チップ３はこ
の載置用金属膜７とスルーホール９とを介して、接地用
金属膜８と接続されている。なお、図示していないが、
半導体チップ３と受動回路部２とは金線等のワイヤによ
り適宜接続されており、また、半導体チップ３と受動回
路部２とはそれぞれが金線等のワイヤにより適宜金属リ
ード６と接続されている。
示す一部切り欠き斜視図（図４(a)), 及びこの図４(a)
のIVｂ−IVｂ線による断面図である。この高周波集積回
路装置は、受動回路部をセラミック等の基板の一部に形
成し、能動回路部を他の半導体チップに形成して、この
チップを上記セラミック基板の受動回路部に隣接した位
置に取り付け、これをパッケージ内に封止したものであ
り、図において、１はセラミックからなる誘電体基板、
２は整合回路を含む受動回路部で、基板１上にメッキ等
により形成された所定のパターン（図示せず）の金等の
金属膜及び抵抗やキャパシタ等のチップ部品により構成
されている。７は基板１上の、上記受動回路部２に隣接
した位置に設けられた金等の金属膜からなる載置用の金
属膜、３はこの金属膜７上に配置された能動回路部が形
成されている半導体チップで、この半導体チップ３の能
動回路部と上記受動回路部２とにより高周波集積回路を
構成している。なお、ここでは、半導体チップ３とのワ
イヤボンディング等が容易となるように、基板１の表面
にくぼみ部を設け、このくぼみ部の底面に金属膜７を設
け、この金属膜７上に半導体チップ３を配置している
が、このようなくぼみ部を設けない構成としてもよい。
４は基板１上に、受動回路部２や半導体チップ３を囲う
ように配置されたセラミック等の誘電体材料からなる枠
状部材、５は枠状部材４上に、受動回路部２や半導体チ
ップ３を封止するように配置されたセラミック等の誘電
体材料からなる蓋部材で、この蓋部材５と枠状部材４と
基板１とでパッケージを構成している。６は基板１上
の、枠状部材４の枠内の領域から枠外の領域にわたって
配置された、金等のメッキにより形成された金属リー
ド、８は基板１の裏面に形成された接地用金属膜、９は
接地用金属膜８と載置用金属膜７とを接続するために基
板１に設けられたスルーホールで、半導体チップ３はこ
の載置用金属膜７とスルーホール９とを介して、接地用
金属膜８と接続されている。なお、図示していないが、
半導体チップ３と受動回路部２とは金線等のワイヤによ
り適宜接続されており、また、半導体チップ３と受動回
路部２とはそれぞれが金線等のワイヤにより適宜金属リ
ード６と接続されている。
【０００４】また、図５は従来の高周波集積回路装置の
製造方法を説明するための工程図であり、図５(a) は斜
視図を示し、図５(b) 及び図５(c) は図５(a) のIVｂ−
IVｂ線による断面図に相当する図を示しており、図にお
いて、図４と同一符号は同一又は相当する部分を示して
いる。
製造方法を説明するための工程図であり、図５(a) は斜
視図を示し、図５(b) 及び図５(c) は図５(a) のIVｂ−
IVｂ線による断面図に相当する図を示しており、図にお
いて、図４と同一符号は同一又は相当する部分を示して
いる。
【０００５】次に製造方法について説明する。まず、セ
ラミックからなる誘電体基板１を用意し、この基板１に
半導体チップ３を載置するためのくぼみ部を形成し、さ
らに、該くぼみ部の所定の位置に、基板１の裏面に貫通
するスルーホール９を形成する。その後、金メッキによ
り、高周波集積回路の受動回路部２と、金属リード６
と、載置用金属膜７と、接地用金属膜８とを形成すると
ともに、スルーホール９内にも金メッキを施す（図５
(a))。
ラミックからなる誘電体基板１を用意し、この基板１に
半導体チップ３を載置するためのくぼみ部を形成し、さ
らに、該くぼみ部の所定の位置に、基板１の裏面に貫通
するスルーホール９を形成する。その後、金メッキによ
り、高周波集積回路の受動回路部２と、金属リード６
と、載置用金属膜７と、接地用金属膜８とを形成すると
ともに、スルーホール９内にも金メッキを施す（図５
(a))。
【０００６】次に、高周波集積回路の能動回路部を設け
た半導体チップ３を用意し、この半導体チップ３を載置
用金属膜７上にダイボンディングし（図５(b))、さら
に、図５(c) に示すように、枠状部材４を樹脂接着剤等
を用いて基板１上に接着した後、この枠状部材４の上部
に、受動回路部２と半導体チップ３とを封止するよう蓋
部材５を接着して、図４(a) に示すような、高周波集積
回路をパッケージ内に封止してなる高周波集積回路装置
を得る。
た半導体チップ３を用意し、この半導体チップ３を載置
用金属膜７上にダイボンディングし（図５(b))、さら
に、図５(c) に示すように、枠状部材４を樹脂接着剤等
を用いて基板１上に接着した後、この枠状部材４の上部
に、受動回路部２と半導体チップ３とを封止するよう蓋
部材５を接着して、図４(a) に示すような、高周波集積
回路をパッケージ内に封止してなる高周波集積回路装置
を得る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上のように従来の高
周波集積回路装置は構成されていたが、このように、セ
ラミック基板上に整合回路を含む受動回路部を形成し、
能動回路部を備えた半導体チップをそのセラミック基板
上の上記受動回路部に隣接した位置上にダイボンドし、
さらにこれらの受動回路部と半導体チップをパッケージ
内に収納して高周波集積回路装置を構成する場合、セラ
ミック基板の面積が大きくなるため、高周波集積回路装
置の面積自体が非常に大きくなってしまうという問題が
あった。
周波集積回路装置は構成されていたが、このように、セ
ラミック基板上に整合回路を含む受動回路部を形成し、
能動回路部を備えた半導体チップをそのセラミック基板
上の上記受動回路部に隣接した位置上にダイボンドし、
さらにこれらの受動回路部と半導体チップをパッケージ
内に収納して高周波集積回路装置を構成する場合、セラ
ミック基板の面積が大きくなるため、高周波集積回路装
置の面積自体が非常に大きくなってしまうという問題が
あった。
【０００８】一方、このような問題点を解消するための
従来の他の高周波集積回路装置の構造が特開平4-32303
号公報に開示されている。図６はこの従来の他の高周波
集積回路装置の構造を説明するための断面図であり、図
において、１０２は金属からなる基板、１０３は金属か
らなる枠状部材、１０４は金属からなる蓋部材、１０５
は高周波回路基板、１０６は接地導体面、１０７はバイ
アス回路基板、１０８は接続端子、１０９は接続手段で
ある。
従来の他の高周波集積回路装置の構造が特開平4-32303
号公報に開示されている。図６はこの従来の他の高周波
集積回路装置の構造を説明するための断面図であり、図
において、１０２は金属からなる基板、１０３は金属か
らなる枠状部材、１０４は金属からなる蓋部材、１０５
は高周波回路基板、１０６は接地導体面、１０７はバイ
アス回路基板、１０８は接続端子、１０９は接続手段で
ある。
【０００９】この従来の他の高周波集積回路装置におい
ては、パッケージの基板１０２上に誘電体基板上に金属
パターンを形成してなる高周波回路基板１０５を設ける
とともに、高周波集積回路のバイアス回路のみをこの高
周波回路基板１０５とは別の誘電体基板上に形成したも
のをバイアス回路基板１０７として、これを、高周波信
号のシールドとして機能する金属製蓋部材１０４の基板
１０２側の面に接着し、このバイアス回路基板１０７
と、高周波回路基板１０５及び接続端子１０８とを適宜
接続手段１０９で接続するようにしたものであり、これ
により、本来は高周波回路基板１０５に隣接して設けら
れるバイアス回路を高周波回路基板１０５の上部に形成
することにより、高周波集積回路装置の面積を小型化で
きるものである。
ては、パッケージの基板１０２上に誘電体基板上に金属
パターンを形成してなる高周波回路基板１０５を設ける
とともに、高周波集積回路のバイアス回路のみをこの高
周波回路基板１０５とは別の誘電体基板上に形成したも
のをバイアス回路基板１０７として、これを、高周波信
号のシールドとして機能する金属製蓋部材１０４の基板
１０２側の面に接着し、このバイアス回路基板１０７
と、高周波回路基板１０５及び接続端子１０８とを適宜
接続手段１０９で接続するようにしたものであり、これ
により、本来は高周波回路基板１０５に隣接して設けら
れるバイアス回路を高周波回路基板１０５の上部に形成
することにより、高周波集積回路装置の面積を小型化で
きるものである。
【００１０】しかしながら、この従来の他の高周波集積
回路においては、パッケージの蓋として、バイアス回路
基板を該バイアス回路基板のインダクタンス成分を除去
するためのシールドとして機能する金属製の蓋部材には
りつけたものを用いているため、パッケージの蓋が複数
の部材により構成され、製造工程が複雑化し、製造コス
トが高くなってしまうという問題があった。
回路においては、パッケージの蓋として、バイアス回路
基板を該バイアス回路基板のインダクタンス成分を除去
するためのシールドとして機能する金属製の蓋部材には
りつけたものを用いているため、パッケージの蓋が複数
の部材により構成され、製造工程が複雑化し、製造コス
トが高くなってしまうという問題があった。
【００１１】また、パッケージの蓋の大部分がセラミッ
ク等の材料に対して比較的に高価な金属製の蓋部材から
構成されるため、材料コストが高くなってしまうという
問題があった。
ク等の材料に対して比較的に高価な金属製の蓋部材から
構成されるため、材料コストが高くなってしまうという
問題があった。
【００１２】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたものであり、低価格で小型化を図ること
ができる高周波集積回路装置を提供することを目的とす
る。
ためになされたものであり、低価格で小型化を図ること
ができる高周波集積回路装置を提供することを目的とす
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明に係る高周波集
積回路装置は、裏面に接地用の金属膜を備えた誘電体材
料からなる基板と、該誘電体基板の表面に配置された誘
電体材料からなる枠状部材と、上記枠状部材上に、上記
基板と上記枠状部材とにより形成される凹部を封止する
よう配置された、その一方の面上に高周波回路の整合回
路を含む受動回路部を有し、その他方の面上に接地用の
金属膜を有する誘電体材料からなる蓋部材と、上記枠状
部材の枠内の上記誘電体基板表面に配置された、上記高
周波回路の能動回路部を有する半導体チップと、該半導
体チップの能動回路部と、上記蓋部材の受動回路部とを
接続する第１の接続手段と、上記蓋部材の接地用金属膜
と、上記誘電体基板の接地用金属膜とを接続する第２の
接続手段とを備えるようにしたものである。
積回路装置は、裏面に接地用の金属膜を備えた誘電体材
料からなる基板と、該誘電体基板の表面に配置された誘
電体材料からなる枠状部材と、上記枠状部材上に、上記
基板と上記枠状部材とにより形成される凹部を封止する
よう配置された、その一方の面上に高周波回路の整合回
路を含む受動回路部を有し、その他方の面上に接地用の
金属膜を有する誘電体材料からなる蓋部材と、上記枠状
部材の枠内の上記誘電体基板表面に配置された、上記高
周波回路の能動回路部を有する半導体チップと、該半導
体チップの能動回路部と、上記蓋部材の受動回路部とを
接続する第１の接続手段と、上記蓋部材の接地用金属膜
と、上記誘電体基板の接地用金属膜とを接続する第２の
接続手段とを備えるようにしたものである。
【００１４】また、上記高周波集積回路装置において、
上記蓋部材の受動回路部を、上記蓋部材の上記誘電体基
板と対面する側に設けるようにしたものである。
上記蓋部材の受動回路部を、上記蓋部材の上記誘電体基
板と対面する側に設けるようにしたものである。
【００１５】また、上記高周波集積回路装置において、
上記第１の接続手段を、上記蓋部材と誘電体基板とのそ
れぞれの互いに対面する面上、及び上記枠状部材の内壁
上に設けられた金属配線により構成するようにし、上記
第２の接続手段を、上記蓋部材に設けられたスルーホー
ルと、上記誘電体基板に設けられたスルーホールと、該
誘電体基板のスルーホール及び上記蓋部材のスルーホー
ルと接続された、該蓋部材と誘電体基板とのそれぞれの
互いに対面する面上、及び上記枠状部材の内壁上に設け
られた金属配線とにより構成するようにしたものであ
る。
上記第１の接続手段を、上記蓋部材と誘電体基板とのそ
れぞれの互いに対面する面上、及び上記枠状部材の内壁
上に設けられた金属配線により構成するようにし、上記
第２の接続手段を、上記蓋部材に設けられたスルーホー
ルと、上記誘電体基板に設けられたスルーホールと、該
誘電体基板のスルーホール及び上記蓋部材のスルーホー
ルと接続された、該蓋部材と誘電体基板とのそれぞれの
互いに対面する面上、及び上記枠状部材の内壁上に設け
られた金属配線とにより構成するようにしたものであ
る。
【００１６】また、上記高周波集積回路装置において、
上記蓋部材の接地用金属膜を、上記蓋部材の上記誘電体
基板と対面する側に設けるようにしたものである。
上記蓋部材の接地用金属膜を、上記蓋部材の上記誘電体
基板と対面する側に設けるようにしたものである。
【００１７】また、上記高周波集積回路装置において、
上記第１の接続手段を、上記蓋部材に設けられたスルー
ホールと、該スルーホールと接続された、上記蓋部材と
誘電体基板とのそれぞれの互いに対面する面上、及び上
記枠状部材の内壁上に設けられた金属配線により構成す
るようにし、上記第２の接続手段を、上記誘電体基板に
設けられたスルーホールと、該誘電体基板のスルーホー
ルと接続された、該蓋部材と誘電体基板とのそれぞれの
互いに対面する面上、及び上記枠状部材の内壁上に設け
られた金属配線とにより構成するようにしたものであ
る。
上記第１の接続手段を、上記蓋部材に設けられたスルー
ホールと、該スルーホールと接続された、上記蓋部材と
誘電体基板とのそれぞれの互いに対面する面上、及び上
記枠状部材の内壁上に設けられた金属配線により構成す
るようにし、上記第２の接続手段を、上記誘電体基板に
設けられたスルーホールと、該誘電体基板のスルーホー
ルと接続された、該蓋部材と誘電体基板とのそれぞれの
互いに対面する面上、及び上記枠状部材の内壁上に設け
られた金属配線とにより構成するようにしたものであ
る。
【００１８】
実施の形態１．図１は本発明の実施の形態１に係る高周
波集積回路装置の構造を示す斜視図（図１(a)), 高周波
集積回路装置の蓋部材を基板の表面側からみた斜視図
（図１(b))，この蓋部材を基板の裏面側からみた斜視図
（図１(c))，この蓋部材を取り外した状態を示す斜視図
（図１(d))、及び図１(a) のＩｅ−Ｉｅ線による断面図
（図１(e))である。この高周波集積回路装置は、受動回
路部をセラミック等の誘電体材料からなる蓋部材のパッ
ケージ封止される側に形成し、該蓋部材の受動回路部が
形成されていない側に接地用金属膜を形成し、能動回路
部を他の半導体チップとして形成してパッケージの底部
となる誘電体基板上に載置するようにし、上記蓋部材に
形成された受動回路部と半導体チップの能動回路部とを
適宜接続するようにしたものである。図１において、１
はセラミック等の誘電体材料からなる誘電体基板、３は
高周波集積回路のうちの能動回路部（図示せず）が形成
されている半導体チップ、７ａは基板１上の半導体チッ
プ３を載置する領域近傍に設けられた金等の金属膜から
なる載置用金属膜、４は基板１上に、半導体チップ３を
囲うように配置されたセラミック等の誘電体材料からな
る枠状部材、５は枠状部材４上に、半導体チップ３を封
止するように配置されたセラミック等の誘電体材料から
なる蓋部材で、この蓋部材５と枠状部材４と基板１とで
パッケージを構成している。２は高周波集積回路のうち
の整合回路を含む受動回路部で、蓋部材５の基板１に対
面する面上にメッキ等により形成された所定のパターン
（図示せず）の金等の金属膜及び抵抗やキャパシタ等の
チップ部品により構成されている。この受動回路部２と
半導体チップ３の能動回路部とにより高周波集積回路を
構成している。１０は蓋部材５の受動回路部２が形成さ
れている面と反対側の面の全面に金メッキ等により形成
された接地用金属膜、７ｂは枠状部材４の内壁に設けら
れた載置用金属膜で、載置用金属膜７ａの延長上の領域
に位置しており、これらは互いに接続されている。１２
は蓋部材５の基板１に対面する側に載置用金属膜７ｂと
接続されるよう設けられた接地用の金属配線で、この金
属配線１２と接地用金属膜１０とは蓋部材５に設けられ
たスルーホール１１を介して接続されており、これによ
り、パッケージを組み立てた状態では、蓋部材５の接地
用金属膜１０は、スルーホール１１，金属配線１２，載
置用金属膜７ｂ，載置用金属膜７ａ，及びスルーホール
９を介して基板１の裏面の接地用金属膜８と接続されて
接地される。６は上記基板１上の、上記枠状部材４の枠
内の領域から枠外の領域にわたって配置された、金等の
メッキにより形成された金属リード、１３ａ，１３ｂ，
及び１３ｃは、それぞれ基板１上、枠状部材４の内壁
上、及び蓋部材５の基板１に対面する面上に設けられ
た、受動回路部２の端子（図示せず）を基板１上に引き
出すための金属配線で、パッケージが組み立てられた時
点で、互いに接続されるようになっている。なお、ここ
では金属配線１３ａ〜１３ｃを各金属リード６間に挟ま
れた領域に配置した構造としているが、金属配線１３ａ
〜１３ｃはどのように配置するようにしてもよい。８は
基板１の裏面に形成された接地用金属膜、９はこの接地
用金属膜８と載置用金属膜７とを接続するために上記基
板１に設けられたスルーホールで、半導体チップ３はこ
の載置用金属膜７とスルーホール９とを介して、接地用
金属膜８と接続されている。なお、図示していないが、
半導体チップ３と受動回路部２とは適宜、金線等のワイ
ヤにより接続されており、また、半導体チップ３の能動
回路部と受動回路部２とはそれぞれが適宜、金線等のワ
イヤにより金属リード６と接続されている。
波集積回路装置の構造を示す斜視図（図１(a)), 高周波
集積回路装置の蓋部材を基板の表面側からみた斜視図
（図１(b))，この蓋部材を基板の裏面側からみた斜視図
（図１(c))，この蓋部材を取り外した状態を示す斜視図
（図１(d))、及び図１(a) のＩｅ−Ｉｅ線による断面図
（図１(e))である。この高周波集積回路装置は、受動回
路部をセラミック等の誘電体材料からなる蓋部材のパッ
ケージ封止される側に形成し、該蓋部材の受動回路部が
形成されていない側に接地用金属膜を形成し、能動回路
部を他の半導体チップとして形成してパッケージの底部
となる誘電体基板上に載置するようにし、上記蓋部材に
形成された受動回路部と半導体チップの能動回路部とを
適宜接続するようにしたものである。図１において、１
はセラミック等の誘電体材料からなる誘電体基板、３は
高周波集積回路のうちの能動回路部（図示せず）が形成
されている半導体チップ、７ａは基板１上の半導体チッ
プ３を載置する領域近傍に設けられた金等の金属膜から
なる載置用金属膜、４は基板１上に、半導体チップ３を
囲うように配置されたセラミック等の誘電体材料からな
る枠状部材、５は枠状部材４上に、半導体チップ３を封
止するように配置されたセラミック等の誘電体材料から
なる蓋部材で、この蓋部材５と枠状部材４と基板１とで
パッケージを構成している。２は高周波集積回路のうち
の整合回路を含む受動回路部で、蓋部材５の基板１に対
面する面上にメッキ等により形成された所定のパターン
（図示せず）の金等の金属膜及び抵抗やキャパシタ等の
チップ部品により構成されている。この受動回路部２と
半導体チップ３の能動回路部とにより高周波集積回路を
構成している。１０は蓋部材５の受動回路部２が形成さ
れている面と反対側の面の全面に金メッキ等により形成
された接地用金属膜、７ｂは枠状部材４の内壁に設けら
れた載置用金属膜で、載置用金属膜７ａの延長上の領域
に位置しており、これらは互いに接続されている。１２
は蓋部材５の基板１に対面する側に載置用金属膜７ｂと
接続されるよう設けられた接地用の金属配線で、この金
属配線１２と接地用金属膜１０とは蓋部材５に設けられ
たスルーホール１１を介して接続されており、これによ
り、パッケージを組み立てた状態では、蓋部材５の接地
用金属膜１０は、スルーホール１１，金属配線１２，載
置用金属膜７ｂ，載置用金属膜７ａ，及びスルーホール
９を介して基板１の裏面の接地用金属膜８と接続されて
接地される。６は上記基板１上の、上記枠状部材４の枠
内の領域から枠外の領域にわたって配置された、金等の
メッキにより形成された金属リード、１３ａ，１３ｂ，
及び１３ｃは、それぞれ基板１上、枠状部材４の内壁
上、及び蓋部材５の基板１に対面する面上に設けられ
た、受動回路部２の端子（図示せず）を基板１上に引き
出すための金属配線で、パッケージが組み立てられた時
点で、互いに接続されるようになっている。なお、ここ
では金属配線１３ａ〜１３ｃを各金属リード６間に挟ま
れた領域に配置した構造としているが、金属配線１３ａ
〜１３ｃはどのように配置するようにしてもよい。８は
基板１の裏面に形成された接地用金属膜、９はこの接地
用金属膜８と載置用金属膜７とを接続するために上記基
板１に設けられたスルーホールで、半導体チップ３はこ
の載置用金属膜７とスルーホール９とを介して、接地用
金属膜８と接続されている。なお、図示していないが、
半導体チップ３と受動回路部２とは適宜、金線等のワイ
ヤにより接続されており、また、半導体チップ３の能動
回路部と受動回路部２とはそれぞれが適宜、金線等のワ
イヤにより金属リード６と接続されている。
【００１９】また、図２は本発明の実施の形態１に係る
高周波集積回路装置の製造方法を説明するための主要工
程図であり、図２(a) は斜視図を示し、図２(b) 及び図
３(c) は基板の上部からみた平面図を示しており、図に
おいて、図１と同一符号は同一又は相当する部分を示し
ている。
高周波集積回路装置の製造方法を説明するための主要工
程図であり、図２(a) は斜視図を示し、図２(b) 及び図
３(c) は基板の上部からみた平面図を示しており、図に
おいて、図１と同一符号は同一又は相当する部分を示し
ている。
【００２０】次に製造方法について説明する。まず、セ
ラミックからなる誘電体基板１を用意し、この誘電体基
板１にその裏面に貫通するスルーホール９を形成し、そ
の後、金メッキにより、基板１の表面に金属リード６
と、載置用金属膜７ａと、金属配線１３ｃを形成し、さ
らに基板１の裏面に接地用金属膜８を形成する。この
時、載置用金属膜７ａはスルーホール９を含む位置に形
成するとともに、スルーホール９内にも金メッキを施
し、載置用金属膜７ａと接地用金属膜８とをスルーホー
ル９を介して接続するようにする。その後、高周波集積
回路の能動回路部を設けた半導体チップ３を用意し、こ
れを載置用金属膜８上に載置し、この半導体チップ３と
金属配線１３ｃと金属リード６とを金線等のワイヤ（図
示せず）により適宜接続する。（図２(a))。
ラミックからなる誘電体基板１を用意し、この誘電体基
板１にその裏面に貫通するスルーホール９を形成し、そ
の後、金メッキにより、基板１の表面に金属リード６
と、載置用金属膜７ａと、金属配線１３ｃを形成し、さ
らに基板１の裏面に接地用金属膜８を形成する。この
時、載置用金属膜７ａはスルーホール９を含む位置に形
成するとともに、スルーホール９内にも金メッキを施
し、載置用金属膜７ａと接地用金属膜８とをスルーホー
ル９を介して接続するようにする。その後、高周波集積
回路の能動回路部を設けた半導体チップ３を用意し、こ
れを載置用金属膜８上に載置し、この半導体チップ３と
金属配線１３ｃと金属リード６とを金線等のワイヤ（図
示せず）により適宜接続する。（図２(a))。
【００２１】次に、枠状部材４を接着剤等を用いて基板
１上に接着する（図２(b))。この時、枠状部材４の側面
の基板１上の載置用金属膜７ａ及び金属配線１３ｃが形
成されている位置に対応した位置に、載置用金属膜７ｂ
及び金属配線１３ｂをそれぞれ金メッキ等により形成し
ておく。また、枠状部材４と基板１との接着において
は、載置用金属膜７ａと載置用金属膜７ｂとの接着部
分、及び金属配線１３ｃと金属配線１３ｂとの接着部分
には導電性の樹脂接着剤を用いるとともに、その他の部
分には通常の樹脂接着剤を用いるようにする。
１上に接着する（図２(b))。この時、枠状部材４の側面
の基板１上の載置用金属膜７ａ及び金属配線１３ｃが形
成されている位置に対応した位置に、載置用金属膜７ｂ
及び金属配線１３ｂをそれぞれ金メッキ等により形成し
ておく。また、枠状部材４と基板１との接着において
は、載置用金属膜７ａと載置用金属膜７ｂとの接着部
分、及び金属配線１３ｃと金属配線１３ｂとの接着部分
には導電性の樹脂接着剤を用いるとともに、その他の部
分には通常の樹脂接着剤を用いるようにする。
【００２２】さらに、セラミックからなる蓋部材５を用
意し、該蓋部材５にスルーホール９を設け、該蓋部材５
の一方の面に受動回路部２と、該受動回路部２の端子と
接続された金属配線１３ａと、上記スルーホール９と接
続され蓋部材の外周方向に伸びる接地用の金属配線１２
とを形成し、さらに蓋部材５の他方の面に接地用金属膜
１０を形成し、この蓋部材５を、図２(c) に示すよう
に、基板１に対面する側が受動回路部２が形成されてい
る面となるよう枠状部材４上に接着して基板１上に載置
された半導体チップ３を封止する。この時、蓋部材５の
金属配線１３ａ及び金属配線１２は、それぞれ、枠状部
材４の金属配線１３ｂ及び載置用金属膜７ｂと接続され
るような位置に形成しておく。また、蓋部材５と枠状部
材４との接着においては、金属配線１２と載置用金属膜
７ｂとの接着部分、及び金属配線１３ａと金属配線１３
ｂとの接着部分には導電性の樹脂接着剤を用いるととも
に、その他の部分には通常の樹脂接着剤を用いるように
する。このように蓋部材５を接着することにより、受動
回路部２は、金属配線１３ａ〜１３ｃ，及び金線等のワ
イヤ（図示せず）を介して、能動回路部を備えた半導体
チップ３，或いは金属リード６と接続され、また、接地
用金属膜１０はスルーホール１１，金属配線１２，載置
用金属膜７ｂ，載置用金属膜７ａ，及びスルーホール９
を介して接地用金属膜８と接続され、これにより、図１
に示すような高周波集積回路装置を得る。
意し、該蓋部材５にスルーホール９を設け、該蓋部材５
の一方の面に受動回路部２と、該受動回路部２の端子と
接続された金属配線１３ａと、上記スルーホール９と接
続され蓋部材の外周方向に伸びる接地用の金属配線１２
とを形成し、さらに蓋部材５の他方の面に接地用金属膜
１０を形成し、この蓋部材５を、図２(c) に示すよう
に、基板１に対面する側が受動回路部２が形成されてい
る面となるよう枠状部材４上に接着して基板１上に載置
された半導体チップ３を封止する。この時、蓋部材５の
金属配線１３ａ及び金属配線１２は、それぞれ、枠状部
材４の金属配線１３ｂ及び載置用金属膜７ｂと接続され
るような位置に形成しておく。また、蓋部材５と枠状部
材４との接着においては、金属配線１２と載置用金属膜
７ｂとの接着部分、及び金属配線１３ａと金属配線１３
ｂとの接着部分には導電性の樹脂接着剤を用いるととも
に、その他の部分には通常の樹脂接着剤を用いるように
する。このように蓋部材５を接着することにより、受動
回路部２は、金属配線１３ａ〜１３ｃ，及び金線等のワ
イヤ（図示せず）を介して、能動回路部を備えた半導体
チップ３，或いは金属リード６と接続され、また、接地
用金属膜１０はスルーホール１１，金属配線１２，載置
用金属膜７ｂ，載置用金属膜７ａ，及びスルーホール９
を介して接地用金属膜８と接続され、これにより、図１
に示すような高周波集積回路装置を得る。
【００２３】この発明の実施の形態１に係る高周波集積
回路装置においては、セラミックからなる蓋部材５の基
板１に対面した面に高周波集積回路の整合回路を含む受
動回路部２を形成している。このため、受動回路部２と
能動回路部を含む半導体チップ３とを立体的に配置する
ことができ、従来の高周波集積回路装置のように、受動
回路部２を能動回路部を含む半導体チップ３を載置する
基板１の表面に形成する必要がなくなり、従来、受動回
