JPH05226951A - 内部整合回路 - Google Patents
内部整合回路Info
- Publication number
- JPH05226951A JPH05226951A JP9247A JP4792A JPH05226951A JP H05226951 A JPH05226951 A JP H05226951A JP 9247 A JP9247 A JP 9247A JP 4792 A JP4792 A JP 4792A JP H05226951 A JPH05226951 A JP H05226951A
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- matching circuit
- internal matching
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高周波用トランジスタの内部整合回路の実装面
積を縮小する。 【構成】コンデンサ部１に２倍波抑圧回路のオープンス
タブを形成する導体パターン１２Ａ〜１２Ｃを備える。
積を縮小する。 【構成】コンデンサ部１に２倍波抑圧回路のオープンス
タブを形成する導体パターン１２Ａ〜１２Ｃを備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は内部整合回路に関し、特
に内部整合型の高周波トランジスタの内部整合回路に関
する。
に内部整合型の高周波トランジスタの内部整合回路に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の内部整合回路は、図２に示すよう
に、出力電極３１Ａ〜３１Ｄを有するトランジスタチッ
プ３と、酸化チタン等の高誘電率誘電体基板の裏面の接
地電極と表面の導体パターン４１Ａ，４１Ｂによりそれ
ぞれ形成されるコンデンサを有するコンデンサ部４と、
アルミナ等の誘電体基板に導体パターン５１により形成
され外部回路に対する出力リードＴＯに接続するマイク
ロストリップ線路と導体パターン５２Ａ，５２Ｂにより
それぞれ形成されるオープンスタブとを有するマイクロ
ストリップ線路部５と、トランジスタチップ３の出力電
極３１Ａ〜３１Ｄとコンデンサ部４の導体パターン４１
Ａ，４１Ｂとを接続する金属細線６Ａ〜６Ｄと、出力電
極３１Ａ〜３１Ｄとマイクロストリップ線路部５の導体
パターン５２Ａ，５２Ｂとを接続する金属細線９Ａ〜９
Ｄとを備えて構成されていた。
に、出力電極３１Ａ〜３１Ｄを有するトランジスタチッ
プ３と、酸化チタン等の高誘電率誘電体基板の裏面の接
地電極と表面の導体パターン４１Ａ，４１Ｂによりそれ
ぞれ形成されるコンデンサを有するコンデンサ部４と、
アルミナ等の誘電体基板に導体パターン５１により形成
され外部回路に対する出力リードＴＯに接続するマイク
ロストリップ線路と導体パターン５２Ａ，５２Ｂにより
それぞれ形成されるオープンスタブとを有するマイクロ
ストリップ線路部５と、トランジスタチップ３の出力電
極３１Ａ〜３１Ｄとコンデンサ部４の導体パターン４１
Ａ，４１Ｂとを接続する金属細線６Ａ〜６Ｄと、出力電
極３１Ａ〜３１Ｄとマイクロストリップ線路部５の導体
パターン５２Ａ，５２Ｂとを接続する金属細線９Ａ〜９
Ｄとを備えて構成されていた。
【０００３】次に、従来の内部整合回路の動作について
説明する。
説明する。
【０００４】コンデンサ部４と、マイクロストリップ線
路部５と、金属細線６Ａ〜６Ｄ，９Ａ〜９Ｄとは、この
トランジスタの使用周波数に対する内部整合回路を構成
している。すなわち、この内部整合回路は、トランジス
タチップ３の出力電極３１Ａ〜３１Ｄと出力リードＴＯ
との間で、出力電極のインピーダンスと出力リードＴＯ
から見た外部回路のインピーダンスとの整合がとれるよ
うにインピーダンス変換を行なうものである。
路部５と、金属細線６Ａ〜６Ｄ，９Ａ〜９Ｄとは、この
トランジスタの使用周波数に対する内部整合回路を構成
している。すなわち、この内部整合回路は、トランジス
タチップ３の出力電極３１Ａ〜３１Ｄと出力リードＴＯ
との間で、出力電極のインピーダンスと出力リードＴＯ
から見た外部回路のインピーダンスとの整合がとれるよ
