JP2002057597A - 高周波フロントエンドモジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 送信パワーアンプが設けられる共通基板にマ
ルチプレックスモジュール、電圧制御発振器等を搭載す
るとともに、それらの搭載構造を工夫することで、性能
を劣化させることなく、市場要求である省面積、軽量
化、低背化をバランス良く実現する。 【解決手段】 複数周波分離フィルタ、送受信切り替え
手段及び送信段高調波抑圧フィルタを多層基板に設けた
ＭＰＭと、送信用のＶＣＯ１，ＶＣＯ２と、送信パワー
アンプとしてのＰＡＭとを少なくとも内蔵し、前記ＭＰ
Ｍは前記多層基板の片面がチップ部品実装面となってお
り、前記ＰＡＭが設けられる共通基板２０にＭＰＭ取付
用穴を形成し、該ＭＰＭ取付用穴にチップ部品が入る向
きで前記ＭＰＭを前記共通基板２０に実装した構成であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話等におい
て電波の送受信に係る高周波フロントエンドモジュール
に関する。

【０００２】

【従来の技術】携帯電話の市場は右肩上がりの急激な成
長を見せており、２０００年の全世界の携帯電話生産数
は、５億台に近づくと見られている。年成長率も５０％
を越え、少なくともここ５年はさらに成長が続き、２０
０３年には８億台に達するとの予測も出ている。

【０００３】一方、携帯電話の小形軽量化競争は相変わ
らず激烈である。また、携帯電話としての機能の高度
化、複雑化もめざましく、例えば、インターネットにつ
なげて電子メールを送る、ＴＶカメラを携帯電話にとり
つけお互いの画像を見ながら通話を楽しめる、などな
ど。

【０００４】このように、性能をアップしつつ、小形軽
量、薄形化を進めて行くために、携帯部品を構成する部
品へのさらなる小形化、軽量化、薄形化、また、部品点
数の削減、さらには低消費電力化への要求は日増しに高
まっている。

【０００５】一般に、このような要求を具現化するため
に、アクティブ素子としてのＬＳＩによる機能の集積
化、取り込み（アクティブインテグレーション）、性能
向上がもっとも重要である。ＬＳＩの開発と並行して、
ＬＳＩも含めてその周辺の受動部品類の集積化（パッシ
ブインテグレーション）もまた同様に重要である。

【０００６】携帯電話の高周波部品（無線による送受信
回路部品）へも同様のニーズがあり、日夜研究開発が進
められているが、前記のような集積化への要望が一段と
高まっている。

【０００７】図９はデュアルバンド携帯電話の高周波回
路ブロック図であり、図中、ＡＮＴは電波の送受信用の
アンテナ、ＤＰＸは複数周波分離フィルタとしてのダイ
プレクサ（２周波切り換えフィルタ）、ＳＷ１，ＳＷ２
は送受信切り替え手段としての送受切り替えスイッチ、
ＬＰＦ１，ＬＰＦ２は送信段高調波抑圧フィルタとして
のローパスフィルタ、ＢＰＦ１，ＢＰＦ２は受信段のバ
ンドパスフィルタである。ＬＮＡ１，ＬＮＡ２はＢＰＦ
１，ＢＰＦ２を通過した受信信号を増幅するローノイズ
アンプ、ＭＩＸ１，ＭＩＸ２は周波数変換のためのミキ
サー、ＶＣＯ１，ＶＣＯ２は送信用の電圧制御発振器、
ＰＡ１，ＰＡ２はＶＣＯ１，ＶＣＯ２の高周波信号を増
幅する送信用の出力パワーアンプ、ＰＬＬはＶＣＯ１，
ＶＣＯ２を制御するフェーズロックループ回路である。

【０００８】上記図９に示すデュアルバンド携帯電話の
高周波回路ブロック図において、破線で囲まれた部分
は、従来各部品のブロックのレベルで供給されてきたも
のが、今日では、多層セラミック基板技術を応用し複数
の機能が複合化され、破線で囲まれた部分は１つのマル
チプレックスモジュールＭＰＭとして市場に供給される
ようになってきている（例えば特開平１１−２２５０８
８号公報）。また、ＰＡ１，ＰＡ２は１つのパワーアン
プモジュールＰＡＭとして複合化され、ＶＣＯ１，ＶＣ
Ｏ２は１つのデュアルＶＣＯモジュールＶＣＭとして複
合化され、ＬＮＡ１，ＬＮＡ２，ＭＩＸ１，ＭＩＸ２，
ＰＬＬ等はシステムＬＳＩとして集積化されるようにな
ってきている。

