JPS6276658A - マイクロ波半導体装置 - Google Patents
マイクロ波半導体装置Info
- Publication number
- JPS6276658A JPS6276658A JP21653185A JP21653185A JPS6276658A JP S6276658 A JPS6276658 A JP S6276658A JP 21653185 A JP21653185 A JP 21653185A JP 21653185 A JP21653185 A JP 21653185A JP S6276658 A JPS6276658 A JP S6276658A
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- JP
- Japan
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- electrodes
- semiconductor element
- amplifying
- semiconductor device
- capacitor
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野１
この発明は例えばＳｉバイポーラトランジスタ、Ｇａ
Ａｓ電界効果型トランジスタ（以下、Ｇａ Ａｓ ＦＥ
Ｔと称する）等のマイクロ波帯で動作する内部整合形の
マイクロ波半導体装置に関する。
Ａｓ電界効果型トランジスタ（以下、Ｇａ Ａｓ ＦＥ
Ｔと称する）等のマイクロ波帯で動作する内部整合形の
マイクロ波半導体装置に関する。
［発明の技術的背景コ
一般に、この種のマイクロ波半導体装置は高出力（数Ｗ
以上）を得るために、半導体素子近傍に、入力及び出力
整合回路を設け、これらを外囲器内に収容するいわゆる
内部整合形に構成されている。
以上）を得るために、半導体素子近傍に、入力及び出力
整合回路を設け、これらを外囲器内に収容するいわゆる
内部整合形に構成されている。
第４図はこのようなマイクロ波半導体装置を示すもので
、図中１は外囲器２に収容される導電性基体で、例えば
ＧａＡｓＦＥＴチップ等の半導体素子３、コンデンサを
構成する電極４の形成される高誘電率基板５及びマイク
ロストリップ線路６の形成されるアルミナ基板７が所定
の間隔を有して搭載される。これら半導体素子３、高誘
電率基板５及びアルミナ基板７はボンディングワイヤ８
゜９で電気的に相互接続され、そのうち高誘電率基板５
及びアルミナ基板７がボンディングワイヤ８ａ、９ａを
用いて外囲器２の外部に突出されるリード端子板１０に
接続される。そして、上記外囲器２には気密封止用の蓋
体１１が取着され、導電性基体１上の半導体素子３、高
ｙ、電率！１５及びアルミナ基板７が外囲器２内に封入
される。ここで、上述した入力整合回路は主に半導体素
子３及び高誘電率基板５を接続するボンディングワイヤ
８（長ざ１）のインダクタンス〈シ）と高誘電率基板５
上に設けられる電極４によって形成されるコンデンサの
容ｆｆ１（Ｃ）とにより構成される。一方、上記出力整
合回路はアルミナ基板７０マイクロストリツプ線路１０
により構成される。
、図中１は外囲器２に収容される導電性基体で、例えば
ＧａＡｓＦＥＴチップ等の半導体素子３、コンデンサを
構成する電極４の形成される高誘電率基板５及びマイク
ロストリップ線路６の形成されるアルミナ基板７が所定
の間隔を有して搭載される。これら半導体素子３、高誘
電率基板５及びアルミナ基板７はボンディングワイヤ８
゜９で電気的に相互接続され、そのうち高誘電率基板５
及びアルミナ基板７がボンディングワイヤ８ａ、９ａを
用いて外囲器２の外部に突出されるリード端子板１０に
接続される。そして、上記外囲器２には気密封止用の蓋
体１１が取着され、導電性基体１上の半導体素子３、高
ｙ、電率！１５及びアルミナ基板７が外囲器２内に封入
される。ここで、上述した入力整合回路は主に半導体素
子３及び高誘電率基板５を接続するボンディングワイヤ
８（長ざ１）のインダクタンス〈シ）と高誘電率基板５
上に設けられる電極４によって形成されるコンデンサの
容ｆｆ１（Ｃ）とにより構成される。一方、上記出力整
合回路はアルミナ基板７０マイクロストリツプ線路１０
により構成される。
［背景技術の問題点コ
ところが、上記マイクロ波半導体装置では、その構成上
、増幅帯域周波数ｆｃ （Ｇ）−１ｚ ）の異なった
品種に適用する場合、その品種に応じて、その都度、入
力整合回路のボンディングワイヤβの長さく１）及び電
極４の面積を代えなければならない。この場合、ボンデ
ィングワイヤの長さ（１）は装置の設定条件を換えるこ
とで容易に調整することが可能なものであるが、電樵４
は各品種毎に面積を代えなければならないことで、その
部品管理が非常に煩雑なものであった。これによれば、
コンデンサの電１船４が通常１ｍｍ以下の非常に小さい
