JP2012527185A

JP2012527185A - 高性能ＲＦＲｘモジュール

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Publication number: JP2012527185A
Application number: JP2012510980A
Authority: JP
Inventors: ネヒト，トーマス; リーサー，グレン; バンガラ，レディ
Original assignee: CTS Corp
Current assignee: CTS Corp
Priority date: 2009-05-15
Filing date: 2010-05-12
Publication date: 2012-11-01
Also published as: KR20120017071A; WO2010132582A1; CN202586956U; US20100289599A1

Abstract

ＲＦ信号送受信システムに使用されるＲＦモジュール。１実施形態では、ＲＦモジュールは、その上に搭載されたデュプレクサーフィルター、第１、第２バンドパスフィルターおよび第１、第２低雑音アンプを少なくとも有する基板を有する。基板は、そこに規定された各ＲＦ信号入出力端子および供給電圧端子を有する各エッジを有する。基板の全体的な寸法および／又は各端子の位置は、特定のエア・インタフェースが異なるサイズのおよび／又は追加的なフィルターを必要とするかどうかに関係なく、同じ端子位置を有する同じサイズの基板を、例えば、ＥＧＳＭ、ＧＳＭ８５０、ＤＣＳ、ＰＣＳおよびＬＴＥアプリケーションなどのいくつかの異なるエア・インタフェースに使用することが可能となるような態様で事前決定される。
【選択図】図２

Description

［関連出願の相互参照］
本出願は、本書に全文を参照として引用し本書に参照として明示的に援用する、２００９年５月１５日に出願された米国仮特許出願第６１／２１６，３６７号の出願日と開示の利益を主張する。

本発明は、モジュール、より具体的には、衛星バックホールのアプリケーションまたは例えばピコセル通信基地局のようなセルラー基地局のフロントエンドでの使用のために適応される高性能無線周波数（ＲＦ）周波数分割双方向受信（Ｒｘ）モジュールに関する。

現在、例えば、ＥＧＳＭ、ＧＳＭ８５０、ＤＣＳ、ＰＣＳおよびＬＴＥを含め、いくつかの異なる利用可能なＲＦ信号エア・インタフェースに渡り信号を伝送、受信するために、いくつかの形態のセルラー／無線通信基地局又はＲＦ信号送受信システムがある。これらの送受信システムには、ピコセル、すなわち、ショッピングモールやオフィスビルなどのようなビルの内部での配備に適応され約０．２５から１ワットの電力を生成する約８×１８インチの大きさの基地局が含まれる。ピコセルの受信範囲は、約５０ヤードである。

今日、使用されているピコセルは通常、“マザーボード”を含有し、その上には顧客により様々な電気構成要素が取り付けられる。マザーボードのフロントエンド部（すなわち、ピコセルアンテナとそのミキサーのほぼ間に位置するそのＲＦ送受信部）は現在、当業者からは“ノードＢローカルエリアフロントエンド”と呼ばれ、すなわち、必要なフィルター、アンプ、カプラーなどを含むすべての無線周波数制御電気構成要素が取り付けられるピコセルの部分となっている。

現在利用可能なマザーボードの形状と構造は満足の行くものであることが判明しているものの、不都合な点は、例えば、ＥＧＳＭ、ＧＳＭ８５０、ＤＣＳまたはＰＣＳのような各エア・インタフェースは、送受信システムが使用されている特定のエア・インタフェースに固有の必須構成要素すべてを有する自身の別個のマザーボードを含むことを要求するという事実である。

従って、使用されるエア・インタフェースに関係なく同じマザーボードを送受信システムが使用できる設計のモジュールが依然として必要とされている。

本発明は一般に、例えば、複数のエア・インタフェースに渡り動作可能であり、１つの実施例では、その上に位置して相互接続されるデュプレクサーフィルター、第１低雑音アンプおよび第１バンドパスフィルターを少なくとも有する基板を有する周波数分割双方向（デュープレクス）受信（Ｒｘ）モジュールのような無線周波数（ＲＦ）モジュールに関する。本発明によれば、基板は所定のサイズを有し、また、所定の端子位置に規定される少なくとも第１供給電圧端子および各ＲＦ信号入出力端子を備えた各エッジを含有し、それにより、同じサイズと同じ端子位置の同じ基板を複数のエア・インタフェースのために使用することが可能になる。

１つの実施例では、第２低雑音アンプと第２バンドパスフィルターが基板上に位置して第１バンドパスフィルターに相互接続され、基板が対向第１・第２縦基板エッジおよび対向第１・第２横基板エッジを含有し、ＲＦ受信信号出力端子が第１横エッジに規定され、ＲＦアンテナ信号入出力端子が第２横エッジに規定され、ＲＦ信号伝送入力端子が第２縦エッジに規定され、また、第１・第２供給電圧端子が第１・第２縦エッジの各々に規定される。

１つの実施例では、デュプレクサーフィルターが第２横基板エッジに隣接して基板上に取り付けられ、第２バンドパスフィルターが第１横基板エッジに隣接して基板上に位置し、第１バンドパスフィルターがデュプレクサーフィルターと第２バンドパスフィルターの間の基板上に位置し、第１低雑音アンプが基板上に位置してデュプレクサーフィルターと第１バンドパスフィルターの間に相互接続され、また、第２雑音アンプが基板上に位置して第１バンドパスフィルターと第２バンドパスフィルターの間に相互接続される。

さらなる実施例では、第３低雑音アンプが基板上に位置して第１低雑音アンプと第１バンドパスフィルターの間に相互接続される。

本発明の他の利点と特長は、本発明の２つの実施例に関する以下の詳細な説明、添付の図面および添付の特許請求の範囲から容易に明らかになろう。

本発明のこれらの特長と他の特長は、以下の添付の図面の以下の説明により最も良く理解できる。
図１は、上にカバーを被せた本発明による高性能ＲＦＲｘモジュールの斜視図である。図２は、本発明によるＲＦＲｘモジュールの１つのブロック実施例である。図３は、図２のブロック実施例を具体化するＲＦＲｘモジュールの基板の簡易上面図である。図４は、本発明によるＲＦＲｘモジュールの別のブロック実施例である。図５は、図４のブロック実施例を具体化するＲＦＲｘモジュールの基板の簡易上面図である。

本発明は多くの異なる形態の実施例が可能であるが、本明細書と添付の図面は、本発明の例として、例えばピコセル携帯電話基地局のフロントエンドでの使用や衛星バックホールのアプリケーションに適応される２つの代表的なＲＦＲｘモジュールの実施例を開示する。しかし、本発明は、そのように説明される実施例や応用例に制限されることを意図されない。

図１は、一般に２０と指定され、本発明により構築され、基板３０とカバーまたは蓋３２の２つの主な構成要素を一般に含有するＲＦ（無線周波数）（ＦＤＤ）周波数分割双方向Ｒｘ（受信）モジュールを描写している。

図示した実施例において、基板３０は複数の層のＧＥＴＥＫ（登録商標）、ＦＲ４０８または同様のラミネート材で作られたプリント配線板であり、厚さが約１ｍｍ（すなわち、０．０４０インチ）である。基板３０の全域を覆うように適応される蓋３２は、ＲｏＲＨのコンプライアンスの目的で、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｓｎ（銅／ニッケル／錫）めっきされた真鍮であることが好適である。蓋３２は、ほこりカバーとファラデーシールドの両方の働きをする。

図３に示す通り、一般に長方形の基板３０は、頂面または上面３４、底面または下面（図示なし）ならびに対向第１・第２上下横面またはエッジ３６と３８および対向第３・第４縦面またはエッジ４０と４２を規定する外周エッジを含有する。

キャスタレーション４４と４５およびスルーホール４８は、基板３０の外周エッジの周りに規定され位置する。キャスタレーション４５はモジュール２０の各接地端子を規定し、キャスタレーション４４はモジュール２０の各供給電圧入力端子を規定し、また、スルーホール４８は以下に詳細に説明する通りモジュール２０の各ＲＦ信号入出力端子を規定する。

当業者に周知の通り、キャスタレーション４４と４５は各基板エッジから刻まれる金属化半円形溝により規定され、基板３０の頂面と底面の各々の間を延長する。図３の実施例において、上横エッジ３６はスルーホール４８の両側に２つの離間したキャスタレーション４５を規定し、下横エッジ３８は別のスルーホール４８の両側に２つの離間したキャスタレーション４５を規定し、縦辺エッジ４０はキャスタレーション４４の両側に２つの離間したキャスタレーション４５を規定し、また、縦辺エッジ４２は５つのキャスタレーション、すなわち、別のスルーホール４８の両側の２つのキャスタレーション４５および別のキャスタレーション４４の両側の２つ別のキャスタレーション４５を規定する。キャスタレーション４４と４５およびスルーホール４８、より具体的には、これを覆う導電銅材は、基板３０の頂面と底面の間に電気路を作り出す。

どの図にも示していないものの、当業者に周知の通り、キャスタレーション４５は底面（図示なし）の導電材の接地層に連結され、さらに、各キャスタレーション４４とスルーホール４８は、底面（図示なし）の導電材の接地層から分離されて各ＲＦ信号入出力端子と供給電圧入力端子を規定する基板３０の底面（図示なし）の導電材の各ストリップ／パッドに連結されていることが理解されよう。

当業者に周知の通り、また、どの図にも示していないものの、基板３０の底面（図示なし）に規定されるパッドにより、モジュール２０は、ピコセル（図示なし）などのフロントエンドでマザーボード（図示なし）の頂面に位置する対応パッドにリフローはんだ付けなどにより直接、表面実装されることが可能になる。

図２はＲＦＲｘモジュール２０での使用のために適応されるＲＦ信号Ｒｘ回路５０の１つのブロック実施例を描写しており、前記モジュールが回路線５３経由で第１低雑音アンプ（ＬＮＡ）５４に連結されて通信するデュプレクサーフィルター（デュプレクサー）５２を含有し、これが次に回路線５５経由で第１バンドパスフィルター（ＢＰＦ）５６に連結されて通信し、これが次に回路線５７経由で第２低雑音アンプ（ＬＮＡ）５８に連結されて通信し、これが次に回路線７７経由で第２バンドパスフィルター（ＢＰＦ）６０に連結されて通信し、これが次に回路線７３経由で受信（Ｒｘ）出力端子またはピン６２に連結されて通信し、これが次にピコセルなどのマザーボードの対応Ｒｘ信号ポートまたはパッド（図示なし）に連結されるように適応される。

ＲＦ信号Ｒｘ回路５０は、回路線６５経由でデュプレクサーフィルター４６の入力に連結されて通信するＲＦアンテナ信号入出力端子またはピン６４経由でアンテナ信号を受信、伝送するように適応される。

図２の参照を継続するが、Ｒｘ回路５０は、一方の端でピコセルのＲＦＴｘ信号ポート（図示なし）に連結され、もう一方の端で回路線６７経由でデュプレクサーフィルター５２に連結されるＲＦ信号伝送（Ｔｘ）信号入力端子またはピン６６をさらに含有する。

Ｖｄｄ（電力アンプ供給電圧）が、各回路線６９と７１経由で各ＬＮＡＶｄｄ供給電圧入力端子またはピン６８と７０を通じて各低雑音アンプ５４と５８に供給される。

図２に示したブロック要素を組み込んだモジュール２０の基板３０のレイアウトの１つの簡易実施例を図３に示しており、そこでは、アンテナパッドまたは端子６４が基板３０の下横エッジ３８に位置して分離するスルーホール４８により規定され、ＲＦＲｘ出力信号端子またはピン６２が基板３０の上横エッジ３６に位置するスルーホール４８により規定され、低雑音アンプ供給電圧（Ｖｄｄ）端子またはピン６８が基板３０の縦辺エッジ４０に位置するキャスタレーション４４により規定され、また、低雑音アンプ５８用の低雑音アンプ供給電圧（Ｖｄｄ）端子またはピン７０とＲＦＴｘ信号入力端子またはピン６６の両方が基板３０の縦辺エッジ４２に位置するカスタレーション４４とスルーホール４８の各々により規定される。

ＲＦＴｘ信号入力端子またはピン６６を基板３０に組み込むことにより、電力アンプ（図示なし）が最適な熱散逸のためにマザーボード（図示なし）かヒートシンク（図示なし）のどちらにでも直接取り付けることが可能になる。

図示した実施例において、縦辺基板エッジ４０の端子６８は下横基板エッジ３８に隣接して位置決めされるがそこから離間し、端子６４は下横基板エッジ３８のほぼ中央に位置し、縦辺基板エッジ４２の端子６６は下横基板エッジ３８に隣接して位置決めされるがそこから離間し、同様に縦辺基板エッジ４２に位置する端子７０は端子６６から離間して上横基板エッジ３６に隣接して位置決めされ、また、上横基板エッジ３６に位置する端子６２は縦辺基板エッジ４０に隣接して位置決めされるがそこから離間する。

図示した実施例において、デュプレクサーフィルター５２はデュプレクサーフィルター５２の長辺が基板３０の下横エッジ３８と隣接、離間、平行して位置決めされる関係で基板３０に位置し、バンドパスフィルター６０はバンドパスフィルター６０の長辺が基板３０の上横エッジ３６と隣接、離間、平行して位置決めされる関係で基板３０に位置し、バンドパスフィルター５６はデュプレクサーフィルター５２とバンドパスフィルター６０の間にあり基板３０のほぼ中央に、より具体的には、バンドパスフィルター５６の対向長辺エッジがデュプレクサーフィルター４６の長辺、バンドパスフィルター５０および基板３０の左右横辺エッジ４０と４２と離間、平行した関係で位置決めされる関係で位置する。

基板頂面３４に形成される複数の回路線５３、５５、５７、６７、６９、７１、７３およびパッド９０は銅などの導電材で作られ、以下に詳細に説明する通り各端子と電気構成要素の間に延長し、それらを相互接続する。金属化系は、ＥＮＩＧ、すなわち、銅上の無電解ニッケル／置換金メッキであることが好適である。

回路線６５はＲＦアンテナ端子６４とデュプレクサーフィルター５２の間を延長し、それらを相互接続する。回路線６７はＲＦＴｘ信号端子６６とデュプレクサーフィルター５２の間を延長し、それらを相互接続する。回路線７３はバンドパスフィルター６０の出力とＲＦＲｘ信号出力端子６２の間を延長し、それらを相互接続する。回路線５３はデュプレクサーフィルター５２と第１バンドパスフィルター５６の間を延長し、それらを相互接続する。回路線５７は第１バンドパスフィルター５６と第２バンドパスフィルター６０の間を延長し、それらを相互接続する。

低雑音アンプ５４は、縦辺基板エッジ４０とデュプレクサーフィルター５２の左辺エッジの間にあり基板３０に位置する。低雑音アンプ５８は、縦辺基板エッジ４２とバンドパスフィルター５６の右辺エッジの間にあり基板３０に位置する。低雑音アンプ５４は回路線５３に位置し、低雑音アンプ５８は回路線５７に位置する。回路線６９はＬＮＡＶｄｄ端子６８を低雑音アンプ５４に連結、相互接続し、回路線７１はＬＮＡＶｄｄ供給電圧端子７０を低雑音アンプ５８に連結、相互接続する。

本書では図示せず詳細に説明しないものの、低雑音アンプ５４と５８は各フィルター５２、５６および６０の間に位置決め、相互接続されて信号を増幅して最小ＮＦ（雑音指数）を保証し、また、当業者に周知の通り複数の適当な抵抗器、コンデンサーおよび誘導子が分離、フィルタリング、偏向の機能のために単数または複数の各回路線に位置決めされ取り付けられることが理解されよう。

また、図３に示す通り、基板３０は、その中に形成され、その頂面と底面の間を延長する複数の伸長のスロット２００を含有する。図示した実施例において、１対の離間した平行のスロット２００は各フィルター５２、５６および６０の下に位置する基板２００の領域に形成され、各フィルター５２、５６および６０の長さに対しほぼ垂線の関係で配置される。さらに、図示した実施例において、スロット２００は各スロット２００の各対向端部が各フィルター５２、５６および６０の対向上下縦エッジから外側に突出する関係で基板３０中に形成され位置する。

スロット２００は、モジュール２０が過熱、冷却される間、フィルター５２、５６および６０の材料と基板３０の材料との熱的不整合を減少させる。例えば、フィルター５２、５６および６０が基板３０にはんだ付けされるはんだリフローの作業からモジュール２０が冷却した後、基板３０とフィルター５２、５６および６０は約２００℃で共に“凍結”される。基板３０の材料はフィルター５２、５６および６０のセラミック材の熱膨張係数より４−５倍大きい熱膨張係数を持つため、モジュール２０が室温以下に冷却されると、フィルターのセラミック材に高応力が生じる。また、セラミック材の応力は、セラミック材と基板材の間の接着の長さと面積に応じて増大する。スロット２００はセラミック材と基板材の間の有効な板の長さと面積を３倍減少させ、それによりフィルター５２、５６および６０のセラミック材の誘発応力を大幅に低下させる。

図１と３に示したモジュール２０の全体寸法と面積は基板３０に取り付けられたフィルター５２、５６および６０のサイズ（すなわち、長さと幅）に応じて決定され、概ね、幅４３ｍｍ、長さ５３ｍｍ、最大高さ１１．２ｍｍである。従って、図示した実施例において、モジュール２０の全幅は最大のフィルターの長さに基づき、一方、モジュール２０の全長はデュプレクサーフィルター５２、バンドパスフィルター５６およびバンドパスフィルター６０の合計幅に基づく。

同様に、第１、第２、第３、第４基板エッジ３６、３８、４０および４２に沿う各ＲＦ信号入出力端子６２、６４、６６および供給電圧端子６８と７０の位置は、基板３０の頂面３４に取り付けられた各フィルター５２、５６、６０および低雑音アンプ５４と５８の位置とサイズ（すなわち、長さと幅）に基づく。

２つの低周波数アプリケーションまたはプロトコル、すなわち、ＥＧＳＭとＧＳＭ８５０のアプリケーションでは、図１〜３に表したモジュール実施例２０の変形例が使用される。２つの高周波数アプリケーションまたはプロトコル、すなわち、約１７１０ＭＨｚ超でのＤＣＳとＰＣＳのアプリケーションでは、ブロック実施例１５０が図４に示され、基板３０の簡易表示が図５に示され、以下に追加の詳細が記載されるモジュール実施例１２０の変形例が使用される。

図４と５に示す通り、図示した実施例において周波数分割双方向（ＦＤＤ）モジュールでもあるＲＦＲｘモジュール１２０は、デュプレクサーフィルター１５２、第１、第２、第３低雑音アンプ１５４、１５８、１６１の各々および第１・第２バンドパスフィルター１５６と１６０の各々といった基板３０も搭載された主構成要素を組み込んでいる。

回路線１６５はＲＦアンテナ信号入出力端子６４をデュプレクサーフィルター１５２の入力に接続し、これが次に回路線１５３経由で第１低雑音アンプ（ＬＮＡ）１５４に接続され、これが次に回路線１７５経由で第２低雑音アンプ（ＬＮＡ）１５８に接続され、これが次に回路線１５９経由で第１バンドパスフィルター（ＢＰＦ）１５６に接続され、これが次に回路線１５７経由で第３低雑音アンプ（ＬＮＡ）１６１に接続され、これが次に回路線１７７経由で第２バンドパスフィルター（ＢＰＦ）１６０に接続され、これが次に回路線１７９経由でＲＦ受信（Ｒｘ）出力信号端子６２に接続される。

回路線１６９はＬＮＡＶｄｄ端子６８を低雑音アンプ１５４と１５８の両方に共通の回路線１７３に接続し、回路線１７１はＬＮＡＶｄｄ供給電圧入力端子７０を第３低雑音アンプ１６１に接続する。最後に、回路線１６７は、ＲＦ伝送（Ｔｘ）入力信号端子６６をデュプレクサーフィルター（デュプレクサー）１５２に接続する。

本発明によれば、ここに開示したモジュール２０と１２０を含め、例えば、ＥＧＳＭ、ＧＳＭ８５０、ＤＣＳおよびＰＣＳのような各エア・インタフェースと関連して使用される各モジュールは、モジュール製造組立工程を簡易化、迅速化してコストを下げるために、同じ設置面積、すなわち、同じ総面積や全長と全幅の寸法および／または同じ端子位置の同じ基本基板３０を共有するように設計される。

従って、本発明によれば、上に特定した最低４つの各エア・インタフェース用に同じ端子位置を持つ同じサイズの基板を使用できるように、最長のフィルターと最大幅と最も多い全フィルター数を要求するエア・インタフェースで使用される基板がモジュール２０と１２０を含めた４つの各モジュールのテンプレートとして使用される。モジュール２０が最長のフィルターと最大幅と最も多い全フィルター数（すなわち、デュプレクサーフィルター５２および追加的なバンドフィルター５６と６０）を使用する限り、モジュール２０の基板３０が、ここでは２つだけ（モジュール２０と１２０）図示し説明しているが、４つの各モジュールで使用される基板用のテンプレートとなる。

上を考慮し、モジュール１２０の基板３０がモジュール２０の基板３０と同じ総面積、寸法および端子配置／位置であるため、同じ要素を指定するために同じ番号を図４と５で使用しており、また、以下に詳細な説明がある場合を除き、ＲＦＲｘモジュール実施例２０に関するそれらの要素の前述の説明、より具体的には、第１、第２、第３、第４周辺エッジ３６、３８、４０および４２の各々の端子６２、６４、６６、６８および７８の位置と配置をＲＦＲｘモジュール実施例１２０に関して、より具体的には、モジュール１２０の基板３０の第１、第２、第３、第４周辺エッジ３６、３８、４０および４２の各々の対応端子６２、６４、６６、６８および７０の位置と配置に関してここに参照として援用する。

ＲＦＲｘモジュール２０と１２０の基板３０の相違は、各基板３０の各電気構成要素と回路線、すなわち、主にデュプレクサーフィルターとバンドパスフィルターの各々のサイズにより決定される２つの変数の選択、数、サイズ、位置および配置だけであり、これにより、これらを相互接続する様々な回路線の基板３０上の位置が決定される。

図５に示したＲＦＲｘモジュール１２０のデュプレクサーフィルターとバンドパスフィルター１５２、１５６および１６０の各々は、異なるアプリケーションの結果として、ＲＦＲｘモジュール２０で使用されるデュプレクサーフィルターとバンドパスフィルター５２、５６および６０の各々よりもサイズが小さい。しかし、デュプレクサーフィルターとバンドパスフィルター１５２、１５６および１６０の各々はＲＦＲｘモジュール２０のデュプレクサーフィルター５２およびバンドパスフィルター５６と６０とほぼ同じ位置に基板３０上に位置決めされ取り付けられ、従って、ＲＦＲｘモジュール２０のデュプレクサー５２およびバンドパスフィルター５６と６０の位置と取付の説明をＲＦＲｘモジュール１２０の基板３０のデュプレクサー１５２およびバンドパスフィルター１５６と１６０の位置と取付に関してここに参照として援用する。

低雑音アンプ１５４は、縦辺基板エッジ４０とデュプレクサーフィルター１５２の左辺エッジの間にあり基板３０に位置して取り付けられる。低雑音アンプ１５８は、低雑音アンプ１５４とほぼ共線の関係でデュプレクサー１５２とバンドパスフィルター１５６のほぼ間にあり基板３０に位置して取り付けられる。低雑音アンプ１６１は、縦辺基板エッジ４２と隣接、離間してデュプレクサー１５２とバンドパスフィルター１５６の右端の間にあり基板３０に位置して取り付けられる。

図４でブロック形式により特定し図５に示した複数の回路線１５３、１５９、１６５、１６７、１６９、１７１、１７３、１７５、１７７および１７９はＲＦＲｘモジュール１２０の基板３０の頂面３４に形成され、銅などの導電材で作られ、図４に関して上で説明したように、また、その説明をここに参照として援用するが、様々な構成要素１５２、１５４、１５６、１５８および１６０を相互および各端子６２、６４、６６、６８、７０に相互接続する。

さらに、図５には示していないものの、ＲＦＲｘモジュール１２０もＲＦＲｘモジュール２０と同様に、当業者に周知の通り適当な抵抗器、コンデンサーおよび誘導子を分離、フィルタリング、偏向および他の電気機能を果たすために基板３０に組み込むことが理解されよう。さらに、ここには図示も説明もないものの、モジュール１２０もモジュール２０の蓋３２と同様の蓋を組み込むことが理解されよう。

これまで説明してきたものは、異なるアプリケーション要件を満たすために異なるサイズおよび／または追加のフィルターと電気構成要素を組み込むと同時に、製造組立工程を簡易化、迅速化して低コストのＲＦＲｘモジュールを提供するために同じＲＦ信号入出力端子と供給電圧端子６２、６４、６６、６８および７０を持つ同じサイズの基板３０を有利に共有するように適応されるＲＦＲｘモジュール２０と１２０である。

２つのモジュール実施例２０と１２０を具体的に参照して本発明を教示してきたが、当業者は、添付の特許請求の範囲で説明する本発明の真髄と範囲から逸脱することなく、例えば、様々なＲＦ要素と回路の選択、数、配置、相互接続値およびパターンのような形態と詳細において変更が可能であると認識することが理解されよう。説明した実施例は、すべての観点において例証的なものであり限定的なものでないことを考慮されたい。

国際公開ＷＯ２００６／１３８６６７

Claims

複数のエア・インタフェースに渡り動作可能な無線通信システムで使用されるＲＦモジュールであって、
前記モジュールは、その上に位置して相互接続されるデュプレクサーフィルター、第１低雑音アンプおよび第１バンドパスフィルターを少なくとも備えた基板を有し、
前記基板は所定のサイズを有し、また、所定の端子位置に規定される少なくとも第１供給電圧端子および各ＲＦ信号入出力端子を備えた各エッジを有し、それにより、同じサイズと同じ端子位置を有する同じ基板を前記複数のエア・インタフェースのために使用することが可能になる、ＲＦモジュール。
前記基板上に位置して前記第１バンドパスフィルターに相互接続される第２低雑音アンプと第２バンドパスフィルターをさらに有し、前記基板が対向する第１・第２縦基板エッジおよび対向する第１・第２横基板エッジを有し、
ＲＦ受信信号出力端子が前記第１横エッジに沿って規定され、ＲＦアンテナ信号入出力端子が前記第２横エッジに沿って規定され、ＲＦ信号伝送入力端子が前記第２縦エッジに沿って規定され、第１・第２供給電圧端子が前記第１・第２縦エッジの各々に沿って規定される請求項１のＲＦモジュール。
前記デュプレクサーフィルターが前記第２横基板エッジに隣接して前記基板上に取り付けられ、前記第２バンドパスフィルターが前記第１横基板エッジに隣接して前記基板上に位置し、前記第１バンドパスフィルターが前記デュプレクサーフィルターと前記第２バンドパスフィルターの間で前記基板上に位置し、前記第１低雑音アンプが前記基板上に位置して前記デュプレクサーフィルターと前記第１バンドパスフィルターの間で相互接続され、前記第２低雑音アンプが前記基板上に位置して前記第１バンドパスフィルターと前記第２バンドパスフィルターの間に相互接続される請求項２のＲＦモジュール。
前記基板上に位置して前記第１低雑音アンプと前記第１バンドパスフィルターの間に相互接続される第３低雑音アンプをさらに有する請求項３のＲＦモジュール。
前記複数のエア・インタフェースがＥＧＳＭ、ＧＳＭ、ＤＣＳおよびＰＣＳを含む請求項１のＲＦモジュール。
ＲＦ信号出力端子が第１基板エッジに沿って規定され、ＲＦ信号アンテナ端子が第２基板エッジに沿って規定され、第１供給電圧端子が第３基板エッジに沿って規定され、ＲＦ信号入力端子と第２供給電圧端子が第４基板エッジに規定される対向する前記第１・第２基板エッジと対向する前記第３・第４基板エッジを有する基板、
前記第２基板エッジに隣接して前記基板上に位置するデュプレクサーフィルター、
前記デュプレクサーフィルターに隣接して前記基板上に位置する第１バンドパスフィルター、
前記第１基板エッジに隣接して前記基板上に位置する第２バンドパスフィルターであって、前記第１バンドパスフィルターが前記デュプレクサーフィルターと前記第２バンドパスフィルターの間の前記基板上に位置する、前記第２バンドパスフィルターと、
前記基板上に位置して前記デュプレクサーフィルターと前記第１バンドパスフィルターの間に相互接続される第１低雑音アンプ、
前記基板上に位置して前記第１バンドパスフィルターと前記第２バンドパスフィルターの間に相互接続される第２低雑音アンプ、および
前記基板上に形成されて各フィルター、アンプおよび端子を相互接続する複数の回路線
を有するＲＦモジュール。
前記基板上に位置して前記第１低雑音アンプと前記第１バンドパスフィルターの間に相互接続される第３低雑音アンプをさらに有する請求項６のＲＦモジュール。
基板を備え、
前記基板が、前記基板の第１エッジに沿って規定されるＲＦ信号出力端子、前記基板の第２エッジに沿って規定されるＲＦ信号アンテナ端子、前記基板の第３エッジに沿って規定される第１供給電圧端子および前記基板の第４エッジに沿って規定されるＲＦ信号入力端子を有するＲＦモジュール。
前記基板の前記第２エッジと隣接、平行して前記基板上に位置するデュプレクサーフィルターおよび前記基板上に位置する第１バンドパスフィルターを少なくともさらに有し、
前記ＲＦモジュールが前記基板上に位置して前記デュプレクサーフィルターと前記第１バンドパスフィルターの間に相互接続される第１低雑音アンプをさらに含有し、前記第１供給電圧端子が前記第１低雑音アンプに接続される請求項８のＲＦモジュール。
少なくとも第１スロットが前記デュプレクサーフィルターと前記第１バンドパスフィルターの下に位置する前記基板の領域に形成される請求項９のＲＦモジュール。
前記基板の前記第１エッジと隣接、平行して前記基板上に位置する第２バンドパスフィルターであって、前記第１バンドパスフィルターが前記デュプレクサーフィルターと前記第２バンドパスフィルターの間で前記基板上に位置する、前記第２バンドパスフィルターと、前記基板上に位置して前記第１・第２バンドパスフィルターの間に相互接続される第２低雑音アンプと、前記基板の前記第４エッジに沿って規定されて前記第２低雑音アンプに接続される第２供給電圧端子をさらに含有する請求項９のＲＦモジュール。
少なくとも第１スロットが前記第２バンドパスフィルターの下に位置する前記基板の領域に形成される請求項１１のＲＦモジュール。
前記基板上に位置して前記第１低雑音アンプと前記第１バンドパスフィルターの間に相互接続される第３低雑音アンプをさらに含有し、前記第１供給電圧端子が前記第３低雑音アンプに接続される請求項１１のＲＦモジュール。