JP2008289131A - 送信装置と、これを用いた電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、増幅器からの放熱性を向上させることにより、安定して動作する送信装置の提供を目的とする。
【解決手段】基板の上面又は内層に実装された増幅器と、基板の下面に実装されると共に増幅器に接続された半導体集積回路と、基板の下面に配置されたスペーサ基板とを備え、少なくとも増幅器の下方には、スペーサ基板が配置されている。これにより、増幅器から発生される熱は、スペーサ基板を介して効率よく放熱させることができるため、熱による増幅器の特性劣化を抑制することができる。
【選択図】図１

Description

本発明はＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）通信またはＭＡＮ（Ｍｅｔｒｏｐｏｌｉｔａｎ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）通信等の無線通信に用いる送信装置とこれを用いた電子機器に関するものである。

従来の送信装置について、図５を用いて説明する。図５の左上に示した図は、従来の送信装置における基板の上面斜視図であり、図５の右下に示した図は、従来の送信装置におけるスペーサ基板及び半導体集積回路の上面斜視図である。

図５において、従来の送信装置１は、基板２と、この基板２の下面に配置され、送信信号を生成する半導体集積回路４と、半導体集積回路４の高さより高いスペーサ基板５と、基板２の上面に配置され、この半導体集積回路４の出力側に接続されたＲＦ半導体回路９と、ＲＦ半導体回路９の出力側に接続された増幅器３と、ＲＦ半導体回路９に接続され、送信信号の基準信号を生成する発振回路１０とを有していた。

そして、スペーサ基板５の下面が例えばマザーボード（図示せず）に実装されていた。

なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報として、例えば、特許文献１が知られている。
特開２００６−７３６７３号公報

上記従来の送信装置１において、増幅器３の下方にスペーサ基板５が配置されていない、若しくは増幅器３の下方にスペーサ基板５が部分的にしか配置されていないことにより、増幅器３とマザーボード（図示せず）との間に空隙が存在した。これにより、増幅器３を十分にマザーボード（図示せず）に対し放熱させることが困難であった。

このため、増幅器３から発生する熱により、増幅器３の容量が増加し、増幅器３自身の利得が低下するという問題があった。

そこで、本発明は、熱による増幅器の特性劣化を抑制することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の送信装置は、基板と、この基板の上面又は内層に実装された増幅器と、基板の下面に実装されると共に増幅器に接続された半導体集積回路と、基板の下面に配置されたスペーサ基板とを備えており、スペーサ基板の高さは半導体集積回路の高さより高く、少なくとも増幅器の下方には、スペーサ基板が配置された構成である。

上記構成により、増幅器から発生する熱は、基板の下面に配置されたスペーサ基板を介して効率よく放熱させることができるため、熱による増幅器の特性劣化を抑制することができる。

（実施の形態１）
以下、本発明における実施の形態１について図１を用いて説明する。図１は本発明の実施の形態１における送信装置の上面からみた分解斜視図である。図１の左上部分は、主基板１２の分解斜視図であり、図１の右下部分は、主基板１２のすぐ下に位置するスペーサ基板１５及び半導体集積回路１４の分解斜視図である。図１において、送信装置１１はチップ型であり、パソコンや携帯電話等の電子機器（図示せず）に接続されて、ＬＡＮ通信やＭＡＮ通信等の無線通信に用いられる。

この送信装置１１は、主基板１２と、この主基板１２の上面又は内層に実装された増幅器１３と、主基板１２の下面に実装されると共に増幅器１３に接続された半導体集積回路１４と、主基板１２の下面に配置されたスペーサ基板１５とを有する。

主基板１２は矩形であり、ガラスエポキシなどの樹脂からなる厚さ０．５ｍｍ以下の多層基板である。増幅器１３はＩＣであり、半導体集積回路１４から出力される送信信号を所望の出力レベルまで増幅する。