路部２を形成するために必要であった面積を基板１から
減らすことができ、高周波集積回路装置の面積を小さく
することができる。
回路装置においては、セラミックからなる蓋部材５の基
板１に対面した面に高周波集積回路の整合回路を含む受
動回路部２を形成している。このため、受動回路部２と
能動回路部を含む半導体チップ３とを立体的に配置する
ことができ、従来の高周波集積回路装置のように、受動
回路部２を能動回路部を含む半導体チップ３を載置する
基板１の表面に形成する必要がなくなり、従来、受動回
路部２を形成するために必要であった面積を基板１から
減らすことができ、高周波集積回路装置の面積を小さく
することができる。
【００２４】また、この高周波集積回路装置において
は、蓋部材５の材料としてセラミックを用い、この蓋部
材５の受動回路部２が形成されている面と反対側の面に
接地用金属膜１０を設けているため、接地面となる接地
用金属膜と整合回路等の受動回路部２との距離が十分に
近くなり、この接地用金属膜１０において、高周波信号
をシールドして、既成のインダクタンス成分を除くこと
ができる。
は、蓋部材５の材料としてセラミックを用い、この蓋部
材５の受動回路部２が形成されている面と反対側の面に
接地用金属膜１０を設けているため、接地面となる接地
用金属膜と整合回路等の受動回路部２との距離が十分に
近くなり、この接地用金属膜１０において、高周波信号
をシールドして、既成のインダクタンス成分を除くこと
ができる。
【００２５】さらに、上述した従来の他の高周波集積回
路装置においては、パッケージの蓋としてシールド効果
のある金属製の蓋部材にバイアス回路を張りつけたもの
を用いることで装置の面積を小型化していたので、パッ
ケージの蓋を２つの部材により構成する必要があり、部
材の数が増えて製造コストが上昇するという問題や、金
属製の蓋部材が高価であるために材料費が高くなるとい
う問題があったが、本発明の実施の形態１においては、
比誘電率が１０程度と高いセラミックの蓋部材５を用
い、この一方の面に受動回路部２を形成するとともに、
その他方の面に接地したシールドのための接地用金属膜
１０を設けているため、パッケージの蓋の部材を１つに
することができ、製造コストを抑えることができるとと
もに、金属製の蓋部材に対して安価なセラミックからな
る蓋部材５を用いることにより材料費も安価にすること
ができる。この結果、従来の他の高周波集積回路装置よ
りも安価に、高周波集積回路装置を小型化することが可
能となる。
路装置においては、パッケージの蓋としてシールド効果
のある金属製の蓋部材にバイアス回路を張りつけたもの
を用いることで装置の面積を小型化していたので、パッ
ケージの蓋を２つの部材により構成する必要があり、部
材の数が増えて製造コストが上昇するという問題や、金
属製の蓋部材が高価であるために材料費が高くなるとい
う問題があったが、本発明の実施の形態１においては、
比誘電率が１０程度と高いセラミックの蓋部材５を用
い、この一方の面に受動回路部２を形成するとともに、
その他方の面に接地したシールドのための接地用金属膜
１０を設けているため、パッケージの蓋の部材を１つに
することができ、製造コストを抑えることができるとと
もに、金属製の蓋部材に対して安価なセラミックからな
る蓋部材５を用いることにより材料費も安価にすること
ができる。この結果、従来の他の高周波集積回路装置よ
りも安価に、高周波集積回路装置を小型化することが可
能となる。
【００２６】このように本発明の実施の形態１に係る高
周波集積回路装置によれば、セラミックからなる蓋部材
５の基板１に対面した面に高周波集積回路の整合回路を
含む受動回路部２を形成するとともに、蓋部材５の受動
回路部２が形成されている面と反対側の面に接地用金属
膜１０を設けているようにしたから、受動回路部２と能
動回路部を含む半導体チップ３とを立体的に配置して、
基板１の面積を小さくすることができ、さらに、蓋部材
５に受動回路部２を設けることにより受動回路部２と蓋
部材５とを接着工程が不要な一つの部材とすることがで
きるとともに、シールド用の接地用金属膜１０を設ける
ことにより蓋部材５として安価なセラミック材料を用い
ることができ、安価に小型化した高周波集積回路装置を
提供することができる効果がある。
周波集積回路装置によれば、セラミックからなる蓋部材
５の基板１に対面した面に高周波集積回路の整合回路を
含む受動回路部２を形成するとともに、蓋部材５の受動
回路部２が形成されている面と反対側の面に接地用金属
膜１０を設けているようにしたから、受動回路部２と能
動回路部を含む半導体チップ３とを立体的に配置して、
基板１の面積を小さくすることができ、さらに、蓋部材
５に受動回路部２を設けることにより受動回路部２と蓋
部材５とを接着工程が不要な一つの部材とすることがで
きるとともに、シールド用の接地用金属膜１０を設ける
ことにより蓋部材５として安価なセラミック材料を用い
ることができ、安価に小型化した高周波集積回路装置を
提供することができる効果がある。
【００２７】なお、上記実施の形態１においては、接地
用金属膜１０がスルーホール１１を介してパッケージの
内部を経て接地されるよう配線したが、本発明は接地用
金属膜１０はどのような経路を経て接地されるようにし
てもよく、このような場合においても上記実施の形態１
と同様の効果を奏する。
用金属膜１０がスルーホール１１を介してパッケージの
内部を経て接地されるよう配線したが、本発明は接地用
金属膜１０はどのような経路を経て接地されるようにし
てもよく、このような場合においても上記実施の形態１
と同様の効果を奏する。
【００２８】また、上記実施の形態１においては、受動
回路部２の端子が金属配線１３ａ〜１３ｃ，及びワイヤ
（図示せず）を経て半導体チップ３あるいは金属リード
６と接続するようにしたが、本発明においては、受動回
路部２はどのような経路を経て半導体チップ３あるいは
金属リード６と接続されるようにしてもよく、このよう
な場合においても上記実施の形態１と同様の効果を奏す
る。
回路部２の端子が金属配線１３ａ〜１３ｃ，及びワイヤ
（図示せず）を経て半導体チップ３あるいは金属リード
６と接続するようにしたが、本発明においては、受動回
路部２はどのような経路を経て半導体チップ３あるいは
金属リード６と接続されるようにしてもよく、このよう
な場合においても上記実施の形態１と同様の効果を奏す
る。
【００２９】実施の形態２．図３は本発明の実施の形態
２に係る高周波集積回路装置の構造を説明するための斜
視図（図３(a)), 高周波集積回路装置の蓋部材を基板の
表面側からみた斜視図（図３(b))，この蓋部材を基板の
裏面側からみた斜視図（図３(c))，この蓋部材を取り外
した状態を示す斜視図（図３(d))，及び図３(a) のIII
ｅ−III ｅ線による断面図（図３(e))である。図におい
て、図１と同一符号は同一または相当する部分を示して
おり、２１は蓋部材５に設けられたスルーホール、２
２，２３は該スルーホール２１と接続された金属配線で
ある。なお、この実施の形態２においては、接地用金属
