JP2014049700A - 部材の接合構造およびその接合方法、パッケージ - Google Patents
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Abstract
【課題】実施形態は、電子部品のボンディングや動作時の温度に対して安定であり、反りや歪みを抑制できる部材の接合構造、接合方法およびそれを用いたパッケージを提供する。
【解決手段】実施形態は、電子部品を収容または載置する部材の接合構造であって、第1の部材と、前記第1の部材に接合された第2の部材と、前記第1の部材の接合面と、前記第2の部材の接合面と、の間に介在する接合部であって、融点が400℃以上の1つの金属元素を98重量%以上含有する接合部と、を備える。
【選択図】図1
【解決手段】実施形態は、電子部品を収容または載置する部材の接合構造であって、第1の部材と、前記第1の部材に接合された第2の部材と、前記第1の部材の接合面と、前記第2の部材の接合面と、の間に介在する接合部であって、融点が400℃以上の1つの金属元素を98重量%以上含有する接合部と、を備える。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、部材の接合構造およびその接合方法、パッケージに関する。
半導体素子に代表される電子部品は、それを支持する基板上にボンディングされ、実装基板などに装着される。また、電子部品の多くは、その信頼性を向上させるために、基板を含むパッケージの内部に気密封止される。そして、基板およびパッケージには、電子部品のボンディングや動作時の温度に対して安定であることが求められる。このため、基板やパッケージを構成する複数の部材は、例えば、電子部品のボンディング温度よりも融点が高い銀ロウを用いて接合される。
しかしながら、基板やパッケージは、信号の入出力や電源の供給に用いられる回路要素や、電子部品の熱を外部に放出する放熱要素などを含む複合体である。そして、銀ロウを用いた高温下の組み立てにより、素材の異なる部材の線膨張係数の違いに起因する反りや歪みを生じる。これらの反りや歪みは、電子部品の特性を劣化させ、信頼度を低下させる要因となる。そこで、電子部品のボンディングや動作時の温度に対して安定であり、反りや歪みを抑制できる部材の接合構造およびその接合方法が必要とされている。
実施形態は、電子部品のボンディングや動作時の温度に対して安定であり、反りや歪みを抑制できる部材の接合構造、接合方法およびそれを用いたパッケージを提供する。
実施形態は、電子部品を収容または載置する部材の接合構造であって、第1の部材と、前記第1の部材に接合された第2の部材と、前記第1の部材の接合面と、前記第2の部材の接合面と、の間に介在する接合部であって、融点が400℃以上の1つの金属元素を98重量%以上含有する接合部と、を備える。
以下、実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について適宜説明する。
〔第1の実施形態〕
図1は、第1の実施形態に係るパッケージ10を示す模式図である。図1(a)は、パッケージ10の平面図であり、図1(b)は、図1(a)におけるIb−Ib線に沿った断面図である。パッケージ10は、例えば、半導体素子、光半導体素子、圧電素子などの電子部品をその内部に収容する。
図1は、第1の実施形態に係るパッケージ10を示す模式図である。図1(a)は、パッケージ10の平面図であり、図1(b)は、図1(a)におけるIb−Ib線に沿った断面図である。パッケージ10は、例えば、半導体素子、光半導体素子、圧電素子などの電子部品をその内部に収容する。
図1(a)に示すパッケージ10は、基板3と、枠体5と、フィードスルー(Feed through terminal)端子7と、を備える。基板3は、電子部品およびその周辺の回路要素を固着する部品載置部12と、実装基板にネジ固定するためのフランジ部14と、を有する。枠体5は、部品載置部12を囲み、フランジ部14と部品載置部12との境界を画する。
フィードスルー端子7は、基板3と枠体5との間に設けられ、パッケージ内部に気密封止された電子部品と外部回路とを電気的に接続するために設けられる。パッケージ10では、2つのフィードスルー端子7が設けられ、それぞれに外部回路に接続するリード9が接続される。
図1(b)に示すように、基板3と枠体5とは、接合部13を介して接続される。例えば、電力増幅用のパワーFET(Field Effect Transistor)を収容するパッケージでは、放熱性が重視される。このため、基板3には、銅(Cu)、もしくは、銅とモリブデン(Mo)の合金など、熱伝導の高い金属が用いられる。一方、枠体5には剛性が求められ、例えば、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)およびコバルト(Co)を配合した合金であるコバール(KOVAL)材を用いる。
半導体素子などの電子部品は、例えば、金錫(AuSn)半田を用いて基板3の上面3a(部品載置部12)にボンディングされる。この工程において、パッケージ10は、概ね280〜300℃に加熱される。また、金ゲルマニウム(AuGe)、金シリコン(AuSi)を用いてボンディングしても良い。これらの接合材を用いる場合、パッケージ10は、350〜370℃に加熱される。したがって、接合部13の再溶融温度は、400℃以上であることが望ましい。また、これらボンディング温度と、接合部13の再溶融温度(融点)と、の間の温度差が大きいほど、パッケージ10は安定である。
例えば、銀ロウの融点は、780℃以上であり、電子部品のボンディング温度に対して安定である。このため、接合材23として銀ロウが広く用いられてきた。しかしながら、基板3と枠体5とを銀ロウを用いて接合する場合、銀ロウの融点が高温であるがゆえに、その冷却過程において、例えば、銅合金からなる基板3と、コバールからなる枠体5と、の間の線熱膨張率の違いに起因する反りまたは歪みが大きくなる。
これにより、例えば、半導体素子を収容したパッケージ10を実装基板に装着した場合、基板3の下面3bと、実装基板と、の間に隙間が生じ放熱性が低下する。また、基板3および枠体5のいずれかにセラミックを用いた場合には、その部分に割れが生じることもある。
これに対し、本実施形態では、接合部13は、融点が400℃以上の1つの金属元素を98重量%以上含有する。また、接合部13は、その形成過程において、融点が400℃以上の金属元素からなる微粒子、所謂ナノ粒子を含む。金属元素は、例えば、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)のいずれかである。ナノ粒子は、これらの金属元素以外の物質を含む保護層をその表面に有しても良い。
ナノ粒子は、それを構成する金属元素の融点に比べて数100度低い温度において、焼結もしくは溶融することが可能である。このため、ナノ粒子を含む接合部13を用いることにより、例えば、400度以下の低温で基板3と枠体5とを接合することができる。そして、基板3と枠体5とを接合した後の接合部13は、ナノ粒子が一体となったバルク金属を含む。バルク金属の融点は、その材料の本来の融点となるため、接合部13は、接合時の温度よりも数100度高い温度まで安定となる。このように、基板3と枠体5とを低温で接合して反りや歪みを抑制し、且つ、電子部品のボンディング温度やその動作温度よりも高温に耐えるパッケージを実現することができる。
次に、図2を参照して、基板3と枠体5の接合過程について説明する。図2(a)および図2(b)は、パッケージ10の製造過程を表す模式断面図である。
パッケージ10の製造過程では、まず、第1の部材である基板3と、第2の部材である枠体5と、を準備する。
パッケージ10の製造過程では、まず、第1の部材である基板3と、第2の部材である枠体5と、を準備する。
図2(a)に示すように、基板3の上面3aに、例えば、銀(Ag)を主成分とするナノ粒子を含む接合材23を塗布する。接合材23は、例えば、有機溶媒にAgナノ粒子を分散したペースト状である。Agナノ粒子の粒径は、例えば、10〜100ナノメートル(nm)である。また、Agナノ粒子は、その表面に保護膜を有していても良い。有機溶媒には、例えば、テルペンアルコールを用いる。接合材23は、例えば、ディスペンサまたは印刷法を用いて塗布することができる。
続いて、図2(b)に示すように、枠体5の接合面5aを、基板3の接合面(上面3a)に、接合材23を介して接触させる。そして、基板3と枠体5との間に荷重を加えて密着させた状態で加熱し、300℃〜400℃の温度範囲に保持する。これにより、接合材23の有機溶媒を蒸散させ、Agナノ粒子を残す。さらに、Agナノ粒子を焼結させてバルクAgを含む接合部13を形成する。
バルクAgの融点は、約960℃である。これに対し、粒子径が数10nmのAgナノ粒子の融点は、150℃〜300℃に低下する。すなわち、Agナノ粒子を含む接合材23を300℃〜400℃の温度範囲で保持することにより、バルクAgを含む接合部13を形成することができる。そして、基板3と枠体5の接合は、900℃以上の温度に対して安定である。また、300℃〜400℃の低温で接合されたパッケージでは、基板3と枠体5との間の反りや歪みが抑制される。
例えば、銅(Cu)を28重量%含む銀ロウ(AgCu)の融点は780℃である。したがって、接合部13に含まれるAgの濃度を、例えば、90重量%以上とすることにより、銀ロウよりも高融点化することが可能である。すなわち、電子部品のボンディング温度やその動作温度に対して、銀ロウを用いて部材を接合したパッケージよりも安定なパッケージを実現できる。
一方、金属元素としてAuを選択する場合、バルクAuの融点は、1064℃である。これに対し、粒子径10〜100nmのAuナノ粒子の融点は、50℃〜500℃である。また、粒子径50nm〜500nmのAuナノ粒子を用いても良い。このサイズのAu粒子は、約150℃の温度で焼結させることが可能である。しかしながら、Auに他の元素を混ぜた合金の融点は、バルクAuの融点に比べて大幅に低温化される。例えば、6重量%のシリコンを混ぜたAuSiの融点は、370℃である。また、12重量%のゲルマニウムを混ぜたAuGeの融点は356℃である。したがって、Auナノ粒子を用いる場合、接合部13は、例えば、98重量%以上のAuを含むことが望ましい。
Cuナノ粒子を用いる場合、その粒子径は、好ましくは10〜100nmである。バルクCuの融点1080℃に対して、このサイズのCuナノ粒子の融点は、300〜400℃である。
Niナノ粒子の場合、粒子径100nmにおいて、約750℃の焼結が可能である。バルクNiの融点は1450℃であり、微粒子化することにより焼結温度の大幅な低温化ができる。例えば、Niナノ粒子は、その粒子径を数10nm程度、好ましくは10nm以下とすることにより、さらなる焼結温度の低温化が可能となる。
なお、本明細書における粒子径は、例えば、各ナノ粒子のTEM(Transmission Electron Microscope)像を解析して得られる平均粒子径を言う。
図3は、第1の実施形態に係るパッケージ10の別の側面を示す模式図である。図3(a)は、パッケージ10の平面図であり、図3(b)は、図3(a)におけるIIIb−IIIb線に沿った断面図である。すなわち、図3(b)は、フィードスルー端子7を含む断面を示している。フィードスルー端子7は、部品載置部12に固着された電子部品に信号を入力し、また、信号を出力させる。
図3(a)に示すように、フィードスルー端子7では、第1の絶縁材7aの上にストリップライン7bが設けられ、そのストリップライン7bにリード9が接続される。第1の絶縁材7aは、例えば、アルミナ(Al2O3)などのセラミックを用いて形成される。また、ストリップライン7bの特性インピーダンスを50Ωとして外部回路に整合させる。これにより、電子部品と外部回路との間における高周波信号の伝送損失を低減することができる。
さらに、図3(b)に示すように、フィードスルー端子7は、第1の絶縁材7aの上に、ストリップライン7bを挟んで設けられた第2の絶縁材7cを有する。第2の絶縁材7cは、ストリップライン7bと枠体5との間を電気的に絶縁する。
そして、上記の構造のフィードスルー端子7を、基板3と枠体5との間に固定するため、基板3とフィードスルー端子7との間を接合部13aを介して接続し、枠体5とフィードスルー端子7との間を接合部13bを介して接合する。すなわち、図3(b)に示すように、フィードスルー端子7の第1の絶縁材7aと、基板3と、の間は、接合部13aを介して接合され、第2の絶縁材7cと、枠体5と、の間は、接合部13bを介して接合される。
さらに、フィードスルー端子7におけるストリップライン7bと、リード9と、の接続においても、同じ接続構造を用いることができる。
図4は、第1の実施形態に係るパッケージ10の製造過程を表す模式図である。図4(a)〜図4(d)は、各工程におけるパッケージを表す模式断面図である。
図4(a)に示すように、基板3の上面に接合材23aを塗布する。接合材23aは、例えば、Agナノ粒子を含む。接合材23aは、例えば、印刷法を用いて塗布する。
次に、図4(b)に示すように、接合材23aを介してフィードスルー端子7を基板3に接着する。すなわち、接合材23aの粘性を利用してフィードスルー端子7を基板3の上に仮止めする。フィードスルー端子7は、第1の絶縁材7aと、ストリップライン7bと、第2の絶縁材7cとを含む。
次に、図4(c)に示すように、ストリップライン7bの端と、第2の絶縁材7cの上に、接合材23bを塗布する。接合材23bは、例えば、Agナノ粒子を含み、ディスペンサを用いて塗布する。
次に、図4(d)に示すように、ストリップライン7bの上にリード9を載せ、第2の絶縁材7cの上に枠体5を載せる。続いて、枠体5およびリード9に圧力を加えながら、基板3およびフィードスルー端子7を300℃〜400℃の温度範囲で加熱する。これにより、接合材23aおよび23bから有機溶媒が蒸散し、Agナノ粒子が焼結されて接合部13aおよび13bが形成される。
上記の過程で形成されたパッケージ10では、基板3の反り、基板3と枠体5との間の歪み、フィードスルー端子7と枠体5との間の歪み、および、基板3とフィードスルー端子7との間の歪みを抑制することができる。また、バルクAgを含む接合部13aおよび13bは900℃以上の温度まで安定であり、電子部品のボンディングおよびその動作環境に対して高い耐性を有するパッケージが実現される。
また、上記の実施形態では、電子部品を収容するパッケージを例に説明したが、これに限られる訳ではない。例えば、ストリップラインを有する部材等を基板の上に接合した構造の所謂キャリアなどにも適用することができる。
さらに、第1の部材および第2の部材の少なくともいずれかは、アルミナ(Al2O3)または窒化アルミ(AlN)などのセラミック材を含む部材であっても良い。
また、上記の製造方法では、1種類のナノ粒子を含む接合材23を用いる例を示したが、2種類以上のナノ粒子を含んでも良い。その場合、焼結または溶融後の接合部13に含まれるバルク金属(合金)の融点が所望の温度よりも高温となる元素およびその配合比を選択する。
〔第2の実施形態〕
図5は、第2の実施形態に係る半導体装置100を示す模式図である。図8(a)は、半導体装置100の平面図であり、図5(b)は、図5(a)に示すVb‐Vb線に沿った断面図である。
図5は、第2の実施形態に係る半導体装置100を示す模式図である。図8(a)は、半導体装置100の平面図であり、図5(b)は、図5(a)に示すVb‐Vb線に沿った断面図である。
半導体装置100は、前述のパッケージ10に、高周波信号を増幅するパワートランジスタ41を収容した例である。このようなパワートランジスタには、例えば、GaNまたはSiCなどを材料とするHFET(Hetero Junction Field Effect Transistor)、シリコンを材料とするLDMOSFET(Lateral Double Diffuse MOS Transistor)などがある。いずれも電力増幅素子であり、大量の発熱を伴って動作する。したがって、これらを収容するパッケージ10の基板3には、放熱性の良い銅板もしくは銅合金が用いられる。
図5(a)に示すように、パッケージ10の部品載置部12には、トランジスタ41と、2つの回路基板43と、が載置される。回路基板43の表面には導電パターン43aが形成され、それぞれトランジスタ41の複数のゲート電極、および、複数ドレイン電極(もしくはソース電極)と、ストリップライン7bと、の間を電気的に接続する。回路基板43には、例えば、アルミナ(Al2O3)を用いる。
図5(b)に示すように、トランジスタ41と、回路基板43とは、基板3の上にボンディングされる。これらのボンディングには、例えば、AuSn半田を用いる。これにより、トランジスタ41と基板3との間を電気的に接続し放熱性を向上させる。例えば、トランジスタ41は、基板3を介して接地される。
さらに、枠体5の上に蓋49が固着され、トランジスタ41を気密封止する。パッケージ10の内部には、例えば、窒素ガスが封入されトランジスタ41の動作を安定させ、信頼性を向上させる。蓋49は、例えば、AuSnを用いて枠体5に半田付けされる。
前述したように、パッケージ10では、基板3と枠体5との間、および、フィードスルー端子7と、基板3および枠体5と、の間が、例えば、接合部13aおよび13bにより接合されている。接合部13aおよび13bは、例えば、銀ロウ付けよりも低温で形成されるので、基板3、フィードスルー端子7および枠体5の反りもしくは歪みが抑制される。そして、接合部13aおよび13bは、900℃以上の温度まで安定して各部材を接合する。これにより、基板3の下面を実装基板もしくはヒートシンクに密着させ、トランジスタ41の発熱を効率よく放散させることができる。また、トランジスタの動作を安定させ、信頼度を向上させることができる。
さらに、GaNやSiCなどのワイドギャップ半導体を材料とするトランジスタでは、その動作温度は600℃に達する。このような場合でも、接合部13aおよび13bの融点は動作温度を上回り、半導体装置を安定して動作させることが可能である。
本実施形態に係るパッケージ10は、上記のトランジスタに限らず、LEDやレーザなどの光半導体素子、および、SAWフィルターなどの圧電素子を収容、または、載置することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
3・・・基板、 3a・・・上面、 3b・・・下面、 5・・・枠体、 5a・・・接合面、 7・・・フィードスルー端子、 7a・・・第1の絶縁材、 7b・・・ストリップライン、 7c・・・第2の絶縁材、 9・・・リード、 10・・・パッケージ、 12・・・部品載置部、 13、13a、13b・・・接合部、 14・・・フランジ部、 23、23a、23b・・・接合材、 41・・・トランジスタ、 43・・・回路基板、 43a・・・導電パターン、 49・・・蓋、 100・・・半導体装置
Claims (10)
- 電子部品を収容または載置する部材の接合構造であって、
第1の部材と、
前記第1の部材に接合された第2の部材と、
前記第1の部材の接合面と、前記第2の部材の接合面と、の間に介在する接合部であって、融点が400℃以上の1つの金属元素を98重量%以上含有する接合部と、
を備えた部材の接合構造。 - 前記金属元素は、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)のいずれかである請求項1記載の部材の接合構造。
- 前記第1の部材は、銅または銅合金からなり、
前記第2の部材は、鉄(Fe)を含む合金からなる請求項1または2に記載の部材の接合構造。 - 前記第1の部材および前記第2の部材の少なくともいずれかは、セラミック材を含む請求項1または2に記載の部材の接合構造。
- 電子部品を収容または載置する部材の接合方法であって、
融点が400℃以上の金属元素を含み、粒径が500nm以下の微粒子を含む接合材を介して、第1の部材と、第2の部材と、を接触させ、
前記第1の部材と前記第2の部材とを接触させた状態で加熱し、前記第1の部材と前記第2の部材とを接合させる部材の接合方法。 - 前記第1の部材の表面に、前記接合材を塗布する請求項5記載の部材の接合方法。
- 前記加熱の温度は、400℃以下である請求項5または6に記載の部材の接合方法。
- 前記接合材は、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)のいずれかの微粒子を含む請求項5〜7のいずれか1つに記載の部材の接合方法。
- 電子部品が固着される基板と、
前記電子部品が固着される部分を囲む枠体であって、融点が400℃以上の1つの金属元素を98%以上含有する接合部を介して前記基板に接合された枠体と、
を備えたパッケージ。 - 前記電子部品に信号を入力し、また、信号を出力させるためのフィードスルー端子をさらに備え、
前記基板と前記フィードスルー端子との間、および、前記枠体と前記フィードスルー端子との間は、前記接合部を介して接合された請求項9記載のパッケージ。
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