【０００９】このような傾向は今後さらに加速され、ま
すます複合化、ブロック化が進むものと考えられる。こ
のため、いかにして機能（性能）を維持しつつ、複合
化、小形軽量化、薄形化（低背化）を実現できるかが、
キーポイントである。

【００１０】図１０は第１の従来例であり、上記図９の
高周波回路、つまり携帯電話のフロントエンドを構成す
る各部品を携帯電話のマザー基板１０に実装した例であ
る。図１０ではマザー基板１０の左側において、アンテ
ナ系エリアにＭＰＭ、受信系エリアにＢＰＦ１，ＢＰＦ
２、送信系エリアにＰＡＭ及びＶＣＭ、受信系及び送信
系エリアに跨ってＬＳＩが実装されている。なお、各領
域には必要な整合回路素子１１も実装されている。

【００１１】この第１の従来例ではＭＰＭ、ＢＰＦ１，
ＢＰＦ２、ＰＡＭ、ＶＣＭ、ＬＳＩ及び２２個の整合回
路素子１１で占有面積はおおよそ５００mm^２（２５×２
０mm）となる。

【００１２】また、占有面積を削減する方法の一つとし
てモジュール化が挙げられる。例えばＭＰＭはもとも
と、ダイプレクサ、ＲＦスイッチ２素子、ＬＰＦ２素子
をセラミック多層基板により集積しモジュール化したも
のであった。

【００１３】そこで、第２従来例として、さらなる省ス
ペースのため、ＭＰＭのセラミック多層基板を拡大し、
さらにＢＰＦ１，ＢＰＦ２、ＰＡＭ、ＶＣＭまで取り込
んでモジュール化することが考えられる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、携帯電話設
計者は、携帯電話設計時、ＭＰＭ単体、受信段初段及び
受信段間のバンドパスフィルタ、送信のパワーアンプモ
ジュール、ＶＣＯ等を個別に購入し、図１０の第１の従
来例のように携帯電話のマザー基板に組み込んでいた。
以前はスペースに余裕があったが、最近は面積、高さと
も余裕がなく、性能を劣化させずにコンパクトに設計す
ることは非常に骨の折れる作業となっている。

【００１５】また、第２の従来例のように、ＭＰＭのセ
ラミック多層基板を拡大し、さらにＢＰＦ１，ＢＰＦ
２、ＰＡＭ、ＶＣＭまで取り込んでモジュール化する場
合、セラミック基板が重く、必要以上に大きくするとむ
しろ市場の軽量化の目標に反することとなる。

【００１６】一方、ＶＣＭの基板として一般に広く用い
られている樹脂基板（ガラスエポキシ基板等）は、セラ
ミック基板に比べ軽く、これを使ってＶＣＭを核にＰＡ
Ｍ、ＭＰＭを集積、モジュール化することが考えられる
が、樹脂基板はコイル、コンデンサなどの精度を出すこ
とはできず、ＭＰＭを樹脂基板内（上）に構成すると非
常に面積をとる結果となり、目的に反する、あるいは、
性能が著しく劣化するなどの弊害を生じる。

【００１７】本発明は、上記の点に鑑み、送信パワーア
ンプが設けられる共通基板にマルチプレックスモジュー
ル、電圧制御発振器等を搭載するとともに、それらの搭
載構造を工夫することで、性能を劣化させることなく、
市場要求である省面積、軽量化、低背化をバランス良く
実現可能な高周波フロントエンドモジュールを提供する
ことを目的とする。

【００１８】本発明のその他の目的や新規な特徴は後述
の実施の形態において明らかにする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る高周波フロントエンドモジュールは、
複数周波分離フィルタ、送受信切り替え手段及び送信段
高調波抑圧フィルタを多層基板に設けたマルチプレック
スモジュールと、送信用の電圧制御発振器と、送信パワ
ーアンプとを少なくとも内蔵し、前記マルチプレックス
モジュールは前記多層基板の片面がチップ部品実装面と
なっており、前記送信パワーアンプが設けられる共通基
板にマルチプレックスモジュール取付用穴を形成し、該
マルチプレックスモジュール取付用穴にチップ部品が入
る向きで前記マルチプレックスモジュールを前記共通基
板に実装したことを特徴としている。

【００２０】前記高周波フロントエンドモジュールにお
いて、前記電圧制御発振器は別の誘電体基板に設けられ
かつ該誘電体基板の片面がチップ部品実装面となってお
り、前記共通基板に電圧制御発振器取付用穴を形成し、
該電圧制御発振器取付用穴にチップ部品が入る向きで前
記誘電体基板を前記共通基板に実装するとよい。

【００２１】また、前記電圧制御発振器取付用穴の内壁
面における信号入出力部及び電源供給部以外の部分はグ
ランド導体で覆われていることが望ましい。

【００２２】本来電圧制御発振器は全体をシールドする
必要があり、一般的にはシールドケースを装着してい
る。ここでは、シールドケースを用いない代わりに、前
記グランド導体でシールド効果を得るようにしている。
また、前記電圧制御発振器の設けられた前記誘電体基板
の基板表面又は内層のグランド層と、前記誘電体基板側
のグランド側面端子と、前記電圧制御発振器取付用穴の
内壁面に設けられた前記グランド導体と、前記共通基板
が取り付けられるマザー基板上の前記電圧制御発振器取
付用穴の直下に設けられたグランド面とによって前記電
圧制御発振器をシールドする構成にするとさらによい。

【００２３】受信段のバンドパスフィルタとしてのＳＡ
Ｗフィルタが前記マルチプレックスモジュールの前記多
層基板又は前記共通基板に設けられた構成としてもよ
い。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る高周波フロン
トエンドモジュールの実施の形態を図面に従って説明す
る。

【００２５】図１及び図２は本発明に係る高周波フロン
トエンドモジュールの第１の実施の形態を示す。これら
の図において、２０はガラスエポキシ等の樹脂製共通基
板であり、この樹脂製共通基板２０上に送信用の出力パ
ワーアンプＰＡ１，ＰＡ２を複合化したＰＡＭが設けら
れている。つまり、ＰＡＭは出力パワーアンプＰＡ１，
ＰＡ２の主要部をＩＣ化したＭＭＩＣとその周辺回路素
子２１からなっており、それらが共通基板２０上に実装
されている。

【００２６】ＰＡＭを設けた樹脂製共通基板２０は両側
に延長しており、その左側延長部分上に送信用の電圧制
御発振器ＶＣＯ１，ＶＣＯ２が実装されている。また、
基板２０の右側延長部分上に受信段のバンドパスフィル
タとしてのＳＡＷフィルタＢＰＦ１，ＢＰＦ２が実装さ
れている。

【００２７】さらに、前記共通基板２０の右側延長部分
にはマルチプレックスモジュール取付用窓穴（以下、Ｍ
ＰＭ取付用窓穴という）２２が形成されている。ここ
で、マルチプレックスモジュールＭＰＭは、図９のブロ
ック図に示したように、複数周波分離フィルタとしての
ダイプレクサ（２周波切り換えフィルタ）ＤＰＸ、送受
信切り替え手段としての送受切り替えスイッチＳＷ１，
ＳＷ２、及び送信段高調波抑圧フィルタとしてのローパ
スフィルタＬＰＦ１，ＬＰＦ２をモジュール化したもの
であり、図１乃至図３（Ａ）のようにセラミック多層基
板３０の片面がチップ部品３１を搭載したチップ部品搭
載面となっている。各チップ部品３１は図２中点線で示
すＭＰＭ取付用窓穴２２の外形線Ｘよりも内側位置に配
置されている。ＭＰＭの平面寸法が７×５mmのとき、窓
穴２２は６×４mmとする。そして、ＭＰＭのチップ部品
搭載面を下向きとして、つまり前記ＭＰＭ取付用窓穴２
２にチップ部品３１が入る向きでＭＰＭを共通基板２０
に実装する。

【００２８】図３（Ｂ）は比較のために従来のＭＰＭの
実装を示し、セラミック多層基板３０においては、幅約
０．５mmの側面端子３０ａとその端子の下面への回り込
み（約０．２mm）とで共通基板２０上のはんだ付け用ラ
ンドへはんだ付けする。図３（Ａ）のように、ＭＰＭを
チップ部品搭載面を下向きにしてはんだ付けする場合も
同様に、セラミック多層基板３０において、幅約０．５
mmの側面端子３０ａとその端子のチップ部品搭載面（上
面）への回り込み（約０．２mm）とで共通基板２０上の
はんだ付け用ランドへはんだ付する。

【００２９】図１のように共通基板２０上に搭載すべき
全ての部品を搭載し終えたら、シールドケース２５を各
部品を覆うように共通基板２０上に被せて一体化する。

【００３０】このようにして得られた高周波フロントエ
ンドモジュールの高さ寸法は、図１のように、樹脂製共
通基板２０の厚みが０．６mm、シールドケース２５の内
部の高さが０．９mm、シールドケース２５の厚みが０．
２mmであるとすると、合計１．７mmとなり、各部分の公
差を入れても１．８mm以下となり、市場要求の最大高さ
寸法２．０mmは、０．２mmの余裕をもって実現すること
ができる。

【００３１】なお、図３（Ｂ）の従来のＭＰＭの実装方
法では、チップ部品３１の厚みが加わるため、高さは
２．２mm程度となり、市場要求を満足できない。

【００３２】また、占有面積について考察すると、図２
のように共通基板２０の幅１０．０mmに対してＶＣＯ配
置部分の長さ７．０mm、ＰＡＭ配置部分の長さ１５．０
mm、ＭＰＭとＢＰＦ配置部分の長さ８．０mmで長さ合計
３０．０mmとなり、占有面積は３０×１０mmで３００mm
^２となる。図１０の従来例では占有面積が５００mm^２で
あるから、図２の場合、占有面積を約４０％削減できて
いることが判る。

【００３３】この第１の実施の形態では、省スペース、
軽量化を実現するため、ＶＣＯ１，ＶＣＯ２、ＰＡＭの
部分は樹脂製共通基板２０を使用し、その基板２０を拡
大してその表面にＭＰＭ、ＳＡＷフィルタのＢＰＦ１，
ＢＰＦ２を搭載する。また、図３（Ｂ）のように単純に
ＭＰＭを搭載すると全体の高さが非常に高く、市場要求
の２mm以下に入らないため、ＭＰＭを搭載する部分には
窓穴２２をあけ、ＭＰＭ上に搭載するチップ部品３１を
よけるようにＭＰＭを逆さにして搭載する。このように
して、性能を劣化させることなく、市場要求である省面
積、軽量化、低背化をバランス良く実現可能である。

【００３４】また、ＭＰＭの逆さにしての基板２０への
取り付けは、セラミック多層基板３０の側面端子３０ａ
の上下の回り込みを利用して容易にはんだ付けで実行で
きる。

【００３５】図４及び図５は本発明に係る高周波フロン
トエンドモジュールの第２の実施の形態を示す。これら
の図において、ＰＡＭを設けた樹脂製共通基板２０は両
側に延長しており、その左側延長部分上に送信用の電圧
制御発振器ＶＣＯ１，ＶＣＯ２の両者を複合化したＶＣ
Ｍが設けられる。図５のようにＶＣＭは９×８mmの誘電
体基板４０上にＶＣＯ１，ＶＣＯ２を構成する各種チッ
プ部品４１等を実装したものである。この場合も、単純
にＶＣＭを共通基板２０上に搭載すると全体の高さが非
常に高く、市場要求の２mm以下に入らないため、基板２
０のＶＣＭを搭載する部分には電圧制御発振器取付用窓
穴（以下、ＶＣＭ取付用窓穴）４２を形成しておく。

【００３６】前記ＶＣＭの誘電体基板４０上の各チップ
部品４１は図５中点線で示すＶＣＭ取付用窓穴４２の外
形線Ｙよりも内側位置に配置されている。ＶＣＭの平面
寸法が９×８mmのとき、窓穴４２は８×７mmとする。そ
して、ＶＣＭのチップ部品搭載面を下向きとして、つま
り前記ＶＣＭ取付用窓穴４２にチップ部品４１が入る向
きでＶＣＭを共通基板２０に実装する。誘電体基板４０
の側面端子は図３（Ａ）のセラミック多層基板３０の場
合と同様であり、側面端子とその端子の下面への回り込
み（約０．２mm）とで共通基板２０上のはんだ付け用ラ
ンドへはんだ付することができる。前記ＶＣＭ取付用窓
穴４２の内壁面における信号入出力部及び電源供給部以
外の部分はグランド導体４３（共通基板２０のグランド
に接続される導体）で覆ってシールドすることが望まし
い。

【００３７】ここで、ＶＣＭのシールド構造について図
６で説明する。図６（Ａ）は従来のＶＣＭであり、ＶＣ
Ｍの誘電体基板に搭載された各チップ部品はシールドケ
ースで覆われている。図６（Ｂ）はＶＣＭ内の１個のＶ
ＣＯの等価回路を示し、ＶＣＭ内にはこのようなＶＣＯ
回路が２個入っている。同図中Ｖcontrol，Ｍod，Ｏutp
utは信号入出力部の端子であり、Ｖccは電源供給部の端
子である。ＧＮＤはグランド端子である。

【００３８】本実施の形態では低背化のためにシールド
ケースは使用しないため、図６（Ｃ）,（Ｄ）のような
シールド構造としている。つまり、ＶＣＭの誘電体基板
４０の基板表面又は内層のグランド導体層４５と、誘電
体基板４０側のグランド側面端子ＧＮＤと、前記窓穴４
２の内壁面に設けられた前記グランド導体４３と、前記
共通基板２０が取り付けられるマザー基板１０（携帯電
話の基板）上の前記窓穴４２の直下に設けられたグラン
ド導体面４６とを相互に電気的に接続することでＶＣＭ
をシールドしている。

【００３９】このようなシールドケースを用いないＶＣ
Ｍのシールド構造とすることで低背化、小型化を実現で
きる。

【００４０】なお、その他の構成は前述の第１の実施の
形態と同様であり、第１の実施の形態と同一又は相当部
分に同一符号を付して説明を省略する。

【００４１】この第２の実施の形態の場合も、図４のよ
うに、樹脂製共通基板２０の厚みが０．６mm、シールド
ケース２５の内部の高さが０．９mm、シールドケース２
５の厚みが０．２mmであるとすると、合計１．７mmとな
り、各部分の公差を入れても１．８mm以下となり、市場
要求の最大高さ寸法２．０mmは、０．２mmの余裕をもっ
て実現することができる。

【００４２】また、占有面積について考察すると、図５
のように共通基板２０の幅１０．０mmに対してＶＣＯ配
置部分の長さ９．０mm、ＰＡＭ配置部分の長さ１５．０
mm、ＭＰＭとＢＰＦ配置部分の長さ８．０mmで長さ合計
３２．０mmとなり、占有面積は３２×１０mmで３２０mm
^２となる。図１０の従来例では占有面積が５００mm^２で
あるから、図５の場合、占有面積を約３６％削減できて
いることが判る。

【００４３】この第２の実施の形態によれば、第１の実
施の形態の作用効果に加えて、ＶＣＯ１，ＶＣＯ２をＶ
ＣＭとしてモジュール化したので、ＶＣＭの交換が容易
であり、携帯電話の機種に応じてＶＣＭを替えるだけで
共通基板を共用でき、さらに得意先からの種々様々な要
求に柔軟に対応でき非常に実用的となる。

【００４４】図７及び図８は本発明に係る高周波フロン
トエンドモジュールの第３の実施の形態を示す。ここで
はＭＰＭとしてＳＡＷフィルタを内蔵したもの（以下、
ＳＡＷ内蔵ＭＰＭという）を用いる。つまり、ＳＡＷ内
蔵ＭＰＭは、図９の複数周波分離フィルタとしてのダイ
プレクサ（２周波切り換えフィルタ）ＤＰＸ、送受信切
り替え手段としての送受切り替えスイッチＳＷ１，ＳＷ
２、及び送信段高調波抑圧フィルタとしてのローパスフ
ィルタＬＰＦ１，ＬＰＦ２に加えて、ＢＰＦ１，ＢＰＦ
２としてのＳＡＷフィルタベアチップ３２（平面寸法は
１．７×１．３mm）をモジュール化したものであり、セ
ラミック多層基板３０Ａの片面がチップ部品３１、ＳＡ
Ｗフィルタベアチップ３２を搭載（チップ３２はフェー
スダウンボンディング）したチップ部品搭載面となって
いる。各チップ部品３１及びＳＡＷフィルタベアチップ
３２は図８中点線で示すＳＡＷ内蔵ＭＰＭ取付用窓穴２
２Ａの外形線Ｚよりも内側位置に配置されている。ＳＡ
Ｗ内蔵ＭＰＭの平面寸法が８．５×５mmのとき、窓穴２
２Ａは７．５×４mmとする。そして、ＳＡＷ内蔵ＭＰＭ
のチップ部品搭載面を下向きとして、つまり前記窓穴２
２Ａにチップ部品３１、ＳＡＷフィルタベアチップ３２
が入る向きでＳＡＷ内蔵ＭＰＭを共通基板２０に実装す
る。

【００４５】なお、その他の構成は前述の第２の実施の
形態と同様であり、第２の実施の形態と同一又は相当部
分に同一符号を付して説明を省略する。

【００４６】この第３の実施の形態の場合も、図７のよ
うに、樹脂製共通基板２０の厚みが０．６mm、シールド
ケース２５の内部の高さが０．９mm、シールドケース２
５の厚みが０．２mmであるとすると、合計１．７mmとな
り、各部分の公差を入れても１．８mm以下となり、市場
要求の最大高さ寸法２．０mmは、０．２mmの余裕をもっ
て実現することができる。

【００４７】また、占有面積について考察すると、図８
のように共通基板２０の幅１０．０mmに対してＶＣＯ配
置部分の長さ９．０mm、ＰＡＭ配置部分の長さ１５．０
mm、ＳＡＷ内蔵ＭＰＭ配置部分の長さ６．０mmで長さ合
計３０．０mmとなり、占有面積は３０×１０mmで３００
mm^２となる。図１０の従来例では占有面積が５００mm ^２
であるから、図８の場合、占有面積を約４０％削減でき
ていることが判る。

【００４８】この第３の実施の形態によれば、ＢＰＦ
１，ＢＰＦ２としてのＳＡＷフィルタをＳＡＷフィルタ
ベアチップ３２を用いることで小形化してＭＰＭのセラ
ミック多層基板に搭載したので、さらに省スペースが可
能となる。その他の作用効果は前述の第２の実施の形態
と同様である。

【００４９】以上本発明の実施の形態について説明して
きたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記
載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当
業者には自明であろう。

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る高周
波フロントエンドモジュールによれば、複数周波分離フ
ィルタ、送受信切り替え手段及び送信段高調波抑圧フィ
ルタを多層基板に設けたマルチプレックスモジュール
と、送信用の電圧制御発振器と、送信パワーアンプと、
更に必要ならばＳＡＷフィルタとを少なくともモジュー
ル化でき、携帯電話等の設計者の設計労力の削減（コス
トダウン）を図ることができ、設計者はそれらモジュー
ル化された回路構成部分について、その性能及びばらつ
きが所定値内であることが保証される。

【００５１】また、高周波フロントエンドをモジュール
化したことで、トータル実装面積を削減でき、かつマル
チプレックスモジュールの実装を工夫したことで、高さ
寸法の増加を招くことなくモジュール化が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る高周波フロントエンドモジュール
の第１の実施の形態を示す正断面図である。

【図２】同じく各部品配置を説明する概略平面図であ
る。

【図３】第１の実施の形態の場合のＭＰＭの実装を、従
来の場合と対比して示す斜視図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態を示す正断面図であ
る。

【図５】同じく各部品配置を説明する概略平面図であ
る。

【図６】従来のＶＣＭ及び第２の実施の形態の場合のＶ
ＣＭのシールド構造を対比して示す説明図である。

【図７】本発明の第３の実施の形態を示す正断面図であ
る。

【図８】同じく各部品配置を説明する概略平面図であ
る。

【図９】デュアルバンド携帯電話の高周波回路ブロック
図である。

【図１０】第１の従来例の各部品配置を説明する概略平
面図である。

【符号の説明】

１０ マザー基板 １１ 整合回路素子 ２０ 共通基板 ２１ 周辺回路素子 ２２，２２Ａ ＭＰＭ取付用窓穴 ２５ シールドケース ３０，３０Ａ 多層セラミック基板 ３１，４１ チップ部品 ３２ ＳＡＷフィルタベアチップ ４０ 誘電体基板 ４２ ＶＣＭ取付用窓穴 ４３ グランド導体 ＡＮＴ アンテナ ＢＰＦ１，ＢＰＦ２ バンドパスフィルタ ＤＰＸ ダイプレクサ ＬＮＡ１，ＬＮＡ２ ローノイズアンプ ＬＰＦ１，ＬＰＦ２ ローパスフィルタ ＭＩＸ１，ＭＩＸ２ ミキサー ＭＰＭ マルチプレックスモジュール ＰＡ１，ＰＡ２ 出力パワーアンプ ＰＡＭ パワーアンプモジュール ＰＬＬ フェーズロックループ回路 ＳＷ１，ＳＷ２ 送受切り替えスイッチ ＶＣＯ１，ＶＣＯ２ 電圧制御発振器 ＶＣＭ デュアルモードＶＣＯモジュール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/02 Ｈ０１Ｌ 25/04 Ｚ 1/18 Ｆターム(参考） 5E336 AA04 AA13 BB15 BC02 BC15 BC34 CC32 CC34 EE01 EE03 GG14 GG30 5E338 AA02 AA16 BB03 BB17 BB25 BB63 BB71 BB75 CD01 EE13 EE22 EE24 EE31 5K011 AA04 DA02 DA06 DA12 DA21 DA27 JA01 KA18

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数周波分離フィルタ、送受信切り替え
   手段及び送信段高調波抑圧フィルタを多層基板に設けた
   マルチプレックスモジュールと、送信用の電圧制御発振
   器と、送信パワーアンプとを少なくとも内蔵し、前記マ
   ルチプレックスモジュールは前記多層基板の片面がチッ
   プ部品実装面となっており、前記送信パワーアンプが設
   けられる共通基板にマルチプレックスモジュール取付用
   穴を形成し、該マルチプレックスモジュール取付用穴に
   チップ部品が入る向きで前記マルチプレックスモジュー
   ルを前記共通基板に実装したことを特徴とする高周波フ
   ロントエンドモジュール。
2. 【請求項２】 前記電圧制御発振器は別の誘電体基板に
   設けられかつ該誘電体基板の片面がチップ部品実装面と
   なっており、前記共通基板に電圧制御発振器取付用穴を
   形成し、該電圧制御発振器取付用穴にチップ部品が入る
   向きで前記誘電体基板を前記共通基板に実装した請求項
   １記載の高周波フロントエンドモジュール。
3. 【請求項３】 前記電圧制御発振器取付用穴の内壁面に
   おける信号入出力部及び電源供給部以外の部分はグラン
   ド導体で覆われている請求項２記載の高周波フロントエ
   ンドモジュール。
4. 【請求項４】 前記電圧制御発振器の設けられた前記誘
   電体基板の基板表面又は内層のグランド層と、前記誘電
   体基板側のグランド側面端子と、前記電圧制御発振器取
   付用穴の内壁面に設けられた前記グランド導体と、前記
   共通基板が取り付けられるマザー基板上の前記電圧制御
   発振器取付用穴の直下に設けられたグランド面とによっ
   て前記電圧制御発振器をシールドした請求項３記載の高
   周波フロントエンドモジュール。
5. 【請求項５】 受信段のバンドパスフィルタとしてのＳ
   ＡＷフィルタが前記マルチプレックスモジュールの前記
   多層基板又は前記共通基板に設けられている請求項１，
   ２，３又は４記載の高周波フロントエンドモジュール。