膜１０は、蓋部材５の一方の面の、スルーホール２１及
び金属配線２２が形成されている領域近傍を除いた領域
全面に形成されている。
２に係る高周波集積回路装置の構造を説明するための斜
視図（図３(a)), 高周波集積回路装置の蓋部材を基板の
表面側からみた斜視図（図３(b))，この蓋部材を基板の
裏面側からみた斜視図（図３(c))，この蓋部材を取り外
した状態を示す斜視図（図３(d))，及び図３(a) のIII
ｅ−III ｅ線による断面図（図３(e))である。図におい
て、図１と同一符号は同一または相当する部分を示して
おり、２１は蓋部材５に設けられたスルーホール、２
２，２３は該スルーホール２１と接続された金属配線で
ある。なお、この実施の形態２においては、接地用金属
膜１０は、蓋部材５の一方の面の、スルーホール２１及
び金属配線２２が形成されている領域近傍を除いた領域
全面に形成されている。
【００３０】この実施の形態２に係る高周波集積回路装
置は、上記実施の形態１において説明した高周波集積回
路装置において、蓋部材５の接地用金属膜１０を設けた
面が基板側に対面するように、蓋部材５を枠状部材４上
に配置するようにしたものであり、上記実施の形態１に
おいては、蓋部材５に設けたスルーホール１１および配
線金属１２を介して接地用金属膜１０をパッケージ内に
取り出して接地するようにしたが、本実施の形態１にお
いては、広い面積に形成されている接地金属膜１０を、
蓋部材５を枠状部材４に取り付ける際に枠状部材４の内
壁の載置用金属膜７ｂと直接接着することで接続するよ
うにし、受動回路部２の端子は、金属配線２２，スルー
ホール２１，金属配線２３，金属配線１３ｂ，及び金属
配線１３ｃを経てパッケージ内に取り出し、能動回路部
を有する半導体チップ３や金属リード６と適宜、金線等
のワイヤで接続するようにしている。
置は、上記実施の形態１において説明した高周波集積回
路装置において、蓋部材５の接地用金属膜１０を設けた
面が基板側に対面するように、蓋部材５を枠状部材４上
に配置するようにしたものであり、上記実施の形態１に
おいては、蓋部材５に設けたスルーホール１１および配
線金属１２を介して接地用金属膜１０をパッケージ内に
取り出して接地するようにしたが、本実施の形態１にお
いては、広い面積に形成されている接地金属膜１０を、
蓋部材５を枠状部材４に取り付ける際に枠状部材４の内
壁の載置用金属膜７ｂと直接接着することで接続するよ
うにし、受動回路部２の端子は、金属配線２２，スルー
ホール２１，金属配線２３，金属配線１３ｂ，及び金属
配線１３ｃを経てパッケージ内に取り出し、能動回路部
を有する半導体チップ３や金属リード６と適宜、金線等
のワイヤで接続するようにしている。
【００３１】このような実施の形態２においては、上記
実施の形態１に係る高周波集積回路装置と同様の効果を
奏するとともに、蓋部材５の広い面積にわたって形成さ
れている接地金属膜１０と枠状部材４の載置用金属膜７
ｂとをスルーホール等を介さずに直接接着することによ
り、上記実施の形態１に係る高周波集積回路の接地用金
属膜１０よりも広い接着面積で枠状部材４の載置用金属
膜７ｂと接続することができ、これらの接続面積を広く
して、高周波的により安定性に優れた高周波集積回路装
置を提供できる効果がある。
実施の形態１に係る高周波集積回路装置と同様の効果を
奏するとともに、蓋部材５の広い面積にわたって形成さ
れている接地金属膜１０と枠状部材４の載置用金属膜７
ｂとをスルーホール等を介さずに直接接着することによ
り、上記実施の形態１に係る高周波集積回路の接地用金
属膜１０よりも広い接着面積で枠状部材４の載置用金属
膜７ｂと接続することができ、これらの接続面積を広く
して、高周波的により安定性に優れた高周波集積回路装
置を提供できる効果がある。
【００３２】なお、上記実施の形態２においては、受動
回路部２の端子がスルーホール２１を介して半導体チッ
プ３あるいは金属リード６と接続するようにしたが、本
発明においては受動回路部２はどのような経路を経て半
導体チップ３あるいは金属リード６と接続されるように
してもよく、このような場合においても上記実施の形態
２と同様の効果を奏する。
回路部２の端子がスルーホール２１を介して半導体チッ
プ３あるいは金属リード６と接続するようにしたが、本
発明においては受動回路部２はどのような経路を経て半
導体チップ３あるいは金属リード６と接続されるように
してもよく、このような場合においても上記実施の形態
２と同様の効果を奏する。
【００３３】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る高周波集
積回路装置によれば、裏面に接地用の金属膜を備えた誘
電体材料からなる基板と、該誘電体基板の表面に配置さ
れた誘電体材料からなる枠状部材と、上記枠状部材上
に、上記基板と上記枠状部材とにより形成される凹部を
封止するよう配置された、その一方の面上に高周波回路
の整合回路を含む受動回路部を有し、その他方の面上に
接地用の金属膜を有する誘電体材料からなる蓋部材と、
上記枠状部材の枠内の上記誘電体基板表面に配置され
た、上記高周波回路の能動回路部を有する半導体チップ
と、該半導体チップの能動回路部と、上記蓋部材の受動
回路部とを接続する第１の接続手段と、上記蓋部材の接
地用金属膜と、上記誘電体基板の接地用金属膜とを接続
する第２の接続手段とを備えるようにしたから、整合回
路を含む受動回路部と能動回路部を含む半導体チップと
を立体的に配置して、誘電体基板の面積を小さくするこ
とができ、さらに、蓋部材に受動回路部を設けることに
より受動回路部と蓋部材とを接着工程が不要な一つの部
材とすることができるとともに、シールド用の接地用金
属膜を設けることにより蓋部材として安価な誘電体材料
を用いることができ、安価に小型化した高周波集積回路
装置を提供することができる効果がある。
積回路装置によれば、裏面に接地用の金属膜を備えた誘
電体材料からなる基板と、該誘電体基板の表面に配置さ
れた誘電体材料からなる枠状部材と、上記枠状部材上
に、上記基板と上記枠状部材とにより形成される凹部を
封止するよう配置された、その一方の面上に高周波回路
の整合回路を含む受動回路部を有し、その他方の面上に
接地用の金属膜を有する誘電体材料からなる蓋部材と、
上記枠状部材の枠内の上記誘電体基板表面に配置され
た、上記高周波回路の能動回路部を有する半導体チップ
と、該半導体チップの能動回路部と、上記蓋部材の受動
回路部とを接続する第１の接続手段と、上記蓋部材の接
地用金属膜と、上記誘電体基板の接地用金属膜とを接続
する第２の接続手段とを備えるようにしたから、整合回
路を含む受動回路部と能動回路部を含む半導体チップと
を立体的に配置して、誘電体基板の面積を小さくするこ
とができ、さらに、蓋部材に受動回路部を設けることに
より受動回路部と蓋部材とを接着工程が不要な一つの部
材とすることができるとともに、シールド用の接地用金
属膜を設けることにより蓋部材として安価な誘電体材料
を用いることができ、安価に小型化した高周波集積回路
装置を提供することができる効果がある。
【００３４】また、この発明に係る高周波集積回路装置
によれば、上記高周波集積回路装置において、上記蓋部
材の受動回路部を、上記蓋部材の上記誘電体基板と対面
する側に設けるようにしたから、誘電体基板の面積を小
さくすることができ、さらに、受動回路部と蓋部材とを
一つの部材とすることができるとともに、蓋部材として
安価な誘電体材料を用いることができ、安価に小型化し
た高周波集積回路装置を提供することができる効果があ
る。
によれば、上記高周波集積回路装置において、上記蓋部
材の受動回路部を、上記蓋部材の上記誘電体基板と対面
する側に設けるようにしたから、誘電体基板の面積を小
さくすることができ、さらに、受動回路部と蓋部材とを
一つの部材とすることができるとともに、蓋部材として
安価な誘電体材料を用いることができ、安価に小型化し
た高周波集積回路装置を提供することができる効果があ
る。
【００３５】また、この発明に係る高周波集積回路装置
によれば、上記高周波集積回路装置において、上記第１
の接続手段を、上記蓋部材と誘電体基板とのそれぞれの
互いに対面する面上、及び上記枠状部材の内壁上に設け
られた金属配線により構成するようにし、上記第２の接
続手段を、上記蓋部材に設けられたスルーホールと、上
記誘電体基板に設けられたスルーホールと、該誘電体基
板のスルーホール及び上記蓋部材のスルーホールと接続
された、該蓋部材と誘電体基板とのそれぞれの互いに対
面する面上、及び上記枠状部材の内壁上に設けられた金
属配線とにより構成するようにしたから、誘電体基板の
面積を小さくすることができ、さらに、受動回路部と蓋
部材とを一つの部材とすることができるとともに、蓋部
材として安価な誘電体材料を用いることができ、安価に
小型化した高周波集積回路装置を提供することができる
効果がある。
によれば、上記高周波集積回路装置において、上記第１
の接続手段を、上記蓋部材と誘電体基板とのそれぞれの
互いに対面する面上、及び上記枠状部材の内壁上に設け
られた金属配線により構成するようにし、上記第２の接
続手段を、上記蓋部材に設けられたスルーホールと、上
記誘電体基板に設けられたスルーホールと、該誘電体基
板のスルーホール及び上記蓋部材のスルーホールと接続
された、該蓋部材と誘電体基板とのそれぞれの互いに対
面する面上、及び上記枠状部材の内壁上に設けられた金
属配線とにより構成するようにしたから、誘電体基板の
面積を小さくすることができ、さらに、受動回路部と蓋
部材とを一つの部材とすることができるとともに、蓋部
材として安価な誘電体材料を用いることができ、安価に
小型化した高周波集積回路装置を提供することができる
効果がある。
【００３６】また、この発明に係る高周波集積回路装置
によれば、上記高周波集積回路装置において、上記蓋部
材の接地用金属膜を、上記蓋部材の上記誘電体基板と対
面する側に設けるようにしたから、誘電体基板の面積を
小さくすることができ、さらに、受動回路部と蓋部材と
を一つの部材とすることができるとともに、蓋部材とし
て安価な誘電体材料を用いることができ、安価に小型化
した高周波集積回路装置を提供することができる効果が
ある。
によれば、上記高周波集積回路装置において、上記蓋部
材の接地用金属膜を、上記蓋部材の上記誘電体基板と対
面する側に設けるようにしたから、誘電体基板の面積を
小さくすることができ、さらに、受動回路部と蓋部材と
を一つの部材とすることができるとともに、蓋部材とし
て安価な誘電体材料を用いることができ、安価に小型化
した高周波集積回路装置を提供することができる効果が
ある。
【００３７】また、この発明に係る高周波集積回路装置
によれば、上記高周波集積回路装置において、上記第１
の接続手段を、上記蓋部材に設けられたスルーホール
と、該スルーホールと接続された、上記蓋部材と誘電体
基板とのそれぞれの互いに対面する面上、及び上記枠状
部材の内壁上に設けられた金属配線により構成するよう
にし、上記第２の接続手段を、上記誘電体基板に設けら
れたスルーホールと、該誘電体基板のスルーホールと接
続された、該蓋部材と誘電体基板とのそれぞれの互いに
対面する面上、及び上記枠状部材の内壁上に設けられた
金属配線とにより構成するようにしたから、誘電体基板
の面積を小さくすることができ、さらに、受動回路部と
蓋部材とを一つの部材とすることができるとともに、蓋
部材として安価な誘電体材料を用いることができ、安価
に小型化した高周波集積回路装置を提供することができ
る効果がある。
によれば、上記高周波集積回路装置において、上記第１
の接続手段を、上記蓋部材に設けられたスルーホール
と、該スルーホールと接続された、上記蓋部材と誘電体
基板とのそれぞれの互いに対面する面上、及び上記枠状
部材の内壁上に設けられた金属配線により構成するよう
にし、上記第２の接続手段を、上記誘電体基板に設けら
れたスルーホールと、該誘電体基板のスルーホールと接
続された、該蓋部材と誘電体基板とのそれぞれの互いに
対面する面上、及び上記枠状部材の内壁上に設けられた
金属配線とにより構成するようにしたから、誘電体基板
の面積を小さくすることができ、さらに、受動回路部と
蓋部材とを一つの部材とすることができるとともに、蓋
部材として安価な誘電体材料を用いることができ、安価
に小型化した高周波集積回路装置を提供することができ
る効果がある。
【図１】 この発明の実施の形態１に係る高周波集積回
路装置の構造を説明するための図である。
路装置の構造を説明するための図である。
【図２】 この発明の実施の形態１に係る高周波集積回
路装置の製造方法を説明するための図である。
路装置の製造方法を説明するための図である。
【図３】 この発明の実施の形態２に係る高周波集積回
路装置の構造を説明するための図である。
路装置の構造を説明するための図である。
【図４】 従来の高周波集積回路装置の構造を説明する
ための図である。
ための図である。
【図５】 従来の高周波集積回路装置の製造方法を説明
するための図である。
するための図である。
【図６】 従来の他の高周波集積回路装置の構造を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
１ 誘電体基板、２ 受動回路部、３ 半導体チップ、
４ 枠状部材、５ 蓋部材、６ 金属リード、７，７
ａ，７ｂ 載置用金属膜、８，１０ 接地用金属膜、
９，１１，２１ スルーホール、１２，１３ａ，１３
ｂ，１３ｃ，２２，２３ 配線金属、１０２ 基板、１
０３ 枠状部材、１０４ 蓋部材、１０５高周波回路基
板、１０６ 接地導体面、１０７ バイアス回路基板、
１０８ 接続端子。
４ 枠状部材、５ 蓋部材、６ 金属リード、７，７
ａ，７ｂ 載置用金属膜、８，１０ 接地用金属膜、
９，１１，２１ スルーホール、１２，１３ａ，１３
ｂ，１３ｃ，２２，２３ 配線金属、１０２ 基板、１
０３ 枠状部材、１０４ 蓋部材、１０５高周波回路基
板、１０６ 接地導体面、１０７ バイアス回路基板、
１０８ 接続端子。
Claims (5)
- 【請求項１】 裏面に接地用の金属膜を備えた誘電体材
料からなる基板と、 該誘電体基板の表面に配置された誘電体材料からなる枠
状部材と、 上記枠状部材上に、上記基板と上記枠状部材とにより形
成される凹部を封止するよう配置された、その一方の面
上に高周波回路の整合回路を含む受動回路部を有し、そ
の他方の面上に接地用の金属膜を有する誘電体材料から
なる蓋部材と、 上記枠状部材の枠内の上記誘電体基板表面に配置され
た、上記高周波回路の能動回路部を有する半導体チップ
と、 該半導体チップの能動回路部と、上記蓋部材の受動回路
部とを接続する第１の接続手段と、 上記蓋部材の接地用金属膜と、上記誘電体基板の接地用
金属膜とを接続する第２の接続手段とを備えたことを特
徴とする高周波集積回路装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の高周波集積回路装置に
おいて、 上記蓋部材の受動回路部は、上記蓋部材の上記誘電体基
板と対面する側に設けられていることを特徴とする高周
波集積回路装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載の高周波集積回路装置に
おいて、 上記第１の接続手段は、上記蓋部材と誘電体基板とのそ
れぞれの互いに対面する面上、及び上記枠状部材の内壁
上に設けられた金属配線により構成されており、 上記第２の接続手段は、上記蓋部材に設けられたスルー
ホールと、上記誘電体基板に設けられたスルーホール
と、該誘電体基板のスルーホール及び上記蓋部材のスル
ーホールと接続された、該蓋部材と誘電体基板とのそれ
ぞれの互いに対面する面上、及び上記枠状部材の内壁上
に設けられた金属配線とにより構成されていることを特
徴とする高周波集積回路装置。 - 【請求項４】 請求項１に記載の高周波集積回路装置に
おいて、 上記蓋部材の接地用金属膜は、上記蓋部材の上記誘電体
基板と対面する側に設けられていることを特徴とする高
周波集積回路装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載の高周波集積回路装置に
おいて、 上記第１の接続手段は、上記蓋部材に設けられたスルー
ホールと、該スルーホールと接続された、上記蓋部材と
誘電体基板とのそれぞれの互いに対面する面上、及び上
記枠状部材の内壁上に設けられた金属配線により構成さ
れており、 上記第２の接続手段は、上記誘電体基板に設けられたス
ルーホールと、該誘電体基板のスルーホールと接続され
た、該蓋部材と誘電体基板とのそれぞれの互いに対面す
る面上、及び上記枠状部材の内壁上に設けられた金属配
線とにより構成されていることを特徴とする高周波集積
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24758596A JPH1093012A (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 高周波集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24758596A JPH1093012A (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 高周波集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1093012A true JPH1093012A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=17165702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24758596A Pending JPH1093012A (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 高周波集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1093012A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001065604A3 (en) * | 2000-02-28 | 2002-01-31 | Ericsson Inc | Functional lid for rf power package |
| KR100411206B1 (ko) * | 2001-02-19 | 2003-12-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
| JP2010283407A (ja) * | 2010-09-29 | 2010-12-16 | Toshiba Corp | 高周波セラミックパッケージおよびその作製方法 |
| CN102496612A (zh) * | 2011-12-21 | 2012-06-13 | 重庆西南集成电路设计有限责任公司 | 一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路 |
| US8476755B2 (en) | 2008-07-28 | 2013-07-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency ceramic package and fabrication method for the same |
-
1996
- 1996-09-19 JP JP24758596A patent/JPH1093012A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001065604A3 (en) * | 2000-02-28 | 2002-01-31 | Ericsson Inc | Functional lid for rf power package |
| KR100411206B1 (ko) * | 2001-02-19 | 2003-12-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
| US8476755B2 (en) | 2008-07-28 | 2013-07-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency ceramic package and fabrication method for the same |
| JP2010283407A (ja) * | 2010-09-29 | 2010-12-16 | Toshiba Corp | 高周波セラミックパッケージおよびその作製方法 |
| CN102496612A (zh) * | 2011-12-21 | 2012-06-13 | 重庆西南集成电路设计有限责任公司 | 一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路 |
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