JP2006121147A

JP2006121147A - 携帯電話機用高周波モジュール

Info

Publication number: JP2006121147A
Application number: JP2004303904A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Nakano; 一博中野
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 2004-10-19
Filing date: 2004-10-19
Publication date: 2006-05-11
Also published as: CN100420159C; KR100732214B1; CN1770649A; KR20060054090A

Abstract

【課題】放熱効果が良く、小型であると共に、埃や湿気に強い携帯電話機用高周波モジュールを提供する。
【解決手段】本発明の携帯電話機用高周波モジュールは、誘電体基板１と、受信状態と送信状態との切替を行うアンテナスイッチＩＣ６と、受信信号から所定の周波数信号を通過させるＳＡＷ素子からなるＳＡＷフィルタ７と、送信信号を増幅するパワーアンプＩＣ８と、受信信号をベースバンド信号に変換し、ベースバンド信号を送信信号に変換するトランシーバＩＣ９とを有したため、受信信号をベースバンド信号に変換し、ベースバンド信号を送信信号に変換する機能がＩＣ化されたトランシーバＩＣ９によって構成されているため、小型化できる上に、同一の誘電体基板１上に形成でき、小型で、安価なものが得られる。
【選択図】図１

Description

本発明は携帯電話機に使用して好適な携帯電話機用高周波モジュールに関する。

従来の携帯電話機用高周波モジュールの図面を説明すると、図６は従来の携帯電話機用高周波モジュールの平面図、図７は従来の携帯電話機用高周波モジュールの断面図、図８は従来の携帯電話機用高周波モジュールの要部断面図である。

従来の携帯電話機用高周波モジュールの構成を図６〜図８に基づいて説明すると、複数枚の誘電材が積層されてなる誘電体基板５１の上面と積層内には、配線パターン５２が設けられ、この誘電体基板５１の上面には、フリップチップ状のアンテナスイッチ１Ｃ５３，フリップチップ状のパワーアンプＩＣ５４，ＳＡＷフィルタ５５，ＶＣＯ５６，及びその他の電子部品５７が配置されて、所望の電気回路が形成されている。

また、図８に示すように、誘電体基板５１の上面には、有底の凹部５１ａが設けられ、この凹部５１ａ内には、半導体チップからなるパワーアンプＩＣ５４が配置され、誘電体基板５１には、パワーアンプＩＣ５４の下部にサーマルビア５８が設けられて、パワーアンプＩＣ５４の熱を放出するようにしている。（例えば、特許文献１参照）

このような従来の携帯電話機用高周波モジュールは、受信信号をベースバンド信号に変換し、ベースバンド信号を送信信号に変換する機能を備えておらず、この機能を別の回路基板に設ける必要があるばかりか、この機能に係る回路を回路基板に設ける必要があり、大型で、コスト高になる。

また、パワーアンプＩＣ５４における放熱対応がなされているが、ＳＡＷフィルタ５５における放熱が不十分であるばかりか、パワーアンプＩＣ５４は、アンテナスイッチＩＣ５３を配置した誘電体基体５１と同一面で、凹部５１ａに収納されているが、誘電体基体５１全体の表面積を小さくすることができず、大型になる上に、誘電体基板５１の表面が露出された状態となっているため、埃や湿気に対して弱くなる。

特開２００２−２６１６４３号公報

従来の携帯電話機用高周波モジュールは、受信信号をベースバンド信号に変換し、ベースバンド信号を送信信号に変換する機能を備えておらず、この機能を別の回路基板に設ける必要があるばかりか、この機能に係る回路を回路基板に設ける必要があり、大型で、コスト高になるという問題がある。

また、パワーアンプＩＣ５４における放熱対応がなされているが、ＳＡＷフィルタ５５における放熱が不十分であるばかりか、パワーアンプＩＣ５４は、アンテナスイッチＩＣ５３を配置した誘電体基体５１と同一面で、凹部５１ａに収納されているが、誘電体基体５１全体の表面積を小さくすることができず、大型になる上に、誘電体基板５１の表面が露出された状態となっているため、埃や湿気に対して弱くなるという問題がある。

そこで、本発明は放熱効果が良く、小型であると共に、埃や湿気に強い携帯電話機用高周波モジュールを提供することを目的とする。

上記課題を解決するための第１の解決手段として、配線パターンを有する誘電体基板と、前記配線パターンに接続され、受信状態と送信状態との切替を行うアンテナスイッチＩＣと、前記配線パターンに接続され、受信信号から所定の周波数信号を通過させるＳＡＷ素子からなるＳＡＷフィルタと、送信信号を増幅するパワーアンプＩＣと、前記配線パターン接続され、受信信号をベースバンド信号に変換し、ベースバンド信号を送信信号に変換するトランシーバＩＣとを有し、前記ＳＡＷフィルタと前記パワーアンプＩＣが載置された前記誘電体基板には、前記ＳＡＷフィルタと前記パワーアンプＩＣの下面と対向する位置にサーマルビアが配置された構成とした。

また、第２の解決手段として、少なくとも前記ＳＡＷフィルタと前記パワーアンプＩＣは、前記誘電体基板の一面側に配置され、前記誘電体基板の他面側には、前記配線パターンに接続された複数の端子と、前記サーマルビアに導通する放熱パターンが設けられた構成とした。

また、第３の解決手段として、前記アンテナスイッチＩＣ、前記パワーアンプＩＣ、及びトランシーバＩＣのそれぞれは、ベアチップで形成されると共に、前記誘電体基板の一面側に配置した状態で、ワイヤーによって前記配線パターンに接続され、前記ＳＡＷフィルタは、前記誘電体基板の前記一面側に配置され、前記誘電体基板の前記一面側には、前記アンテナスイッチＩＣ、前記パワーアンプＩＣ、トランシーバＩＣ、及び前記ＳＡＷフィルタを覆う第１の絶縁樹脂部が設けられた構成とした。

また、第４の解決手段として、前記誘電体基板の一面側には、前記アンテナスイッチＩＣ、前記パワーアンプＩＣ、及び前記ＳＡＷフィルタが配置されると共に、前記アンテナスイッチＩＣと対向する位置の前記誘電体基板の他面側には、有底の凹部が設けられ、前記凹部内には、前記アンテナスイッチＩＣと対向した状態で、フリップチップ状の前記トランシーバＩＣが配置された構成とした。

また、第５の解決手段として、前記アンテナスイッチＩＣと前記パワーアンプＩＣのそれぞれは、ベアチップで形成されると共に、前記誘電体基板の一面側に配置した状態で、ワイヤーによって前記配線パターンに接続され、前記誘電体基板の前記一面側には、前記アンテナスイッチＩＣ、前記パワーアンプＩＣ、及び前記ＳＡＷフィルタを覆う第１の絶縁樹脂部が設けられると共に、前記凹部内には、前記トランシーバＩＣを覆う第２の絶縁樹脂部が設けられた構成とした。

また、第６の解決手段として、前記トランシーバＩＣは、少なくとも、前記受信信号をベースバンド信号に変換する復調回路と、送信用ベースバンド信号を送信信号に変換する変調回路と、前記復調回路と前記変調回路とに接続されたベースバンド回路と、復調回路及び変調回路に局部発振信号を供給するＶＣＯとを備えた構成とした。
また、第７の解決手段として、前記誘電体基板の前記他面側には、前記配線パターンに接続された複数の端子を有し、前記端子は、送受信用アンテナに接続されるアンテナ端子、ベースバンドの信号入出力端子、回路を動作させるための電源を供給する電源端子を備えた構成とした。

本発明の携帯電話機用高周波モジュールは、配線パターンを有する誘電体基板と、配線パターンに接続され、受信状態と送信状態との切替を行うアンテナスイッチＩＣと、配線パターンに接続され、受信信号から所定の周波数信号を通過させるＳＡＷ素子からなるＳＡＷフィルタと、送信信号を増幅するパワーアンプＩＣと、配線パターン接続され、受信信号をベースバンド信号に変換し、ベースバンド信号を送信信号に変換するトランシーバＩＣとを有し、ＳＡＷフィルタとパワーアンプＩＣが載置された誘電体基板には、ＳＡＷフィルタとパワーアンプＩＣの下面と対向する位置にサーマルビアが配置された構成とした。
即ち、受信信号をベースバンド信号に変換し、ベースバンド信号を送信信号に変換する機能がＩＣ化されたトランシーバＩＣによって構成されているため、小型化できる上に、同一の誘電体基板上に形成でき、小型で、安価なものが得られる。
また、ＳＡＷフィルタとパワーアンプＩＣがサーマルビアによって放熱されるようになっているため、性能の良好なものが得られる。

また、少なくともＳＡＷフィルタとパワーアンプＩＣは、誘電体基板の一面側に配置され、誘電体基板の他面側には、配線パターンに接続された複数の端子と、サーマルビアに導通する放熱パターンが設けられたため、ＳＡＷフィルタとパワーアンプＩＣが放熱パターンによって放熱効果が一層良くなり、より性能の良好なものが得られる。

また、アンテナスイッチＩＣ、パワーアンプＩＣ、及びトランシーバＩＣのそれぞれは、ベアチップで形成されると共に、誘電体基板の一面側に配置した状態で、ワイヤーによって配線パターンに接続され、ＳＡＷフィルタは、誘電体基板の一面側に配置され、誘電体基板の一面側には、アンテナスイッチＩＣ、パワーアンプＩＣ、トランシーバＩＣ、及びＳＡＷフィルタを覆う第１の絶縁樹脂部が設けられたため、埃や湿気に強いものが得られて、性能の良いものが提供できる。

また、誘電体基板の一面側には、アンテナスイッチＩＣ、パワーアンプＩＣ、及びＳＡＷフィルタが配置されると共に、アンテナスイッチＩＣと対向する位置の誘電体基板の他面側には、有底の凹部が設けられ、凹部内には、アンテナスイッチＩＣと対向した状態で、フリップチップ状のトランシーバＩＣが配置されたため、誘電体基板に搭載する部品が誘電体基板の両面に分散できて、誘電体基板の表面積を小さくでき、小型のものが得られる。

また、アンテナスイッチＩＣとパワーアンプＩＣのそれぞれは、ベアチップで形成されると共に、誘電体基板の一面側に配置した状態で、ワイヤーによって配線パターンに接続され、誘電体基板の一面側には、アンテナスイッチＩＣ、パワーアンプＩＣ、及びＳＡＷフィルタを覆う第１の絶縁樹脂部が設けられると共に、凹部内には、トランシーバＩＣを覆う第２の絶縁樹脂部が設けられたため、誘電体基板に搭載された部品が第１、第２の絶縁樹脂部によって覆われているため、埃や湿気に強いものが得られて、性能の良いものが提供できる。

また、トランシーバＩＣは、少なくとも、受信信号をベースバンド信号に変換する復調回路と、送信用ベースバンド信号を送信信号に変換する変調回路と、復調回路と変調回路とに接続されたベースバンド回路と、復調回路及び変調回路に局部発振信号を供給するＶＣＯとを備えたため、種々の回路がＩＣ化されて、小型ものが得られる。

また、誘電体基板の他面側には、配線パターンに接続された複数の端子を有し、端子は、送受信用アンテナに接続されるアンテナ端子、ベースバンドの信号入出力端子、回路を動作させるための電源を供給する電源端子を備えたため、それぞれの端子にアンテナ、ベースバンド回路、及び電源を接続すれば携帯電話機用となるので、簡単な構成のものが得られる。

本発明の携帯電話機用高周波モジュールの図面を説明すると、図１は本発明の携帯電話機用高周波モジュールの第１実施例に係る要部断面図、図２は本発明の携帯電話機用高周波モジュールの第１実施例に係り、絶縁樹脂部を取り去った状態を示す斜視図、図３は本発明の携帯電話機用高周波モジュールの第１実施例に係り、裏側から見た斜視図、図４は本発明の携帯電話機用高周波モジュールの第２実施例に係る要部断面図、図５は本発明の携帯電話機用高周波モジュールに係る回路図である。

次に、本発明の携帯電話機用高周波モジュールの第１実施例に係る構成を図１〜図３に基づいて説明すると、セラミックや絶縁樹脂等からなり、複数枚が積層された誘電体基板１は、一面（上面）１ａ側と積層内に設けられた配線パターン２と、この配線パターン２に接続された状態で、他面（下面）１ｂ側の外周部に沿って設けられた複数の端子３と、他面１ｂ側で、端子３より内側に設けられた複数の放熱パターン４と、この放熱パターン４に導通した状態で、一面１ａ側に延びて基板内に設けられた複数のサーマルビア５を有する。

この誘電体基板１の一面１ａ上に位置する配線パターン２には、受信状態と送信状態との切換を行うベアチップからなるアンテナスイッチＩＣ６と、受信信号から所定の周波数信号を通過させるＳＡＷ素子からなる２個のＳＡＷフィルタ７と、送信信号を増幅するベアチップからなる２個のパワーアンプＩＣ８と、受信信号をベースバンド信号に変換し、ベースバンド信号を送信信号に変換するトランシーバＩＣ９と、チップ状のコンデンサや抵抗器等からなるその他の電子部品１３が接続されて、所望の電気回路が形成されている。

また、ベアチップからなるアンテナスイッチＩＣ６、パワーアンプＩＣ８、及びトランシーバＩＣ９は、ワイヤー１０によるボンディングによって配線パターン２に接続されると共に、発熱部品であるＳＡＷフィルタ７とパワーアンプＩＣ８は、サーマルビア５上に配置され、熱がサーマルビア５、及びサーマルビア５を経由して放熱パターン４から放熱するようになっている。

そして、トランシーバＩＣ９は、少なくとも、受信信号をベースバンド信号に変換する復調回路と、送信用ベースバンド信号を送信信号に変換する変調回路と、復調回路と変調回路とに接続されたベースバンド回路と、復調回路及び変調回路に局部発振信号を供給するＶＣＯとを備えた構成となっている。
また、誘電体基板１の他面１ｂ側に設けられた端子３は、送受信用アンテナに接続されるアンテナ端子、ベースバンドの信号入出力端子、回路を動作させるための電源を供給する電源端子等を備えたものとなっている。

合成樹脂等からなる第１の絶縁樹脂部１１は、誘電体基板１の一面１ａ全面に塗布等によって形成され、誘電体基板１の一面１ａ側に搭載された部品や配線パターン２が覆われた状態となり、この第１の絶縁樹脂部１１によって、ワイヤー１０等も固着された状態となって、本発明の携帯電話機用高周波モジュールが形成されている。

次に、このような構成を有する本発明の携帯電話機用高周波モジュールの回路を図５に基づいて説明すると、この高周波モジュールは、８５０ＭＨｚ帯及び９００ＭＨｚのＧＳＭ方式、１８００ＭＨｚ帯のＤＣＳ方式、１９００ＭＨｚ帯のＰＣＳ方式の４方式の携帯電話に共用されるものであり、アンテナスイッチＩＣ６の入出力端はアンテナ（Ａ）に接続される。また、４つの出力端はそれぞれの方式に対応するＳＡＷフィルタ７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄに接続される。さらに、２つの入力端は、８５０／９００ＭＨｚ帯のＧＳＭ方式用のパワーアンプＩＣ８ａとＤＣＳ／ＰＣＳ方式用のパワーアンプＩＣ８ｂに接続される。そして、各ＳＡＷフィルタ７の出力端及び各パワーアンプＩＣ８の入力端がトランシーバＩＣ９に接続される。

トランシーバＩＣ９の内部には、４方式に対応するＬＮＡ（低雑音増幅器）９ａ〜９ｄ、復調回路９ｅ、ベースバンド回路９ｆ、局部発振部９ｇ、変調回路９ｈ、送信出力部９ｉ、ドライバーアンプ９ｊ、９ｋ等が構成されている。これらの構成のうち、復調回路９ｅ、ベースバンド回路９ｆ、局部発振部９ｇ、変調回路９ｈ、送信出力部９ｉは各方式に共通に使用される。

そして、８５０ＭＨｚ帯のＧＳＭ方式の受信モードではＳＡＷフィルタ７ａ、ＬＮＡ９ａが使用され、９００ＭＨｚ帯のＧＳＭ方式の受信モードではＳＡＷフィルタ７ｂ、ＬＮＡ９ｂが使用され、ＤＣＳ方式の受信モードではＳＡＷフィルタ７ｃ、ＬＮＡ９ｃが使用され、ＰＣＳ方式の受信モードではＳＡＷフィルタ７ｄ、ＬＮＡ９ｄが使用される。また、８５０ＭＨｚ及び９００ＭＨｚのＧＳＭ方式の送信モードではドライバアンプ９ｉ、パワーアンプＩＣ８ａが使用され、ＤＣＳ及びＰＣＳ方式の送信モードではドライバアンプ９ｈ、パワーアンプＩＣ８ｂが使用される。

アンテナスイッチＩＣ６は図示しない操作部によって電子的に制御され、例えば、８５０ＭＨｚＧＳＭ方式の受信モードではアンテナ（Ａ）がＳＡＷフィルタ７ａに結合される。受信信号は、ＬＮＡ９ａを介して復調回路９ｅを構成する２つのミキサＭ１、Ｍ２に入力される。２つのミキサＭ１、Ｍ２には局部発振部９ｇのＶＣＯ（電圧制御発振器）９ｇ１から位相が９０°異なる局部発振信号が供給される。ＶＣＯ９ｇ１はＰＬＬ回路９ｇ２によって発振周波数が制御され、発振周波数は受信信号の周波数と同じとなっている。よって、受信信号は復調回路９ｅによってベースバンド信号（Ｉ信号、Ｑ信号）に直接変換され、このＩ信号、Ｑ信号はそれぞれＩＦバンドパスフィルタ９ｆ１、９ｆ２、ＩＦアンプ９ｆ３、９ｆ４を介してインターフェース９ｆ５に入力される。インターフェース９ｆ５は、各方式に対応した４つの出力端を有する。このベースバンド信号は、この高周波モジュールが搭載されるマザー基板（図示せず）に構成されたベースバンド信号処理回路（Ｂ）に入力される。

また、同方式の送信モードにおいては、ベースバンド信号処理回路（Ｂ）からのベースバンド信号が変調回路９ｈを構成する２つのミキサＭ３、Ｍ４に入力される。そして、ＶＣＯ９ｇ１からの局部発振信号が、９０°の位相差をもってミキサＭ３、Ｍ４に入力され、ベースバンド信号によってＲＦ信号に変調される。このＲＦ信号は送信出力部９ｉによって送信信号に変換される。送信出力部９ｉのＶＣＯ９ｉ１はＰＬＬ回路９ｉ２によって制御される。ＶＣＯ９ｉ１の出力はドライバアンプ９ｊ、９ｋに入力されると共に、ミキサ９ｉ３にも入力される。ミキサ９ｉ３には図示しない発振器から発振信号が供給されている。そしてミキサ９ｉ３の出力と変調されたＲＦ信号とがＰＬＬ回路９ｉ２に入力されることによってＲＦ変調信号が送信信号に変換される。送信信号はパワーアンプＩＣ８ａによって電力増幅され、アンテナスイッチＩＣ６を介してアンテナ（Ａ）に送出される。他の方式の受信モード及び送信モードの動作も同様である。

また、図４は本発明の携帯電話機用高周波モジュールの第２実施例を示し、この第２実施例の構成を説明すると、アンテナスイッチＩＣ６と対向する位置の誘電体基板１の他面１ｂ側には、有底の凹部１ｃが設けられ、凹部１ｃ内には、アンテナスイッチＩＣ６と対向した状態で、フリップチップ状のトランシーバＩＣ９が配線パターン２にバンプ接続された状態で配置されると共に、凹部１ｃ内には、トランシーバＩＣ９を覆う合成樹脂などからなる第２の絶縁樹脂部が設けられたものである。

その他の構成は、上記第１実施例と同様の構成を有し、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。

本発明の携帯電話機用高周波モジュールの第１実施例に係る要部断面図。本発明の携帯電話機用高周波モジュールの第１実施例に係り、絶縁樹脂部を取り去った状態を示す斜視図。本発明の携帯電話機用高周波モジュールの第１実施例に係り、裏側から見た斜視図。本発明の携帯電話機用高周波モジュールの第２実施例に係る要部断面図。本発明の携帯電話機用高周波モジュールに係る回路図。従来の携帯電話機用高周波モジュールの平面図。従来の携帯電話機用高周波モジュールの断面図。従来の携帯電話機用高周波モジュールの要部断面図。

符号の説明

１：誘電体基板
１ａ：一面
１ｂ：他面
１ｃ：凹部
２：配線パターン
３：端子
４：放熱パターン
５：サーマルビア
Ａ：アンテナ
Ｂ：ベースバンド信号処理回路
Ｍ１〜Ｍ４：ミキサ
６：アンテナスイッチＩＣ
７：ＳＡＷフィルタ
７ａ〜７ｄ：ＳＡＷフィルタ
８：パワーアンプＩＣ
８ａ、８ｂ：パワーアンプＩＣ
９：トランシーバＩＣ
９ａ〜９ｄ：ＬＮＡ
９ｅ：復調回路
９ｆ：ベースバンド回路
９ｆ１，９ｆ２：ＩＦバンドパスフィルタ
９ｆ３、９ｆ４：ＩＦアンプ
９ｆ５：インターフェイス
９ｇ：局部発振部
９ｇ１：ＶＣＯ
９ｇ２：ＰＬＬ回路
９ｈ：変調回路
９ｉ：送信出力部
９ｉ１：ＶＣＯ
９ｉ２：ＰＬＬ回路
９ｉ３：ミキサ
９ｊ、９ｋ：ドライバーアンプ
１０：ワイヤー
１１：第１の絶縁樹脂部
１２：第２の絶縁樹脂部
１３：電子部品

Claims

配線パターンを有する誘電体基板と、前記配線パターンに接続され、受信状態と送信状態との切替を行うアンテナスイッチＩＣと、前記配線パターンに接続され、受信信号から所定の周波数信号を通過させるＳＡＷ素子からなるＳＡＷフィルタと、送信信号を増幅するパワーアンプＩＣと、前記配線パターン接続され、受信信号をベースバンド信号に変換し、ベースバンド信号を送信信号に変換するトランシーバＩＣとを有し、前記ＳＡＷフィルタと前記パワーアンプＩＣが載置された前記誘電体基板には、前記ＳＡＷフィルタと前記パワーアンプＩＣの下面と対向する位置にサーマルビアが配置されたことを特徴とする携帯電話機用高周波モジュール。
少なくとも前記ＳＡＷフィルタと前記パワーアンプＩＣは、前記誘電体基板の一面側に配置され、前記誘電体基板の他面側には、前記配線パターンに接続された複数の端子と、前記サーマルビアに導通する放熱パターンが設けられたことを特徴とする請求項１記載の携帯電話機用高周波モジュール。
前記アンテナスイッチＩＣ、前記パワーアンプＩＣ、及びトランシーバＩＣのそれぞれは、ベアチップで形成されると共に、前記誘電体基板の一面側に配置した状態で、ワイヤーによって前記配線パターンに接続され、前記ＳＡＷフィルタは、前記誘電体基板の前記一面側に配置され、前記誘電体基板の前記一面側には、前記アンテナスイッチＩＣ、前記パワーアンプＩＣ、トランシーバＩＣ、及び前記ＳＡＷフィルタを覆う第１の絶縁樹脂部が設けられたことを特徴とする請求項１、又は２記載の携帯電話機用高周波モジュール。
前記誘電体基板の一面側には、前記アンテナスイッチＩＣ、前記パワーアンプＩＣ、及び前記ＳＡＷフィルタが配置されると共に、前記アンテナスイッチＩＣと対向する位置の前記誘電体基板の他面側には、有底の凹部が設けられ、前記凹部内には、前記アンテナスイッチＩＣと対向した状態で、フリップチップ状の前記トランシーバＩＣが配置されたことを特徴とする請求項１、又は２記載の携帯電話機用高周波モジュール。
前記アンテナスイッチＩＣと前記パワーアンプＩＣのそれぞれは、ベアチップで形成されると共に、前記誘電体基板の一面側に配置した状態で、ワイヤーによって前記配線パターンに接続され、前記誘電体基板の前記一面側には、前記アンテナスイッチＩＣ、前記パワーアンプＩＣ、及び前記ＳＡＷフィルタを覆う第１の絶縁樹脂部が設けられると共に、前記凹部内には、前記トランシーバＩＣを覆う第２の絶縁樹脂部が設けられたことを特徴とする請求項４記載の携帯電話機用高周波モジュール。
前記トランシーバＩＣは、少なくとも、前記受信信号をベースバンド信号に変換する復調回路と、送信用ベースバンド信号を送信信号に変換する変調回路と、前記復調回路と前記変調回路とに接続されたベースバンド回路と、復調回路及び変調回路に局部発振信号を供給するＶＣＯとを備えたことを特徴とする請求項１から５の何れかに記載の携帯電話機用高周波モジュール。
前記誘電体基板の前記他面側には、前記配線パターンに接続された複数の端子を有し、前記端子は、送受信用アンテナに接続されるアンテナ端子、ベースバンドの信号入出力端子、回路を動作させるための電源を供給する電源端子を備えたことを特徴とする請求項６記載の携帯電話機用高周波モジュール。