うにインピーダンス変換を行なうものである。
【０００５】さらに、導体パターン５２Ａ，５２Ｂによ
り形成されるオープンスタブは、実装状態における等価
電気長が使用周波数の２倍の周波数である２倍波の１／
４波長となるような長さを有している。この、導体パタ
ーン５２Ａ，５２Ｂにより形成されるオープンスタブを
出力電極３１Ａ〜３１Ｄに金属細線９Ａ〜９Ｄにより接
続することにより、２倍波の信号に対して、この出力電
極３１Ａ〜３１Ｄから見て低インピーダンスとなる２倍
波抑圧回路としている。このようにして２倍波を抑圧す
ることにより、Ｆ級動作を実現し高効率化を図っている
というものであった。
り形成されるオープンスタブは、実装状態における等価
電気長が使用周波数の２倍の周波数である２倍波の１／
４波長となるような長さを有している。この、導体パタ
ーン５２Ａ，５２Ｂにより形成されるオープンスタブを
出力電極３１Ａ〜３１Ｄに金属細線９Ａ〜９Ｄにより接
続することにより、２倍波の信号に対して、この出力電
極３１Ａ〜３１Ｄから見て低インピーダンスとなる２倍
波抑圧回路としている。このようにして２倍波を抑圧す
ることにより、Ｆ級動作を実現し高効率化を図っている
というものであった。
【０００６】一般に、マイクロストリップ線路部５の誘
電体基板は、高周波特性を重視するため比誘電率が１０
程度のアルミナ等を用いて構成される。一方、コンデン
サ部４は、小面積で所要の容量を確保するため、比誘電
率が１００程度以上とアルミナ等よりはるかに大きい酸
化チタン等の高誘電率誘電体を用いて構成される。
電体基板は、高周波特性を重視するため比誘電率が１０
程度のアルミナ等を用いて構成される。一方、コンデン
サ部４は、小面積で所要の容量を確保するため、比誘電
率が１００程度以上とアルミナ等よりはるかに大きい酸
化チタン等の高誘電率誘電体を用いて構成される。
【０００７】ここで、マイクロストリップ線路部５の誘
電体基板の比誘電率を１０とし、使用周波数を１ＧＨｚ
とすると、等価電気長が２倍波、すなわち、２ＧＨｚで
の１／４波長に相当するオープンスタブの物理長は、１
１．８５ｍｍとなる。したがって、２倍波抑圧回路のオ
ープンスタブを形成する導体パターン５２Ａ，５２Ｂの
長さは１０ｍｍ前後となるというものであった。
電体基板の比誘電率を１０とし、使用周波数を１ＧＨｚ
とすると、等価電気長が２倍波、すなわち、２ＧＨｚで
の１／４波長に相当するオープンスタブの物理長は、１
１．８５ｍｍとなる。したがって、２倍波抑圧回路のオ
ープンスタブを形成する導体パターン５２Ａ，５２Ｂの
長さは１０ｍｍ前後となるというものであった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の内部整
合回路は、比誘電率が１０程度の誘電体基板で構成され
たマイクロストリップ線路部に、２倍波抑圧回路のオー
プンスタブを形成していたためその長さが大きくなり、
したがって、これを収容するマイクロストリップ線路部
の実装面積が大きくなるためパッケージも大型化になる
という欠点があった。
合回路は、比誘電率が１０程度の誘電体基板で構成され
たマイクロストリップ線路部に、２倍波抑圧回路のオー
プンスタブを形成していたためその長さが大きくなり、
したがって、これを収容するマイクロストリップ線路部
の実装面積が大きくなるためパッケージも大型化になる
という欠点があった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の内部整合回路
は、パッケージの内部において第一の比誘電率の第一の
誘電体基板に形成され外部回路に対する出力リードに接
続するマイクロストリップ線路と、前記マイクロストリ
ップ線路と前記トランジスタチップの信号電極に接続し
前記第一の誘電率より高い第二の比誘電率の第二の誘電
体基板の表面に形成した第一の導体パターンを電極とす
るコンデンサを有するコンデンサ部とを備える内部整合
回路において、前記コンデンサ部は前記表面に前記信号
電極に接続され等価電気長が使用周波数の２倍の周波数
のである２倍波の１／４波長よりやや短かいオープンス
タブを形成する第二の導体パターンを備えて構成されて
いる。
は、パッケージの内部において第一の比誘電率の第一の
誘電体基板に形成され外部回路に対する出力リードに接
続するマイクロストリップ線路と、前記マイクロストリ
ップ線路と前記トランジスタチップの信号電極に接続し
前記第一の誘電率より高い第二の比誘電率の第二の誘電
体基板の表面に形成した第一の導体パターンを電極とす
るコンデンサを有するコンデンサ部とを備える内部整合
回路において、前記コンデンサ部は前記表面に前記信号
電極に接続され等価電気長が使用周波数の２倍の周波数
のである２倍波の１／４波長よりやや短かいオープンス
タブを形成する第二の導体パターンを備えて構成されて
いる。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１１】図１は本発明の内部整合回路の一実施例を
示す模式平面図である。
示す模式平面図である。
【００１２】本実施例の内部整合回路は、図１に示すよ
うに、出力電極３１Ａ〜３１Ｄを有するトランジスタチ
ップ３と、酸化チタン等の高誘電率誘電体基板の裏面の
接地電極と表面の導体パターン１１Ａ，１１Ｂによりそ
れぞれ形成されたコンデンサとともに導体パターン１２
Ａ，１２Ｂ，１２Ｃによりそれぞれ形成されたオープン
スタブとを有するコンデンサ部１と、アルミナ等の誘電
体基板に導体パターン２１により形成された外部回路に
対する出力リードＴＯに接続するマイクロストリップ線
路を有するマイクロストリップ線路部２と、トランジス
タチップ３の出力電極３１Ａ〜３１Ｄとコンデンサ部１
の導体パターン１１Ａ，１１Ｂとを接続する金属細線６
Ａ〜６Ｄと、出力電極３１Ａ〜３１Ｄとコンデンサ部１
の導体パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃとを接続する金
属細線７Ａ〜７Ｄと、コンデンサ部１の導体パターン１
１Ａ，１１Ｂとマイクロストリップ線路部２の導体パタ
ーン２１とを接続する金属細線８Ａ，８Ｂとを備えて構
成されている。
うに、出力電極３１Ａ〜３１Ｄを有するトランジスタチ
ップ３と、酸化チタン等の高誘電率誘電体基板の裏面の
接地電極と表面の導体パターン１１Ａ，１１Ｂによりそ
れぞれ形成されたコンデンサとともに導体パターン１２
Ａ，１２Ｂ，１２Ｃによりそれぞれ形成されたオープン
スタブとを有するコンデンサ部１と、アルミナ等の誘電
体基板に導体パターン２１により形成された外部回路に
対する出力リードＴＯに接続するマイクロストリップ線
路を有するマイクロストリップ線路部２と、トランジス
タチップ３の出力電極３１Ａ〜３１Ｄとコンデンサ部１
の導体パターン１１Ａ，１１Ｂとを接続する金属細線６
Ａ〜６Ｄと、出力電極３１Ａ〜３１Ｄとコンデンサ部１
の導体パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃとを接続する金
属細線７Ａ〜７Ｄと、コンデンサ部１の導体パターン１
１Ａ，１１Ｂとマイクロストリップ線路部２の導体パタ
ーン２１とを接続する金属細線８Ａ，８Ｂとを備えて構
成されている。
【００１３】次に、本実施例の動作について説明する。
【００１４】従来例と同様にコンデンサ部１の導体パタ
ーン１１Ａ，１１Ｂで形成されるコンデンサと、マイク
ロストリップ線路部２の導体パターン２１により形成さ
れるマイクロストリップ線路と、これらを接続する金属
細線６Ａ〜６Ｄ，８Ａ，８Ｂとは、このトランジスタの
使用周波数に対する内部整合回路を構成している。
ーン１１Ａ，１１Ｂで形成されるコンデンサと、マイク
ロストリップ線路部２の導体パターン２１により形成さ
れるマイクロストリップ線路と、これらを接続する金属
細線６Ａ〜６Ｄ，８Ａ，８Ｂとは、このトランジスタの
使用周波数に対する内部整合回路を構成している。
【００１５】２倍波抑圧回路のオープンスタブは、マイ
クロストリップ線路部２の誘電体基板に比しはるかに比
誘電率が大きいコンデンサ部２の誘電体基板上の導体パ
ターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃによりそれぞれ形成さ
れ、金属細線７Ａ〜７Ｄによりトランジスタチップ３の
出力電極３１Ａ〜３１Ｄに接続されている。
クロストリップ線路部２の誘電体基板に比しはるかに比
誘電率が大きいコンデンサ部２の誘電体基板上の導体パ
ターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃによりそれぞれ形成さ
れ、金属細線７Ａ〜７Ｄによりトランジスタチップ３の
出力電極３１Ａ〜３１Ｄに接続されている。
【００１６】従来例と同様に、使用周波数を１ＧＨｚと
し、コンデンサ部２の誘電体基板の比誘電率を１００と
すると、等価電気長が２倍波、すなわち、２ＧＨｚでの
１／４波長に相当するオープンスタブの物理長は、３．
７５ｍｍとなる。これを従来例のオープンスタブの物理
長の１１．８５ｍｍと比較すると約１／３に縮小できた
ことになる。
し、コンデンサ部２の誘電体基板の比誘電率を１００と
すると、等価電気長が２倍波、すなわち、２ＧＨｚでの
１／４波長に相当するオープンスタブの物理長は、３．
７５ｍｍとなる。これを従来例のオープンスタブの物理
長の１１．８５ｍｍと比較すると約１／３に縮小できた
ことになる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の内部整合
回路は、マイクロストリップ線路の誘電体基板に比しは
るかに比誘電率が大きい誘電体基板で構成したコンデン
サ部に２倍波抑圧回路のオープンスタブを形成する導体
パターンを備えることにより、同一等価電気長に対応す
るオープンスタブの物理長を大幅に短縮することができ
るので、実装面積を縮小でき、したがってパッケージを
小型化できるという効果がある。
回路は、マイクロストリップ線路の誘電体基板に比しは
るかに比誘電率が大きい誘電体基板で構成したコンデン
サ部に２倍波抑圧回路のオープンスタブを形成する導体
パターンを備えることにより、同一等価電気長に対応す
るオープンスタブの物理長を大幅に短縮することができ
るので、実装面積を縮小でき、したがってパッケージを
小型化できるという効果がある。
【図１】本発明の内部整合回路の一実施例を示す模式平
面図である。
面図である。
【図２】従来の内部整合回路の一例を示す模式平面図で
ある。
ある。
１，４ コンデンサ部 ２，５ マイクロストリップ線路部 ３ トランジスタチップ ６Ａ〜６Ｄ，７Ａ〜７Ｄ，８Ａ，８Ｂ，９Ａ〜９Ｄ
金属細線 １１Ａ，１１Ｂ，１２Ａ〜１２Ｃ，２１，４１Ａ，４１
Ｂ，５１，５２Ａ，５２Ｂ 導体パターン ３１Ａ〜３１Ｄ 出力電極
金属細線 １１Ａ，１１Ｂ，１２Ａ〜１２Ｃ，２１，４１Ａ，４１
Ｂ，５１，５２Ａ，５２Ｂ 導体パターン ３１Ａ〜３１Ｄ 出力電極
Claims (2)
- 【請求項１】 パッケージの内部において第一の比誘電
率の第一の誘電体基板に形成され外部回路に対する出力
リードに接続するマイクロストリップ線路と、前記マイ
クロストリップ線路と前記トランジスタチップの信号電
極に接続し前記第一の誘電率より高い第二の比誘電率の
第二の誘電体基板の表面に形成した第一の導体パターン
を電極とするコンデンサを有するコンデンサ部とを備え
る内部整合回路において、 前記コンデンサ部は前記表面に前記信号電極に接続され
等価電気長が使用周波数の２倍の周波数である２倍波の
１／４波長よりやや短かいオープンスタブを形成する第
二の導体パターンを備えることを特徴とする内部整合回
路。 - 【請求項２】 前記信号電極と前記第二の導体パターン
は金属細線で接続され前記第二の導体パターンに前記金
属細線を含めた等価的電気長が前記２倍波の１／４波長
となるオープンスタブを形成することを特徴とする請求
項１記載の内部整合回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9247A JPH05226951A (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | 内部整合回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9247A JPH05226951A (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | 内部整合回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226951A true JPH05226951A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=11463362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9247A Withdrawn JPH05226951A (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | 内部整合回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05226951A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010531110A (ja) * | 2007-06-22 | 2010-09-16 | クリー インコーポレイテッド | 内部安定回路を備えたｒｆトランジスタパッケージと内部安定回路を備えたｒｆトランジスタパッケージを形成する方法 |
| WO2011161890A1 (ja) * | 2010-06-21 | 2011-12-29 | パナソニック株式会社 | 高周波増幅回路 |
| JP2013141291A (ja) * | 2007-06-22 | 2013-07-18 | Cree Inc | 内部における高調波周波数低減を伴うｒｆパワートランジスタパッケージ、及び内部における高調波周波数低減を伴うｒｆパワートランジスタパッケージを形成する方法 |
| JP2014502797A (ja) * | 2010-12-08 | 2014-02-03 | クリー インコーポレイテッド | コンデンサ間抵抗器を含む内部安定ネットワークを備えたｒｆトランジスタパッケージ、及びコンデンサ間抵抗器を含む内部安定ネットワークを備えたｒｆトランジスタパッケージの形成方法 |
-
1992
- 1992-01-06 JP JP9247A patent/JPH05226951A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010531110A (ja) * | 2007-06-22 | 2010-09-16 | クリー インコーポレイテッド | 内部安定回路を備えたｒｆトランジスタパッケージと内部安定回路を備えたｒｆトランジスタパッケージを形成する方法 |
| US8330265B2 (en) | 2007-06-22 | 2012-12-11 | Cree, Inc. | RF transistor packages with internal stability network and methods of forming RF transistor packages with internal stability networks |
| JP2013141291A (ja) * | 2007-06-22 | 2013-07-18 | Cree Inc | 内部における高調波周波数低減を伴うｒｆパワートランジスタパッケージ、及び内部における高調波周波数低減を伴うｒｆパワートランジスタパッケージを形成する方法 |
| WO2011161890A1 (ja) * | 2010-06-21 | 2011-12-29 | パナソニック株式会社 | 高周波増幅回路 |
| JP4948683B2 (ja) * | 2010-06-21 | 2012-06-06 | パナソニック株式会社 | 高周波増幅回路 |
| US8525594B2 (en) | 2010-06-21 | 2013-09-03 | Panasonic Corporation | Radio frequency amplifier circuit |
| JP2014502797A (ja) * | 2010-12-08 | 2014-02-03 | クリー インコーポレイテッド | コンデンサ間抵抗器を含む内部安定ネットワークを備えたｒｆトランジスタパッケージ、及びコンデンサ間抵抗器を含む内部安定ネットワークを備えたｒｆトランジスタパッケージの形成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |