JP2814247B2 - 高周波増幅装置 - Google Patents

高周波増幅装置

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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、テレビジョン受信機の高周波増幅装置に関
するものである。
(従来の技術) 近年、高周波増幅装置は、ニューメディアの発達に伴
い、従来以上の性能が要求されている。
以下、第2図を参照しながら、上述した従来の高周波
増幅装置の1例について説明する。
第2図は、従来の高周波増幅装置を示すものである。
第2図において、21,22,23,24は同調コイル、25はスイ
ッチダイオード、26,27,28,29,210,220は結合容量、211
は可変容量ダイオード、212,213,214,215,216,219は抵
抗、217はチョークコイル、218はFETトランジスタを示
し、2Aは入力端子、2Bは出力端子、2Cはスイッチ電圧端
子、2Dは電源端子、2Eは同調電位端子、2Fは利得制御端
子を示すものである。
以上のように構成された高周波増幅装置について以下
その動作について説明する。
まず、入力信号(VHF帯域)は、端子2Aより、入力さ
れる。端子2AにVHFのローチャンネル(90〜150MHz程
度)の信号が入力されて、端子2Cが負電位になり、スイ
ッチダイオード25は、非導通となり、同調コイル(21+
22)と同調コイル(23,24)の比により昇圧されて結合
容量27を介して可変容量ダイオード211に供給される。
可変容量ダイオード211には、端子2Eより逆バイアス電
位が与えられ、この逆バイアス容量と前記同調コイル2
1,22,23,24により単同調回路が、構成される。端子2Cが
高電位(12V)のときには、スイッチダイオード25は導
通となり、同調コイルは(21+24)になり、VHFのハイ
バンド(150MHz〜220MHz)を受信するようにされてい
る。このように通過したVHF帯域の高い周波数は、結合
容量28を介してFETトランジスタ218の第1ゲートに供給
される。第1ゲートにはソースより、抵抗214と215の分
割電位が抵抗213を介して与えられている。また、ドレ
インには端子2Dよりチョークコイル217を介して電源電
位(+12V程度)が与えられている。さらに、ドレイン
と第1ゲート間には抵抗216と容量29からなる帰還回路
と挿入し、出力段に同調回路がなくとも高利得(15〜20
db)が得られるようになっている。第2ゲートには端子
2Fより利得制御用電位が与えられている。FETトランジ
スタ218の出力は結合容量210を介して端子2Bより次段に
供給される。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら上記の構成では、チャンネル1(91.25M
Hz)からチャンネル3(103.25MHz)の信号を受信した
ときに、受信周波数の2倍の周波数の妨害信号がある場
合に、妨害信号と所望信号の差の周波数が所望信号の周
波数と一致する2次歪の妨害を発生させることになり、
さらに、チャンネル6(181.25MHz)からチャンネル11
(211.25MHz)の信号を受信したときに受信周波数の1/2
の周波数のある場合に、妨害信号の2倍の周波数が所望
信号の周波数と一致する2次歪を発生させる。特に妨害
信号のレベルが所望信号よりも20db以上も大きな地域で
画面上にビートが発生するという課題があった。
本発明は上記課題に鑑み、下側チャンネル(例えば前
記チャンネル1〜3)の受信時に上側チャンネル(例え
ば前記チャンネル6〜11)の妨害を軽減し、また上側チ
ャンネルの受信時に下側チャンネルの妨害を軽減する高
周波増幅装置を提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段) 本発明は、上記目的を達成するために、信号入力部
を、第1の結合容量と第1の可変容量ダイオードと第1
の同調コイルとにより構成される直列共振回路、および
この直列共振回路に設けられた第1のスイッチダイオー
ドを介して接地し、さらに第2の可変容量ダイオードと
第2の結合容量からなる直列容量と第2の同調コイルと
により構成される並列共振回路、およびこの並列共振回
路に設けられた第2のスイッチダイオードを介して高周
波増幅器に接続するとともに、VHF帯の下側チャンネル
を受信する時には前記第2のスイッチダイオードのみを
導通させ、またVHF帯の上側チャンネルを受信する時に
は前記第1のスイッチダイオードのみを導通させ、前記
第1の可変容量ダイオードおよび第2の可変容量ダイオ
ードには逆バイアス同調電位を与えるように構成する。
(作 用) 本発明は上記した構成によって、中心周波数が任意に
設定されるトラップによって、下側チャンネルと上側チ
ャンネルの受信時には、それぞれに対応する上側チャン
ネルと下側チャンネルの妨害信号を減衰させることによ