形状に形成されているので、電極４が多種類あると、そ
の判別が非常に難しいために、誤使用等が生じて歩留り
低下を招くと共に、選別作業を含む組立て作業に多くの
時間を費やすこととなり、高価となるという問題も有し
ていた。
、増幅帯域周波数ｆｃ （Ｇ）−１ｚ ）の異なった
品種に適用する場合、その品種に応じて、その都度、入
力整合回路のボンディングワイヤβの長さく１）及び電
極４の面積を代えなければならない。この場合、ボンデ
ィングワイヤの長さ（１）は装置の設定条件を換えるこ
とで容易に調整することが可能なものであるが、電樵４
は各品種毎に面積を代えなければならないことで、その
部品管理が非常に煩雑なものであった。これによれば、
コンデンサの電１船４が通常１ｍｍ以下の非常に小さい
形状に形成されているので、電極４が多種類あると、そ
の判別が非常に難しいために、誤使用等が生じて歩留り
低下を招くと共に、選別作業を含む組立て作業に多くの
時間を費やすこととなり、高価となるという問題も有し
ていた。
また、上記マイクロ波半導体装置では、その構成上、入
力整合回路の等価回路がコンデンサとボンディングワイ
ヤ４のインダクタンス（Ｌ）だけでなく、外囲器２上の
リード端子板１０等のリード部の容量及び蓋体１１とボ
ンディングワイヤ８との間の容量等の寄生リアクタンス
成分を含み、複雑なために、解析的に入力整合回路を設
計するのが非常に難しいという問題も有していた。
力整合回路の等価回路がコンデンサとボンディングワイ
ヤ４のインダクタンス（Ｌ）だけでなく、外囲器２上の
リード端子板１０等のリード部の容量及び蓋体１１とボ
ンディングワイヤ８との間の容量等の寄生リアクタンス
成分を含み、複雑なために、解析的に入力整合回路を設
計するのが非常に難しいという問題も有していた。
［発明の目的］
この発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、簡易な
構成で、しかも、汎用性に浸れ、かつ、可及的に組立て
作業性を向上し得るようにしたマイクロ波半導体装置を
提供することを目的とする。
構成で、しかも、汎用性に浸れ、かつ、可及的に組立て
作業性を向上し得るようにしたマイクロ波半導体装置を
提供することを目的とする。
［発明の概要コ
すなわち、この発明は入力整合回路に複数の面積の異な
った７４極を前記マイクロ波半導体素子に近い側から面
積の小さい順に配置してなるコンデンサを設けることに
よって、増幅帯域周波数の異なった多種類の品種に適用
し得るように構成し、所期の目的を達成したものである
。
った７４極を前記マイクロ波半導体素子に近い側から面
積の小さい順に配置してなるコンデンサを設けることに
よって、増幅帯域周波数の異なった多種類の品種に適用
し得るように構成し、所期の目的を達成したものである
。
「発明の実施例］
以下、この発明の実施例について、図面を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
第１図はこの発明の一実施例に係るマイクロ波半導体装
置の入力整合回路を取出して示すもので、（ａ）は平面
図、（ｂ）は側面図である。なお、第１図中では、入力
整合回路を取出して示しているが、その外の部分につい
ては、例えば第４図に示す従来のマイクロ波半導体装置
と同様に構成されるもので、ここでは、便宜上、同一部
分については、同一符号を付してその説明を省略する。
置の入力整合回路を取出して示すもので、（ａ）は平面
図、（ｂ）は側面図である。なお、第１図中では、入力
整合回路を取出して示しているが、その外の部分につい
ては、例えば第４図に示す従来のマイクロ波半導体装置
と同様に構成されるもので、ここでは、便宜上、同一部
分については、同一符号を付してその説明を省略する。
すなわち１図中２０はコンデンサを構成する高誘電率基
板で、その上面部には複数の例えば第１乃至第３の電極
部２１乃至２３が所定の間隔に形成される。これら第１
乃至第３の電極部２１乃至２３はそれぞれ複数の゛耐極
２１ａ乃至２３ａか並設されてなるもので、その電極面
積が半導体素子３に近い位置から例えば増幅帯域周波数
（ｆ’ｃ）の対数に対して直線的に増加されて所望の増
幅帯域中心周波数ｆ１．ｆ２ 、ｆ３ （ｆｌ ＞ｆ
２ ＞ｆ３）に対応する容ｆｆ１（ｃｏｏ）を得るよう
に配設される。そして、これら第１乃至第３の電極部２
１乃至２３のいずれか一つは増幅帯域中心周波数ｆｃと
の関係を有する長さく１ｏｐ）の異なる第１乃至第３の
ボンディングワイヤ２４乃至２６を用いて上記半導体素
子３に対して選択的に接続される。この場合、第１乃至
第３の電極部２１乃至２３及び第１乃至第３のボンディ
ングワイヤ２４乃至２６はその容ｆｆ１（ｃ’ｏｐ）及
び長さく１ｏｐ）と増幅帯域中心周波数ｆｃとが実験的
に第２図及び第３図に示す関係を有することが６「認さ
れていることから、所望の増幅帯域中心周波数ｆ１．ｆ
