JP6910313B2 - 高周波デバイスおよび空中線 - Google Patents
高周波デバイスおよび空中線 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6910313B2 JP6910313B2 JP2018025464A JP2018025464A JP6910313B2 JP 6910313 B2 JP6910313 B2 JP 6910313B2 JP 2018025464 A JP2018025464 A JP 2018025464A JP 2018025464 A JP2018025464 A JP 2018025464A JP 6910313 B2 JP6910313 B2 JP 6910313B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- heat spreader
- resin substrate
- frequency device
- multilayer resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 127
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 94
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 94
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 41
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 23
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 22
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 19
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る高周波デバイス100の断面構成を示す図である。高周波デバイス100は、マイクロ波帯、ミリ波帯などの高周波帯で動作する。マイクロ波帯で動作する高周波デバイス100は、マイクロ波デバイスとも呼ばれる。
図4は、本発明の実施の形態2にかかる高周波デバイス100−1の断面構成を示す図である。高周波デバイス100−1は、高周波デバイス100のヒートスプレッダ7の代わりに、ヒートスプレッダ7Aを有し、高周波デバイス100のIC6の代わりに、第1の半導体基板320および第2の半導体基板310を含む発熱部品を有する。以下、高周波デバイス100と異なる点について主に説明する。
図6は、本発明の実施の形態3にかかる高周波デバイス100−2の断面構成を示す図である。高周波デバイス100−2の構成は、実施の形態1にかかる高周波デバイス100と導電膜2の表面形状が異なり、その他の構成要素については同様であるため、ここでは説明を省略し、差異点について主に説明する。また、高周波デバイス100の代わりに高周波デバイス100−2を使用した空中線500を構成することも可能である。
Claims (12)
- 第1の多層樹脂基板と、
前記第1の多層樹脂基板に設けられる発熱部品と、
前記発熱部品に接する第1のヒートスプレッダと、
前記第1のヒートスプレッダに接する第2のヒートスプレッダと、
前記第2のヒートスプレッダに接する導電膜と、
を備え、
前記第1のヒートスプレッダは、前記発熱部品と前記第2のヒートスプレッダとの間に設けられ、
前記導電膜は、前記第1の多層樹脂基板のグランドビアホールと電気的に接続され、
前記導電膜は、前記第2のヒートスプレッダと接する面の裏面に複数の凹凸を有し、
前記第2のヒートスプレッダは、前記第1の多層樹脂基板と平行な面の面積が前記第1のヒートスプレッダよりも大きいことを特徴とする高周波デバイス。 - 複数の前記発熱部品と、
複数の前記発熱部品のそれぞれに対応して設けられる複数の前記第1のヒートスプレッダと、
を備え、
複数の前記第1のヒートスプレッダのそれぞれは、対応する前記発熱部品に接し、
前記第2のヒートスプレッダは、複数の前記第1のヒートスプレッダに接することを特徴とする請求項1に記載の高周波デバイス。 - 前記発熱部品は、高周波帯で動作する高周波回路であることを特徴とする請求項1に記載の高周波デバイス。
- 前記発熱部品は、前記第1のヒートスプレッダに接する第1の半導体基板と、前記第1の半導体基板と前記第1の多層樹脂基板との間に設けられる第2の半導体基板とを含むことを特徴とする請求項1に記載の高周波デバイス。
- 前記第1の半導体基板には、トランジスタが設けられていることを特徴とする請求項4に記載の高周波デバイス。
- 前記トランジスタは、窒素ガリウムから形成されていることを特徴とする請求項5に記載の高周波デバイス。
- 前記第2の半導体基板には、ガリウムヒ素から形成される回路が設けられることを特徴とする請求項4から6のいずれか1項に記載の高周波デバイス。
- 前記発熱部品、前記第1のヒートスプレッダ、および前記第2のヒートスプレッダの周囲を覆う樹脂、
をさらに備えることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の高周波デバイス。 - 第1の多層樹脂基板と、前記第1の多層樹脂基板に設けられる発熱部品と、前記発熱部品に接する第1のヒートスプレッダと、前記第1のヒートスプレッダに接する第2のヒートスプレッダと、を備える高周波デバイスと、
前記高周波デバイスと電気的に接続される第2の多層樹脂基板と、
前記高周波デバイスの前記第2のヒートスプレッダに接する放熱シートと、
前記放熱シートに接する放熱板と、
前記高周波デバイスと電気的に接続される制御基板と、
前記高周波デバイスと電気的に接続され、高周波信号を送受信する送受信機と、
を備え、
前記第1のヒートスプレッダは、前記発熱部品と前記第2のヒートスプレッダとの間に設けられ、
前記第2のヒートスプレッダは、前記第1の多層樹脂基板と平行な面の面積が前記第1のヒートスプレッダよりも大きく、
前記放熱板は、前記放熱シートと前記制御基板との間に設けられることを特徴とする空中線。 - 前記放熱シートの弾性率は、前記高周波デバイスが前記放熱シートに接触する面の弾性率よりも小さいことを特徴とする請求項9に記載の空中線。
- 導電性シャーシと、
複数のアンテナ素子を有するアンテナ基板と、
を備え、
前記第2の多層樹脂基板は、前記高周波デバイスと前記導電性シャーシとの間に設けられ、
前記導電性シャーシは、前記第2の多層樹脂基板と前記アンテナ基板との間に設けられ、
複数の前記アンテナ素子は、前記高周波デバイスを介して、前記送受信機と接続されることを特徴とする請求項9に記載の空中線。 - 前記導電性シャーシは、前記第2の多層樹脂基板に実装された部品を格納する溝部を有し、
前記導電性シャーシの前記溝部が形成される面は、前記第2の多層樹脂基板のグランド面に接し、
複数の前記アンテナ素子は、前記導電性シャーシに設けられた高周波コネクタと、前記高周波デバイスとを介して、前記送受信機と相互に接続されることを特徴とする請求項11に記載の空中線。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018025464A JP6910313B2 (ja) | 2018-02-15 | 2018-02-15 | 高周波デバイスおよび空中線 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018025464A JP6910313B2 (ja) | 2018-02-15 | 2018-02-15 | 高周波デバイスおよび空中線 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019145536A JP2019145536A (ja) | 2019-08-29 |
JP6910313B2 true JP6910313B2 (ja) | 2021-07-28 |
Family
ID=67773913
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018025464A Active JP6910313B2 (ja) | 2018-02-15 | 2018-02-15 | 高周波デバイスおよび空中線 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6910313B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220376376A1 (en) * | 2020-02-03 | 2022-11-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electronic device comprising antenna module |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023127091A1 (ja) * | 2021-12-28 | 2023-07-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及び空中線 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3982876B2 (ja) * | 1997-06-30 | 2007-09-26 | 沖電気工業株式会社 | 弾性表面波装置 |
US8067833B2 (en) * | 2009-07-23 | 2011-11-29 | Raytheon Company | Low noise high thermal conductivity mixed signal package |
JP5063710B2 (ja) * | 2010-01-05 | 2012-10-31 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール |
JP5858637B2 (ja) * | 2011-04-14 | 2016-02-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体パッケージ |
JP6352583B2 (ja) * | 2012-09-04 | 2018-07-04 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2015146385A (ja) * | 2014-02-03 | 2015-08-13 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
CN107078125B (zh) * | 2015-01-21 | 2020-06-02 | 株式会社村田制作所 | 功率放大模块 |
JP6354674B2 (ja) * | 2015-06-18 | 2018-07-11 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
-
2018
- 2018-02-15 JP JP2018025464A patent/JP6910313B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220376376A1 (en) * | 2020-02-03 | 2022-11-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electronic device comprising antenna module |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019145536A (ja) | 2019-08-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6821008B2 (ja) | マイクロ波デバイス及び空中線 | |
JP7031004B2 (ja) | マイクロ波デバイス及び空中線 | |
JP6639859B2 (ja) | 切替え可能送受信フェーズド・アレイ・アンテナ | |
JP6452849B2 (ja) | マイクロ波モジュール及び高周波モジュール | |
US9245859B2 (en) | Wireless module | |
US11328987B2 (en) | Waver-level packaging based module and method for producing the same | |
US11984380B2 (en) | Semiconductor package, semiconductor device, semiconductor package-mounted apparatus, and semiconductor device-mounted apparatus | |
JP5909707B2 (ja) | 無線モジュール | |
WO2020153068A1 (ja) | アンテナモジュール及び通信装置 | |
KR20070029081A (ko) | 전자 회로 모듈과 그 제조 방법 | |
JP2003338577A (ja) | 回路基板装置 | |
JP6139585B2 (ja) | 高周波モジュール及びマイクロ波送受信装置 | |
JP6910313B2 (ja) | 高周波デバイスおよび空中線 | |
JP2000091495A (ja) | パッケ―ジされた集積回路 | |
JP6949239B2 (ja) | 空中線 | |
JP6952913B2 (ja) | 半導体装置及びアンテナ装置 | |
JP2000133765A (ja) | 高周波集積回路装置 | |
CN219998479U (zh) | 电子器件 | |
JP4696621B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR20080092170A (ko) | 향상된 방열 특성을 갖는 rf 모듈 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200602 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210315 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210323 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210514 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210608 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210706 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6910313 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |