JPH04323901A - 高周波処理装置 - Google Patents
高周波処理装置Info
- Publication number
- JPH04323901A JPH04323901A JP3092489A JP9248991A JPH04323901A JP H04323901 A JPH04323901 A JP H04323901A JP 3092489 A JP3092489 A JP 3092489A JP 9248991 A JP9248991 A JP 9248991A JP H04323901 A JPH04323901 A JP H04323901A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- signal
- high frequency
- substrate
- trap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 11
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- YTCQFLFGFXZUSN-BAQGIRSFSA-N microline Chemical class OC12OC3(C)COC2(O)C(C(/Cl)=C/C)=CC(=O)C21C3C2 YTCQFLFGFXZUSN-BAQGIRSFSA-N 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
- H05K1/0243—Printed circuits associated with mounted high frequency components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/2007—Filtering devices for biasing networks or DC returns
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/162—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
- H05K2201/09781—Dummy conductors, i.e. not used for normal transport of current; Dummy electrodes of components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10166—Transistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波処理回路を高密度
に基板へ実装して構成される高周波処理装置に関する。
に基板へ実装して構成される高周波処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】衛星放送受信用ローノイズコンバータ等
の高周波増幅回路には増幅用トランジスタが用いられ、
この増幅用トランジスタと給電部とのアイソレーション
をとるためトラップ用パターンが基板に設けられる。
の高周波増幅回路には増幅用トランジスタが用いられ、
この増幅用トランジスタと給電部とのアイソレーション
をとるためトラップ用パターンが基板に設けられる。
【０００３】図６にはかかる従来の構成が示されている
。図６において、誘電体の基板１４の上面には複数の増
幅用トランジスタＴｒが配置され、この増幅用トランジ
スタＴｒのドレイン端子、ゲート端子が各信号用パター
ン１５にそれぞれ接続されている。
。図６において、誘電体の基板１４の上面には複数の増
幅用トランジスタＴｒが配置され、この増幅用トランジ
スタＴｒのドレイン端子、ゲート端子が各信号用パター
ン１５にそれぞれ接続されている。
【０００４】この各信号用パターン１５には増幅用トラ
ンジスタＴｒのドレイン端子、ゲート端子にバイアスを
加えるためにバイアス用ライン１７が接続され、このバ
イアス用ライン１７の他端側に図示しない給電部が接続
されている。
ンジスタＴｒのドレイン端子、ゲート端子にバイアスを
加えるためにバイアス用ライン１７が接続され、このバ
イアス用ライン１７の他端側に図示しない給電部が接続
されている。
【０００５】この各バイアス用ライン１７には各信号用
パターン１５に対して高周波信号周期数のλ／４（λは
信号波長）の位置にトラップ用パターン１９がそれぞれ
接続されている。
パターン１５に対して高周波信号周期数のλ／４（λは
信号波長）の位置にトラップ用パターン１９がそれぞれ
接続されている。
【０００６】シールドケース２０は前記増幅用トランジ
スタＴｒを被い、この下端面は基板１４のアース用パタ
ーン１６に接触している。又、シールドケース２０の下
端には複数の孔２２が形成され、この各孔２２によって
各バイアス用ライン１７とシールドケース２０が接触し
ないよう構成されている。
スタＴｒを被い、この下端面は基板１４のアース用パタ
ーン１６に接触している。又、シールドケース２０の下
端には複数の孔２２が形成され、この各孔２２によって
各バイアス用ライン１７とシールドケース２０が接触し
ないよう構成されている。
【０００７】上記構成において、バイアス電圧がバイア
ス用ライン１７を介して信号用パターン１５に導かれ、
このバイアス用ライン１７はハイインピーダンスでかつ
増幅すべき信号周波数のλ／４の位置でショートとなる
ため信号にノイズが乗ることを防止できる。
ス用ライン１７を介して信号用パターン１５に導かれ、
このバイアス用ライン１７はハイインピーダンスでかつ
増幅すべき信号周波数のλ／４の位置でショートとなる
ため信号にノイズが乗ることを防止できる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】一方、近年使用される
基板１４の誘電率が高くなってきており、これに伴って
基板１４上の配線パターンを高密度化でき基板１４の小
型化が可能である。
基板１４の誘電率が高くなってきており、これに伴って
基板１４上の配線パターンを高密度化でき基板１４の小
型化が可能である。
【０００９】ところが、トラップ用パターン１９は信号
用パターン１５に対してλ／４の位置に設けなければな
らないという制約があるため、配線パターンの配置設計
の自由度が制限され高密度化の支障になっていた。
用パターン１５に対してλ／４の位置に設けなければな
らないという制約があるため、配線パターンの配置設計
の自由度が制限され高密度化の支障になっていた。
【００１０】そこで、本発明はトラップ用パターンの基
板配置上の制限がなく高密度化に供する高周波処理装置
を提供することを課題とする。
板配置上の制限がなく高密度化に供する高周波処理装置
を提供することを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するため
の本発明に係る高周波処理装置は、誘電体の基板の一方
面に信号用パターンを設け、この信号用パターンに接続
される伝送用パターンをスルーホールを介して前記基板
の他方面に導き、この他方面の前記伝送用パターンの前
記信号用パターンに対し高周波信号周期数のλ／４奇数
倍の位置にトラップ用パターンを接続し、このトラップ
用パターンの対称位置である前記基板の一方面にはアー
ス用パターンを設けたものである。
の本発明に係る高周波処理装置は、誘電体の基板の一方
面に信号用パターンを設け、この信号用パターンに接続
される伝送用パターンをスルーホールを介して前記基板
の他方面に導き、この他方面の前記伝送用パターンの前
記信号用パターンに対し高周波信号周期数のλ／４奇数
倍の位置にトラップ用パターンを接続し、このトラップ
用パターンの対称位置である前記基板の一方面にはアー
ス用パターンを設けたものである。
【００１２】
【作用】トラップ用パターンは信号用パターンの裏面側
に設け、トラップ用パターンの表面側にはアース用パタ
ーンを配置し、このアース用パターンは基板のいたる所
に配置されるパターンであるため配線パターンの配置設
計の自由度が増す。
に設け、トラップ用パターンの表面側にはアース用パタ
ーンを配置し、このアース用パターンは基板のいたる所
に配置されるパターンであるため配線パターンの配置設
計の自由度が増す。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。図１乃至図５には本発明を衛星放送受信装置に適用
した場合が示されている。
る。図１乃至図５には本発明を衛星放送受信装置に適用
した場合が示されている。
【００１４】図４には衛星放送受信装置のローノイズコ
ンバータの回路ブロック図が示されている。図４におい
て、プローブ１より入力した高周波信号は５０Ωの特性
線路２を介して高周波増幅部３に導かれており、高周波
増幅部３は３段の高周波アンプＡ１〜Ａ３から成る。こ
の各高周波アンプＡ１〜Ａ３にそれぞれ本発明が適用さ
れ、詳しい構成は１つの高周波アンプＡ１に例をとって
後述する。
ンバータの回路ブロック図が示されている。図４におい
て、プローブ１より入力した高周波信号は５０Ωの特性
線路２を介して高周波増幅部３に導かれており、高周波
増幅部３は３段の高周波アンプＡ１〜Ａ３から成る。こ
の各高周波アンプＡ１〜Ａ３にそれぞれ本発明が適用さ
れ、詳しい構成は１つの高周波アンプＡ１に例をとって
後述する。
【００１５】高周波増幅部３の出力はバンドパスフィル
タ４を介してミキサ５に導かれている。ミキサ５にはロ
ーカル発振器６のローカル信号が入力され、ここで高周
波信号が中間周波信号に変換される。
タ４を介してミキサ５に導かれている。ミキサ５にはロ
ーカル発振器６のローカル信号が入力され、ここで高周
波信号が中間周波信号に変換される。
【００１６】この中間周波信号はローパスフィルタ７を
介して中間周波増幅部８に導かれており、中間周波増幅
部８は３段の中間周波アンプＡ４〜Ａ６から成る。中間
周波増幅部８の出力が図示しないＦＭ復調部に導かれて
いると共にチョーク９を介して電源回路１０に導かれ、
この電源回路１０が各回路に電源を供給している。
介して中間周波増幅部８に導かれており、中間周波増幅
部８は３段の中間周波アンプＡ４〜Ａ６から成る。中間
周波増幅部８の出力が図示しないＦＭ復調部に導かれて
いると共にチョーク９を介して電源回路１０に導かれ、
この電源回路１０が各回路に電源を供給している。
【００１７】図５には前記高周波アンプＡ１の回路図が
示されている。図５において、入力高周波信号は５０Ω
の特性線路２を介して電界効果トランジスタＱのゲート
端子に導かれ、このゲート端子にはバイアスライン１２
を介してマイナスバイアス電源が供給されている。
示されている。図５において、入力高周波信号は５０Ω
の特性線路２を介して電界効果トランジスタＱのゲート
端子に導かれ、このゲート端子にはバイアスライン１２
を介してマイナスバイアス電源が供給されている。
【００１８】電界効果トランジスタＱのドレイン端子は
５０Ωの特性線路２に接続され、この５０Ωの特性線路
２がコンデンサＣを介して次段側の５０Ωの特性線路２
へ接続されていると共にドレイン端子にはバイアスライ
ン１２を介してプラスバイアス電源が供給されている。 そして、ゲート端子側とドレイン端子側の各バイアスラ
イン１２には５０Ωの特性線路２に対して影響を与えな
いようトラップスタブ１３が接続されている。
５０Ωの特性線路２に接続され、この５０Ωの特性線路
２がコンデンサＣを介して次段側の５０Ωの特性線路２
へ接続されていると共にドレイン端子にはバイアスライ
ン１２を介してプラスバイアス電源が供給されている。 そして、ゲート端子側とドレイン端子側の各バイアスラ
イン１２には５０Ωの特性線路２に対して影響を与えな
いようトラップスタブ１３が接続されている。
【００１９】図１乃至図３には上記した高周波増幅アン
プＡ１の基板１４上の配置図が示されている。図１には
基板１４の上面側が、図２には基板１４の下面側がそれ
ぞれ示されている。図１及び図２において、基板１４は
高誘電体にて構成され、この基板１４の上面に電界効果
トランジスタＱが配置されている。
プＡ１の基板１４上の配置図が示されている。図１には
基板１４の上面側が、図２には基板１４の下面側がそれ
ぞれ示されている。図１及び図２において、基板１４は
高誘電体にて構成され、この基板１４の上面に電界効果
トランジスタＱが配置されている。
【００２０】電界効果トランジスタＱのゲート端子及び
ドレイン端子はそれぞれ５０Ωの特性線路２を構成する
信号用パターン１５に接続され、又、ソース端子はアー
ス用パターン１６に接続されている。各信号用パターン
１５にはバイアスライン１２を構成するバイアス用パタ
ーン１７が接続されている。
ドレイン端子はそれぞれ５０Ωの特性線路２を構成する
信号用パターン１５に接続され、又、ソース端子はアー
ス用パターン１６に接続されている。各信号用パターン
１５にはバイアスライン１２を構成するバイアス用パタ
ーン１７が接続されている。
【００２１】このバイアス用パターン１７は図３に詳し
く示すように、基板１４の上面よりスルーホール１８を
介して基板１４の下面へ延び、再びスルーホール１８を
介して基板１４の上面へ戻るよう構成されている。この
各バイアス用パターン１７には基板１４の下面側で、且
つ、信号用パターン１５に対し高周波信号周期数のλ／
４の位置でトラップスタブ１３を構成するトラップ用パ
ターン１９がそれぞれ接続されている。
く示すように、基板１４の上面よりスルーホール１８を
介して基板１４の下面へ延び、再びスルーホール１８を
介して基板１４の上面へ戻るよう構成されている。この
各バイアス用パターン１７には基板１４の下面側で、且
つ、信号用パターン１５に対し高周波信号周期数のλ／
４の位置でトラップスタブ１３を構成するトラップ用パ
ターン１９がそれぞれ接続されている。
【００２２】前記アース用パターン１６は各トラップ用
パターン１９の上方を横切るよう配置され、各トラップ
用パターン１９はマイクロラインストリップの形態をと
っている。
パターン１９の上方を横切るよう配置され、各トラップ
用パターン１９はマイクロラインストリップの形態をと
っている。
【００２３】シールドケース２０は高周波増幅部３を構
成する前記電界効果トランジスタＱ等を被い、その下端
面の略全周がアース用パターン１６に接触している。
成する前記電界効果トランジスタＱ等を被い、その下端
面の略全周がアース用パターン１６に接触している。
【００２４】上記構成において、バイアス用パターン１
７には信号用パターン１５のλ／４の位置にトラップ用
パターン１９を設けたので、バイアス信号が高周波信号
に対して影響を与えることがない。そして、トラップ用
パターン１９は基板１４の下面側で上面側にはいたる所
に配置されるアース用パターン１６を配置すればよいた
め基板１４の上面側の配線パターンの設計自由度が増し
、高密度化に供する。
７には信号用パターン１５のλ／４の位置にトラップ用
パターン１９を設けたので、バイアス信号が高周波信号
に対して影響を与えることがない。そして、トラップ用
パターン１９は基板１４の下面側で上面側にはいたる所
に配置されるアース用パターン１６を配置すればよいた
め基板１４の上面側の配線パターンの設計自由度が増し
、高密度化に供する。
【００２５】また、従来ではシールドケース２０には孔
２２を設けてシールドケース２０とバイアス用パターン
１７が接触しないよう構成したため孔２２よりローカル
信号等が侵入して性能の劣化の原因になっていた。しか
し、本実施例によれば孔を設ける必要がなく外部としゃ
断できるためローカルリーク抑圧度、イメージ防害特性
の向上になる。又、シールドケース２０の構造も簡単に
なり生産性も向上する。
２２を設けてシールドケース２０とバイアス用パターン
１７が接触しないよう構成したため孔２２よりローカル
信号等が侵入して性能の劣化の原因になっていた。しか
し、本実施例によれば孔を設ける必要がなく外部としゃ
断できるためローカルリーク抑圧度、イメージ防害特性
の向上になる。又、シールドケース２０の構造も簡単に
なり生産性も向上する。
【００２６】さらに、トラップ用パターン１９を図３に
示す如く金属部材２１で被うことが可能であり、このよ
うにすることによって外部としゃ断でき外乱に対して強
くなる。
示す如く金属部材２１で被うことが可能であり、このよ
うにすることによって外部としゃ断でき外乱に対して強
くなる。
【００２７】尚、この実施例では高周波増幅アンプ３に
適用した場合を示したが、本発明は高周波を処理する装
置であれば適用できる。又、この実施例ではトラップ用
パターン１９は信号用パターン１５よりλ／４の位置に
配置したが、λ／４の奇数倍の位置であればよい。
適用した場合を示したが、本発明は高周波を処理する装
置であれば適用できる。又、この実施例ではトラップ用
パターン１９は信号用パターン１５よりλ／４の位置に
配置したが、λ／４の奇数倍の位置であればよい。
【００２８】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、基板
の一方面に信号用パターンを設け、この信号用パターン
に接続する伝送用パターンをスルーホールを介して基板
の他方面に導き、この他方面の伝送用パターン位置で、
且つ、前記信号用パターンに対し高周波信号周波数のλ
／４奇数倍の位置にトラップ用パターンを接続し、この
トラップ用パターンの基板の一方面にはアース用パター
ンを配置したので、基板の配線パターンの設計自由度が
増すため基板の高密度化になり高誘電体の基板を用いて
小型化に供するという効果を奏する。
の一方面に信号用パターンを設け、この信号用パターン
に接続する伝送用パターンをスルーホールを介して基板
の他方面に導き、この他方面の伝送用パターン位置で、
且つ、前記信号用パターンに対し高周波信号周波数のλ
／４奇数倍の位置にトラップ用パターンを接続し、この
トラップ用パターンの基板の一方面にはアース用パター
ンを配置したので、基板の配線パターンの設計自由度が
増すため基板の高密度化になり高誘電体の基板を用いて
小型化に供するという効果を奏する。
【図１】基板の上面側の配置を示す図（実施例）。
【図２】基板の下面側の配置を示す図（実施例）。
【図３】図１のＡ−Ａ線断面図（実施例）。
【図４】衛星放送受信装置のローノイズコンバータの回
路ブロック図（実施例）。
路ブロック図（実施例）。
【図５】高周波増幅アンプの回路図（実施例）。
【図６】基板の上面側を示す斜視図（従来例）。
１４…基板、１５…信号用パターン、１６…アース用パ
ターン、１７…バイアス用パターン（伝送用パターン）
、１８…スルーホール、１９…トラップ用パターン。
ターン、１７…バイアス用パターン（伝送用パターン）
、１８…スルーホール、１９…トラップ用パターン。
Claims (1)
- 【請求項１】 誘電体の基板の一方面に信号用パター
ンを設け、この信号用パターンに接続される伝送用パタ
ーンをスルーホールを介して前記基板の他方面に導き、
この他方面の前記伝送用パターンの前記信号用パターン
に対し高周波信号周期数のλ／４奇数倍の位置にトラッ
プ用パターンを接続し、このトラップ用パターンの対称
位置である前記基板の一方面にはアース用パターンを設
けたことを特徴とする高周波処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09248991A JP3160929B2 (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | 高周波処理装置 |
| US07/868,242 US5248950A (en) | 1991-04-24 | 1992-04-14 | High frequency signal processing apparatus with biasing arrangement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09248991A JP3160929B2 (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | 高周波処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04323901A true JPH04323901A (ja) | 1992-11-13 |
| JP3160929B2 JP3160929B2 (ja) | 2001-04-25 |
Family
ID=14055715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09248991A Expired - Lifetime JP3160929B2 (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | 高周波処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5248950A (ja) |
| JP (1) | JP3160929B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001053508A (ja) * | 1999-08-17 | 2001-02-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 高周波回路部品の実装構造 |
| JP2010056509A (ja) * | 2008-07-29 | 2010-03-11 | Kyocera Corp | 配線基板および半導体素子収納用パッケージならびに半導体装置 |
| JP2010200263A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | アンテナ装置 |
| US9219299B2 (en) | 2012-08-27 | 2015-12-22 | Nec Tokin Corporation | Resonator, multilayer board and electronic device |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1236240A1 (en) * | 1999-11-04 | 2002-09-04 | Paratek Microwave, Inc. | Microstrip tunable filters tuned by dielectric varactors |
| DE102010035453A1 (de) * | 2010-08-26 | 2012-03-01 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Mehrebenenleiterplatte für Hochfrequenz-Anwendungen |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1105574A (en) * | 1978-08-31 | 1981-07-21 | William D. Cornish | Broadband microwave frequency divider for division by numbers greater than two |
| FR2445036A1 (fr) * | 1978-12-22 | 1980-07-18 | Thomson Csf | Dephaseur hyperfrequence a diodes et antenne a balayage electronique comportant un tel dephaseur |
| US4801905A (en) * | 1987-04-23 | 1989-01-31 | Hewlett-Packard Company | Microstrip shielding system |
-
1991
- 1991-04-24 JP JP09248991A patent/JP3160929B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-04-14 US US07/868,242 patent/US5248950A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001053508A (ja) * | 1999-08-17 | 2001-02-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 高周波回路部品の実装構造 |
| JP2010056509A (ja) * | 2008-07-29 | 2010-03-11 | Kyocera Corp | 配線基板および半導体素子収納用パッケージならびに半導体装置 |
| JP2010200263A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | アンテナ装置 |
| US9219299B2 (en) | 2012-08-27 | 2015-12-22 | Nec Tokin Corporation | Resonator, multilayer board and electronic device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5248950A (en) | 1993-09-28 |
| JP3160929B2 (ja) | 2001-04-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR980007594A (ko) | 튜너의 구조체 및 이를 사용한 케이블 모뎀 튜너 | |
| US4504796A (en) | Microwave circuit apparatus | |
| US4691376A (en) | Frequency converter | |
| JPH04323901A (ja) | 高周波処理装置 | |
| US4267528A (en) | Radio frequency interference suppression apparatus | |
| US3368150A (en) | Construction for radios and the like | |
| US4491809A (en) | Matching circuit for a pre-amplifier of SHF band television signal receiver | |
| JPH09289421A (ja) | 高周波用電力増幅器 | |
| US6456832B1 (en) | Antenna circuit | |
| US4267604A (en) | UHF electronic tuner | |
| US6459339B1 (en) | High-frequency circuit | |
| JPS6121880Y2 (ja) | ||
| US6944431B2 (en) | High-frequency signal transmission apparatus and electronic tuner using the same | |
| JPH0451520Y2 (ja) | ||
| JPH0110957Y2 (ja) | ||
| JPH054342Y2 (ja) | ||
| JPH07297670A (ja) | 高周波回路基板 | |
| JPH0738827A (ja) | Ｉｆ基板一体型チューナの構造 | |
| JPH09283874A (ja) | Ｓａｗフィルタの実装構造 | |
| JPH0525277Y2 (ja) | ||
| JP2814247B2 (ja) | 高周波増幅装置 | |
| JPS5834811Y2 (ja) | Ｕｈｆ−ｖｈｆ組合せチュ−ナ | |
| JP2814248B2 (ja) | 高周波増幅装置 | |
| JPH0786803A (ja) | ロ−パスフィルタ | |
| JPH098491A (ja) | 受信装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080223 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090223 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100223 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100223 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110223 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120223 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120223 Year of fee payment: 11 |