JP5858637B2 - 半導体パッケージ - Google Patents
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Description
図1は、実施の形態1にかかる半導体パッケージ100を示す断面図である。本実施の形態にかかる半導体パッケージ100は、多層セラミック基板1、ブロック15、ヒートスプレッダ4、枠状のリング2、リッド(金属蓋/セラミック蓋)3、はんだボール9を備える。
図2は、実施の形態2にかかる高放熱な半導体パッケージ200を示す断面図である。本実施の形態にかかる半導体パッケージ200は、多層セラミック基板1、ブロック15、ヒートスプレッダ4、枠状のリング2、リッド(金属蓋/セラミック蓋)3、はんだボール9を備える。
2 リング
3 リッド(金属蓋/セラミック蓋)
4 ヒートスプレッダ
5 半導体素子
6 ボンディングワイヤ
7 基板導体
8 サーマルビア
9 はんだボール
9a サーマルボール
10 プリント基板
11 サーマルパッド
12 サーマルビア
13 冷却装置
15 ブロック
16 接合材
16a ヒートスプレッダ/ブロック間接合部
16b セラミック/ヒートスプレッダ間接合部
100、200 半導体パッケージ
Claims (6)
- 半導体素子を直接上に搭載するヒートスプレッダと、
前記ヒートスプレッダの周囲側面と接触し、前記ヒートスプレッダの下面と接合材を介して接触することにより前記半導体素子の気密性を保持する多層セラミック基板と、
前記ヒートスプレッダを下から支え、前記多層セラミック基板の周囲側面と接触し前記多層セラミック基板とほぼ同等の線膨張係数を持つ金属ブロックと、
前記多層セラミック基板および前記金属ブロックの下面に接合された複数のはんだボールと、を備え、
前記複数のはんだボールと接触面で接触し、前記接触面の一部は前記金属ブロックの下面に接合された前記はんだボールと接触して放熱面積を拡大させるサーマルパッドであって、前記サーマルパッドからの熱を前記接触面とは反対の下面に接している冷却装置に伝えるために設けられたサーマルビアを有するプリント基板に実装された
ことを特徴とする半導体パッケージ。 - 前記ヒートスプレッダの線膨張係数は、前記半導体素子を構成する半導体材料の線膨張係数とほぼ同等である
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。 - 前記金属ブロックは、銅タングステン合金またはアルミダイヤモンドコンポジット材である
ことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体パッケージ。 - 半導体素子を直接上に搭載する金属ブロックと、
前記金属ブロックの周囲側面を囲む多層セラミック基板と、
前記金属ブロックを下から支え、前記多層セラミック基板の側面と接触し、前記多層セラミック基板と接合材を介して上面で接触することにより前記半導体素子の気密性を保持し、前記多層セラミック基板とほぼ同等の線膨張係数を持つヒートスプレッダと、
前記多層セラミック基板および前記ヒートスプレッダの下面に接合された複数のはんだボールと、を備え、
前記複数のはんだボールと接触面で接触し、前記接触面の一部は前記ヒートスプレッダの下面に接合された前記はんだボールと接触して放熱面積を拡大させるサーマルパッドであって、前記サーマルパッドからの熱を前記接触面とは反対の下面に接している冷却装置に伝えるために設けられたサーマルビアを有するプリント基板に実装された
ことを特徴とする半導体パッケージ。 - 前記金属ブロックの線膨張係数は、前記半導体素子を構成する半導体材料の線膨張係数とほぼ同等である
ことを特徴とする請求項4に記載の半導体パッケージ。 - 前記ヒートスプレッダは、銅タングステン合金またはアルミダイヤモンドコンポジット材である
ことを特徴とする請求項4または5に記載の半導体パッケージ。
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