JP2002280809A - 高周波部品及び高周波伝送路変換回路の一体化構造 - Google Patents
高周波部品及び高周波伝送路変換回路の一体化構造Info
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- JP2002280809A JP2002280809A JP2001081276A JP2001081276A JP2002280809A JP 2002280809 A JP2002280809 A JP 2002280809A JP 2001081276 A JP2001081276 A JP 2001081276A JP 2001081276 A JP2001081276 A JP 2001081276A JP 2002280809 A JP2002280809 A JP 2002280809A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】小型化を図った高周波部品及び高周波伝送路変
換回路の一体化構造を提供する。 【解決手段】導波管ブロック３に導波管部５を形成し、
カバー４にバックショート部６を形成する。そして、導
波管ブロック３とカバー４とで誘電体の基板１を挟持
し、固定する。カバー４には、高周波部品２が収まるサ
イズの空間部１３を形成し、導波管ブロック３とカバー
４に、高周波部品２が覆われるようにする。高周波部品
２を導波管ブロック３に直接に接触させる。さらに、基
板１に基板グランド１０を形成し、高周波部品２に基板
グランド１１を形成し、これらのグランドをカバー４お
よび導波管ブロック３に接触させて、基板グランドと回
路グランドを共通化するようにした。
換回路の一体化構造を提供する。 【解決手段】導波管ブロック３に導波管部５を形成し、
カバー４にバックショート部６を形成する。そして、導
波管ブロック３とカバー４とで誘電体の基板１を挟持
し、固定する。カバー４には、高周波部品２が収まるサ
イズの空間部１３を形成し、導波管ブロック３とカバー
４に、高周波部品２が覆われるようにする。高周波部品
２を導波管ブロック３に直接に接触させる。さらに、基
板１に基板グランド１０を形成し、高周波部品２に基板
グランド１１を形成し、これらのグランドをカバー４お
よび導波管ブロック３に接触させて、基板グランドと回
路グランドを共通化するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ミリ波またはマイ
クロ波帯の送信機などに使用される高周波部品及び高周
波伝送路変換回路の一体化構造に関する。
クロ波帯の送信機などに使用される高周波部品及び高周
波伝送路変換回路の一体化構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年になり、無線通信における信号帯域
は広くなる傾向にあり、それに伴って搬送波の周波数も
高くなってきている。このような高周波帯で使用される
通信機器には、特別の配慮が必要とされる。なかでも送
信機においては、大電力が必要となることから高周波部
分の構造に工夫を要する。
は広くなる傾向にあり、それに伴って搬送波の周波数も
高くなってきている。このような高周波帯で使用される
通信機器には、特別の配慮が必要とされる。なかでも送
信機においては、大電力が必要となることから高周波部
分の構造に工夫を要する。
【０００３】この種の高周波部分の構造においては、マ
イクロストリップラインを伝送される高周波信号を電波
に変換して導波管に導くマイクロストリップライン／導
波管変換部と、放射波から回路部品を遮蔽するシールド
部分とが主要部となる。
イクロストリップラインを伝送される高周波信号を電波
に変換して導波管に導くマイクロストリップライン／導
波管変換部と、放射波から回路部品を遮蔽するシールド
部分とが主要部となる。
【０００４】ところで、従来からの高周波部分の構造
は、マイクロストリップライン／導波管変換部と、シー
ルド部とがそれぞれ別個の部品として形成されていた。
すなわち従来の高周波部分は、それぞれモジュール化し
て形成されたマイクロストリップライン／導波管変換部
とシールド部とを、互いに接続したのち全体を密封し
た、いわゆるハーメチックシール構造が主流であった。
は、マイクロストリップライン／導波管変換部と、シー
ルド部とがそれぞれ別個の部品として形成されていた。
すなわち従来の高周波部分は、それぞれモジュール化し
て形成されたマイクロストリップライン／導波管変換部
とシールド部とを、互いに接続したのち全体を密封し
た、いわゆるハーメチックシール構造が主流であった。
【０００５】この種の構造は、内部に無用なスペースが
多くできてしまうため、回路構造が大きくなりやすいこ
とが従来から指摘されている。回路構造が大きくなる
と、通信装置を小型化することが難しくなるので、何ら
かの改善策が望まれていた。
多くできてしまうため、回路構造が大きくなりやすいこ
とが従来から指摘されている。回路構造が大きくなる
と、通信装置を小型化することが難しくなるので、何ら
かの改善策が望まれていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように従来
の高周波部分は、モジュール化して形成されたマイクロ
ストリップライン／導波管変換部とシールド部とが互い
に接続され、全体が密封された、いわゆるハーメチック
シール構造が主流であった。このため構造が大型化する
傾向が有り、通信装置を小型化するうえでのネックとな
っていた。本発明は上記事情によりなされたもので、そ
の目的は、小型化を図った高周波部品及び高周波伝送路
変換回路の一体化構造を提供することにある。
の高周波部分は、モジュール化して形成されたマイクロ
ストリップライン／導波管変換部とシールド部とが互い
に接続され、全体が密封された、いわゆるハーメチック
シール構造が主流であった。このため構造が大型化する
傾向が有り、通信装置を小型化するうえでのネックとな
っていた。本発明は上記事情によりなされたもので、そ
の目的は、小型化を図った高周波部品及び高周波伝送路
変換回路の一体化構造を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係わる高周波部品及び高周波伝送路変換回路
の一体化構造は、高周波部品が取り付けられる第１の導
電性ブロックと、マイクロストリップラインが形成され
る誘電体基板と、この誘電体基板を挟んで前記第１の導
電性ブロックと対向して取り付けられる第２の導電性ブ
ロックとを具備し、前記第１または第２の導電性ブロッ
クのうち一方に導波管部を形成し、この導波管部が形成
されない他方の導電性ブロックに、前記マイクロストリ
ップラインに励振された高周波信号を電波に変換するた
めのバックショート部を形成し、前記第１または第２の
導電性ブロックのうち少なくとも一方に、全体で前記高
周波部品を収容可能なサイズの空間部を形成し、前記マ
イクロストリップラインを挟んで前記導波管部と前記バ
ックショート部とを対向させ、前記空間部に前記高周波
部品が収容されるように、前記誘電体基板を前記第１お
よび第２の導電性ブロックで挟持して固定したことを特
徴とする。好ましくは、前記高周波部品に、前記第１の
導電性ブロックに接触するように回路グランドを形成す
るとよい。好ましくは、前記誘電体基板に、前記第１ま
たは第２の導電性ブロックの少なくとも一方に接触する
ように基板グランドを形成するとよい。好ましくは、前
記第１および第２の導電性ブロックを、導電性部材を介
して接続するとよい。
に本発明に係わる高周波部品及び高周波伝送路変換回路
の一体化構造は、高周波部品が取り付けられる第１の導
電性ブロックと、マイクロストリップラインが形成され
る誘電体基板と、この誘電体基板を挟んで前記第１の導
電性ブロックと対向して取り付けられる第２の導電性ブ
ロックとを具備し、前記第１または第２の導電性ブロッ
クのうち一方に導波管部を形成し、この導波管部が形成
されない他方の導電性ブロックに、前記マイクロストリ
ップラインに励振された高周波信号を電波に変換するた
めのバックショート部を形成し、前記第１または第２の
導電性ブロックのうち少なくとも一方に、全体で前記高
周波部品を収容可能なサイズの空間部を形成し、前記マ
イクロストリップラインを挟んで前記導波管部と前記バ
ックショート部とを対向させ、前記空間部に前記高周波
部品が収容されるように、前記誘電体基板を前記第１お
よび第２の導電性ブロックで挟持して固定したことを特
徴とする。好ましくは、前記高周波部品に、前記第１の
導電性ブロックに接触するように回路グランドを形成す
るとよい。好ましくは、前記誘電体基板に、前記第１ま
たは第２の導電性ブロックの少なくとも一方に接触する
ように基板グランドを形成するとよい。好ましくは、前
記第１および第２の導電性ブロックを、導電性部材を介
して接続するとよい。
【０００８】このような手段を講じたことにより、高周
波部品は、第１および第２の導電性ブロックにより囲ま
れた格好となる。いわば、高周波部品は、第１および第
２の導電性ブロックによりシールドされる。これによ
り、良質なグランドを確保できるとともに、高周波部品
に形成される例えば送信回路と受信回路との良好なアイ
ソレーションをとることが容易になる。したがって、良
好な動作特性を得ることが可能になる。
波部品は、第１および第２の導電性ブロックにより囲ま
れた格好となる。いわば、高周波部品は、第１および第
２の導電性ブロックによりシールドされる。これによ
り、良質なグランドを確保できるとともに、高周波部品
に形成される例えば送信回路と受信回路との良好なアイ
ソレーションをとることが容易になる。したがって、良
好な動作特性を得ることが可能になる。
【０００９】また本発明においては、バックショート部
が、第１または第２の導電性ブロックに一体形成されて
いる。これによりサイズを縮小でき、ひいてはこの高周
波部品構造を有した無線通信機などの省サイズ化を図れ
るようになる。また、高周波部品が第１の導電性ブロッ
クに取り付けられているので、放熱特性の面からも都合
がよい。
が、第１または第２の導電性ブロックに一体形成されて
いる。これによりサイズを縮小でき、ひいてはこの高周
波部品構造を有した無線通信機などの省サイズ化を図れ
るようになる。また、高周波部品が第１の導電性ブロッ
クに取り付けられているので、放熱特性の面からも都合
がよい。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明に係わる高
周波部品及び高周波伝送路変換回路の一体化構造の実施
の形態を示す断面図である。図１において、基板１は、
第１の導電性ブロックとしての導波管ブロック３と、第
２の導電性ブロックとしてのカバー４とに挟持されるよ
うに取り付けられる。導波管ブロック３には、導波管部
５が形成され、カバー４には、高周波部品２を収容可能
な空間部１３とバックショート部４とが形成される。
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明に係わる高
周波部品及び高周波伝送路変換回路の一体化構造の実施
の形態を示す断面図である。図１において、基板１は、
第１の導電性ブロックとしての導波管ブロック３と、第
２の導電性ブロックとしてのカバー４とに挟持されるよ
うに取り付けられる。導波管ブロック３には、導波管部
５が形成され、カバー４には、高周波部品２を収容可能
な空間部１３とバックショート部４とが形成される。
【００１１】基板１は誘電体で形成され、導波管ブロッ
ク３とカバー４は、アルミニウムなどの導電性部材で形
成される。基板１には高周波部品２よりも面積の大きい
スペース（例えば穴や切り欠きなど）が設けられてお
り、高周波部品２は、このスペースに合うように、かつ
カバー４の空間部に収容されるように、導波管ブロック
３に取り付けられる。導波管ブロック３とカバー４と
は、導電性部材で形成された固定ネジなどで互いに固定
される。
ク３とカバー４は、アルミニウムなどの導電性部材で形
成される。基板１には高周波部品２よりも面積の大きい
スペース（例えば穴や切り欠きなど）が設けられてお
り、高周波部品２は、このスペースに合うように、かつ
カバー４の空間部に収容されるように、導波管ブロック
３に取り付けられる。導波管ブロック３とカバー４と
は、導電性部材で形成された固定ネジなどで互いに固定
される。
【００１２】図２に、図１に示される高周波部品及び高
周波伝送路変換回路の一体化構造のより詳細な断面図を
示す。図２においては、図１に示された基板１、高周波
部品２、導波管ブロック３、カバー４が固定されたとき
の様子が示される。
周波伝送路変換回路の一体化構造のより詳細な断面図を
示す。図２においては、図１に示された基板１、高周波
部品２、導波管ブロック３、カバー４が固定されたとき
の様子が示される。
【００１３】基板１には、高周波部品２に接続されるマ
イクロストリップライン９が形成されている。マイクロ
ストリップライン９は、導波管部５とバックショート部
６とに挟まれた格好となる。言い換えれば、マイクロス
トリップライン９を挟んで導波管部５とバックショート
部６とが対向するように、カバー４と導波管部５とが互
いに位置する格好となる。
イクロストリップライン９が形成されている。マイクロ
ストリップライン９は、導波管部５とバックショート部
６とに挟まれた格好となる。言い換えれば、マイクロス
トリップライン９を挟んで導波管部５とバックショート
部６とが対向するように、カバー４と導波管部５とが互
いに位置する格好となる。
【００１４】バックショート部６は、トンネル構造７を
介してカバー４の空間部１３と結合されている。トンネ
ル構造７のサイズは、使用波長よりも十分に小さくする
のが好ましい。マイクロストリップライン９に励振され
た高周波信号は、バックショート部６において電波に変
換され、導波管部５を介して空間に放射される。
介してカバー４の空間部１３と結合されている。トンネ
ル構造７のサイズは、使用波長よりも十分に小さくする
のが好ましい。マイクロストリップライン９に励振され
た高周波信号は、バックショート部６において電波に変
換され、導波管部５を介して空間に放射される。
【００１５】基板１には、カバー４と接触する位置に基
板グランド１０が形成されている。固定ネジ１２により
カバー４と導波管ブロック３とが固定されると、基板グ
ランド１０は、カバー４および導波管ブロック３と導通
するかたちになる。
板グランド１０が形成されている。固定ネジ１２により
カバー４と導波管ブロック３とが固定されると、基板グ
ランド１０は、カバー４および導波管ブロック３と導通
するかたちになる。
【００１６】高周波部品２には、導波管ブロック３との
接触面に回路グランド１１が形成されている。高周波部
品２が導波管ブロック３に固定されると、回路グランド
１１は、導波管ブロック３およびカバー４と導通するか
たちになる。
接触面に回路グランド１１が形成されている。高周波部
品２が導波管ブロック３に固定されると、回路グランド
１１は、導波管ブロック３およびカバー４と導通するか
たちになる。
【００１７】このような構成においては、図２に示され
るように、高周波部品２が導波管ブロック３とカバー４
とに覆われる格好となる。導波管ブロック３とカバー４
は、いずれも導電性であるため、高周波部品２に対する
シールドとして作用する。高周波部品２全体がシールド
されているため、図示しない筐体アースなどに直接接続
することが容易になるので、良好なグランド特性を実現
することができる。
るように、高周波部品２が導波管ブロック３とカバー４
とに覆われる格好となる。導波管ブロック３とカバー４
は、いずれも導電性であるため、高周波部品２に対する
シールドとして作用する。高周波部品２全体がシールド
されているため、図示しない筐体アースなどに直接接続
することが容易になるので、良好なグランド特性を実現
することができる。
【００１８】また高周波部品２は、導波管ブロック３に
直接に接触している。このため高周波部品２で発生する
熱は導波管ブロック３を介して、さらにはカバー４を介
して放熱される。よって、熱源としての高周波部品２の
放熱特性を良好にすることが可能になる。
直接に接触している。このため高周波部品２で発生する
熱は導波管ブロック３を介して、さらにはカバー４を介
して放熱される。よって、熱源としての高周波部品２の
放熱特性を良好にすることが可能になる。
【００１９】高周波部品２が送信用の機能を持つ場合、
高周波用の増幅素子の電力効率が悪いことから、高周波
部品２は多量の熱を発生する。このような用途におい
て、本実施形態の高周波部品及び高周波伝送路変換回路
の一体化構造は有利である。
高周波用の増幅素子の電力効率が悪いことから、高周波
部品２は多量の熱を発生する。このような用途におい
て、本実施形態の高周波部品及び高周波伝送路変換回路
の一体化構造は有利である。
【００２０】さらに、回路グランド１１と基板グランド
１０とは、導波管ブロック３、カバー４、固定ネジ１２
を介して互いに導通している。すなわち、回路グランド
１１と基板グランド１０とが共通化されている。したが
って、良好なグランドを取ることが容易になり、回路特
性の向上に寄与することも可能になる。
１０とは、導波管ブロック３、カバー４、固定ネジ１２
を介して互いに導通している。すなわち、回路グランド
１１と基板グランド１０とが共通化されている。したが
って、良好なグランドを取ることが容易になり、回路特
性の向上に寄与することも可能になる。
【００２１】このように本実施形態では、導波管ブロッ
ク３に導波管部５を形成し、カバー４にバックショート
部６を形成する。そして、導波管ブロック３とカバー４
とで誘電体の基板１を挟持し、固定する。カバー４に
は、高周波部品２が収まるサイズの空間部１３を形成
し、導波管ブロック３とカバー４に、高周波部品２が覆
われるようにする。高周波部品２を導波管ブロック３に
直接に接触させる。さらに、基板１に基板グランド１０
を形成し、高周波部品２に基板グランド１１を形成し、
これらのグランドをカバー４および導波管ブロック３に
接触させて、基板グランドと回路グランドを共通化する
ようにしている。このようにしたので、良好な高周波特
性を得られると共に、省サイズ化を図ることが可能な高
周波部品及び高周波伝送路変換回路の一体化構造を実現
することが可能になる。
ク３に導波管部５を形成し、カバー４にバックショート
部６を形成する。そして、導波管ブロック３とカバー４
とで誘電体の基板１を挟持し、固定する。カバー４に
は、高周波部品２が収まるサイズの空間部１３を形成
し、導波管ブロック３とカバー４に、高周波部品２が覆
われるようにする。高周波部品２を導波管ブロック３に
直接に接触させる。さらに、基板１に基板グランド１０
を形成し、高周波部品２に基板グランド１１を形成し、
これらのグランドをカバー４および導波管ブロック３に
接触させて、基板グランドと回路グランドを共通化する
ようにしている。このようにしたので、良好な高周波特
性を得られると共に、省サイズ化を図ることが可能な高
周波部品及び高周波伝送路変換回路の一体化構造を実現
することが可能になる。
【００２２】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
るものではない。例えば本実施形態では、高周波部品２
が納められる空間部１３をカバー４に形成するようにし
たが、空間部１３を導波管ブロック３に形成するように
してもよい。あるいは、導波管ブロック３およびカバー
４にそれぞれ浅い凹みを形成し、全体として高周波部品
２を収納できるような内部空間を作るようにしてもよ
い。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変
形実施を行うことができる。
るものではない。例えば本実施形態では、高周波部品２
が納められる空間部１３をカバー４に形成するようにし
たが、空間部１３を導波管ブロック３に形成するように
してもよい。あるいは、導波管ブロック３およびカバー
４にそれぞれ浅い凹みを形成し、全体として高周波部品
２を収納できるような内部空間を作るようにしてもよ
い。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変
形実施を行うことができる。
【００２３】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、小
型化を図った高周波部品及び高周波伝送路変換回路の一
体化構造を提供することが可能となる。
型化を図った高周波部品及び高周波伝送路変換回路の一
体化構造を提供することが可能となる。
【図１】 本発明に係わる高周波部品及び高周波伝送路
変換回路の一体化構造の実施の形態を示す断面図。
変換回路の一体化構造の実施の形態を示す断面図。
【図２】 図１に示された高周波部品及び高周波伝送路
変換回路の一体化構造のより詳細な断面図。
変換回路の一体化構造のより詳細な断面図。
１…基板 ２…高周波部品 ３…導波管ブロック ４…カバー ５…導波管部 ６…バックショート部 ７…トンネル構造 ８…シールド部 ９…マイクロストリップライン １０…基板グランド １１…回路グランド １２…固定ネジ １３…空間部
Claims (6)
- 【請求項１】 高周波部品が取り付けられる第１の導電
性ブロックと、 前記高周波部品に接続されるマイクロストリップライン
が形成される誘電体基板と、 この誘電体基板を挟んで前記第１の導電性ブロックと対
向して取り付けられる第２の導電性ブロックとを具備
し、 前記第１または第２の導電性ブロックのうち一方に導波
管部を形成し、 この導波管部が形成されない他方の導電性ブロックに、
前記マイクロストリップラインに励振された高周波信号
を電波に変換するためのバックショート部を形成し、 前記第１または第２の導電性ブロックのうち少なくとも
一方に、全体で前記高周波部品を収容可能なサイズの空
間部を形成し、 前記マイクロストリップラインを挟んで前記導波管部と
前記バックショート部とを対向させ、前記空間部に前記
高周波部品が収容されるように、前記誘電体基板を前記
第１および第２の導電性ブロックで挟持して固定したこ
とを特徴とする高周波部品及び高周波伝送路変換回路の
一体化構造。 - 【請求項２】 前記空間部と前記バックショート部とを
結合する、前記電波の波長よりも狭いトンネル構造を有
することを特徴とする請求項１に記載の高周波部品及び
高周波伝送路変換回路の一体化構造。 - 【請求項３】 前記高周波部品と前記誘電体基板とが同
一平面上に重なる場合に、前記高周波部品を避けるため
のスペースを前記誘電体基板に形成したことを特徴とす
る請求項１に記載の高周波部品及び高周波伝送路変換回
路の一体化構造。 - 【請求項４】 前記高周波部品は、前記第１の導電性ブ
ロックに接触するように形成された回路グランドを備え
ることを特徴とする請求項１に記載の高周波部品及び高
周波伝送路変換回路の一体化構造。 - 【請求項５】 前記誘電体基板は、前記第１または第２
の導電性ブロックの少なくとも一方に接触するように形
成された基板グランドを備えることを特徴とする請求項
１に記載の高周波部品及び高周波伝送路変換回路の一体
化構造。 - 【請求項６】 前記第１および第２の導電性ブロック
を、導電性部材を介して接続したことを特徴とする請求
項１乃至５のいずれかに記載の高周波部品及び高周波伝
送路変換回路の一体化構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001081276A JP2002280809A (ja) | 2001-03-21 | 2001-03-21 | 高周波部品及び高周波伝送路変換回路の一体化構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001081276A JP2002280809A (ja) | 2001-03-21 | 2001-03-21 | 高周波部品及び高周波伝送路変換回路の一体化構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002280809A true JP2002280809A (ja) | 2002-09-27 |
| JP2002280809A5 JP2002280809A5 (ja) | 2004-09-09 |
Family
ID=18937410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001081276A Pending JP2002280809A (ja) | 2001-03-21 | 2001-03-21 | 高周波部品及び高周波伝送路変換回路の一体化構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002280809A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2012238813A (ja) * | 2011-05-13 | 2012-12-06 | Nec Corp | ミリ波通信装置筐体構造およびシールド状態検知方法 |
| JP2013247494A (ja) * | 2012-05-25 | 2013-12-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ホーンアンテナ一体型ｍｍｉｃパッケージ |
| CN103441653A (zh) * | 2013-09-13 | 2013-12-11 | 深圳市英威腾电气股份有限公司 | 一种具有功率器件新型安装结构的变频器 |
| JP5728102B1 (ja) * | 2014-02-13 | 2015-06-03 | 日本電信電話株式会社 | Ｍｍｉｃ集積回路モジュール |
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