JPS61242101A - 厚膜混成集積回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野Ｊ 本発明は厚膜混成集積回路に関するものであシ、特に、
誘電体基板の両面を導体ではさんで構成した、いわゆる
、マイクロストリップラインによる共振器（以下、マイ
クロストリップ共振器と呼ぶ）を含む高周波発振回路を
実現するのに好適な厚膜混成集積回路に関するものであ
る。

〔発明の背景」 従来、この種のマイクロストリップ共振器を用いて発振
回路を構成することは、ＵＨＦ帯付近の発振回路で広く
知られている。

＾空中における光速を００、周波数ｔ−ｆ、上記誘電体
基板の比誘電″４をｉｔとすると、誘電体基板内を進行
する電磁波の波長λは λ８＝４　　・・・・・・・・・・・・（１）Ｊｑｒ で近似される。

発振回路としては、共振器の長さをλｇ／４またはλｇ
／２で構成するのが一般的な設計方法であるが、いずれ
の場合でも同一周波数では、誘電率１゜が大きいほどλ
８が小さくなる。従って、短め共振器ですむことになり
、回路の小形化が実現できる。

このようなマイクロストリップ共振器を作るのに適した
誘ＩＳｃ率の高い基板ｃ以下、高誘電率基板と呼ぶ）は
現在、比誘電率ｔｒ＝５８程度のものが市場に出ている
が、基板の特性として、マイクロ波帯における損失が少
なく、かつ良好な温度特性を要求されるため、現状では
非常に高価である。

高誘電率基板を使って発振回路を小形化する方法として
、例えば実開昭５５−１０９９０７号公報に記載のよう
に、発振回路全体を高誘電率基板の上に形成するものが
知られているが、との方法は上述のよう〈非常に高価な
高誘電率基板を大面積にわたって使用するため、発振回
路が高価なものになってしまうという問題があった。

〔発明の目的Ｊ 本発明は前述の欠点を除去するためになされたものであ
シ、その目的は小形で安価な高周波発振回路を実現する
に好適な厚膜混成集積回路を提供することにある。

〔発明の概要） 前記の目的を達成するために、本発明は、比誘電率ε、
、≧３８の高誘電率の基板を用いてマイクロストリップ
共振器を構成すると、前記（１）式から明らかなように
、比誘電率ε、’：：９．６の低誘電率のアルミナ基板
を使用する場合に比べて、約半分の長さとすることがで
きること、アルミナ基板を使用した部分はコンデンサ、
トランジスタなどの回路部品の大きさによシ制限を受け
るため、高誘電率の基板を用いても大幅な小形化が難か
しいこと、ｌｃ鑑ミ、マイクロストリップラインによる
共振器を形成する部分の基板のみ高誘電率の基板を用い
、他の部分は安価な低誘電率の基板を用いることによシ
、小形かつ安価なＮ膜混成集積回路を得る点に特徴があ
る。

〔発明の実施例」 以下に、図面を参照して、本発明の詳細な説明する。第
１図は本発明の一実施例による厚膜混成集積回路の平面
図、第２図は第１図におけるＡ−Ａ′線に沿う断面図、
第３図は第１図の厚膜混成集積回路の等価回路図であシ
、これは高周波発振回路でよく用いられるクラップ発振
回路である。なお、第１〜３図において、同一符号は同
−物又は同等物を示す。

高誘電率基板２には、その両面にスクリーン印刷によシ
導体４１．４２を形成し、マイクロストリップ共振器１
０を構成している。

アルミナ基板５には、その両面にスクリーン印刷によシ
導体４，４５および４４を形成し、半田８！’ｌ：、り
、トランジスタ５０、コンデンサ５１〜５６、チップ抵
抗５７〜５９および外部リード７１〜７３を取付けであ
る。

上記高誘電率基板２とアルミナ基板３は、半田８′で金
属のシールドケース内の１面としての底板１に固定され
、相互の電気的な接続は、金属片６と半田８によりなさ
れている。

Ｉた、全体の回路は第２図に示されているように、金属
のシールドケースの上面９で被われている。バイアスラ
イン１１（Ｍ３図参照）は上面の導体４３（第１図参照
）と裏面の導体４４（第２図参照）で構成されている。

なお、表側の導体４５〜４７はスルーホール（図示せず
）によシ、裏側導体４４と接続されている。

また、第２図における半田８′、シールドケース上面９
は、第１図では図示を省略しである。この厚膜混成集積
回路は、外部リード７２をアースとし、外部リード７３
を電源に接続し、外部リード７１から発振出力を取出す
。

本実施例においては、７１クロストリツプ共振器１０は
比誘電率ε、、ユ５８の誘電体基板２を用いて構成して
いるので、アルミナ基板（ε１Σ９．６）を使用する場
合と比較すると、約半分の長さにすることができる。こ
の理由は前記（１）式から明らかであろう。

一方、アルミナ基板３を便用した部分は、部品５０〜５
９の大きさによル制限を受ける九め、高誘電率基板を用
いても大幅な小形化は難しい。そこで、本実施例では、
該部分に、高誘′ＩＩ＆率基板七くらべると非常に安価
なアルミナ基板を用いているので、回路全体として安価
な厚膜混成集＃を回路を提供することができる。

〔発明の効果） 以上のように本発明によれば、マイクロストリップ共振
器の部分にのみ高誘電率基板を用い、他の部分には安価
な基板を用いているので、従来の、回路全体を高誘電率
基板上に形成する場合と同程度の大きさを保ちながら、
低価格な発振回路を実現するに好適な厚膜混成集積回路
を得ることができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の厚膜混成集積回路の平面図、Ｍ２図は
第１図のＡ−Ａ’線断面図、第３図は第１図の寺価回路
図である。 １・・・シールドケース内の一面としての底板、２・・
・高誘［軍の基板、 ３・・・低ａｆｌ″４のアルミナ基板 １０・・・マイクロストリップ共振器 ４（４１〜４５も含む）・・・導体 ５０・・・トランジスタ、５１〜５６・・・コンデンサ
５７〜５９・・・チップ抵抗。 代理人弁理士小　川　勝　男（８５，２１，パ第　１１
￥１ 八′ １２　図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）誘電率の異なる２枚以上の基板をシールドケース
   内の一面に取付け、その高誘電率の基板にマイクロスト
   リップラインによる共振器を形成し、他の低誘電率の基
   板上に回路パターンを形成し、該回路パターンに回路部
   品を取付けたことを特徴とする厚膜混成集積回路。
2. （２）シールドケースが金属製である前記特許請求の範
   囲第（１）項記載の厚膜混成集積回路。
3. （３）回路部品がコンデンサ、トランジスタなどである
   前記特許請求の範囲第（１）項記載の厚膜混成集積回路
   。