JP3760877B2 - 高周波複合部品 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、主として通信機器などのRF回路に用いられる高周波複合部品に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、高周波部品における複合化が進められる中、高周波フィルタなどの高周波回路を形成する積層基板上にガリウム砒素FETなどの熱影響を受けやすい温度依存性部品を実装する形態のものが考えられている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、高周波フィルタのように挿入損失を伴う高周波回路においてはパワーアンプ(以下、「PA」と称す)などからの電力供給により発熱してしまい、この熱が積層基板上に実装された温度依存性部品に伝わり、その昇温に伴い温度依存性部品の電気特性が劣化してしまうので、結果として高周波複合部品の温度特性が悪いものとなっていた。
【0004】
そこで、本発明はこのような問題を解決し、高周波複合部品の温度特性を向上させることを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために本発明の請求項1に記載の発明は、高周波回路を形成する積層基板と、前記高周波回路と電気的に接続され前記積層基板上に実装される温度依存性部品とを備え、前記温度依存性部品はFETを用いた高周波スイッチ回路とし、前記積層基板はその内層部分において前記高周波回路を形成する高周波回路層の上層部分に熱遮蔽層を設けるとともに、この熱遮蔽層と前記高周波回路層との間に熱遮蔽パターンを設け、前記熱遮蔽層に前記FETに供給する制御電流回路パターンを形成したので、温度依存性部品に対する高周波回路からの発熱を抑制でき、高周波複合部品の温度特性を向上させることができるのである。
【0007】
請求項2に記載の発明は、特に熱遮蔽パターンの少なくとも一端を積層基板の外表面に露出させたことで、熱遮蔽パターンによる放熱作用を向上させることができるのである。
【0008】
請求項3に記載の発明は、特に熱遮蔽パターンを接続電極を介して積層基板の下面に設けられた実装電極に接続したことで、熱遮蔽パターンの露出面が実装面側に配置されることとなり、この部位に対する外部からの電磁波などの干渉を抑制することができるのである。
【0009】
請求項4に記載の発明は、特に熱遮蔽パターンと接続された実装電極をアースに接続することで、さらに外部からの干渉を抑制することができるのである。
【0010】
請求項5に記載の発明は、特に積層基板内において高周波回路層の下側にアースパターンを配置するとともに、熱遮蔽パターンと前記アースパターンを前記積層基板内において非接続としたことで、外部からの干渉を抑制することができるとともに熱遮蔽パターンによる放熱作用を向上させることができるのである。
【0011】
請求項6に記載の発明は、特に熱遮蔽層に積層基板及び温度依存性部品で形成される回路とは独立したダミーパターンを設けたことで、熱遮蔽層の熱容量をさらに高めることになり、温度依存性部品に対する熱伝達を抑制する効果を高めることができるのである。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下本発明の一実施の形態について、図面を用いて説明する。
【0013】
図1は携帯電話のRF回路におけるアンテナ周辺部分を構成する高周波スイッチモジュール1の断面図であり、その等価回路を図2に示す。
【0014】
この高周波スイッチモジュール1は図2に示すごとく、アンテナ2に対して送信回路3、受信回路4を切り替え接続する高周波スイッチ回路5と、この高周波スイッチ回路5の送信回路3側に設けられた高周波用のローパスフィルタ回路6を複合化したものである。
【0015】
具体的な構成としては、LCからなるローパスフィルタ回路6を図1に示す誘電体により形成された積層基板7の内層部分で適宜電極パターン8とビアホール9にて回路形成し、この積層基板7上に高周波スイッチ回路5を形成する複数ガリウム砒素FETを一体に組み合わせた半導体チップ10を実装した構成としている。
【0016】
そして、ローパスフィルタ回路6を積層基板7の下側部分に高周波回路層11として形成し、その上側部分を熱遮蔽層12として所定の間隔を設けている。
【0017】
これは、積層基板7の上面に実装される半導体チップ10が温度変化に伴って電気特性が影響を受ける温度依存性部品に属するガリウム砒素FETを主要素子が採用されることに起因している。
【0018】
すなわち、半導体チップ10が実装される積層基板7においては、その内層部分にローパスフィルタ回路6が形成され、図2に示すようにローパスフィルタ回路6には後段にPAが配置され、このPAからの増幅された出力信号がローパスフィルタ回路6の挿入損失に伴い熱に変換され、この発熱による半導体チップ10への熱伝導を熱遮蔽層12により抑制し、半導体チップ10の温度変化を抑制することで、結果として高周波スイッチモジュール1の温度特性を安定化させることができるのである。
【0019】
また、この積層基板7内においては、熱遮蔽層12と高周波回路層11との間に熱遮蔽パターン13を設けることで、高周波回路層11の上層部分の熱容量が大きくなり熱伝導をさらに抑制することができるのである。
【0020】
さらに、この熱遮蔽パターン13の一部を積層基板7の外表面に露出させることで、積層基板7を形成する誘電体よりも熱伝導率の高いAu,Ag,Cuなどの金属材料で形成される電極を介して熱が積層基板7の外部に放出されるようになるので,半導体チップ10の温度変化をさらに抑制することができる。
【0021】
また、熱遮蔽パターン13はビアホール9aなどの接続電極14を介して積層基板7の下面に露出させることが望ましい。これは、積層基板7内で形成されるローパスフィルタ回路6などの高周波回路は、外部からの信号に対して非常に干渉しやすく、この高周波回路を形成する高周波回路層11に近接する熱遮蔽パターン13を周辺部品からの影響を受けやすい積層基板7の上面や側面に設ければ、露出部分がアンテナとして作用してしまい高周波的な干渉を引き起こしてしまうが、熱遮蔽パターン13を積層基板7の下面つまり実装面に配置すればこの積層基板7を実装する実装基板(特に図示せず)で露出部分が覆われるので外部からの干渉を受けにくいものとなる。
【0022】
なお、積層基板7の下面に露出させた熱遮蔽パターン13を実装基板に接続させるための実装電極15aに接続すれば、先に述べた干渉抑制効果のほかに、この高周波スイッチモジュール1に通常設けられる入力、出力、接地用の実装電極15に加え実装電極15aを新たに設けることになり実装基板に対する高周波スイッチモジュール1の実装強度をさらに高めることができるのである。
【0023】
また、この熱遮蔽パターン13を接続する実装電極15aを、接地用として使用すれば、高周波回路であるローパスフィルタ回路6のシールド性をさらに向上させることができるのである。
【0024】
さらに、このような高周波回路は積層基板7にて高周波回路層11の下側にアースパターン16が設けられるのが一般的であるが、高周波回路層11の上側に設けられた熱遮蔽パターン13を積層基板7の実装面に設けた接地用の実装電極15aにビアホール9aを介して接続する際、アースパターン16と非接続状態とすることが望ましい。
【0025】
これは高周波回路層11にて生じた熱が、熱遮蔽パターン13からビアホール9a及びアースパターン16を介して高周波回路層11に循環することを抑制するもので、高周波回路層11の下側に設けられたアースパターン16と熱遮蔽パターン13に接続されたビアホール9aとを非接続状態とすることで、高周波回路層11から生じる熱を効率よく積層基板7の外部に放熱させることができるのである。
【0026】
また、熱遮蔽パターン13により高周波回路層11と熱遮蔽層12とのシールド性が確保できることから、この熱遮蔽層12に図2に示すFETに供給する制御電流回路端子17から延びる制御電流回路パターンすなわちチョークコイル18部分を電極パターンで形成することができ、高周波スイッチモジュール1のモジュール化を進めることができるとともに、発熱作用のないチョークコイル18を形成する電極パターンの存在により、熱遮蔽層12の熱容量を高めることになり、温度依存性部品である半導体チップ10に対する熱伝達を抑制する効果を高めることができるのである。
【0027】
さらに、この熱遮蔽層12内に他の電極パターンと電気的に独立したダミーパターン19を設けることで、熱遮蔽層12の熱容量をさらに高めることになり、半導体チップ10に対する熱伝達を抑制する効果を高めることができるのである。
【0028】
なお、上記本発明の一実施の形態においては単一の送受信系回路の接続を制御する高周波スイッチモジュール1について述べたが、図3に示すような複数の送受信系の接続を制御する高周波スイッチモジュール1においても同様の効果を奏するものである。
【0029】
さらに本発明は、上述した高周波スイッチモジュール1に限定されるものでなく、積層基板7内で高周波回路が形成され、その積層基板7上にFETなどの熱依存性部品を実装するものであれば同様の効果を得ることができるものである。
【0030】
以上のように本発明によれば、高周波回路を形成する積層基板と、前記高周波回路と電気的に接続され前記積層基板上に実装される温度依存性部品とを備え、前記温度依存性部品はFETを用いた高周波スイッチ回路とし、前記積層基板はその内層部分において前記高周波回路を形成する高周波回路層の上層部分に熱遮蔽層を設けるとともに、この熱遮蔽層と前記高周波回路層との間に熱遮蔽パターンを設け、前記熱遮蔽層に前記FETに供給する制御電流回路パターンを形成したことで、温度依存性部品に対する高周波回路からの発熱を抑制でき、高周波複合部品の温度特性を向上させることができるという効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施の形態における高周波複合部品の断面図
【図2】 同高周波複合部品の等価回路図
【図3】 本発明の他の実施の形態における高周波複合部品の等価回路図
【符号の説明】
1 高周波スイッチモジュール(高周波複合部品)
6 ローパスフィルタ(高周波回路)
7 積層基板
9,9a ビアホール
10 半導体チップ(温度依存性部品)
11 高周波回路層
12 熱遮蔽層
13 熱遮蔽パターン
14 接続電極
15,15a 実装電極
18 チョークコイル(制御電流回路パターン)
19 ダミーパターン
Claims (6)
- 高周波回路を形成する積層基板と、前記高周波回路と電気的に接続され前記積層基板上に実装される温度依存性部品とを備え、前記温度依存性部品はFETを用いた高周波スイッチ回路とし、前記積層基板はその内層部分において前記高周波回路を形成する高周波回路層の上層部分に熱遮蔽層を設けるとともに、この熱遮蔽層と前記高周波回路層との間に熱遮蔽パターンを設け、前記熱遮蔽層に前記FETに供給する制御電流回路パターンを形成したことを特徴とする高周波複合部品。
- 熱遮蔽パターンの少なくとも一端を積層基板の外表面に露出させたことを特徴とする請求項1に記載の高周波複合部品。
- 熱遮蔽パターンを接続電極を介して積層基板の下面に設けられた実装電極に接続したことを特徴とする請求項2に記載の高周波複合部品。
- 熱遮蔽パターンと接続された実装電極をアースに接続することを特徴とした請求項3に記載の高周波複合部品。
- 積層基板内において高周波回路層の下側にアースパターンを配置するとともに、熱遮蔽パターンと前記アースパターンを前記積層基板内において非接続としたことを特徴とする請求項4に記載の高周波複合部品。
- 熱遮蔽層に積層基板及び温度依存性部品で形成される回路とは独立したダミーパターンを設けたことを特徴とする請求項1に記載の高周波複合部品。
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