JP2010283407A - 高周波セラミックパッケージおよびその作製方法 - Google Patents

Abstract

【課題】構造が簡単で、作製方法が容易で、かつ高周波特性に優れた高周波セラミックパッケージおよびその作製方法を提供する。
【解決手段】セラミックＲＦ基板２２の上面に配置された第１導体パターン２４ａと、セラミックＲＦ基板２２の下面に配置された第２導体パターン（２４ｂ）と、セラミックＲＦ基板２２の上面と下面を貫通するスルーホール２５ａと、スルーホール２５ａ内に充填され、第１導体パターン２４ａと第２導体パターン（２４ｂ）とを接続するスルーホール金属層２５と、セラミックＲＦ基板２２上に配置されたセラミックシールリング１４と、セラミックシールリング１４上に配置された絶縁性の接着剤とセラミックキャップとを備え、第２導体パターン（２４ｂ）を外部端子として使用し、セラミックキャップとセラミックシールリング１４の上面の間を絶縁性の接着剤により封止した高周波セラミックパッケージ。
【選択図】図１３

Description

本発明は、高周波セラミックパッケージおよびその作製方法に関し、特に構造が簡単で高周波特性に優れた高周波セラミックパッケージおよびその作製方法に関する。

高周波帯で使用する半導体装置、例えばマイクロ波電力増幅装置は、電界効果型トランジスタなどの能動素子および抵抗やコンデンサなどの受動素子、高周波信号を伝送するマイクロストリップ線路などの回路素子から構成される。このようなマイクロ波電力増幅装置は、例えば、図１８に示すようなパッケージ１００に実装されている（例えば、特許文献１および特許文献２参照。）。

すなわち、従来のパッケージ１００は、図１８に示すように、ベース１０２と、第１の空洞１２０及び導体パターン１２２を有するセラミック製の無線周波数基板１０６と、無線周波数基板１０６をベース１０２の上面に取り付ける取付手段１０４と、第１の空洞１２０より大きい第２の空洞１２４を有するセラミック製シールリング基板１１０と、セラミック製シールリング基板１１０を無線周波数基板１０６に取り付ける第２の取付手段１０８とを備える。この第２の取付手段１０８はシールリング１１０の寸法と整合している。さらに、非伝導性の第３の取付手段１１２によってセラミック製シールリング基板１１０に取り付けられたセラミック製リッド１１４とを具備する。このようなパッケージ１００に、図１８に示すように、超小型電子デバイス及び他の電気構成部品１１６が収納される。

従来のパッケージ１００では、外部端子がセラミック製の無線周波数基板１０６の上面に導体パターン１２２で形成されているため、リフローによる表面実装が難しい。

米国特許第５６９２２９８号明細書 特表２０００−５１０２８７号公報

本発明の目的は、構造が簡単で、作製方法が容易で、かつ高周波特性に優れた高周波セラミックパッケージおよびその作製方法を提供することにある。

本発明の目的は、リフローによる表面実装が可能な高周波セラミックパッケージおよびその作製方法を提供することにある。

本発明の目的は、外部端子とパッケージ実装基板上の導体パターンとの間のインピータンス不整合が低減され、特にミリ波等の高周波においてＲＦ特性の優れた高周波セラミックパッケージおよびその作製方法を提供することにある。

上記目的を達成するための本発明の一態様によれば、セラミックＲＦ基板と、前記セラミックＲＦ基板の上面に配置された第１導体パターンと、前記セラミックＲＦ基板の下面に配置された第２導体パターンと、前記セラミックＲＦ基板の上面と下面を貫通するスルーホールと、前記スルーホール内に充填され、前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとを接続するスルーホール金属層と、前記セラミックＲＦ基板上に配置されたセラミックシールリングと、前記セラミックシールリング上に配置されたセラミックキャップとを備え、前記第２導体パターンを外部端子として使用し、前記スルーホール金属層は、前記セラミックシールリングの下側のみに配置された高周波セラミックパッケージが提供される。

他の態様によれば、セラミックＲＦ基板と、前記セラミックＲＦ基板の上面に配置された第１導体パターンと、前記セラミックＲＦ基板の上面と下面を貫通するスルーホールと、前記スルーホール内に充填され、前記第１導体パターンと接続するスルーホール金属層と、前記セラミックＲＦ基板上に配置されたセラミックシールリングと、前記セラミックシールリング上に配置されたセラミックキャップとを備え、前記スルーホール金属層は、前記セラミックシールリングの下側のみに配置された高周波セラミックパッケージが提供される。

他の態様によれば、セラミックＲＦ基板を形成する工程と、前記セラミックＲＦ基板の上面に第１導体パターンを形成する工程と、前記セラミックＲＦ基板の下面に第２導体パターンを形成する工程と、前記セラミックＲＦ基板の上面と下面を貫通するスルーホールを形成する工程と、前記スルーホール内に充填され、前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとを接続するスルーホール金属層を形成する工程と、前記セラミックＲＦ基板上にセラミックシールリングを形成する工程と、前記セラミックシールリング上にセラミックキャップを形成する工程とを有し、前記第２導体パターンを外部端子として使用し、前記スルーホール金属層は、前記セラミックシールリングの下側のみに形成された高周波セラミックパッケージの作製方法が提供される。

他の態様によれば、セラミックＲＦ基板を形成する工程と、前記セラミックＲＦ基板の上面に第１導体パターンを形成する工程と、前記セラミックＲＦ基板の上面と下面を貫通するスルーホールを形成する工程と、前記スルーホール内に充填され、前記第１導体パターンと接続するスルーホール金属層を形成する工程と、前記セラミックＲＦ基板上にセラミックシールリングを形成する工程と、前記セラミックシールリング上にセラミックキャップを形成する工程とを有し、前記スルーホール金属層は、前記セラミックシールリングの下側のみに形成された高周波セラミックパッケージの作製方法が提供される。

本発明によれば、構造が簡単で、作製方法が容易で、かつ高周波特性に優れた高周波セラミックパッケージおよびその作製方法を提供することができる。

本発明によれば、セラミックＲＦ基板の下面に外部端子を設けたことにより、外部端子をパッケージ下面の同一平面上に形成でき、リフローによる表面実装が可能な高周波セラミックパッケージおよびその作製方法を提供することができる。

本発明によれば、セラミックＲＦ基板の下面に外部端子を設けたことにより、外部端子とパッケージ実装基板上の導体パターンとの間のインピータンス不整合が低減され、特にミリ波等の高周波においてＲＦ特性の改善効果が顕著に現れる高周波セラミックパッケージおよびその作製方法を提供することができる。

本発明の第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージおよびその作製方法を説明する模式的鳥瞰図であって、（ａ）セラミックキャップ１０、（ｂ）絶縁性の接着剤１２、（ｃ）セラミックシールリング１４、（ｄ）絶縁性の接着剤１６、（ｅ）半導体チップ１８、（ｆ）セラミックＲＦ基板２２、（ｇ）絶縁性若しくは導電性の接着剤２６、（ｈ）導体ベースプレート３０の模式的構成図。 本発明の第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージの導体ベースプレート３０と導体リード２８の構成図であって、（ａ）上面図、（ｂ）底面図、（ｃ）鳥瞰図。 本発明の第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージの絶縁性若しくは導電性の接着剤２６の構成図であって、（ａ）上面図、（ｂ）底面図、（ｃ）鳥瞰図。 本発明の第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージのセラミックＲＦ基板２２の構成図であって、（ａ）上面図、（ｂ）底面図、（ｃ）鳥瞰図。 本発明の第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージの導体ベースプレート３０とセラミックＲＦ基板２２の接着された様子を示す構成図であって、（ａ）上面図、（ｂ）底面図、（ｃ）鳥瞰図。 本発明の第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージの絶縁性の接着剤１６の構成図であって、（ａ）上面図、（ｂ）底面図、（ｃ）鳥瞰図。 本発明の第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージのセラミックシールリング１４の構成図であって、（ａ）上面図、（ｂ）底面図、（ｃ）鳥瞰図。 本発明の第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージのセラミックシールリング１４の接着の様子を示す構成図であって、（ａ）上面図、（ｂ）底面図、（ｃ）鳥瞰図。 本発明の第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージの半導体チップ１８の実装状態を示す構成図であって、（ａ）上面図、（ｂ）底面図、（ｃ）鳥瞰図。 本発明の第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージの絶縁性の接着剤１２の構成図であって、（ａ）上面図、（ｂ）底面図、（ｃ）鳥瞰図。 本発明の第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージのセラミックキャップ１０の構成図であって、（ａ）上面図、（ｂ）底面図、（ｃ）鳥瞰図。 本発明の第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージにおいて、セラミックキャップ１０の接着の様子を示す構成図であって、（ａ）上面図、（ｂ）底面図、（ｃ）鳥瞰図。 本発明の第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージにおいて、絶縁性の接着剤１２と、セラミックキャップ１０を取り外した状態の詳細な構成図であって、（ａ）上面図、（ｂ）底面図、（ｃ）（ａ）のＩ−Ｉ線に沿う模式的断面構造図、（ｄ）（ａ）のＩＩ−ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。 本発明の第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージに適用可能な別のセラミックＲＦ基板の構成図であって、（ａ）上面図、（ｂ）底面図、（ｃ）鳥瞰図。 本発明の第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージに適用可能なさらに別のセラミックＲＦ基板の構成図であって、（ａ）上面図、（ｂ）底面図、（ｃ）鳥瞰図。 本発明の第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージに適用可能な別のセラミックキャップの構成図であって、（ａ）上面図、（ｂ）底面図、（ｃ）鳥瞰図。 本発明の第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージに適用可能なさらに別のセラミックキャップの構成図であって、（ａ）上面図、（ｂ）底面図、（ｃ）鳥瞰図。 従来のパッケージおよびその作製方法を説明する模式的鳥瞰図。

次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下において、同じブロックまたは要素には同じ符号を付して説明の重複を避け、説明を簡略にする。図面は模式的なものであり、現実のものとは異なることに留意すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。

以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施の形態は、各構成部品の配置などを下記のものに特定するものでない。この発明の実施の形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。

[第１の実施の形態]
本発明の第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージは、図１に示すように、セラミックキャップ１０と、絶縁性の接着剤１２と、セラミックシールリング１４と、絶縁性の接着剤１６と、半導体チップ１８と、セラミックＲＦ基板２２と、絶縁性若しくは導電性の接着剤２６と、導体ベースプレート３０とを備える。

（導体ベースプレート３０と導体リード２８）
第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージの導体ベースプレート３０と導体リード２８の構成は、図２（ａ）〜（ｃ）に示すように表される。

導体ベースプレート３０は、例えば、Ｋｏｖａｒ、銅、銅タングステン合金、銅モリブデン合金、モリブデンなどの導電性金属によって形成されている。さらに、導体ベースプレート３０の表面には、例えば、ニッケル、銀、銀−白金合金、銀−パラジウム合金、金などのメッキ導体を形成してもよい。

導体リード２８は、導体ベースプレート３０と同様に、Ｋｏｖａｒ、銅、銅タングステン合金、銅モリブデン合金、モリブデンなどの導電性金属から作成可能である。さらに、導体リード２８の表面には、例えば、ニッケル、銀、銀−白金合金、銀−パラジウム合金、金などのメッキ導体を形成してもよい。

（絶縁性若しくは導電性の接着剤２６）
第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージの絶縁性若しくは導電性の接着剤２６の構成は、図３（ａ）〜（ｃ）に示すように表される。絶縁性若しくは導電性の接着剤２６は、絶縁性の接着剤としては、例えば、エポキシ樹脂、ガラスなどから形成可能であり、導電性の接着剤としては、例えば、金ゲルマニウム合金、金錫合金などから形成可能である。

（セラミックＲＦ基板２２）
セラミックＲＦ基板２２の構成は、図４（ａ）〜（ｃ）に示すように表される。セラミックＲＦ基板２２の材質としては、例えば、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、窒化アルミニウム（ＡＩＮ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）などから形成可能である。

セラミックＲＦ基板２２の上面には、図４（ａ）に示すように、第１導体パターン２４ａが配置され、セラミックＲＦ基板２２の下面には、図４（ｂ）に示すように、第２導体パターン２４ｂが配置されている。第１導体パターン２４ａおよび第２導体パターン２４ｂは、スクリーン印刷などで形成可能である。

さらに、図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、セラミックＲＦ基板２２の上面と下面を貫通するスルーホール２５ａが形成されている。なお、後述する図１３に示すように、スルーホール２５ａ内には、第１導体パターン２４ａと第２導体パターン２４ｂとを電気的に接続するためのスルーホール金属層２５が充填される。

第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージにおいて、導体ベースプレート３０と、導体リード２８と、セラミックＲＦ基板２２の接着された構成は、図５（ａ）〜（ｃ）に示すように表される。第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージは、図５（ｂ）に示すように、導体リード２８と第２導体パターン２４ｂとを接続するロウ付け部３２を備える。

また、第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージにおいて、セラミックＲＦ基板２２は、絶縁性若しくは導電性の接着剤２６を介して、導体ベースプレート３０上に配置される。

（絶縁性の接着剤１６）
絶縁性の接着剤１６の構成は、図６に示すように表される。絶縁性の接着剤１６の材質としては、例えば、エポキシ樹脂、ガラスなどで形成することができる。

（セラミックシールリング１４）
セラミックシールリング１４の構成は、図７に示すように表される。セラミックシールリングの材質としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、酸化ベリリウムなどから形成可能である。

第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージにおいて、セラミックシールリング１４の接着の様子を示す構成図は、図８（ａ）〜（ｃ）に示すように表される。

第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージにおいて、半導体チップ１８の実装状態を示す構成は、図９（ａ）〜（ｃ）に示すように表される。半導体チップ１８は、図９（ａ）〜（ｃ）に示すように、ボンディングワイヤ２０を介して、第１導体パターン２４ａと接続される。

（絶縁性の接着剤１２）
絶縁性の接着剤１２の構成は、図１０に示すように表される。絶縁性の接着剤１２の材質としては、例えば、エポキシ樹脂、ガラスなどで形成することができる。

（セラミックキャップ１０）
第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージのセラミックキャップ１０の構成は、図１１に示すように表される。セラミックキャップ１０は、図１１に示すように、平板形状を備える。

第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージにおいて、セラミックキャップ１０の接着の様子を示す構成図は、図１２（ａ）〜（ｃ）に示すように表される。

また、絶縁性の接着剤１２と、セラミックキャップ１０を取り外した状態の詳細な構成図は、図１３（ａ）〜（ｄ）に示すように表される。図１３（ｃ）に示すように、セラミックＲＦ基板２２の上面と下面を貫通するスルーホール２５ａが形成され、スルーホール２５ａ内には、第１導体パターン２４ａと図示を省略した第２導体パターン２４ｂとを電気的に接続するためのスルーホール金属層２５が充填されている。結果として第１導体パターン２４ａは、スルーホール金属層２５を介して、導体リード２８と電気的に接続される。

セラミックシールリング１４上に絶縁性の接着剤１２を介してセラミックキャップ１０を配置することで、セラミックＲＦ基板２２と、絶縁性の接着剤１６と、セラミックシールリング１４と、絶縁性の接着剤１２と、セラミックキャップ１０によって空洞部３４が形成されている。空洞部３４内の導体ベースプレート３０上には、半導体チップ１８が配置されている。

第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージにおいては、第２導体パターン２４ｂを外部端子として使用し、セラミックキャップ１０とセラミックシールリング１４の上面の間を絶縁性の接着剤１２により封止している。

第１の実施の形態は、セラミックＲＦ基板２２の下面の第２導体パターン２４ｂに導体リード２８をロウ付けすることで外部端子を形成する高周波セラミックパッケージを開示している。

結果として、第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージは、図１〜図１３に示すように、セラミックＲＦ基板２２と、セラミックＲＦ基板２２の上面に配置された第１導体パターン２４ａと、セラミックＲＦ基板２２の下面に配置された第２導体パターン２４ｂと、セラミックＲＦ基板２２の上面と下面を貫通するスルーホール２５ａと、スルーホール２５ａ内に充填され、第１導体パターン２４ａと第２導体パターン２４ｂとを接続するスルーホール金属層２５と、セラミックＲＦ基板２２上に配置されたセラミックシールリング１４と、セラミックシールリング１４上に配置された絶縁性の接着剤１２と、絶縁性の接着剤１２上に配置されたセラミックキャップ１０とを備える。

（高周波セラミックパッケージの作製方法）
第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージの作製方法は、図１〜図１３に示すように、セラミックＲＦ基板２２を形成する工程と、セラミックＲＦ基板２２の上面に第１導体パターン２４ａを形成する工程と、セラミックＲＦ基板２２の下面に第２導体パターン２４ｂを形成する工程と、セラミックＲＦ基板２２の上面と下面を貫通するスルーホール２５ａを形成する工程と、スルーホール２５ａ内に充填され、第１導体パターン２４ａと第２導体パターン２４ｂとを接続するスルーホール金属層２５を形成する工程と、セラミックＲＦ基板２２上にセラミックシールリング１４を形成する工程と、セラミックシールリング１４上に絶縁性の接着剤１２を形成する工程と、絶縁性の接着剤１２上にセラミックキャップ１０を形成する工程とを有する。さらに、第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージの作製方法は、導体リード２８を形成する工程と、導体リード２８と第２導体パターン２４ｂとをロウ付けする工程とを有する。

（第１の実施の形態の変形例）
スルーホール金属層２５は、第１導体パターン２４ａとのみ接続され、第２導体パターン２４ｂを介することなく、直接的に導体リード２８と接続されていてもよい。この場合には、第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージは、セラミックＲＦ基板２２と、セラミックＲＦ基板２２の上面に配置された第１導体パターン２４ａと、セラミックＲＦ基板２２の上面と下面を貫通するスルーホール２５ａと、スルーホール２５ａ内に充填され、第１導体パターン２４ａと接続するスルーホール金属層２５と、セラミックＲＦ基板２２上に配置されたセラミックシールリング１４と、セラミックシールリング１４上に配置された絶縁性の接着剤１２と、絶縁性の接着剤１２上に配置されたセラミックキャップ１０とを備える。セラミックキャップ１０とセラミックシールリング１４の上面の間を絶縁性の接着剤１２により封止している。また、スルーホール金属層２５と接続する導体リード２８を備えている。その他の構成は、図１〜図１３と同様であるため、説明は省略する。

スルーホール金属層２５を、第２導体パターン２４ｂを介することなく、直接的に導体リード２８と接続する断面構成は、模式的に、図１３（ｃ）と同様に表される。特に、セラミックＲＦ基板２２を、樹脂ボード上に配置する場合にも適用可能な構成である。

（変形例に係る高周波セラミックパッケージの作製方法）
第１の実施の形態の変形例１に係る高周波セラミックパッケージの作製方法は、セラミックＲＦ基板２２を形成する工程と、セラミックＲＦ基板２２の上面に第１導体パターン２４ａを形成する工程と、セラミックＲＦ基板２２の上面と下面を貫通するスルーホール２５ａを形成する工程と、スルーホール２５ａ内に充填され、第１導体パターン２４ａと接続するスルーホール金属層２５を形成する工程と、セラミックＲＦ基板２２上にセラミックシールリング１４を形成する工程と、セラミックシールリング１４上に絶縁性の接着剤１２を形成する工程と、絶縁性の接着剤１２上にセラミックキャップ１０を形成する工程とを有する。さらに、導体リード２８を形成する工程と、導体リード２８とスルーホール金属層２５とを接続する工程とを有する。

第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージのセラミックＲＦ基板２２の別の構成は、図１４に示すように表される。図１４に示す例は、スルーホール２５ａの位置がセラミックシールリング１４の内側に配置されている例に相当する。

第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージのセラミックＲＦ基板２２のさらに別の構成は、図１５に示すように表される。図１５に示す例は、スルーホール２５ａの位置がセラミックシールリング１４の下側に配置された例に相当する。第１の実施の形態においてもスルーホール２５ａの位置がセラミックシールリング１４の下側に配置されているが、図１５に示す例では、さらにセラミックＲＦ基板２２がコンパクト化された例に相当する。

第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージのセラミックキャップ１０の別の構成は、図１６に示すように表される。図１６に示す例は、セラミックキャップ１０が、箱型形状で空洞部を有する例を示す。

第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージのセラミックキャップ１０のさらに別の構成は、図１７に示すように表される。図１７に示す例は、セラミックキャップ１０が、半円筒型形状で空洞部を有する例を示す。

第１の実施の形態に係る高周波セラミックパッケージは、２０ＧＨｚ以上の高周波特性を有する。このため、高周波数（すなわち２０ＧＨｚを越える周波数）のデバイス及び構成部品用のパッケージとして適用可能である。

本発明の第１の実施の形態によれば、構造が簡単で、作製方法が容易で、かつ高周波特性に優れた高周波セラミックパッケージおよびその作製方法を提供することができる。

本発明の第１の実施の形態によれば、セラミックＲＦ基板の下面に外部端子を設けたことにより、外部端子をパッケージ下面の同一平面上に形成でき、リフローによる表面実装が可能な高周波セラミックパッケージおよびその作製方法を提供することができる。

本発明の第１の実施の形態によれば、セラミックＲＦ基板の下面に外部端子を設けたことにより、外部端子とパッケージ実装基板上の導体パターンとの間のインピータンス不整合が低減され、特にミリ波等の高周波においてＲＦ特性の改善効果が顕著に現れる高周波セラミックパッケージおよびその作製方法を提供することができる。

[その他の実施の形態]
上記のように、本発明は第１の実施の形態およびその変形例によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。

なお、本発明の高周波セラミックパッケージに実装する素子としては、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field Effect Transistor）に限らず、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ：High Electron Mobility Transistor）、ＬＤＭＯＳ（Lateral Doped Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）やヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ：Hetero-junction Bipolar Transistor）などの増幅素子、メムス（ＭＥＭＳ：Micro Electro Mechanical Systems）素子なども適用できることは言うまでもない。

このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態などを含む。

本発明の高周波セラミックパッケージは、内部整合型電力増幅素子、電力ＭＭＩＣ（Monolithic Microwave Integrated Circuit）、マイクロ波電力増幅器、ミリ波電力増幅器、高周波ＭＥＭＳ素子などの幅広い分野に適用可能である。

１０…セラミックキャップ
１２,１６…絶縁性の接着剤
１４…セラミックシールリング
１８…半導体チップ
２０…ボンディングワイヤ
２２…セラミックＲＦ基板
２４ａ…第１導体パターン
２４ｂ…第２導体パターン
２５…スルーホール金属層
２５ａ…スルーホール
２６…絶縁性若しくは導電性の接着剤
２８…導体リード
３０…導体ベースプレート
３２…ロウ付け部
３４…空洞部

Claims (22)

1. セラミックＲＦ基板と、
   前記セラミックＲＦ基板の上面に配置された第１導体パターンと、
   前記セラミックＲＦ基板の下面に配置された第２導体パターンと、
   前記セラミックＲＦ基板の上面と下面を貫通するスルーホールと、
   前記スルーホール内に充填され、前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとを接続するスルーホール金属層と、
   前記セラミックＲＦ基板上に配置されたセラミックシールリングと、
   前記セラミックシールリング上に配置されたセラミックキャップ
   とを備え、前記第２導体パターンを外部端子として使用し、前記スルーホール金属層は、前記セラミックシールリングの下側のみに配置されたことを特徴とする高周波セラミックパッケージ。
2. 導体リードと、
   前記導体リードと前記第２導体パターンとを接続するロウ付け部と
   を備えたことを特徴とする請求項１に記載の高周波セラミックパッケージ。
3. 前記セラミックＲＦ基板は、絶縁性若しくは導電性の接着剤を介して、導体ベースプレート上に配置されたことを特徴とする請求項１または２に記載の高周波セラミックパッケージ。
4. 前記セラミックＲＦ基板に形成された空洞部と、
   前記空洞部内に配置された半導体チップと
   を備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の高周波セラミックパッケージ。
5. 前記半導体チップは、ボンディングワイヤを介して、前記第１導体パターンと接続されたことを特徴とする請求項４に記載の高周波セラミックパッケージ。
6. 前記セラミックキャップは、平板形状を備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の高周波セラミックパッケージ。
7. 前記セラミックキャップは、箱型形状を備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の高周波セラミックパッケージ。
8. 前記セラミックキャップは、半円筒型形状を備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の高周波セラミックパッケージ。
9. 前記セラミックＲＦ基板は、樹脂ボード上に配置されたことを特徴とする請求項１または２に記載の高周波セラミックパッケージ。
10. セラミックＲＦ基板と、
    前記セラミックＲＦ基板の上面に配置された第１導体パターンと、
    前記セラミックＲＦ基板の上面と下面を貫通するスルーホールと、
    前記スルーホール内に充填され、前記第１導体パターンと接続するスルーホール金属層と、
    前記セラミックＲＦ基板上に配置されたセラミックシールリングと、
    前記セラミックシールリング上に配置されたセラミックキャップ
    とを備え、前記スルーホール金属層は、前記セラミックシールリングの下側のみに配置されたことを特徴とする高周波セラミックパッケージ。
11. 前記スルーホール金属層と接続する導体リードを備えたことを特徴とする請求項１０に記載の高周波セラミックパッケージ。
12. 前記セラミックＲＦ基板は、絶縁性若しくは導電性の接着剤を介して、導体ベースプレート上に配置されたことを特徴とする請求項１０または１１に記載の高周波セラミックパッケージ。
13. 前記セラミックＲＦ基板に形成された空洞部と、
    前記空洞部内に配置された半導体チップと
    を備えたことを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の高周波セラミックパッケージ。
14. 前記半導体チップは、ボンディングワイヤを介して、前記第１導体パターンと接続されたことを特徴とする請求項１３に記載の高周波セラミックパッケージ。
15. 前記セラミックキャップは、平板形状を備えることを特徴とする請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の高周波セラミックパッケージ。
16. 前記セラミックキャップは、箱型形状を備えることを特徴とする請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の高周波セラミックパッケージ。
17. 前記セラミックキャップは、半円筒型形状を備えることを特徴とする請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の高周波セラミックパッケージ。
18. 前記セラミックＲＦ基板は、樹脂ボード上に配置されたことを特徴とする請求項１０または１１に記載の高周波セラミックパッケージ。
19. セラミックＲＦ基板を形成する工程と、
    前記セラミックＲＦ基板の上面に第１導体パターンを形成する工程と、
    前記セラミックＲＦ基板の下面に第２導体パターンを形成する工程と、
    前記セラミックＲＦ基板の上面と下面を貫通するスルーホールを形成する工程と、
    前記スルーホール内に充填され、前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとを接続するスルーホール金属層を形成する工程と、
    前記セラミックＲＦ基板上にセラミックシールリングを形成する工程と、
    前記セラミックシールリング上にセラミックキャップを形成する工程
    とを有し、前記第２導体パターンを外部端子として使用し、前記スルーホール金属層は、前記セラミックシールリングの下側のみに形成されたことを特徴とする高周波セラミックパッケージの作製方法。
20. 導体リードを形成する工程と、
    前記導体リードと前記第２導体パターンとをロウ付けする工程と
    を有することを特徴とする請求項１９に記載の高周波セラミックパッケージの作製方法。
21. セラミックＲＦ基板を形成する工程と、
    前記セラミックＲＦ基板の上面に第１導体パターンを形成する工程と、
    前記セラミックＲＦ基板の上面と下面を貫通するスルーホールを形成する工程と、
    前記スルーホール内に充填され、前記第１導体パターンと接続するスルーホール金属層を形成する工程と、
    前記セラミックＲＦ基板上にセラミックシールリングを形成する工程と、
    前記セラミックシールリング上にセラミックキャップを形成する工程
    とを有し、前記スルーホール金属層は、前記セラミックシールリングの下側のみに形成されたことを特徴とする高周波セラミックパッケージの作製方法。
22. 導体リードを形成する工程と、
    前記導体リードと前記スルーホール金属層とを接続する工程と
    を有することを特徴とする請求項２１に記載の高周波セラミックパッケージの作製方法。

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