JPH09266394A - 高周波用半導体装置 - Google Patents
高周波用半導体装置Info
- Publication number
- JPH09266394A JPH09266394A JP8073396A JP7339696A JPH09266394A JP H09266394 A JPH09266394 A JP H09266394A JP 8073396 A JP8073396 A JP 8073396A JP 7339696 A JP7339696 A JP 7339696A JP H09266394 A JPH09266394 A JP H09266394A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- frequency
- semiconductor substrate
- semiconductor device
- microwave circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マイクロ波回路を伝送する高周波信号の周波
数が高くても使用可能な装置を提供する。 【解決手段】 半導体基板１が実装基板２にボンディン
グワイヤ３によって電気的に接続されている。半導体基
板１上面の外周部にはバンプを用いた金属壁５が形成さ
れ，その上に金属板６が接して形成されている。半導体
基板１上面に形成されたマイクロ波回路が金属壁５・金
属板６によって実質的に覆われているため，マイクロ波
回路を伝送する高周波信号がパッケージ内の空間に漏れ
出さず，周波数が高くても使用可能となる。
数が高くても使用可能な装置を提供する。 【解決手段】 半導体基板１が実装基板２にボンディン
グワイヤ３によって電気的に接続されている。半導体基
板１上面の外周部にはバンプを用いた金属壁５が形成さ
れ，その上に金属板６が接して形成されている。半導体
基板１上面に形成されたマイクロ波回路が金属壁５・金
属板６によって実質的に覆われているため，マイクロ波
回路を伝送する高周波信号がパッケージ内の空間に漏れ
出さず，周波数が高くても使用可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロ波帯やミリ
波帯などの高周波信号を扱う高周波用半導体装置に関す
る。
波帯などの高周波信号を扱う高周波用半導体装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図１４に、マイクロ波帯やミリ波帯に用
いられる従来の高周波用半導体装置の分解斜視図を模式
的に示す。半導体基板１０１が実装基板１０２上にボン
ディングワイヤ１０３によって電気的に接続されてい
る。また，１０４は図示されていないパッケージ本体に
実装基板１０２が実装されているパッケージの蓋であ
る。この蓋１０４とパッケージ本体とによって，パッケ
ージにはほぼ閉じられた空間（チャンバ）が形成され
る。
いられる従来の高周波用半導体装置の分解斜視図を模式
的に示す。半導体基板１０１が実装基板１０２上にボン
ディングワイヤ１０３によって電気的に接続されてい
る。また，１０４は図示されていないパッケージ本体に
実装基板１０２が実装されているパッケージの蓋であ
る。この蓋１０４とパッケージ本体とによって，パッケ
ージにはほぼ閉じられた空間（チャンバ）が形成され
る。
【０００３】図示はしていないが，半導体基板１０１上
には、トランジスタやダイオードなどの能動素子や配線
・コンデンサ・インダクタなどの受動部品が形成され，
マイクロ波回路が構成されている。また実装基板１０２
上にもコンデンサ・インダクタ・抵抗などがチップ部品
として形成され，これらと配線とによって回路が形成さ
れている。
には、トランジスタやダイオードなどの能動素子や配線
・コンデンサ・インダクタなどの受動部品が形成され，
マイクロ波回路が構成されている。また実装基板１０２
上にもコンデンサ・インダクタ・抵抗などがチップ部品
として形成され，これらと配線とによって回路が形成さ
れている。
【０００４】この半導体装置では，外部との干渉を避け
るためにパッケージが金属で形成され，これによってシ
ールドが行われる。このようにチャンバが金属で覆われ
た空間の場合には空洞共振が存在する。
るためにパッケージが金属で形成され，これによってシ
ールドが行われる。このようにチャンバが金属で覆われ
た空間の場合には空洞共振が存在する。
【０００５】空洞共振が起きる周波数は，このチャンバ
の大きさによって決定される。マイクロ波回路を伝送す
る高周波信号の周波数が空洞共振周波数以上であるとパ
ッケージ全体に電磁波が蓄えられ，半導体基板１０１や
実装基板１０２上に形成された回路に著しい悪影響を及
ぼす。このため空洞共振周波数以上の周波数では装置の
使用が不可能となる。
の大きさによって決定される。マイクロ波回路を伝送す
る高周波信号の周波数が空洞共振周波数以上であるとパ
ッケージ全体に電磁波が蓄えられ，半導体基板１０１や
実装基板１０２上に形成された回路に著しい悪影響を及
ぼす。このため空洞共振周波数以上の周波数では装置の
使用が不可能となる。
【０００６】空洞共振周波数はチャンバが大きくなるほ
ど低くなるため，パッケージが大きいと高い周波数では
使用不可能であり，また高い周波数で使用するためにパ
ッケージの大きさを小さくすると，今度は１つの装置に
十分な機能を盛り込むことができなくなる。
ど低くなるため，パッケージが大きいと高い周波数では
使用不可能であり，また高い周波数で使用するためにパ
ッケージの大きさを小さくすると，今度は１つの装置に
十分な機能を盛り込むことができなくなる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
高周波用半導体装置では，半導体基板上のマイクロ波回
路を伝送する高周波信号の周波数が高い場合，パッケー
ジが大きいと使用不可能であり，また高い周波数に対応
してパッケージの大きさを小さくすると、１つの装置に
十分な機能を盛り込めないという問題があった。
高周波用半導体装置では，半導体基板上のマイクロ波回
路を伝送する高周波信号の周波数が高い場合，パッケー
ジが大きいと使用不可能であり，また高い周波数に対応
してパッケージの大きさを小さくすると、１つの装置に
十分な機能を盛り込めないという問題があった。
【０００８】本発明は上記の問題を考慮してなされたも
ので，マイクロ波回路を伝送する高周波信号の周波数が
高くても使用可能な高周波用半導体装置を提供すること
を目的とする。
ので，マイクロ波回路を伝送する高周波信号の周波数が
高くても使用可能な高周波用半導体装置を提供すること
を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の問題を解決するた
めに本発明は請求項１の発明として，マイクロ波回路の
一部が上面に形成された半導体基板と，この半導体基板
を実装するためのチャンバを有するパッケージと，前記
半導体基板上の少なくとも外周部に形成された導体壁
と，この導体壁と共に前記上面に形成されたマイクロ波
回路を実質的に覆うように前記導体壁上に形成された導
体層を有する板とを備えた高周波用半導体装置を提供す
る。
めに本発明は請求項１の発明として，マイクロ波回路の
一部が上面に形成された半導体基板と，この半導体基板
を実装するためのチャンバを有するパッケージと，前記
半導体基板上の少なくとも外周部に形成された導体壁
と，この導体壁と共に前記上面に形成されたマイクロ波
回路を実質的に覆うように前記導体壁上に形成された導
体層を有する板とを備えた高周波用半導体装置を提供す
る。
【００１０】また請求項２の発明として，前記導体壁に
よって，前記上面に形成されたマイクロ波回路の少なく
とも一部が前記上面に形成されたマイクロ波回路の他の
部分と隔てられている請求項１記載の高周波用半導体装
置を提供する。
よって，前記上面に形成されたマイクロ波回路の少なく
とも一部が前記上面に形成されたマイクロ波回路の他の
部分と隔てられている請求項１記載の高周波用半導体装
置を提供する。
【００１１】請求項１の発明では，半導体基板上面に形
成されたマイクロ波回路を伝送する高周波信号は，半導
体基板上の外周部に形成された導体壁とこの導体壁上に
形成された導体層とによってシールドされ，パッケージ
のチャンバには殆ど出て行かない。このため，チャンバ
が金属で覆われた空間だと仮定したときの空洞共振周波
数より高周波信号の周波数が高くても装置が使用可能と
なる。
成されたマイクロ波回路を伝送する高周波信号は，半導
体基板上の外周部に形成された導体壁とこの導体壁上に
形成された導体層とによってシールドされ，パッケージ
のチャンバには殆ど出て行かない。このため，チャンバ
が金属で覆われた空間だと仮定したときの空洞共振周波
数より高周波信号の周波数が高くても装置が使用可能と
なる。
【００１２】また請求項２の発明では，マイクロ波回路
を構成する高出力増幅回路（ＰＡ）・低雑音増幅回路
（ＬＮＡ）・発振回路（ＯＳＣ）などの回路ブロックを
導体壁によって隔てて遮蔽することにより，回路ブロッ
ク間の不要な干渉を防ぐことができる。
を構成する高出力増幅回路（ＰＡ）・低雑音増幅回路
（ＬＮＡ）・発振回路（ＯＳＣ）などの回路ブロックを
導体壁によって隔てて遮蔽することにより，回路ブロッ
ク間の不要な干渉を防ぐことができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施形態を図面を
参照しつつ説明する。 （第１の実施形態）図１は本発明の第１の実施形態に係
る高周波用半導体装置の模式的な分解斜視図である。
参照しつつ説明する。 （第１の実施形態）図１は本発明の第１の実施形態に係
る高周波用半導体装置の模式的な分解斜視図である。
【００１４】図において１はＧａＡｓなどを用いた半導
体基板であり，この半導体基板１はアルミナセラミック
スなどを用いた実装基板２上に接着され，ボンディング
ワイヤ３によって電気的に接続されている。また，４は
図示されていないパッケージ本体に実装基板２が実装さ
れているパッケージの蓋である。この蓋４とパッケージ
本体とによって，パッケージにチャンバが形成される。
なお，蓋４は実際には図１よりも半導体基板１に近いと
ころに位置し，チャンバの形状はほぼ直方体となる。
体基板であり，この半導体基板１はアルミナセラミック
スなどを用いた実装基板２上に接着され，ボンディング
ワイヤ３によって電気的に接続されている。また，４は
図示されていないパッケージ本体に実装基板２が実装さ
れているパッケージの蓋である。この蓋４とパッケージ
本体とによって，パッケージにチャンバが形成される。
なお，蓋４は実際には図１よりも半導体基板１に近いと
ころに位置し，チャンバの形状はほぼ直方体となる。
【００１５】この図においては図示してないが，半導体
基板１の上面には、トランジスタやダイオードなどの能
動素子や配線・キャパシタ・インダクタなどの受動部品
が形成され，マイクロ波回路が構成されている。また実
装基板２上にもキャパシタ・インダクタ・抵抗などがチ
ップ部品として形成され，これらと配線とによって回路
が形成されている。
基板１の上面には、トランジスタやダイオードなどの能
動素子や配線・キャパシタ・インダクタなどの受動部品
が形成され，マイクロ波回路が構成されている。また実
装基板２上にもキャパシタ・インダクタ・抵抗などがチ
ップ部品として形成され，これらと配線とによって回路
が形成されている。
【００１６】そして半導体基板１上面の外周部には半田
などを用いた導体壁としての金属壁５が形成され，この
金属壁５上には４２アロイなどを用いた板としての金属
板６が，金属壁５に接して半導体基板１とおよそ平行に
形成されている。金属板６の場合には導体層は金属板６
そのものを指すことになる。本実施形態では，金属板６
の取付は半田を用いたバンプを金属壁５として用い，こ
のバンプをＮ2 雰囲気中のリフローによって溶融するこ
とで行った。
などを用いた導体壁としての金属壁５が形成され，この
金属壁５上には４２アロイなどを用いた板としての金属
板６が，金属壁５に接して半導体基板１とおよそ平行に
形成されている。金属板６の場合には導体層は金属板６
そのものを指すことになる。本実施形態では，金属板６
の取付は半田を用いたバンプを金属壁５として用い，こ
のバンプをＮ2 雰囲気中のリフローによって溶融するこ
とで行った。
【００１７】半導体基板１の上面に形成されたマイクロ
波回路は，これらの金属壁５・金属板６によって実質的
に覆われた構成となっている。すなわちマイクロ波回路
を伝送する高周波信号は金属壁５・金属板６によってシ
ールドされるため，パッケージのチャンバには殆ど出て
行かない。従って、チャンバが大きくその空洞共振周波
数がマイクロ波回路を伝送する高周波信号の周波数より
低くても，装置が使用できなくはならない。
波回路は，これらの金属壁５・金属板６によって実質的
に覆われた構成となっている。すなわちマイクロ波回路
を伝送する高周波信号は金属壁５・金属板６によってシ
ールドされるため，パッケージのチャンバには殆ど出て
行かない。従って、チャンバが大きくその空洞共振周波
数がマイクロ波回路を伝送する高周波信号の周波数より
低くても，装置が使用できなくはならない。
【００１８】また半導体基板１のマイクロ波回路と実装
基板２に形成された回路との間で信号のやりとりが行わ
れる場合，実装基板２に入出力される信号の周波数がチ
ャンバの空洞共振周波数よりも低ければ，装置の使用が
可能となる。
基板２に形成された回路との間で信号のやりとりが行わ
れる場合，実装基板２に入出力される信号の周波数がチ
ャンバの空洞共振周波数よりも低ければ，装置の使用が
可能となる。
【００１９】このためには，例えば半導体基板１に形成
されるマイクロ波回路の回路構成を図２に示すような構
成とすればよい。パッケージ外部の受信アンテナで受信
された高周波信号はＬＮＡで増幅された後，直接復調回
路でベースバンド信号に変換され実装基板２に出力され
る。
されるマイクロ波回路の回路構成を図２に示すような構
成とすればよい。パッケージ外部の受信アンテナで受信
された高周波信号はＬＮＡで増幅された後，直接復調回
路でベースバンド信号に変換され実装基板２に出力され
る。
【００２０】実装基板２からはベースバンド信号が入力
され，このベースバンド信号はＯＳＣによって制御され
る直接変調回路で高周波信号に変換される。そして高周
波信号はＰＡによって増幅されてパッケージ外部の送信
アンテナより送信される。
され，このベースバンド信号はＯＳＣによって制御され
る直接変調回路で高周波信号に変換される。そして高周
波信号はＰＡによって増幅されてパッケージ外部の送信
アンテナより送信される。
【００２１】また直接復調回路・直接変調回路・ＯＳＣ
は実装基板からの制御信号によって制御される。ここで
ＯＳＣとしては電圧制御発振器などを用いることができ
る。
は実装基板からの制御信号によって制御される。ここで
ＯＳＣとしては電圧制御発振器などを用いることができ
る。
【００２２】半導体基板上面に形成するマイクロ波回路
をこのような構成とすれば，実装基板２に入出力される
信号はベースバンド信号・制御信号となる。よって，チ
ャンバがある程度の大きさを有していても，ベースバン
ド信号・制御信号の周波数を空洞共振周波数よりも低く
することが可能となる。
をこのような構成とすれば，実装基板２に入出力される
信号はベースバンド信号・制御信号となる。よって，チ
ャンバがある程度の大きさを有していても，ベースバン
ド信号・制御信号の周波数を空洞共振周波数よりも低く
することが可能となる。
【００２３】例えば６０ＧＨｚ帯での使用を考えて１０
０Ｍｂｐｓ程度の伝送を行うと想定する。このとき制御
信号は１００Ｍｂｐｓであるから，その周波数は最も高
いところで１００ＭＨｚの５〜７倍，すなわち５００〜
７００ＭＨｚとなる。
０Ｍｂｐｓ程度の伝送を行うと想定する。このとき制御
信号は１００Ｍｂｐｓであるから，その周波数は最も高
いところで１００ＭＨｚの５〜７倍，すなわち５００〜
７００ＭＨｚとなる。
【００２４】ここで、チャンバの空洞共振周波数の波長
λａは直方体の最も面積の大きい長方形，図１の場合に
は実装基板２・蓋４で定義される長方形の対角線の長さ
によって決まる。具体的には対角線の長さがλａ／２に
対応する。
λａは直方体の最も面積の大きい長方形，図１の場合に
は実装基板２・蓋４で定義される長方形の対角線の長さ
によって決まる。具体的には対角線の長さがλａ／２に
対応する。
【００２５】チャンバが７００ＧＨｚで空洞共振を起こ
さないように余裕をみて，その空洞共振周波数を１ＧＨ
ｚとして計算すると，λａ／２＝約１５ｃｍとなる。こ
れよりも対角線の長さが短ければ，制御信号の周波数よ
りも空洞共振周波数が低いことになり装置が使用でき
る。λａ／２＝約１５ｃｍよりも小さい形は，例えば約
１０ｃｍ角の正方形である。
さないように余裕をみて，その空洞共振周波数を１ＧＨ
ｚとして計算すると，λａ／２＝約１５ｃｍとなる。こ
れよりも対角線の長さが短ければ，制御信号の周波数よ
りも空洞共振周波数が低いことになり装置が使用でき
る。λａ／２＝約１５ｃｍよりも小さい形は，例えば約
１０ｃｍ角の正方形である。
【００２６】また，チャンバが空洞共振を起こさないた
めには，受信アンテナ・ＬＮＡ間と送信アンテナ・ＰＡ
間の配線を伝送する高周波信号についても考慮する必要
がある。このためには，実装基板２上に溝を設けてこの
溝に配線を埋め込むことによってシールドを施すなどの
手段を用いればよい。
めには，受信アンテナ・ＬＮＡ間と送信アンテナ・ＰＡ
間の配線を伝送する高周波信号についても考慮する必要
がある。このためには，実装基板２上に溝を設けてこの
溝に配線を埋め込むことによってシールドを施すなどの
手段を用いればよい。
【００２７】さらに，実装基板２と信号のやりとりを行
うため金属壁５に設けられた図１における開口部Ｃにつ
いても考慮が必要である。この開口部Ｃが大きいと，マ
イクロ波回路の高周波信号がチャンバに漏れ出してしま
って，装置が使用できなくなるため好ましくない。従っ
て開口部Ｃの大きさには漏れ出さないための条件が存在
する。これを図３を用いて説明する。
うため金属壁５に設けられた図１における開口部Ｃにつ
いても考慮が必要である。この開口部Ｃが大きいと，マ
イクロ波回路の高周波信号がチャンバに漏れ出してしま
って，装置が使用できなくなるため好ましくない。従っ
て開口部Ｃの大きさには漏れ出さないための条件が存在
する。これを図３を用いて説明する。
【００２８】図３は図１の点線Ｄで囲った部分の拡大図
である。開口部Ｃの幅をａ，奥行きをｘとする。開口部
Ｃを導波管とみなし媒質中における波長をλとしたと
き，λ＞２ａであれば開口部を通過する信号の電力Ａは
下記の式で表される。
である。開口部Ｃの幅をａ，奥行きをｘとする。開口部
Ｃを導波管とみなし媒質中における波長をλとしたと
き，λ＞２ａであれば開口部を通過する信号の電力Ａは
下記の式で表される。
【００２９】
【数１】 ただしＡ0 は入射したときの電力である。
【００３０】上記の式における２π｛（１／２ａ）−
（１／λ）｝ｘの値が５であれば電力の減衰は４０ｄＢ
以上となる。一般的に、この程度の減衰があればアイソ
レーションはほぼ完全と見なせ，開口部Ｃが導波管とし
ては働かないとみなせるので，λ＞２ａの条件で２π
｛（１／２ａ）−（１／λ）｝ｘ≧５が開口部Ｃの条件
として好ましい。
（１／λ）｝ｘの値が５であれば電力の減衰は４０ｄＢ
以上となる。一般的に、この程度の減衰があればアイソ
レーションはほぼ完全と見なせ，開口部Ｃが導波管とし
ては働かないとみなせるので，λ＞２ａの条件で２π
｛（１／２ａ）−（１／λ）｝ｘ≧５が開口部Ｃの条件
として好ましい。
【００３１】仮に６０ＧＨｚで波長が短縮されずにλ＝
５ｍｍだとすると，ａ＝１２０μｍでｘ＝５０μｍであ
れば上記の条件を満たすことができる。次に，図４に図
１のＡ−Ｂ方向に沿った模式的な断面図を示す。図にお
いて７は半導体基板１上に形成された，図１では図示し
てないストリップ導体である。金属板６が半導体基板１
とおよそ平行であるため，ストリップ導体７は金属板６
を接地導体として，これと電磁的に結合した逆マイクロ
ストリップ線路を形成する。この逆マイクロストリップ
線路はマイクロ波回路を構成する一部分とすることがで
きる。
５ｍｍだとすると，ａ＝１２０μｍでｘ＝５０μｍであ
れば上記の条件を満たすことができる。次に，図４に図
１のＡ−Ｂ方向に沿った模式的な断面図を示す。図にお
いて７は半導体基板１上に形成された，図１では図示し
てないストリップ導体である。金属板６が半導体基板１
とおよそ平行であるため，ストリップ導体７は金属板６
を接地導体として，これと電磁的に結合した逆マイクロ
ストリップ線路を形成する。この逆マイクロストリップ
線路はマイクロ波回路を構成する一部分とすることがで
きる。
【００３２】従来の高周波用半導体装置では，信号の伝
送特性を考慮してストリップ導体の両側に接地導体を配
置したコプラナ型の伝送線路を用いている場合が多い。
この構造は半導体基板上にストリップ導体・接地導体の
双方を形成するため，半導体基板の面積が増大してしま
う。
送特性を考慮してストリップ導体の両側に接地導体を配
置したコプラナ型の伝送線路を用いている場合が多い。
この構造は半導体基板上にストリップ導体・接地導体の
双方を形成するため，半導体基板の面積が増大してしま
う。
【００３３】これに対して本実施形態の場合，接地導体
となる金属板６は半導体基板１と積層された構造となっ
ているため，半導体基板１の面積を増大させずにすむと
いう利点がある。
となる金属板６は半導体基板１と積層された構造となっ
ているため，半導体基板１の面積を増大させずにすむと
いう利点がある。
【００３４】また，この逆マイクロストリップ線路は、
電磁的な結合に関与するストリップ導体７と金属板６と
の間が，バンプをリフローしたときに用いたＮ2 によっ
て充填された構造となっている。Ｎ2 は誘電正接が小さ
いため信号の伝送損失が小さく，従ってこの逆マイクロ
ストリップ線路の伝送損失は極めて小さいものとなる。
電磁的な結合に関与するストリップ導体７と金属板６と
の間が，バンプをリフローしたときに用いたＮ2 によっ
て充填された構造となっている。Ｎ2 は誘電正接が小さ
いため信号の伝送損失が小さく，従ってこの逆マイクロ
ストリップ線路の伝送損失は極めて小さいものとなる。
【００３５】以上説明したように、本実施形態に係る高
周波用半導体装置は装置の使用周波数がチャンバの空洞
共振周波数に依存しない。従ってパッケ−ジの大きさを
自由に設計できる。
周波用半導体装置は装置の使用周波数がチャンバの空洞
共振周波数に依存しない。従ってパッケ−ジの大きさを
自由に設計できる。
【００３６】（第２の実施形態）図５に本発明の第２の
実施形態に係る高周波用半導体装置の模式的な分解斜視
図を示す。図において図１と同一部分には同一符号を付
けてあり，その部分に関する詳細な説明は省略し，以下
同様とする。
実施形態に係る高周波用半導体装置の模式的な分解斜視
図を示す。図において図１と同一部分には同一符号を付
けてあり，その部分に関する詳細な説明は省略し，以下
同様とする。
【００３７】この高周波用半導体装置が第１の実施形態
の高周波用半導体装置と異なる点は，金属壁５が半導体
基板１上面の外周部だけでなく上面の内部にも形成さ
れ，これにより上面が複数の長方形の領域に分割されて
いる点である。
の高周波用半導体装置と異なる点は，金属壁５が半導体
基板１上面の外周部だけでなく上面の内部にも形成さ
れ，これにより上面が複数の長方形の領域に分割されて
いる点である。
【００３８】このようにすることによって，第１の実施
形態で得られる効果に加えて，図２に示したマイクロ波
回路の回路ブロック間を隔てて遮蔽することができ，回
路ブロック間の干渉を抑えることができる。
形態で得られる効果に加えて，図２に示したマイクロ波
回路の回路ブロック間を隔てて遮蔽することができ，回
路ブロック間の干渉を抑えることができる。
【００３９】具体的には図６に示すようにＬＮＡ・直接
復調回路・直接変調回路・ＯＳＣ・ＰＡのそれぞれを隔
てるのが，回路ブロック間の干渉を防ぐためには最も望
ましい方法である。
復調回路・直接変調回路・ＯＳＣ・ＰＡのそれぞれを隔
てるのが，回路ブロック間の干渉を防ぐためには最も望
ましい方法である。
【００４０】しかしながら，図７に示すようにＰＡのみ
を他の回路ブロックと隔てる方法も考えられる。これ
は，ＰＡの出力が大きいため他の回路ブロックに与える
影響が大きいからである。具体的な影響としては，ＯＳ
Ｃの発振周波数が安定しなかったり，ＬＮＡの受信信号
の品質を劣化させるなどがあるが，ＰＡを金属壁５によ
って隔てることにより，このような影響を回避すること
ができる。
を他の回路ブロックと隔てる方法も考えられる。これ
は，ＰＡの出力が大きいため他の回路ブロックに与える
影響が大きいからである。具体的な影響としては，ＯＳ
Ｃの発振周波数が安定しなかったり，ＬＮＡの受信信号
の品質を劣化させるなどがあるが，ＰＡを金属壁５によ
って隔てることにより，このような影響を回避すること
ができる。
【００４１】従来の高周波用半導体装置の場合には，干
渉を避けるためには回路ブロック間の配線長を長くする
必要があるが，信号の伝送損失を減らすことを考えると
配線長を短くする必要があるという相反する要求があっ
た。
渉を避けるためには回路ブロック間の配線長を長くする
必要があるが，信号の伝送損失を減らすことを考えると
配線長を短くする必要があるという相反する要求があっ
た。
【００４２】本実施形態はこの相反する要求を解決でき
るもので，回路ブロック間の配線長を短く保ったまま，
干渉を抑えることが可能となる。また，図５の複数の領
域のうちで最も大きい領域の半導体基板１上面にはマイ
クロ波回路の他の部品を形成せず，この領域をＯＳＣの
空洞共振器として用いることも可能である。図５では長
方形Ｅで示す領域が最も大きい領域に相当する。
るもので，回路ブロック間の配線長を短く保ったまま，
干渉を抑えることが可能となる。また，図５の複数の領
域のうちで最も大きい領域の半導体基板１上面にはマイ
クロ波回路の他の部品を形成せず，この領域をＯＳＣの
空洞共振器として用いることも可能である。図５では長
方形Ｅで示す領域が最も大きい領域に相当する。
【００４３】装置を６０ＧＨｚで用いた場合には空洞共
振器における空洞共振周波数も６０ＧＨｚであるから，
長方形Ｅの対角線の長さはλａ／２＝約２．５ｍｍとな
る。この程度の長さであれば，半導体基板１の大きさを
２〜３ｍｍ角と小さくすることが十分可能となる。
振器における空洞共振周波数も６０ＧＨｚであるから，
長方形Ｅの対角線の長さはλａ／２＝約２．５ｍｍとな
る。この程度の長さであれば，半導体基板１の大きさを
２〜３ｍｍ角と小さくすることが十分可能となる。
【００４４】空洞共振器として用いる場合，長方形Ｅの
半導体基板１上面を金属で覆い，これと金属壁５・金属
板６とで金属で覆われた空間を形成することも可能であ
るが，図８に示すような方法で空洞共振器を形成するこ
とも可能である。
半導体基板１上面を金属で覆い，これと金属壁５・金属
板６とで金属で覆われた空間を形成することも可能であ
るが，図８に示すような方法で空洞共振器を形成するこ
とも可能である。
【００４５】図８はこの部分の模式的な断面図であり，
金属壁５と実装基板２とが半導体基板１に形成された高
さｘのスルーホール８によって電気的に接続されてい
る。また，スルーホール８は紙面奥行き方向にもａで示
す間隔とほぼ同様な間隔で形成されているものとする。
金属壁５と実装基板２とが半導体基板１に形成された高
さｘのスルーホール８によって電気的に接続されてい
る。また，スルーホール８は紙面奥行き方向にもａで示
す間隔とほぼ同様な間隔で形成されているものとする。
【００４６】この間隔ａ・高さｘは上述の図３のところ
で説明した幅ａ・奥行きｘと等価なものであり，従って
λ＞２ａの条件で２π｛（１／２ａ）−（１／λ）｝ｘ
≧５であればスルーホール８間が導波管としては働かな
いとみなせ，高周波信号が半導体基板１・金属壁５・金
属板６で囲まれた空間に閉じこめられる。このため，空
洞共振器として用いることが可能になる。
で説明した幅ａ・奥行きｘと等価なものであり，従って
λ＞２ａの条件で２π｛（１／２ａ）−（１／λ）｝ｘ
≧５であればスルーホール８間が導波管としては働かな
いとみなせ，高周波信号が半導体基板１・金属壁５・金
属板６で囲まれた空間に閉じこめられる。このため，空
洞共振器として用いることが可能になる。
【００４７】なお空洞共振器以外の領域にも同様にして
スルーホールを形成し，これらの領域においても空洞共
振が起こるようにしてもよい。このようにしても，空洞
共振器として用いる領域が最も大きいため，この空洞共
振周波数が最も低く，しかもこの空洞共振周波数は装置
で使用する周波数であるので，他の領域が高い空洞共振
周波数を有していても装置としては使用できる。
スルーホールを形成し，これらの領域においても空洞共
振が起こるようにしてもよい。このようにしても，空洞
共振器として用いる領域が最も大きいため，この空洞共
振周波数が最も低く，しかもこの空洞共振周波数は装置
で使用する周波数であるので，他の領域が高い空洞共振
周波数を有していても装置としては使用できる。
【００４８】このようなスルーホール８による信号の閉
じ込めは，マイクロ波回路を伝送する高周波信号がチャ
ンバに出て行かなくするために特に有効な手段となる。
これは，仮にスルーホール８を設けないとすると，高周
波信号が半導体基板１を通ってチャンバに出て行ってし
まう可能性もあるからである。
じ込めは，マイクロ波回路を伝送する高周波信号がチャ
ンバに出て行かなくするために特に有効な手段となる。
これは，仮にスルーホール８を設けないとすると，高周
波信号が半導体基板１を通ってチャンバに出て行ってし
まう可能性もあるからである。
【００４９】従って，分割された領域のうちの１つを空
洞共振器として用いない場合においても，スルーホール
８を用いて各々の領域で空洞共振が起こるようにしても
よい。この場合にも，最も低い空洞共振周波数が装置の
使用周波数以上であれば装置としては問題がない。さら
に上述の第１の実施形態にこのような構造を用いてもよ
い。
洞共振器として用いない場合においても，スルーホール
８を用いて各々の領域で空洞共振が起こるようにしても
よい。この場合にも，最も低い空洞共振周波数が装置の
使用周波数以上であれば装置としては問題がない。さら
に上述の第１の実施形態にこのような構造を用いてもよ
い。
【００５０】以上の第１・第２の実施形態では，実装基
板２に入出力される信号がベースバンド信号・制御信号
であるマイクロ波回路の場合について説明したが，ベー
スバンド信号ではなく中間周波信号が実装基板２に入出
力される図９のようなマイクロ波回路を用いてもよい。
なお図９においては制御信号を省略している。
板２に入出力される信号がベースバンド信号・制御信号
であるマイクロ波回路の場合について説明したが，ベー
スバンド信号ではなく中間周波信号が実装基板２に入出
力される図９のようなマイクロ波回路を用いてもよい。
なお図９においては制御信号を省略している。
【００５１】図９の場合には，ＬＮＡからの信号はＯＳ
Ｃで制御される周波数変換回路によって中間周波信号に
変換され，この中間周波信号が実装基板２に形成された
中間周波増幅フィルタで増幅されて，さらに復調回路で
ベースバンド信号に変換される。
Ｃで制御される周波数変換回路によって中間周波信号に
変換され，この中間周波信号が実装基板２に形成された
中間周波増幅フィルタで増幅されて，さらに復調回路で
ベースバンド信号に変換される。
【００５２】このような場合でも，中間周波信号の周波
数がチャンバの空洞共振周波数よりも低ければ装置とし
て使用することができる。以下に第３〜第５の実施形態
を説明するが、これらの実施形態は第１・第２の実施形
態に付加価値を加えるものであって、第１・第２の実施
形態のどちらとも組み合わせ可能である。
数がチャンバの空洞共振周波数よりも低ければ装置とし
て使用することができる。以下に第３〜第５の実施形態
を説明するが、これらの実施形態は第１・第２の実施形
態に付加価値を加えるものであって、第１・第２の実施
形態のどちらとも組み合わせ可能である。
【００５３】（第３の実施形態）図１０に本発明の第３
の実施形態に係る高周波用半導体装置の一部斜視図を示
す。この図ではパッケージを省略してある。
の実施形態に係る高周波用半導体装置の一部斜視図を示
す。この図ではパッケージを省略してある。
【００５４】この高周波用半導体装置は，第１・第２の
実施形態ではパッケージ外部に設けられていたアンテナ
をパッケージ内部に組み込んだものである。具体的に
は，実装基板２上に設けられポリテトラフルオロエチレ
ン（テフロン）などを用いた誘電体基板９上に，Ａｕな
どの金属を用いた円形のパッチアンテナ１０が形成さ
れ，半導体基板１と誘電体基板９とがリボンワイヤによ
って近接して接続されている。
実施形態ではパッケージ外部に設けられていたアンテナ
をパッケージ内部に組み込んだものである。具体的に
は，実装基板２上に設けられポリテトラフルオロエチレ
ン（テフロン）などを用いた誘電体基板９上に，Ａｕな
どの金属を用いた円形のパッチアンテナ１０が形成さ
れ，半導体基板１と誘電体基板９とがリボンワイヤによ
って近接して接続されている。
【００５５】このように実装基板２上にパッチアンテナ
１０を設ける場合には，パッチアンテナが装置の使用周
波数の信号を送受信するため，チャンバが金属で覆われ
た空間だと空洞共振周波数の低いチャンバによって空洞
共振周波数が決まってしまい都合が悪い。そこでパッケ
ージに空洞共振が起こらないように，蓋に開口部を設け
るか，蓋の少なくとも一部を樹脂などの非導電性材料と
する。これによって装置が使用可能になる。
１０を設ける場合には，パッチアンテナが装置の使用周
波数の信号を送受信するため，チャンバが金属で覆われ
た空間だと空洞共振周波数の低いチャンバによって空洞
共振周波数が決まってしまい都合が悪い。そこでパッケ
ージに空洞共振が起こらないように，蓋に開口部を設け
るか，蓋の少なくとも一部を樹脂などの非導電性材料と
する。これによって装置が使用可能になる。
【００５６】本実施形態では，パッチアンテナ１０は半
導体基板１に近接して設けられた誘電体基板９上に設け
られているので，半導体基板１上面のマイクロ波回路と
パッチアンテナ１０の距離が近くなる。従って装置外部
にアンテナが設けられている第１・第２の実施形態より
も信号の伝送損失が少なくなる。
導体基板１に近接して設けられた誘電体基板９上に設け
られているので，半導体基板１上面のマイクロ波回路と
パッチアンテナ１０の距離が近くなる。従って装置外部
にアンテナが設けられている第１・第２の実施形態より
も信号の伝送損失が少なくなる。
【００５７】また半導体基板１上面のマイクロ波回路は
金属壁５・金属板６によって覆われているため，アンテ
ナから送受信される信号がマイクロ波回路に影響を及ぼ
すことを防止できる。
金属壁５・金属板６によって覆われているため，アンテ
ナから送受信される信号がマイクロ波回路に影響を及ぼ
すことを防止できる。
【００５８】（第４の実施形態）図１１に本発明の第４
の実施形態に係る高周波用半導体装置の模式的な分解斜
視図を示す。
の実施形態に係る高周波用半導体装置の模式的な分解斜
視図を示す。
【００５９】この高周波用半導体装置が第１・第２の実
施形態の半導体装置と異なる点は，金属板６に開口部１
１を設けた点である。この開口部１１の役割を，開口部
１１部分を切った断面図である図１２によって説明す
る。
施形態の半導体装置と異なる点は，金属板６に開口部１
１を設けた点である。この開口部１１の役割を，開口部
１１部分を切った断面図である図１２によって説明す
る。
【００６０】図１２で開口部１１に対応する半導体基板
１の部分に形成されているのは，半導体レーザやフォト
ダイオードなどの光半導体素子１３であり，開口部１２
を通って光半導体素子１３に光が入出力できるような構
造となっている。この場合，装置に光が入出力できるよ
うパッケージにも開口部が設けられている。このような
構造を採用することによって，光を用いる用途にも装置
が適用可能となる。
１の部分に形成されているのは，半導体レーザやフォト
ダイオードなどの光半導体素子１３であり，開口部１２
を通って光半導体素子１３に光が入出力できるような構
造となっている。この場合，装置に光が入出力できるよ
うパッケージにも開口部が設けられている。このような
構造を採用することによって，光を用いる用途にも装置
が適用可能となる。
【００６１】（第５の実施形態）図１３に本発明の第５
の実施形態に係る高周波用半導体装置の模式的な断面図
を示す。
の実施形態に係る高周波用半導体装置の模式的な断面図
を示す。
【００６２】この高周波用半導体装置は金属板６を薄膜
コンデンサとして利用したものである。すなわち金属壁
５上の金属板６ａの上にＴａ2 Ｏ5 などの高誘電率材料
を用いた誘電体層１４を設け，その上にさらに金属板６
ｂを設けることによって金属板６ａ・誘電体層１４・金
属板６ｂを薄膜コンデンサとして用いる。
コンデンサとして利用したものである。すなわち金属壁
５上の金属板６ａの上にＴａ2 Ｏ5 などの高誘電率材料
を用いた誘電体層１４を設け，その上にさらに金属板６
ｂを設けることによって金属板６ａ・誘電体層１４・金
属板６ｂを薄膜コンデンサとして用いる。
【００６３】金属板６ｂを電源Ｖ側，金属板６ａを接地
側にすることにより，薄膜コンデンサを電源・接地間の
デカップリング用コンデンサとして用いることができ，
これによってマイクロ波回路の動作が安定化する。
側にすることにより，薄膜コンデンサを電源・接地間の
デカップリング用コンデンサとして用いることができ，
これによってマイクロ波回路の動作が安定化する。
【００６４】なお使用周波数が６０ＧＨｚの場合には，
複数必要なコンデンサのうち最も容量の小さいコンデン
サは容量が０．１〜数ｐｆ程度で，それほど大きな面積
を必要としない。そこで，複数のうちでも低い周波数に
対応した大きな面積を必要とするコンデンサを図１３の
ように形成すれば，実装基板２で必要なコンデンサの面
積が減り装置が小型化できる。
複数必要なコンデンサのうち最も容量の小さいコンデン
サは容量が０．１〜数ｐｆ程度で，それほど大きな面積
を必要としない。そこで，複数のうちでも低い周波数に
対応した大きな面積を必要とするコンデンサを図１３の
ように形成すれば，実装基板２で必要なコンデンサの面
積が減り装置が小型化できる。
【００６５】以上，本発明の実施形態を説明したが，本
発明は上述の実施形態に限定されるものではない。半導
体基板１にＳｉなどを用いてもよいし，実装基板２に他
のセラミックスやあるいは樹脂などを用いてもよい。パ
ッケージとして４３アロイ，Ｃｕ，Ａｕなどを用いても
よい。
発明は上述の実施形態に限定されるものではない。半導
体基板１にＳｉなどを用いてもよいし，実装基板２に他
のセラミックスやあるいは樹脂などを用いてもよい。パ
ッケージとして４３アロイ，Ｃｕ，Ａｕなどを用いても
よい。
【００６６】また金属板６としてＣｕ，Ａｕなどの熱伝
導率がよい金属を用いれば，金属板６から熱放散を行わ
せることができる。金属板６の代わりの板として，下部
に金属などの導体層を設けた誘電体基板を用いてもよ
い。誘電体基板の材料としては，セラミックス・フッ素
系樹脂などを用いることが可能である。誘電体基板を用
いれば，この上にアンテナを形成することも可能とな
る。
導率がよい金属を用いれば，金属板６から熱放散を行わ
せることができる。金属板６の代わりの板として，下部
に金属などの導体層を設けた誘電体基板を用いてもよ
い。誘電体基板の材料としては，セラミックス・フッ素
系樹脂などを用いることが可能である。誘電体基板を用
いれば，この上にアンテナを形成することも可能とな
る。
【００６７】さらに半導体基板１と金属板６との間はＮ
2 で充填されてなくてもよい。例えば空気でもよいし，
ベンゾシクロブテンなどの樹脂が封止されていてもよ
い。これは，空気，樹脂いずれも誘電正接が小さいため
伝送損失が少ないからである。
2 で充填されてなくてもよい。例えば空気でもよいし，
ベンゾシクロブテンなどの樹脂が封止されていてもよ
い。これは，空気，樹脂いずれも誘電正接が小さいため
伝送損失が少ないからである。
【００６８】パッチアンテナとして，円形だけでなく方
形のものを用いてもよいし，それらをアレイ状に配置し
指向性を持たせたものを用いてもよい。また薄膜コンデ
ンサの誘電体層１４としては，ＺｒＯ2 ，Ｐｂ−Ｔｉ−
Ｏ，ＳｒＴｉＯ3 ，ＴｉＯ2 ，ＰｂＯ，（Ｍｇ，Ｃａ）
ＴｉＯ3 ，Ｌａ2 ＴｉＯ7 などを用いることが可能であ
る。
形のものを用いてもよいし，それらをアレイ状に配置し
指向性を持たせたものを用いてもよい。また薄膜コンデ
ンサの誘電体層１４としては，ＺｒＯ2 ，Ｐｂ−Ｔｉ−
Ｏ，ＳｒＴｉＯ3 ，ＴｉＯ2 ，ＰｂＯ，（Ｍｇ，Ｃａ）
ＴｉＯ3 ，Ｌａ2 ＴｉＯ7 などを用いることが可能であ
る。
【００６９】さらには，１つの半導体基板１にマイクロ
波回路の全てを形成するのではなく，回路ブロックごと
に異なる半導体基板を用い，これら複数の半導体基板を
実装基板２に埋め込んでシールドするような構造の装置
にも本発明は適用可能である。以上の実施形態を組み合
わせることも可能であるし，その他本発明の要旨を逸脱
しない範囲で種々の変形が可能である。
波回路の全てを形成するのではなく，回路ブロックごと
に異なる半導体基板を用い，これら複数の半導体基板を
実装基板２に埋め込んでシールドするような構造の装置
にも本発明は適用可能である。以上の実施形態を組み合
わせることも可能であるし，その他本発明の要旨を逸脱
しない範囲で種々の変形が可能である。
【００７０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば，マ
イクロ波回路を伝送する高周波信号の周波数が高くても
使用可能な高周波用半導体装置を提供することが可能と
なる。
イクロ波回路を伝送する高周波信号の周波数が高くても
使用可能な高周波用半導体装置を提供することが可能と
なる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施形態に係る高周波用半導
体装置の模式的な分解斜視図。
体装置の模式的な分解斜視図。
【図２】 本発明の第１の実施形態に係る高周波用半導
体装置のマイクロ波回路ブロック図。
体装置のマイクロ波回路ブロック図。
【図３】 本発明の第１の実施形態に係る高周波用半導
体装置の模式的な一部拡大斜視図。
体装置の模式的な一部拡大斜視図。
【図４】 本発明の第１の実施形態に係る高周波用半導
体装置の模式的な断面図。
体装置の模式的な断面図。
【図５】 本発明の第２の実施形態に係る高周波用半導
体装置の模式的な分解斜視図。
体装置の模式的な分解斜視図。
【図６】 本発明の第２の実施形態に係る高周波用半導
体装置のマイクロ波回路ブロック図。
体装置のマイクロ波回路ブロック図。
【図７】 本発明の第２の実施形態に係る高周波用半導
体装置のマイクロ波回路ブロック図。
体装置のマイクロ波回路ブロック図。
【図８】 本発明の第２の実施形態に係る高周波用半導
体装置の模式的な一部断面図。
体装置の模式的な一部断面図。
【図９】 本発明に係る高周波用半導体装置のマイクロ
波回路ブロック図。
波回路ブロック図。
【図１０】 本発明の第３の実施形態に係る高周波用半
導体装置の模式的な一部斜視図。
導体装置の模式的な一部斜視図。
【図１１】 本発明の第４の実施形態に係る高周波用半
導体装置の模式的な分解斜視図。
導体装置の模式的な分解斜視図。
【図１２】 本発明の第４の実施形態に係る高周波用半
導体装置の模式的な一部断面図。
導体装置の模式的な一部断面図。
【図１３】 本発明の第５の実施形態に係る高周波用半
導体装置の模式的な断面図。
導体装置の模式的な断面図。
【図１４】 従来の高周波用半導体装置の模式的な分解
斜視図。
斜視図。
１…半導体基板；２…実装基板；３…ボンディングワイ
ヤ；４…パッケージの蓋；５…金属壁；６…金属板
ヤ；４…パッケージの蓋；５…金属壁；６…金属板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 樋口 和人 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 マイクロ波回路の一部が上面に形成され
た半導体基板と，この半導体基板を実装するためのチャ
ンバを有するパッケージと，前記半導体基板上の少なく
とも外周部に形成された導体壁と，この導体壁と共に前
記上面に形成されたマイクロ波回路を実質的に覆うよう
に前記導体壁上に形成された導体層を有する板とを備え
た高周波用半導体装置。 - 【請求項２】 前記導体壁によって，前記上面に形成さ
れたマイクロ波回路の少なくとも一部が前記上面に形成
されたマイクロ波回路の他の部分と隔てられている請求
項１記載の高周波用半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07339696A JP3565979B2 (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 高周波用半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07339696A JP3565979B2 (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 高周波用半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09266394A true JPH09266394A (ja) | 1997-10-07 |
| JP3565979B2 JP3565979B2 (ja) | 2004-09-15 |
Family
ID=13517007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07339696A Expired - Fee Related JP3565979B2 (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 高周波用半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3565979B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004342948A (ja) * | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Tdk Corp | 電子部品モジュール |
| JP2007329168A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Nec Corp | マイクロ波モノリシック半導体集積回路 |
| WO2009107303A1 (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-03 | 日本電気株式会社 | 電磁シールド構造およびそれを用いた無線装置、電磁シールドの製造方法 |
| JP4529110B2 (ja) * | 2001-02-15 | 2010-08-25 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| WO2018029921A1 (ja) * | 2016-08-09 | 2018-02-15 | 株式会社村田製作所 | 半導体パッケージ、及び、配線基板 |
-
1996
- 1996-03-28 JP JP07339696A patent/JP3565979B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4529110B2 (ja) * | 2001-02-15 | 2010-08-25 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| JP2004342948A (ja) * | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Tdk Corp | 電子部品モジュール |
| JP2007329168A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Nec Corp | マイクロ波モノリシック半導体集積回路 |
| WO2009107303A1 (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-03 | 日本電気株式会社 | 電磁シールド構造およびそれを用いた無線装置、電磁シールドの製造方法 |
| US8379408B2 (en) | 2008-02-28 | 2013-02-19 | Nec Corporation | Electromagnetic shield structure, wireless device using the structure, and method of manufacturing electromagnetic shield |
| JP5170232B2 (ja) * | 2008-02-28 | 2013-03-27 | 日本電気株式会社 | 電磁シールド構造およびそれを用いた無線装置、電磁シールドの製造方法 |
| WO2018029921A1 (ja) * | 2016-08-09 | 2018-02-15 | 株式会社村田製作所 | 半導体パッケージ、及び、配線基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3565979B2 (ja) | 2004-09-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7239222B2 (en) | High frequency circuit module | |
| EP0595346B1 (en) | Composite microwave module assembly and its connection structure | |
| JP4684730B2 (ja) | 高周波半導体装置、送信装置および受信装置 | |
| US6456172B1 (en) | Multilayered ceramic RF device | |
| US5138436A (en) | Interconnect package having means for waveguide transmission of rf signals | |
| US6307450B2 (en) | Millimeter wave module and radio apparatus | |
| EP1094538A2 (en) | Multilayered ceramic RF device | |
| US20080074204A1 (en) | High-Frequency Oscillator Circuit and Transmitter-Receiver | |
| US6359536B1 (en) | High frequency multi-layer module with electronic component receiving aperture and conductive via | |
| US6236291B1 (en) | Dielectric filter, duplexer, and communication device | |
| JP3565979B2 (ja) | 高周波用半導体装置 | |
| JP3515854B2 (ja) | 高周波電力増幅回路装置 | |
| US6549105B2 (en) | Millimeter wave module and radio apparatus | |
| JP2616698B2 (ja) | 複合高周波回路モジュール | |
| JP2002280809A (ja) | 高周波部品及び高周波伝送路変換回路の一体化構造 | |
| JPH11330298A (ja) | 信号端子付パッケージおよびそれを用いた電子装置 | |
| JP3885826B2 (ja) | 誘電体共振器装置、発振器および送受信装置 | |
| JPH10308478A (ja) | 半導体モジュール | |
| JPH1022415A (ja) | 高周波用半導体装置 | |
| JP3760877B2 (ja) | 高周波複合部品 | |
| JP2001257415A (ja) | 光半導体装置 | |
| JP3569481B2 (ja) | ミリ波半導体装置 | |
| EP0887877A2 (en) | Surface mounting type isolator and surface mounting type circulator | |
| JPH08274512A (ja) | マイクロ波半導体集積回路装置 | |
| JP2001053508A (ja) | 高周波回路部品の実装構造 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040608 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040609 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080618 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090618 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |