JPH06188656A - マイクロ波回路 - Google Patents
マイクロ波回路Info
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- JPH06188656A JPH06188656A JP15577293A JP15577293A JPH06188656A JP H06188656 A JPH06188656 A JP H06188656A JP 15577293 A JP15577293 A JP 15577293A JP 15577293 A JP15577293 A JP 15577293A JP H06188656 A JPH06188656 A JP H06188656A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】安定してマイクロ波用ＩＣの性能を引き出すこ
とができるマイクロ波回路を提供することにある。 【構成】金属キャビティ１０はマイクロ波用ＩＣ１２の
上部近傍の天井の内側面には電波吸収体１５を貼り付て
ある。電波吸収体１５は局部発振信号線路から飛び出
した局部発振信号を吸収し、局部発振信号がＩＦ信号出
力線路に飛び込むのを防ぎ、マイクロ波用ＩＣ１２の
本来の利得、ＮＦが引き出せるようにする。
とができるマイクロ波回路を提供することにある。 【構成】金属キャビティ１０はマイクロ波用ＩＣ１２の
上部近傍の天井の内側面には電波吸収体１５を貼り付て
ある。電波吸収体１５は局部発振信号線路から飛び出
した局部発振信号を吸収し、局部発振信号がＩＦ信号出
力線路に飛び込むのを防ぎ、マイクロ波用ＩＣ１２の
本来の利得、ＮＦが引き出せるようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、通信衛星や、放送衛星
からの信号を受信するアンテナに接続される、受信信号
を周波数変換（ダウン・コンバート）するＬＮＢ（Ｌｏ
ｗ Ｎｏｉｓｅ Ｂｌｏｃｋ ｄｏｗｎ ｃｏｎｖｅｒ
ｔｅｒ）等に用いられるマイクロ波回路に関する。
からの信号を受信するアンテナに接続される、受信信号
を周波数変換（ダウン・コンバート）するＬＮＢ（Ｌｏ
ｗ Ｎｏｉｓｅ Ｂｌｏｃｋ ｄｏｗｎ ｃｏｎｖｅｒ
ｔｅｒ）等に用いられるマイクロ波回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波回路利用の市場としては、衛
星放送用ＬＮＢが一番にあげられる。従来ＬＮＢの回路
としては図９のブロック図に示すように導波管入力部７
からの高周波信号（ＲＦ信号）を増幅する高周波増幅回
路１と、帯域フィルタ２と、ミキサ回路３と、局部発振
器４と、中間周波増幅回路５と、電源回路６と、出力部
８とからなり、高周波に関わる回路にはＧａＡｓＦＥＴ
（ガリウム・ヒ素電界効果トランジスタ）等のマイクロ
波能動素子を用いたディスクリート回路方式を採用して
いた。
星放送用ＬＮＢが一番にあげられる。従来ＬＮＢの回路
としては図９のブロック図に示すように導波管入力部７
からの高周波信号（ＲＦ信号）を増幅する高周波増幅回
路１と、帯域フィルタ２と、ミキサ回路３と、局部発振
器４と、中間周波増幅回路５と、電源回路６と、出力部
８とからなり、高周波に関わる回路にはＧａＡｓＦＥＴ
（ガリウム・ヒ素電界効果トランジスタ）等のマイクロ
波能動素子を用いたディスクリート回路方式を採用して
いた。
【０００３】ところが近年、回路の小型化や信頼性向上
等の目的でマイクロ波回路のＩＣ化の気運が高まってき
ている。このようなマイクロ波用ＩＣはＧａＡｓ基板上
に各回路を構成するためＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉ
ｃ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉ
ｒｃｕｉｔ）と呼ばれている。ＩＣ化する場合、ＬＮＢ
のマイクロ波回路の全てをＩＣ化する方法もあるが性能
面・コスト面を考慮すると、図９の破線枠Ａで囲まれた
回路部分に高周波増幅回路を加えた回路のＩＣ化が現実
的であり、半導体メーカより発売されるようになってき
ている。図１０はそのＭＭＩＣからなるマイクロ波用Ｉ
Ｃ１２の構成例を示しており、このマイクロ波用ＩＣ１
２は高周波増幅回路１’、ミキサ回路３’、局部発振器
４’、中間周波増幅回路５’からなる。
等の目的でマイクロ波回路のＩＣ化の気運が高まってき
ている。このようなマイクロ波用ＩＣはＧａＡｓ基板上
に各回路を構成するためＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉ
ｃ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉ
ｒｃｕｉｔ）と呼ばれている。ＩＣ化する場合、ＬＮＢ
のマイクロ波回路の全てをＩＣ化する方法もあるが性能
面・コスト面を考慮すると、図９の破線枠Ａで囲まれた
回路部分に高周波増幅回路を加えた回路のＩＣ化が現実
的であり、半導体メーカより発売されるようになってき
ている。図１０はそのＭＭＩＣからなるマイクロ波用Ｉ
Ｃ１２の構成例を示しており、このマイクロ波用ＩＣ１
２は高周波増幅回路１’、ミキサ回路３’、局部発振器
４’、中間周波増幅回路５’からなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】通常ＬＮＢの局部発振
回路はＧａＡｓＦＥＴ等の能動素子と誘電体共振器を用
いて誘電体基板上に構成され、発振を安定させるために
金属キャビティ内に納められている。また上記マイクロ
波用ＩＣ１２を使用する場合にも、同様に誘電体共振器
を外付けし、金属キャビティ内に納める必要がある。
回路はＧａＡｓＦＥＴ等の能動素子と誘電体共振器を用
いて誘電体基板上に構成され、発振を安定させるために
金属キャビティ内に納められている。また上記マイクロ
波用ＩＣ１２を使用する場合にも、同様に誘電体共振器
を外付けし、金属キャビティ内に納める必要がある。
【０００５】図１１（ａ）（ｂ）は、誘電体基板１１上
に実装したマイクロ波用ＩＣ１２と、誘電体共振器１３
とを金属キャビティ１０に収納した状態の一例を示して
おり、この図から分かるように周波数が異なる高周波信
号、局部発振信号、ＩＦ信号の信号線路、、が近
接する位置に存在する。更に小型化のために金属キャビ
ティ１０内部の容積を小さくすると高周波が金属キャビ
ティ１０内を空間的に伝播しやすくなる。
に実装したマイクロ波用ＩＣ１２と、誘電体共振器１３
とを金属キャビティ１０に収納した状態の一例を示して
おり、この図から分かるように周波数が異なる高周波信
号、局部発振信号、ＩＦ信号の信号線路、、が近
接する位置に存在する。更に小型化のために金属キャビ
ティ１０内部の容積を小さくすると高周波が金属キャビ
ティ１０内を空間的に伝播しやすくなる。
【０００６】このため金属キャビティ１０内の各線路や
グランドパターンの形状等によって各線路において空
間を介して相互結合が起こり、マイクロ波用ＩＣ１２の
利得或いはＮＦ（Ｎｏｉｓｅ Ｆｉｇｕｒｅ ：雑音指
数）に悪影響を与えやすいという問題があった。本発明
は上述の問題点に鑑みて為されたもので、その目的とす
るところは安定してマイクロ波用ＩＣの性能を引き出す
ことができるマイクロ波回路を提供することにある。
グランドパターンの形状等によって各線路において空
間を介して相互結合が起こり、マイクロ波用ＩＣ１２の
利得或いはＮＦ（Ｎｏｉｓｅ Ｆｉｇｕｒｅ ：雑音指
数）に悪影響を与えやすいという問題があった。本発明
は上述の問題点に鑑みて為されたもので、その目的とす
るところは安定してマイクロ波用ＩＣの性能を引き出す
ことができるマイクロ波回路を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、高周波増幅回路と、局部発
振回路と、ミキサ回路と、中間周波増幅回路とが一体に
なったマイクロ波用ＩＣと、局部発振用誘電体共振器
と、これらマイクロ波用ＩＣ及び局部発振用誘電体共振
器を収納する金属キャビティとからなるマイクロ波回路
において、高周波が金属キャビティ内を空間的に伝播す
るのを抑制する抑制手段を金属キャビティ内部に設けた
ものである。尚請求項２では、金属キャビテイ内側上面
のマイクロ波用ＩＣの上部近傍に電波吸収体を上記抑制
手段として設置し、請求項３では、金属キャビテイ内側
上面のマイクロ波用ＩＣの上部近傍に、マイクロ波用Ｉ
Ｃの局部発振端子とＩＦ出力端子とを隔てるように金属
の仕切りを設け、この仕切りで抑制手段を構成したもの
である。
に、請求項１記載の発明は、高周波増幅回路と、局部発
振回路と、ミキサ回路と、中間周波増幅回路とが一体に
なったマイクロ波用ＩＣと、局部発振用誘電体共振器
と、これらマイクロ波用ＩＣ及び局部発振用誘電体共振
器を収納する金属キャビティとからなるマイクロ波回路
において、高周波が金属キャビティ内を空間的に伝播す
るのを抑制する抑制手段を金属キャビティ内部に設けた
ものである。尚請求項２では、金属キャビテイ内側上面
のマイクロ波用ＩＣの上部近傍に電波吸収体を上記抑制
手段として設置し、請求項３では、金属キャビテイ内側
上面のマイクロ波用ＩＣの上部近傍に、マイクロ波用Ｉ
Ｃの局部発振端子とＩＦ出力端子とを隔てるように金属
の仕切りを設け、この仕切りで抑制手段を構成したもの
である。
【０００８】また請求項４の発明は、金属キャビティ内
側上面のマイクロ波用ＩＣの上部近傍に金属の突部を設
け、この突部で抑制手段を構成したものである。請求項
５の発明は、金属キャビティ内側上面のマイクロ波用Ｉ
Ｃの上部近傍に金属の突部及び電波吸収体を併設し、こ
の突部及び電波吸収体で抑制手段を構成したものであ
る。
側上面のマイクロ波用ＩＣの上部近傍に金属の突部を設
け、この突部で抑制手段を構成したものである。請求項
５の発明は、金属キャビティ内側上面のマイクロ波用Ｉ
Ｃの上部近傍に金属の突部及び電波吸収体を併設し、こ
の突部及び電波吸収体で抑制手段を構成したものであ
る。
【０００９】請求項６の発明は、請求項４又は５の発明
において、金属の突部をねじで構成し、突部の高さを可
変にしたものである。尚抑制手段としての電波吸収体
を、金属キャビティ内側の側面に設けることや、マイク
ロ波用ＩＣのパッケージ上面に直接設置すること可能で
ある。
において、金属の突部をねじで構成し、突部の高さを可
変にしたものである。尚抑制手段としての電波吸収体
を、金属キャビティ内側の側面に設けることや、マイク
ロ波用ＩＣのパッケージ上面に直接設置すること可能で
ある。
【００１０】
【作用】請求項１の発明の構成によれば、高周波が金属
キャビティ内を空間的に伝播するのを抑制する抑制手段
を金属キャビティ内部に設けたものであるから、局部発
振信号がマイクロ波用ＩＣのＩＦ出力端子に飛び込むの
を抑制でき、そのためマイクロ波用ＩＣ内の中間周波増
幅回路の利得が低下するのを防止でき、本来マイクロ波
用ＩＣが持つ固有の利得、ＮＦが安定して得られる。
キャビティ内を空間的に伝播するのを抑制する抑制手段
を金属キャビティ内部に設けたものであるから、局部発
振信号がマイクロ波用ＩＣのＩＦ出力端子に飛び込むの
を抑制でき、そのためマイクロ波用ＩＣ内の中間周波増
幅回路の利得が低下するのを防止でき、本来マイクロ波
用ＩＣが持つ固有の利得、ＮＦが安定して得られる。
【００１１】尚請求項２の発明のように抑制手段として
電波吸収体を用いればこの電波吸収体で局部発振信号の
ように金属キャビティ内に空間的に伝播する高周波を吸
収することにより、局部発振信号がマイクロ波用ＩＣの
ＩＦ出力端子に飛び込むのを抑制でき、また請求項３の
発明のように金属キャビテイ内側上面のマイクロ波用Ｉ
Ｃの上部近傍に、マイクロ波用ＩＣの局部発振端子とＩ
Ｆ出力端子とを隔てるように金属の仕切りを設けること
により、局部発振端子から出て金属キャビティ内に空間
的に伝播する局部発振信号を仕切りで遮断して、ＩＦ出
力端子に飛び込むのを抑制することができる。
電波吸収体を用いればこの電波吸収体で局部発振信号の
ように金属キャビティ内に空間的に伝播する高周波を吸
収することにより、局部発振信号がマイクロ波用ＩＣの
ＩＦ出力端子に飛び込むのを抑制でき、また請求項３の
発明のように金属キャビテイ内側上面のマイクロ波用Ｉ
Ｃの上部近傍に、マイクロ波用ＩＣの局部発振端子とＩ
Ｆ出力端子とを隔てるように金属の仕切りを設けること
により、局部発振端子から出て金属キャビティ内に空間
的に伝播する局部発振信号を仕切りで遮断して、ＩＦ出
力端子に飛び込むのを抑制することができる。
【００１２】また請求項４の発明のように、金属キャビ
ティ内側上面のマイクロ波用ＩＣの上部近傍に金属の突
部を設け、この突部で抑制手段を構成すれば、金属キャ
ビティの容積を大きく変えないので、局部発振の特性に
与える影響が少なくできる。更に請求項５の発明のよう
に、金属キャビティ内側上面のマイクロ波用ＩＣの上部
近傍に金属の突部及び電波吸収体を併設し、この突部及
び電波吸収体で抑制手段を構成すれば、特性のばらつき
に対して許容し易い。
ティ内側上面のマイクロ波用ＩＣの上部近傍に金属の突
部を設け、この突部で抑制手段を構成すれば、金属キャ
ビティの容積を大きく変えないので、局部発振の特性に
与える影響が少なくできる。更に請求項５の発明のよう
に、金属キャビティ内側上面のマイクロ波用ＩＣの上部
近傍に金属の突部及び電波吸収体を併設し、この突部及
び電波吸収体で抑制手段を構成すれば、特性のばらつき
に対して許容し易い。
【００１３】更にまた請求項６の発明のようには、請求
項４又は５の発明において、金属の突部をねじで構成
し、突部の高さを可変にすれば、利得等の調整が可能と
なり、その上局部発振周波数の調整もこのねじにより行
える。
項４又は５の発明において、金属の突部をねじで構成
し、突部の高さを可変にすれば、利得等の調整が可能と
なり、その上局部発振周波数の調整もこのねじにより行
える。
【００１４】
【実施例】以下本発明を実施例により説明する。 （実施例１）本実施例は衛星放送受信用アンテナに接続
するＬＮＢに用いるマイクロ波回路を構成しており、ア
ンテナより入力した高周波信号をＨＥＭＴなどで構成し
た低雑音の高周波増幅回路にて増幅した後、高周波信号
帯域を通過帯域とする帯域フィルタ（図示せず）を介し
てマイクロ波用ＩＣ１２に入力されるようになってい
る。
するＬＮＢに用いるマイクロ波回路を構成しており、ア
ンテナより入力した高周波信号をＨＥＭＴなどで構成し
た低雑音の高周波増幅回路にて増幅した後、高周波信号
帯域を通過帯域とする帯域フィルタ（図示せず）を介し
てマイクロ波用ＩＣ１２に入力されるようになってい
る。
【００１５】図１（ａ）、（ｂ）は本実施例におけるマ
イクロ波用ＩＣ１２と、誘電体共振器１３とを誘電体基
板１１上に実装した実装部位を金属キャビティ１０内に
収納した部位の断面図と、金属キャビティ１０を外した
状態の実装部位の上面図を示している。マイクロ波用Ｉ
Ｃ１２は図４に示す回路構成のものを使用し、誘電体基
板１１に形成されているグランドパターンには接地端
子を、更に帯域フィルタに接続された高周波入力信号線
路には高周波入力端子を、更に局部発振信号線路に
は局部発振信号端子を、ＩＦ信号出力線路にはＩＦ信
号出力端子を、更にバイアス線路にはバイアス端子を
夫々接続している。
イクロ波用ＩＣ１２と、誘電体共振器１３とを誘電体基
板１１上に実装した実装部位を金属キャビティ１０内に
収納した部位の断面図と、金属キャビティ１０を外した
状態の実装部位の上面図を示している。マイクロ波用Ｉ
Ｃ１２は図４に示す回路構成のものを使用し、誘電体基
板１１に形成されているグランドパターンには接地端
子を、更に帯域フィルタに接続された高周波入力信号線
路には高周波入力端子を、更に局部発振信号線路に
は局部発振信号端子を、ＩＦ信号出力線路にはＩＦ信
号出力端子を、更にバイアス線路にはバイアス端子を
夫々接続している。
【００１６】金属キャビティ１０は下面開口の箱状のも
ので、誘電体共振器１３の上部近傍の天井面には局部発
振周波数調整ねじ１４を上下螺進自在に貫装し、またマ
イクロ波用ＩＣ１２の上部近傍に対応する内側天井面に
は電波吸収体１５を貼り付けてある。この電波吸収体１
５は金属キャビティ１０内を空間的に伝播する高周波を
吸収するためのものである。
ので、誘電体共振器１３の上部近傍の天井面には局部発
振周波数調整ねじ１４を上下螺進自在に貫装し、またマ
イクロ波用ＩＣ１２の上部近傍に対応する内側天井面に
は電波吸収体１５を貼り付けてある。この電波吸収体１
５は金属キャビティ１０内を空間的に伝播する高周波を
吸収するためのものである。
【００１７】而して、本実施例では電波吸収体１５によ
り局部発振信号線路から飛び出した局部発振信号を吸
収し、局部発振信号がＩＦ信号出力線路に飛び込むの
を防ぐ。つまり局部発振信号線路と、ＩＦ信号出力線
路との空間的な結合を断って、局部発振信号がマイク
ロ波ＩＣ１２内の中間周波増幅回路に影響を与えるのを
防ぎ、マイクロ波用ＩＣ１２本来の利得、ＮＦが引き出
せることができることになる。
り局部発振信号線路から飛び出した局部発振信号を吸
収し、局部発振信号がＩＦ信号出力線路に飛び込むの
を防ぐ。つまり局部発振信号線路と、ＩＦ信号出力線
路との空間的な結合を断って、局部発振信号がマイク
ロ波ＩＣ１２内の中間周波増幅回路に影響を与えるのを
防ぎ、マイクロ波用ＩＣ１２本来の利得、ＮＦが引き出
せることができることになる。
【００１８】図２は図１１に電波吸収体１５を貼り付け
ないＬＮＢと、電波吸収体１５を貼り付けた本実施例の
ＬＮＢの利得、ＮＦの周波数特性を示しており、この図
から分かるように従来の利得Ａ1 に対して本実施例の利
得Ｂ1 は平均して約１２ｄＢ向上し、また従来のＮＦＡ
2 に対して本実施例のＮＦＢ2 は０．３ｄＢ向上した。
ないＬＮＢと、電波吸収体１５を貼り付けた本実施例の
ＬＮＢの利得、ＮＦの周波数特性を示しており、この図
から分かるように従来の利得Ａ1 に対して本実施例の利
得Ｂ1 は平均して約１２ｄＢ向上し、また従来のＮＦＡ
2 に対して本実施例のＮＦＢ2 は０．３ｄＢ向上した。
【００１９】電波吸収体１５を用いる他の例を図３、図
４に示す。図３の例は金属キャビティ１０内側の、ＩＦ
信号出力線路の近傍のキャビティ側面に電波吸収体１
５を貼り付けており、図４の例は電波吸収体１５をマイ
クロ波用ＩＣ１２のパッケージ上面に直接貼り付けたも
のである。これら図３、図４の例共、図１の例と同様に
局部発振信号がマイクロ波用ＩＣ１２内の中間周波数増
幅回路に影響を与えるのを防ぎ、マイクロ波用ＩＣ１２
自身の本来の特性を引き出し得るものであり、図１の例
と同様の効果がある。
４に示す。図３の例は金属キャビティ１０内側の、ＩＦ
信号出力線路の近傍のキャビティ側面に電波吸収体１
５を貼り付けており、図４の例は電波吸収体１５をマイ
クロ波用ＩＣ１２のパッケージ上面に直接貼り付けたも
のである。これら図３、図４の例共、図１の例と同様に
局部発振信号がマイクロ波用ＩＣ１２内の中間周波数増
幅回路に影響を与えるのを防ぎ、マイクロ波用ＩＣ１２
自身の本来の特性を引き出し得るものであり、図１の例
と同様の効果がある。
【００２０】（実施例２）上記実施例１では電波吸収体
１５を用いて局部発振信号線路と、ＩＦ信号出力線路
との空間的な結合を断っているが、本実施例では図５
（ａ）（ｂ）に示すようにマイクロ波用ＩＣ１２の上部
近傍の金属キャビティ１０の内側天井面に一体形成され
た仕切り１６を垂下させ、局部発振信号端子と、ＩＦ信
号出力端子とを隔て、各端子の空間的結合を防いでい
る。
１５を用いて局部発振信号線路と、ＩＦ信号出力線路
との空間的な結合を断っているが、本実施例では図５
（ａ）（ｂ）に示すようにマイクロ波用ＩＣ１２の上部
近傍の金属キャビティ１０の内側天井面に一体形成され
た仕切り１６を垂下させ、局部発振信号端子と、ＩＦ信
号出力端子とを隔て、各端子の空間的結合を防いでい
る。
【００２１】而して本実施例も実施例１と同様な効果が
得られる。 （実施例３）本実施例では、図６に示すように金属キャ
ビティ１０の内側において、マイクロ波用ＩＣ１２の上
部近傍に金属の突部１７を設けている。この突部１７に
よりマイクロ波用ＩＣ１２の局部発振信号のＩＦ信号出
力端子への結合を防いでいる。
得られる。 （実施例３）本実施例では、図６に示すように金属キャ
ビティ１０の内側において、マイクロ波用ＩＣ１２の上
部近傍に金属の突部１７を設けている。この突部１７に
よりマイクロ波用ＩＣ１２の局部発振信号のＩＦ信号出
力端子への結合を防いでいる。
【００２２】（実施例４）本実施例では、図７に示すよ
うに、実施例３で示した金属の突部７と、電波吸収体１
５とを併設したものである。マイクロ波用ＩＣ１２等の
特性ばらつきに関し、突部１７の形状（大きさ、厚さ）
や位置が特性に敏感に影響を与えるのに対して、電波吸
収体１５はその位置や寸法が特性に与える影響が鈍感で
あるため、本実施例のほうが特性のばらつきを許容し易
い。
うに、実施例３で示した金属の突部７と、電波吸収体１
５とを併設したものである。マイクロ波用ＩＣ１２等の
特性ばらつきに関し、突部１７の形状（大きさ、厚さ）
や位置が特性に敏感に影響を与えるのに対して、電波吸
収体１５はその位置や寸法が特性に与える影響が鈍感で
あるため、本実施例のほうが特性のばらつきを許容し易
い。
【００２３】（実施例５）本実施例は、図８に示すよう
にマイクロ波用ＩＣ１２の上部近傍に金属キャビティ１
０を貫通して、上下螺進自在のねじ１８を配置してあい
る。このねじ１８により、マイクロ波用ＩＣ１２の動作
時の利得等の特性を調整することが可能となる。
にマイクロ波用ＩＣ１２の上部近傍に金属キャビティ１
０を貫通して、上下螺進自在のねじ１８を配置してあい
る。このねじ１８により、マイクロ波用ＩＣ１２の動作
時の利得等の特性を調整することが可能となる。
【００２４】
【発明の効果】請求項１の発明は、高周波が金属キャビ
ティ内を空間的に伝播するのを抑制する抑制手段を金属
キャビティ内部に設けたものであるから、局部発振信号
がマイクロ波用ＩＣのＩＦ出力端子に飛び込むのを抑制
でき、そのためマイクロ波用ＩＣ内の中間周波増幅回路
の利得が低下するのを防止でき、結果本来マイクロ波用
ＩＣが持つ固有の利得、ＮＦが安定して得られるという
効果がある。
ティ内を空間的に伝播するのを抑制する抑制手段を金属
キャビティ内部に設けたものであるから、局部発振信号
がマイクロ波用ＩＣのＩＦ出力端子に飛び込むのを抑制
でき、そのためマイクロ波用ＩＣ内の中間周波増幅回路
の利得が低下するのを防止でき、結果本来マイクロ波用
ＩＣが持つ固有の利得、ＮＦが安定して得られるという
効果がある。
【００２５】また請求項２の発明は、抑制手段として電
波吸収体を用いるので、電波吸収体で局部発振信号のよ
うに金属キャビティ内に空間的に伝播する高周波を吸収
することにより、局部発振信号がマイクロ波用ＩＣのＩ
Ｆ出力端子に飛び込むのを抑制でき、また請求項３の発
明は、金属キャビテイ内側上面のマイクロ波用ＩＣの上
部近傍に、マイクロ波用ＩＣの局部発振端子とＩＦ出力
端子とを隔てるように金属の仕切りを設けているので、
局部発振端子から出て金属キャビティ内に空間的に伝播
する局部発振信号を仕切りで遮断して、ＩＦ出力端子に
飛び込むのを抑制することができるという効果がある。
波吸収体を用いるので、電波吸収体で局部発振信号のよ
うに金属キャビティ内に空間的に伝播する高周波を吸収
することにより、局部発振信号がマイクロ波用ＩＣのＩ
Ｆ出力端子に飛び込むのを抑制でき、また請求項３の発
明は、金属キャビテイ内側上面のマイクロ波用ＩＣの上
部近傍に、マイクロ波用ＩＣの局部発振端子とＩＦ出力
端子とを隔てるように金属の仕切りを設けているので、
局部発振端子から出て金属キャビティ内に空間的に伝播
する局部発振信号を仕切りで遮断して、ＩＦ出力端子に
飛び込むのを抑制することができるという効果がある。
【００２６】請求項４の発明は、金属キャビティ内側上
面のマイクロ波用ＩＣの上部近傍に金属の突部を設け、
この突部で抑制手段を構成したので、金属キャビティの
容積を大きく変えないので、局部発振の特性に与える影
響が少なくできるという効果がある。また請求項５の発
明は、金属キャビティ内側上面のマイクロ波用ＩＣの上
部近傍に金属の突部及び電波吸収体を併設し、この突部
及び電波吸収体で抑制手段を構成したので特性のばらつ
きに対して許容し易いという効果がある。
面のマイクロ波用ＩＣの上部近傍に金属の突部を設け、
この突部で抑制手段を構成したので、金属キャビティの
容積を大きく変えないので、局部発振の特性に与える影
響が少なくできるという効果がある。また請求項５の発
明は、金属キャビティ内側上面のマイクロ波用ＩＣの上
部近傍に金属の突部及び電波吸収体を併設し、この突部
及び電波吸収体で抑制手段を構成したので特性のばらつ
きに対して許容し易いという効果がある。
【００２７】更に請求項６の発明は、請求項４又は５の
発明において、金属の突部をねじで構成し、突部の高さ
を可変にしたので、利得等の調整が可能となり、その上
局部発振周波数の調整もこのねじにより行えると効果が
ある。
発明において、金属の突部をねじで構成し、突部の高さ
を可変にしたので、利得等の調整が可能となり、その上
局部発振周波数の調整もこのねじにより行えると効果が
ある。
【図１】（ａ）は本発明の実施例１の一部省略した実装
部位の断面図である。（ｂ）は同上の金属キャビティを
外した状態の一部省略した実装部位の上面図である。
部位の断面図である。（ｂ）は同上の金属キャビティを
外した状態の一部省略した実装部位の上面図である。
【図２】同上の特性説明図である。
【図３】（ａ）は本発明の実施例１に関連した他の例の
一部省略した実装部位の断面図である。（ｂ）は同上の
金属キャビティ内の状態の一部省略した実装部位の上面
図である。（ｃ）は同上で（ａ）と異なる方向から見た
断面図である。
一部省略した実装部位の断面図である。（ｂ）は同上の
金属キャビティ内の状態の一部省略した実装部位の上面
図である。（ｃ）は同上で（ａ）と異なる方向から見た
断面図である。
【図４】（ａ）は本発明の実施例１に関連した別の例の
一部省略した実装部位の断面図である。（ｂ）は同上の
金属キャビティ内の状態の一部省略した実装部位の上面
図である。（ｃ）は同上で（ａ）と異なる方向から見た
断面図である。
一部省略した実装部位の断面図である。（ｂ）は同上の
金属キャビティ内の状態の一部省略した実装部位の上面
図である。（ｃ）は同上で（ａ）と異なる方向から見た
断面図である。
【図５】（ａ）は本発明の実施例２の一部省略した実装
部位の断面図である。（ｂ）は同上の金属キャビティの
上面図である。
部位の断面図である。（ｂ）は同上の金属キャビティの
上面図である。
【図６】（ａ）は本発明の実施例３の一部省略した実装
部位の断面図である。（ｂ）は同上の金属キャビティ内
の状態の一部省略した実装部位の上面図である。（ｃ）
は同上で（ａ）と異なる方向から見た断面図である。
部位の断面図である。（ｂ）は同上の金属キャビティ内
の状態の一部省略した実装部位の上面図である。（ｃ）
は同上で（ａ）と異なる方向から見た断面図である。
【図７】（ａ）は本発明の実施例４の一部省略した実装
部位の断面図である。（ｂ）は同上の金属キャビティ内
の状態の一部省略した実装部位の上面図である。（ｃ）
は同上で（ａ）と異なる方向から見た断面図である。
部位の断面図である。（ｂ）は同上の金属キャビティ内
の状態の一部省略した実装部位の上面図である。（ｃ）
は同上で（ａ）と異なる方向から見た断面図である。
【図８】（ａ）は本発明の実施例５の一部省略した実装
部位の断面図である。（ｂ）は同上の金属キャビティ内
の状態の一部省略した実装部位の上面図である。（ｃ）
は同上で（ａ）と異なる方向から見た断面図である。
部位の断面図である。（ｂ）は同上の金属キャビティ内
の状態の一部省略した実装部位の上面図である。（ｃ）
は同上で（ａ）と異なる方向から見た断面図である。
【図９】従来のＬＮＢの回路ブロック図である。
【図１０】マイクロ波用ＩＣの回路ブロック図である。
【図１１】（ａ）は従来例の一部省略した実装部位の断
面図である。（ｂ）は同上の金属キャビティを外した状
態の一部省略した実装部位の上面図である。
面図である。（ｂ）は同上の金属キャビティを外した状
態の一部省略した実装部位の上面図である。
１０ 金属キャビティ １２ マイクロ波用ＩＣ １３ 誘電体共振器 １５ 電波吸収体 １７ 金属の突部 １８ ねじ 高周波信号入力線路 局部発振信号線路 ＩＦ信号出力線路
Claims (6)
- 【請求項１】高周波増幅回路と、局部発振回路と、ミキ
サ回路と、中間周波増幅回路とが一体になったマイクロ
波用ＩＣと、局部発振用誘電体共振器と、これらマイク
ロ波用ＩＣ及び局部発振用誘電体共振器を収納する金属
キャビティとからなるマイクロ波回路において、高周波
が金属キャビティ内を空間的に伝播するのを抑制する抑
制手段を金属キャビティ内部に設けたことを特徴とする
マイクロ波回路。 - 【請求項２】金属キャビテイ内側上面のマイクロ波用Ｉ
Ｃの上部近傍に電波吸収体を抑制手段として設置したこ
とを特徴とする請求項１記載のマイクロ波回路。 - 【請求項３】金属キャビテイ内側上面のマイクロ波用Ｉ
Ｃの上部近傍に、マイクロ波用ＩＣの局部発振端子とＩ
Ｆ出力端子とを隔てるように金属の仕切りを設け、この
仕切りで抑制手段を構成したことを特徴とする請求項１
記載のマイクロ波回路。 - 【請求項４】金属キャビティ内側上面のマイクロ波用Ｉ
Ｃの上部近傍に金属の突部を設け、この突部で抑制手段
を構成したことを特徴とする請求項１記載のマイクロ波
回路。 - 【請求項５】金属キャビティ内側上面のマイクロ波用Ｉ
Ｃの上部近傍に金属の突部及び電波吸収体を併設し、こ
の突部及び電波吸収体で抑制手段を構成したことを特徴
とする請求項１記載のマイクロ波回路。 - 【請求項６】金属の突部をねじで構成し、突部の高さを
可変にしたことを特徴とする請求項４又は５記載のマイ
クロ波回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15577293A JPH06188656A (ja) | 1992-10-23 | 1993-06-25 | マイクロ波回路 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-286158 | 1992-10-23 | ||
| JP28615892 | 1992-10-23 | ||
| JP15577293A JPH06188656A (ja) | 1992-10-23 | 1993-06-25 | マイクロ波回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06188656A true JPH06188656A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=26483696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15577293A Withdrawn JPH06188656A (ja) | 1992-10-23 | 1993-06-25 | マイクロ波回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06188656A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001053508A (ja) * | 1999-08-17 | 2001-02-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 高周波回路部品の実装構造 |
| US7023081B2 (en) | 2003-09-22 | 2006-04-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Land pattern configuration |
| CN109887904A (zh) * | 2019-04-16 | 2019-06-14 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种毫米波芯片的封装结构及印刷电路板 |
-
1993
- 1993-06-25 JP JP15577293A patent/JPH06188656A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001053508A (ja) * | 1999-08-17 | 2001-02-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 高周波回路部品の実装構造 |
| US7023081B2 (en) | 2003-09-22 | 2006-04-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Land pattern configuration |
| CN109887904A (zh) * | 2019-04-16 | 2019-06-14 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种毫米波芯片的封装结构及印刷电路板 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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