２．ｆ３における最適のインピーダンス整合を採る容ｆ
ｆ１（ｔｏｐ）に対応する面積及び長さ寸法に設定され
る。しかして、上記マイクロ波半導体装置は、増幅帯域
中心周波数ｆ１にあった入力整合回路を形成する場合は
、先ず第１のボンディングワイヤ２４で半導体素子３と
第１の電沙部２１を接続させることにより、増幅帯域中
心周波数ｆ１に対応する入力整合回路が構成される。
板で、その上面部には複数の例えば第１乃至第３の電極
部２１乃至２３が所定の間隔に形成される。これら第１
乃至第３の電極部２１乃至２３はそれぞれ複数の゛耐極
２１ａ乃至２３ａか並設されてなるもので、その電極面
積が半導体素子３に近い位置から例えば増幅帯域周波数
（ｆ’ｃ）の対数に対して直線的に増加されて所望の増
幅帯域中心周波数ｆ１．ｆ２ 、ｆ３ （ｆｌ ＞ｆ
２ ＞ｆ３）に対応する容ｆｆ１（ｃｏｏ）を得るよう
に配設される。そして、これら第１乃至第３の電極部２
１乃至２３のいずれか一つは増幅帯域中心周波数ｆｃと
の関係を有する長さく１ｏｐ）の異なる第１乃至第３の
ボンディングワイヤ２４乃至２６を用いて上記半導体素
子３に対して選択的に接続される。この場合、第１乃至
第３の電極部２１乃至２３及び第１乃至第３のボンディ
ングワイヤ２４乃至２６はその容ｆｆ１（ｃ’ｏｐ）及
び長さく１ｏｐ）と増幅帯域中心周波数ｆｃとが実験的
に第２図及び第３図に示す関係を有することが６「認さ
れていることから、所望の増幅帯域中心周波数ｆ１．ｆ
２．ｆ３における最適のインピーダンス整合を採る容ｆ
ｆ１（ｔｏｐ）に対応する面積及び長さ寸法に設定され
る。しかして、上記マイクロ波半導体装置は、増幅帯域
中心周波数ｆ１にあった入力整合回路を形成する場合は
、先ず第１のボンディングワイヤ２４で半導体素子３と
第１の電沙部２１を接続させることにより、増幅帯域中
心周波数ｆ１に対応する入力整合回路が構成される。
同様に、増幅帯域中心周波数ｆ２．ｆ３に対応する入力
整合回路を形成する場合は、第２及び第３の１ｔｔＩ２
２．２３と半導体素子３とを第２及び第３のボンディン
グワイヤ２５．２６を用いて接続させることにより、そ
れぞれに対応する入力整合回路が形成されこととなる。
整合回路を形成する場合は、第２及び第３の１ｔｔＩ２
２．２３と半導体素子３とを第２及び第３のボンディン
グワイヤ２５．２６を用いて接続させることにより、そ
れぞれに対応する入力整合回路が形成されこととなる。
このように、上記マイクロ波半導体装置は入力整合回路
に増幅帯域中心周波数ｆ１．ｆ２．ｆ３に対応して切替
可能な電極を有するコンデンサを設け、増幅帯域中心周
波数ｆｌ 、ｆ２ 、ｆ３に応じてその都度、コンデン
サを取替えなくて済むように構成したので、煩雑な部品
管理が非常に簡易となり、可及的に組立て作業性が向上
されると共に、コンデンサの誤使用が確実に防止されて
歩留りも向上される。また、これによれば、少なくとも
実験的に２つの増幅帯域中心周波数におけるコ、ンデン
サの容量を求めれば、他の増幅帯域中心周波数に対する
容量の１次設計が可能となるもので、従来のマイクロ波
半導体装置に比べて、簡易にコンデンサの容量を求める
ことも可能となる。
に増幅帯域中心周波数ｆ１．ｆ２．ｆ３に対応して切替
可能な電極を有するコンデンサを設け、増幅帯域中心周
波数ｆｌ 、ｆ２ 、ｆ３に応じてその都度、コンデン
サを取替えなくて済むように構成したので、煩雑な部品
管理が非常に簡易となり、可及的に組立て作業性が向上
されると共に、コンデンサの誤使用が確実に防止されて
歩留りも向上される。また、これによれば、少なくとも
実験的に２つの増幅帯域中心周波数におけるコ、ンデン
サの容量を求めれば、他の増幅帯域中心周波数に対する
容量の１次設計が可能となるもので、従来のマイクロ波
半導体装置に比べて、簡易にコンデンサの容量を求める
ことも可能となる。
また、この発明は上記実施例では導電性基体に第１乃至
第３の電極部を形成して３段階に切替可能に構成した場
合で説明したが、この数に限ることなく、適用可能なも
のである。
第３の電極部を形成して３段階に切替可能に構成した場
合で説明したが、この数に限ることなく、適用可能なも
のである。
なお、この発明は上記実施例に限ることなく、その外、
この発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変形を実施
し得ることはいうまでもないことである。
この発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変形を実施
し得ることはいうまでもないことである。
［発明の効果］
以上詳述したように、この発明によれば、簡易な構成で
、しかも、汎用性に優れ、かつ、可及的に組立て作業性
を向上し得るようにしたマイクロ波半導体装置を提供す
ることができる。
、しかも、汎用性に優れ、かつ、可及的に組立て作業性
を向上し得るようにしたマイクロ波半導体装置を提供す
ることができる。
第１図はこの発明の一実施例に係るマイクロ波半導体装
置の要部を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面
図、第２図はコンデンサの容量（ｃｏｐ）の動作周波数
特性を示す図、第３図はボンディングワイヤの長さくｌ
ｏｇ）の動作周波数特性を示す図、第４図は従来のマイ
クロ波半導体装置を示す構成図である。 ２０・・・高誘電率基板、２１乃至２３・・・第１乃至
第３の電極部、２１ａ乃至２３ａ・・・電極、２４乃至
２６・・・第１乃至第３のボンディングワイヤ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ２４−２６ 第１及ヱ！１１！３のボーティンアワ４
ヤ第１図 第２図
置の要部を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面
図、第２図はコンデンサの容量（ｃｏｐ）の動作周波数
特性を示す図、第３図はボンディングワイヤの長さくｌ
ｏｇ）の動作周波数特性を示す図、第４図は従来のマイ
クロ波半導体装置を示す構成図である。 ２０・・・高誘電率基板、２１乃至２３・・・第１乃至
第３の電極部、２１ａ乃至２３ａ・・・電極、２４乃至
２６・・・第１乃至第３のボンディングワイヤ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ２４−２６ 第１及ヱ！１１！３のボーティンアワ４
ヤ第１図 第２図
Claims (2)
- （１）マイクロ波半導体素子、入力整合回路及び出力整
合回路を導電性基体に搭載してなるマイクロ波半導体装
置において、前記入力整合回路に複数の面積の異なった
電極を前記マイクロ波半導体素子に近い側から面積の小
さい順に配置してなるコンデンサを具備したことを特徴
とするマイクロ波半導体装置。 - （２）前記コンデンサは複数の電極の面積を対応する増
幅帯域中心周波数の対数に対して直線的に減少するよう
に設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
マイクロ波半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21653185A JPS6276658A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | マイクロ波半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21653185A JPS6276658A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | マイクロ波半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6276658A true JPS6276658A (ja) | 1987-04-08 |
Family
ID=16689890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21653185A Pending JPS6276658A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | マイクロ波半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6276658A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH078355A (ja) * | 1993-03-31 | 1995-01-13 | Takuro Endo | 折畳み家具 |
| JP2011171697A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-09-01 | Toshiba Corp | 高周波半導体装置 |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP21653185A patent/JPS6276658A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH078355A (ja) * | 1993-03-31 | 1995-01-13 | Takuro Endo | 折畳み家具 |
| JP2011171697A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-09-01 | Toshiba Corp | 高周波半導体装置 |
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