り、発生する2次歪を検知限以下に抑えることが可能に
なる。
(実施例) 以下、本発明の一実施例の高周波増幅装置について、
第1図を参照しながら説明する。第1図は本発明の実施
例における高周波増幅装置を示すものである。第1図に
おいて、11,111は同調コイル、12,19は可変容量ダイオ
ード、13,112は結合容量、14,110はスイッチダイオー
ド、15,16,113,114はバイアス抵抗を示すものである。1
7はチョークコイル、18は高周波増幅器、1Aは入力端
子、1Bは出力端子、1Cは同調電位端子、1Dはスイッチ電
圧端子、1Eは第2スイッチ電圧端子を示す。
以上のように構成された高周波増幅装置について、第
1図を用いてその動作を説明する。
入力信号は、端子1Aから供給され、チョークコイル17
で直流成分が接地される。この端子1Aには、スイッチダ
イオード110,可変容量ダイオード19,同調コイル111とで
直列共振回路を構成し、スイッチダイオード110は、端
子1Dより与えられる切換電位で開閉される。スイッチダ
イオード110が導通したときには、端子1Cより与えられ
る同調電位により与えられた可変容量ダイオード19の逆
バイアス容量と同調コイル111による直列共振回路が構
成される。このトラップ回路の中心周波数は同調電圧に
より可変することができる。この中心周波数はチャンネ
ル1〜3(90〜109MHz)になるように定数が選定され
る。
さらに端子1Aには、可変容量ダイオード12,結合容量1
3,スイッチダイオード14から構成される直列容量回路と
同調コイル11とにより構成される並列共振回路のトラッ
プが信号系の進行方向に挿入される。この場合トラップ
の中心周波数は、可変容量ダイオード12の逆バイアス容
量,結合容量13と同調コイル11とにより決まる。このト
ラップ回路は、チャンネル1〜3の受信時に受信周波数
の2倍のチャンネルの周波数を減衰させるように設定さ
れている。可変容量ダイオード12の逆バイアス電位は、
端子1Cより与えられ、スイッチ電位は端子1Eより与えら
れる。チャンネル6〜11を受信するときには、端子1Eが
低電位、端子1Dが高電位になり、チャンネル1〜3を受
信するときには端子1Eが高電位、端子1Dが低電位にな
る。
このトラップ回路の出力は、高周波増幅器18に供給さ
れ端子1Bより出力信号とされる。高周波増幅器としては
第2図の従来例で述べた形のものや、広帯域増幅器が用
いられる。
以上のように本実施例によれば、チャンネル1〜3を
受信するときは、受信周波数の2倍の周波数を減衰させ
るトラップ回路を、チャンネル6〜11を受信するときに
は受信周波数の1/2の周波数のトラップを挿入すること
により、2次歪を軽減し、検知限以下に抑えることがで
きる。
(発明の効果) 以上のように本発明は下側チャンネルの受信時に上側
チャンネルの妨害を軽減し、また上側チャンネルの受信
時に下側チャンネルの妨害を軽減するように、異なる周
波数のトラップを構成することができるため、それぞれ
に対応する上側チャンネルと下側チャンネルの妨害信号
を減衰させることができ、発生する2次歪を軽減できて
ビートを検知限以下のレベルに抑えられ、高品位の信号
を得ることができるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の実施例における高周波増幅装置の回
路図、第2図は、従来の高周波増幅装置の回路図であ
る。 11,111……同調コイル、12,19……可変容量ダイオー
ド、13,112……結合容量、14,110……スイッチダイオー
ド、15,16,113,114……バイアス抵抗、17……チョーク
コイル、18……高周波増幅器、1A……入力端子、1B……
出力端子、1C……同調電位端子、1D……スイッチ電圧端
子、1E……第2のスイッチ電圧端子。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】信号入力部を、第1の結合容量と第1の可
    変容量ダイオードと第1の同調コイルとにより構成され
    る直列共振回路、およびこの直列共振回路に設けられた
    第1のスイッチダイオードを介して接地し、さらに第2
    の可変容量ダイオードと第2の結合容量からなる直列容
    量と第2の同調コイルとにより構成される並列共振回
    路、およびこの並列共振回路に設けられた第2のスイッ
    チダイオードを介して高周波増幅器に接続するととも
    に、VHF帯の下側チャンネルを受信する時には前記第2
    のスイッチダイオードのみを導通させ、またVHF帯の上
    側チャンネルを受信する時には前記第1のスイッチダイ
    オードのみを導通させ、前記第1の可変容量ダイオード
    および第2の可変容量ダイオードには逆バイアス同調電
    位を与えるように構成したことを特徴とする高周波増幅
    装置。
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