スペーサ基板１５の外形は、主基板１２と同じサイズの矩形フレーム形状であり、スペーサ基板１５の高さ（厚み）は半導体集積回路１４の高さ（厚み）よりも高い。そして、スペーサ基板１５の下面がパソコンや携帯電話等の電子機器のマザーボード（図示せず）に実装される。

このスペーサ基板１５があることで、送信装置１１は、主基板１２の上面および下面に部品が実装された両面実装でありながら、マザーボード（図示せず）に面実装することが可能なチップ型部品となる。

また、スペーサ基板１５において、矩形フレームの四辺のうち少なくとも一辺は、他の辺に比べて幅が広い。この幅広の部分が増幅器１３の真下に位置する。上記構成により、増幅器１３から発生する熱は、主基板１２の下面に配置されたスペーサ基板１５を介して効率よく放熱させることができるため、熱による増幅器１３の特性劣化を抑制することができる。

また、スペーサ基板１５の幅が広い一辺には、増幅器１３の下方に第１グランドパターン１６が配置されている。さらに、増幅器１３と第１グランドパターン１６との間を電気的に接続するため、第１スルーホール１７を介して、スペーサ基板１５の上面に第２グランドパターン１８が配置されている。

主基板１２は、主基板１２の下面の増幅器１３の下方に配置された第３グランドパターン１９を有している。第３グランドパターン１９とスペーサ基板１５の上面に配置された第２グランドパターン１８とは、スペーサ基板１５と主基板１２を合わせて半田付けすることで、電気的に接続されている。また、主基板１２は、主基板１２の上面に配置された増幅器１３の下方であって、主基板１２の上面に配置された第４グランドパターン２０を有しており、第３グランドパターン１９と第４グランドパターン２０とは、主スルーホール２１により電気的に導通状態となっている。

上記構成により、スペーサ基板１５が主基板１２の下面に配置され、特に増幅器１３の下方に配置されることによって、半導体集積回路１４の配線に邪魔されることなく、主基板１２の下面に配置された第３グランドパターン１９の面積を広くとることができる。

増幅器１３から発生する熱は、主基板１２の上面に配置された第４グランドパターン２０から主スルーホール２１を介して、主基板１２の下面に配置された第３グランドパターン１９へと伝えられる。さらに、第３グランドパターン１９と第２グランドパターン１８とは、半田付けにより電気的に導通状態であり、金属同士が接していることにより熱伝導率もよいので、この熱は、スペーサ基板１５の上面に配置された第２グランドパターン１８から、第１スルーホール１７を介して、第１グランドパターン１６へと伝えられる。この伝熱により、増幅器１３から発生する熱を、主基板１２からスペーサ基板１５を介して効率よく放熱させることができる。そのため、熱による増幅器１３の特性劣化を抑制することができる。さらに、スペーサ基板１５がマザーボード（図示せず）に密着して実装されることにより、第１グランドパターン１６からマザーボードに熱が逃げ、放熱が更によくなる。

なお、図１に示すように、半導体集積回路１４は、主基板１２の上面に配置されたＲＦ半導体回路２２のように、ベースバンド部からＲＦ部を分離して２つのチップ構成にしても構わない。また、送信信号の基準信号を生成する発振回路２３を、主基板１２の上面、または下面に配置しても構わない。

更に、第１スルーホール１７の径は、主スルーホール２１の径よりも大きくなるように設計することが好ましい。主スルーホール２１は、増幅器１３の端子部分の形状や大きさに規制され、大きさを大きくすることが困難な場合が多いが、第１スルーホール１７は、そのような形状への制約が少ないので大きくできる。大きなスルーホールでは大きい分だけ熱伝導も大きくなる。これにより、第１スルーホール１７の熱の伝導効率を向上させる事ができ、熱による増幅器１３の特性劣化を更に抑制することができる。このような構成を実現する上で、本実施の形態の通信装置は、非常に有利な構成を有している。図１に示すように、主基板１２とスペーサ基板１５とは、別ピースにより構成されているため、主基板１２の設計ルールとスペーサ基板１５の設計ルールとを異ならせる事が可能となる。故に、半導体集積回路１４やＲＦ半導体回路２２等の部品が実装される主基板１２は、微細な導体パターンや微細なスルーホールの形成が可能な設計ルールを適用し、ＲＦ半導体回路２２等の部品実装が想定されないスペーサ基板１５は、大きな径を持つスルーホールが形成可能な設計ルールを適用する事が可能となる。このように、主基板１２とスペーサ基板１５とが、別ピースであるという本発明の通信装置の構造的特徴を活用することにより、スペーサ基板１５に形成される第１スルーホール１７の径を主基板１２に形成される主スルーホール２１の径よりも大きく設計できる。従って、増幅器１３において発生した熱を効率よく放熱させる事ができる。

また、第１グランドパターン１６及び第２グランドパターン１８の内、少なくとも一方は、第４グランドパターン２０よりも面積を広く設計しても良い。これにより、第１グランドパターン１６及び第２グランドパターン１８の放熱効果を高める事ができるため、増幅器１３において発生した熱を効率よく放熱させる事ができる。上記と同様の理由により、このような構造を実現する上で、本実施の形態の通信装置は、非常に有利な構成を有している。

更に、スペーサ基板１５は、分割された多数の基板により実現されていてもよい。このような構成において、増幅器１３の下方に配置される分割された内の一部のスペーサ基板１５のみ、放熱効率の高い基板を用いても良い。これにより、比較的高価であると共に、比較的加工性に劣る放熱効率の高い基板を、必要な部位のみに使用することが可能となり、結果、安価で、生産し易い放熱効率の高い送信装置を実現する事が可能となる。

（実施の形態２）
以下、本発明における実施の形態２について図２を用いて説明する。図２は本発明の実施の形態２における送信装置の分解斜視図である。なお、実施の形態１と同様の構成については、同一の符号をつけてその説明を省略し、相違点について詳述する。

図２の左上の部分は実施の形態２の送信装置における主基板１２部分であり、図２の右下の部分は、主基板１２のすぐ下に位置するスペーサ基板１５部分及び半導体集積回路１４である。図２において、送信装置１１は、主基板１２の上面に配置されると共に増幅器１３に接続された半導体スイッチ２４を有し、少なくとも半導体スイッチ２４の下方には、スペーサ基板１５が配置されている。スペーサ基板１５は、スペーサ基板１５の下面に半導体スイッチ２４の下方に配置された第５グランドパターン２５を有している。また、第１グランドパターン１６と、第５グランドパターン２５とは、スペーサ基板１５において、電気的に絶縁状態で配置されている。さらに、半導体スイッチ２４と第５グランドパターン２５との間を第２スルーホール２６を介して電気的に接続するため、スペーサ基板１５の上面に第６グランドパターン２７が配置されている。

主基板１２は、主基板１２の下面であって半導体スイッチ２４の下方に配置された第７グランドパターン２８を有している。第７グランドパターン２８とスペーサ基板１５の上面に配置された第６グランドパターン２７とは、スペーサ基板１５と主基板１２を合わせて半田付けすることで、電気的に導通状態で配置されている。

また、主基板１２は、主基板１２の上面に配置された半導体スイッチ２４の下方であって、主基板１２の上面に配置された第８グランドパターン２９を有しており、第７グランドパターン２８と第８グランドパターン２９とは、副スルーホール２１ａにより電気的に導通状態となっている。

上記構成により、スペーサ基板１５が主基板１２の下面に配置されると共に、半導体スイッチ２４の下方に配置されることによって、半導体集積回路１４の配線に邪魔されることなく、主基板１２の下面に配置された第７グランドパターン２８の面積を広くとることができる。

また、半導体スイッチ２４を送信信号が通過する際の損失（通過ロス）は、そのまま半導体スイッチ２４から熱を発生することとなる。この熱は、主基板１２の上面に配置された第８グランドパターン２９から副スルーホール２１ａを介して、主基板１２の下面に配置された第７グランドパターン２８へと伝えられる。さらに、第７グランドパターン２８と第６グランドパターン２７とは半田付けされており電気的に導通状態であり、金属同士が接していることから熱伝導率も良く、スペーサ基板１５の上面に配置された第６グランドパターン２７から第２スルーホール２６を介して、第５グランドパターン２５へと熱が伝えられる。これにより、半導体スイッチ２４から発生する熱を、主基板１２からスペーサ基板１５を介して効率よく放熱させることができる。さらに、スペーサ基板１５がマザーボード（図示せず）に密着して実装されることにより、第５グランドパターン２５からマザーボードに熱が逃げ、放熱が更によくなる。

また、第１グランドパターン１６と、第５グランドパターン２５とは、スペーサ基板１５において、電気的に絶縁状態であることから、増幅器１３から発生する熱が、半導体スイッチ２４へ影響する度合を小さくする事ができる。これらのことから、熱による半導体スイッチ２４の特性劣化を抑制することができる。

更に、第２スルーホール２６の径は、主スルーホール２１の径よりも大きくなるように設計することが好ましい。副スルーホール２１ａは、半導体スイッチ２４の端子部分の形状や大きさに規制され、大きさを大きくすることが困難な場合が多いが、第２スルーホール２６は、そのような形状への制約が少ないので大きくできる。大きなスルーホールでは大きい分だけ熱伝導も大きくなる。これにより、第２スルーホール２６の熱の伝導効率を向上させる事ができ、熱による半導体スイッチ２４の特性劣化を抑制することができる。このような構成を実現する上で、本実施の形態の通信装置は、非常に有利な構成を有している。

図２に示すように、主基板１２とスペーサ基板１５とは、別ピースにより構成されているため、主基板１２の設計ルールとスペーサ基板１５の設計ルールとを異ならせる事が可能となる。故に、半導体集積回路１４やＲＦ半導体回路２２等の部品が実装される主基板１２は、微細な導体パターンや微細なスルーホールの形成が可能な設計ルールを適用し、ＲＦ半導体回路２２等の細かな部品実装が想定されないスペーサ基板１５は、大きな径を持つスルーホールが形成可能な設計ルールを適用する事が可能となる。このように、主基板１２とスペーサ基板１５とが、別ピースであるという本発明の通信装置の構造的特徴を活用することにより、スペーサ基板１５に形成される第２スルーホール２６の径を主基板１２に形成される主スルーホール２１の径よりも大きく設計できるので、半導体スイッチ２４において発生した熱を効率よく放熱させる事ができる。

また、第５グランドパターン２５及び第６グランドパターン２７の内、少なくとも一方は、第８グランドパターン２９よりも面積を広く設計しても良い。これにより、第５グランドパターン２５及び第６グランドパターン２７の放熱効果を高める事ができるため、半導体スイッチ２４において発生した熱を効率よく放熱させる事ができる。上記と同様の理由により、このような構造を実現する上で、本実施の形態の通信装置は、非常に有利な構成を有している。

（実施の形態３）
以下、本発明における実施の形態３について、実施の形態と同様に、図２を用いて説明する。なお、実施の形態１、２と同様の構成については、同一の符号をつけてその説明を省略し、実施の形態３に関連する点について詳述する。

図２において、送信装置１１で、主基板１２の上面に配置されたＲＦ半導体回路２２と、このＲＦ半導体回路２２に接続された発振回路２３とを備え、増幅器１３と発振回路２３とは、主基板１２の同一面上において、対角の位置に配置されている。即ち、概略矩形の主基板１２の上で、出来るだけ双方の距離が遠いように位置している。

このように、大信号の振幅レベルを出力する増幅器１３と発振回路２３とは、相互の間にＲＦ半導体回路２２を挟んで距離を離すことにより、互いの電磁結合や干渉を抑制することができ、増幅器１３および発振回路２３のそれぞれの特性劣化を防ぐことができる。なお、増幅器１３と発振回路２３とは、主基板１２の反対面上即ち上面と下面に配置しても、距離が遠ければ良い。

（実施の形態４）
以下、本発明における実施の形態４について図３を用いて説明する。図３は本発明の実施の形態４における送信装置の分解斜視図である。なお、実施の形態１〜３と同様の構成については、同一の符号をつけてその説明を省略し、相違点について詳述する。図３の左上部分は、実施の形態４の送信装置１１における主基板１２であり、図３の右下部分は、実施の形態４の送信装置１１におけるスペーサ基板１５及び半導体集積回路１４である。

図３の送信装置１１では、半導体スイッチ２４とＲＦ半導体回路２２との間に接続されると共に不要な信号を抑圧するためのフィルタ３０と低雑音増幅器３１を有している。また、ＲＦ半導体回路２２は、送信機能と受信機能の両方を備えている。フィルタ３０は、チップ部品から成るバンドパスフィルタである。これにより、所望外の周波数を選択的に除去する事で、例えば携帯電話などの他システムと同時動作させることができる。低雑音増幅器３１は、微小な受信信号を増幅する。この低雑音増幅器３１は、化合物半導体プロセスで集積化されたＩＣ若しくはバイポーラトランジスタで構成され、その電気的性能は、利得：１０ｄＢ以上、雑音指数：２ｄＢ以下、３次相互変調歪み特性：−５ｄＢｍ以上の特性を有する。なお、低雑音増幅器３１は、半導体集積回路１４、またはＲＦ半導体回路２２に含まれてＩＣ化されても構わない。

（実施の形態５）
以下、本発明における実施の形態５について図４を用いて説明する。図４は本発明の実施の形態５における送信装置および電子機器の分解斜視図である。なお、実施の形態１〜４と同様の構成については、同一の符号をつけてその説明を省略し、相違点について詳述する。図４の左上部分は、実施の形態５の送信装置における主基板１２であり、図４の右下部分は、実施の形態５の送信装置におけるスペーサ基板１５及び半導体集積回路１４である。更に右下部分には、インターフェースバス３５とそれに接続されているＣＰＵ３３とを図示している。この全てのシステムを電子機器３２と呼ぶことにする。

図４において、電子機器３２のインターフェース端子３４は、ＣＰＵ３３を持つマイコンから、ＳＤＩＯ，ＳＰＩ等のインターフェースバス３５に接続される。また、アンテナ端子３６には、アンテナ３７が接続される。これにより、送信装置１１が電子機器３２に搭載されるＣＰＵ３３により制御することができるため、実施の形態１から４で示した送信特性の向上した送信装置１１を有する電子機器３２を具現化することが可能となる。

以上、図面に基づいて数例の本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内で種々の変更を行うことができることは当業者に明らかである。

なお、各グランドパターンは上面である場合かまたは下面である場合のみを説明したが、積層基板においてはグランドパターンが内層にあっても、本発明の効果は同様である場合がある。第１グランドパターン１６と第５グランドパターン２５とについては、それを内層に設置しても、放熱面では上記実施の形態と同様の効果を発揮する。

なお、増幅器１３と半導体スイッチ２４とは、その一部分が主基板１２の内層や表面層に設けられた受動素子として存在していても良い。一般に多層基板は、インダクター成分や抵抗成分などを内層または表面層に設けることができる。

それらの受動素子を増幅器１３と半導体スイッチ２４との一部の要素として用いることが出来る。受動素子よりも熱に対しての影響を受けやすい能動素子部分について、各グランドパターンおよび各スルーホールで熱を逃がす構造が実現できていれば、本発明の目的は達せられる。

本件の発明は、言葉を換えると、発熱しやすい回路素子（増幅器１３）を上面に装着した両面実装基板（１２）と、この両面実装基板（１２）の下面に装着される回路素子のうち最大の高さのもの（半導体集積回路１４）より厚いスペーサ基板１５と、スペーサ基板１５が密着するマザーボードとで構成される。スペーサ基板１５は、両面実装基板（１２）の下面に密着している。スペーサ基板１５の、両面実装基板（１２）の下面に装着される回路素子に相当する位置部分は、邪魔にならないように、穴開きの空隙となっている。そして、発熱しやすい回路素子の下面に相当する部分は、スペーサ基板１５と密着している。このようにして、発熱しやすい回路素子は、空中に放熱すると共に、基板側にも密着したスペーサ基板とその下のマザーボードに熱を逃がすものである。熱を逃がすのに、スルーホールなど金属を多く用いて熱放散の効率を上げている。

本発明の送信装置は、熱による増幅器の特性劣化を抑制することができるため、送信装置の送信特性を向上させるという効果を有し、携帯端末用や車に搭載される電子機器において有用である。

本発明の実施の形態１における送信装置の分解斜視図 本発明の実施の形態２、３における送信装置の分解斜視図 本発明の実施の形態４における送信装置の分解斜視図 本発明の実施の形態５における送信装置、および電子機器の分解斜視図 従来の送信装置の分解斜視図

符号の説明

１１ 送信装置
１２ 主基板
１３ 増幅器
１４ 半導体集積回路
１５ スペーサ基板
１６ 第１グランドパターン
１７ 第１スルーホール
１８ 第２グランドパターン
１９ 第３グランドパターン
２０ 第４グランドパターン
２１ 主スルーホール
２１ａ 副スルーホール
２２ ＲＦ半導体回路
２３ 発振回路
２４ 半導体スイッチ
２５ 第５グランドパターン
２６ 第２スルーホール
２７ 第６グランドパターン
２８ 第７グランドパターン
２９ 第８グランドパターン
３０ フィルタ
３１ 低雑音増幅器
３２ 電子機器
３３ ＣＰＵ
３４ インターフェース端子
３５ インターフェースバス
３６ アンテナ端子
３７ アンテナ

Claims (21)

1. 基板と、
   この基板の上面又は内層に実装された増幅器と、
   前記基板の下面に実装されると共に前記増幅器に接続された半導体集積回路と、
   前記基板の下面に配置されたスペーサ基板とを備え、
   前記スペーサ基板の高さは前記半導体集積回路の高さより高く、
   少なくとも前記増幅器の下方には、前記スペーサ基板が配置された送信装置。
2. 前記スペーサ基板は、前記スペーサ基板の下面若しくは内層であって前記増幅器の下方に配置された第１グランドパターンを有する請求項１に記載の送信装置。
3. 前記スペーサ基板は、前記増幅器と前記第１グランドパターンとの間を電気的に接続する第１スルーホールを有する請求項２に記載の送信装置。
4. 前記スペーサ基板は、前記スペーサ基板の上面であって前記増幅器の下方に配置された第２グランドパターンを有する請求項１に記載の送信装置。
5. 前記基板は、前記基板の下面であって前記増幅器の下方に配置された第３グランドパターンを有し、前記第３グランドパターンと前記スペーサ基板の下面に配置された前記第１グランドパターンとは電気的に連続な状態で配置された請求項２に記載の送信装置。
6. 前記基板は、前記基板の上面に配置された前記増幅器の下方であって前記基板の上面に配置された第４グランドパターンを有する請求項１に記載の送信装置。
7. 前記基板の上面又は内層に配置されると共に前記増幅器に接続された半導体スイッチを有し、
   少なくとも前記半導体スイッチの下方には、前記スペーサ基板が配置され、
   前記スペーサ基板は、前記スペーサ基板の下面若しくは内層であって前記半導体スイッチの下方に配置された第５グランドパターンを有する請求項２に記載の送信装置。
8. 前記第１グランドパターンと前記第５グランドパターンとは、前記スペーサ基板の下面若しくは内層において、電気的に不連続な状態で配置された請求項７に記載の送信装置。
9. 前記スペーサ基板は、前記半導体スイッチと前記第５グランドパターンとの間を電気的に接続する第２スルーホールを有する請求項７に記載の送信装置。
10. 前記スペーサ基板は、前記スペーサ基板の上面であって前記半導体スイッチの下方に配置された第６グランドパターンを有する請求項７に記載の送信装置。
11. 前記基板は、前記基板の下面であって前記半導体スイッチの下方に配置された第７グランドパターンを有し、前記第７グランドパターンと前記スペーサ基板の下面に配置された前記第５グランドパターンとは電気的に連続な状態で配置された請求項７に記載の送信装置。
12. 前記基板は、前記基板の上面に配置された前記増幅器の下方であって前記基板の上面に配置された第８グランドパターンを有する請求項７に記載の送信装置。
13. 前記基板はスルーホールを有し、
    前記第１スルーホールの径は、前記スルーホールの径よりも大きい請求項３に記載の送信装置。
14. 前記基板はスルーホールを有し、
    前記第２スルーホールの径は、前記スルーホールの径よりも大きい請求項９に記載の送信装置。
15. 前記スペーサ基板は、前記スペーサ基板の下面若しくは内層であって前記増幅器の下方に配置された第１グランドパターンと、
    前記スペーサ基板の上面であって前記増幅器の下方に配置された第２グランドパターンとを備え、
    前記第１グランドパターン及び前記第２グランドパターンの内、少なくとも一方は前記第４グランドパターンよりも面積が広い請求項６に記載の送信装置。
16. 前記スペーサ基板は、前記スペーサ基板の下面若しくは内層であって前記増幅器の下方に配置された第５グランドパターンと、
    前記スペーサ基板の上面であって前記増幅器の下方に配置された第６グランドパターンとを備え、
    前記第５グランドパターン及び前記第６グランドパターンの内、少なくとも一方は前記第８グランドパターンよりも面積が広い請求項１２に記載の送信装置。
17. 前記基板の上面に配置されたＲＦ半導体回路と、
    このＲＦ半導体回路に接続された発振回路とを備え、
    前記増幅器と前記発振回路とは、前記基板の同一面上若しくは異なる面上において、対角をなして配置された請求項１に記載の送信装置。
18. 前記半導体スイッチと前記ＲＦ半導体回路との間に接続されると共に不要な信号を抑圧するためのフィルタと低雑音増幅器を有し、
    前記ＲＦ半導体回路は、送信機能と受信機能の両方を備えた請求項１に記載の送信装置。
19. 矩形の基板と、
    この基板の上面又は内層に実装された増幅器と、
    前記基板の下面に実装されると共に前記増幅器に接続された半導体集積回路と、
    前記基板の下面に前記半導体集積回路を囲むように配置された矩形フレーム形状のスペーサ基板とを備え、
    前記スペーサ基板の高さは前記半導体集積回路の高さより高く、
    前記スペーサ基板の四辺のうち少なくとも一辺は、他の辺に比べて幅が広く、
    前記増幅器は、前記スペーサ基板の幅が広い辺の上方に配置された送信装置。
20. 請求項１に記載の送信装置が搭載された電子機器。
21. 発熱しやすい回路素子を上面に装着した両面実装基板と、
    前記両面実装基板の下面に装着される回路素子のうち最大の高さのものより厚いスペーサ基板と、
    前記スペーサ基板が密着するマザーボードと、を有し、
    前記スペーサ基板は、前記両面実装基板の下面に密着し、
    前記スペーサ基板の、前記両面実装基板の下面に装着される回路素子に相当する位置部分は空隙となっており、
    前記発熱しやすい素子の下面に相当する部分は、前記スペーサ基板と密着している電子機器。

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