JPH06349676A - マイクロチップコンデンサ - Google Patents

マイクロチップコンデンサ

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JPH06349676A
JPH06349676A JP5133742A JP13374293A JPH06349676A JP H06349676 A JPH06349676 A JP H06349676A JP 5133742 A JP5133742 A JP 5133742A JP 13374293 A JP13374293 A JP 13374293A JP H06349676 A JPH06349676 A JP H06349676A
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metallized
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patterns
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Tomoyoshi Fukazawa
智好 深沢
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Abstract

(57)【要約】 【目的】マイクロチップコンデンサの電極が分割されて
いて各電極に接続される負荷インピーダンスがバラツキ
を生じた場合、電極間の相互干渉を抑制し回路を安定動
作させる。 【構成】薄膜抵抗４とマイクロストリップライン５によ
りウイルキンソン型の合成回路を構成し、第一のメタラ
イズパターン２の各パターン間のアイソレーションを向
上し、かつ第一のメタライズパターン２と第二のメタラ
イズパターン３との間をマイクロストリップライン５で
接続する事により、ボンディング線に比較し回路定数の
安定化が図られ、第一のメタライズパターン２間の相互
干渉によるトランジスタの不安定動作を抑制する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロチップコンデン
サに関し、特にマイクロ波トランジスタの内部整合回路
の回路素子として使用されるマイクロチップコンデンサ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のマイクロチップコンデンサの一例
を示す図４を参照すると、このコンデンサは、誘電体基
板１の主表面にメタライズパターン８を１個又は２個以
上配置し、かつ主裏面が全面メサライズされた構造とな
っていた。
【０００３】従来のマイクロチップコンデンサの他の例
として示す図５を参照すると、このコンデンサは、誘電
体基板１の主表面に第一のメタライズパターン２を１個
又は２個以上配置し、第二のメタライズパターン３を第
一のメタライズパターン２の複数個に対し１個の割合で
配置し、かつ主裏面を全面メタライズされた構造となっ
ていた。
【０００４】次に、動作について説明すると、図４と図
５とのコンデンサはともに平行平板コンデンサとして機
能し、特に図５は第一と第二のメタライズパターンによ
り一つの有電体内で２種類のコンデンサ容量を有するも
のである。
【０００５】上記マイクロチップコンデンサ（図５）が
マイクロ波トランジスタの内部整合回路の回路定数とし
て用いられる図６を参照すると、マイクロ波トランジス
タ６のトランジスタチップとマイクロチップコンデンサ
の第一のメタライズパターン２との間、及びマイクロチ
ップコンデンサ上の第一，第二のメタライズパターン
２，３間は、ボンディング線７で接続される。
【０００６】図６の等価回路を示す図７の回路図を参照
すると、マイクロチップコンデンサの第一のメタライズ
パターン２と第二のメタライズパターン３は、それぞれ
キャパシタンスＣ１，Ｃ２として機能し、各ボンディン
グ線７はインダクタンスＬ１とＬ２として機能する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のマイク
ロチップコンデンサにおいて、各電極パターンに接続さ
れるボンディング線７とマイクロ波トランジスタ６の内
部インピーダンスのバラツキが生じた場合、各電極に接
続される負荷インピーダンスが各電極間でアンバランス
となり、それらが相互干渉を起こしてマイクロ波トラン
ジスタの異常発振などの動作不安定を生じる問題点があ
った。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のマイクロチップ
コンデンサの構成は、第一のメタライズパターンと第二
のメタライズパターンの２種の電極を有し、第一のメタ
ライズパターンが２つ以上に分割され、第一のメタライ
ズパターン２個に対して第二のメタライズパターン１個
が対となる電極構造を有しており、第一のメタライズパ
ターンの隣合わせた２個が薄膜抵抗体で互いに接続さ
れ、かつ第一のメタライズパターンと第二のメタライズ
パターン間がマイクロストリップラインで接続されてい
ることを特徴とする。
【０００９】
【実施例】本発明の一実施例のマイクロチップコンデン
サを示す図１を参照すると、このコンデンサは、誘電体
基板１の主表面に第一のメタライズパターン２を４個、
第二のメタライズパターン３を第一のメタライズパター
ン２の２個に対して１個の割合で配置し、又第一のメタ
ライズパターン２の２個１組を薄膜抵抗４で互いに接続
し、第一のメタライズパターン２の２個と第二のメタラ
イズパターン３の１個との組合せで、各々をマイクロス
トリップライン５で接続した。
【００１０】次に、このマイクロチップコンデンサをマ
イクロ波トランジスタの内部整合回路の回路素子に使用
した例を示す図２を参照すると、マイクロ波トランジス
タ６と、本実施例のマイクロチップコンデンサの第一の
メタライズパターン２との間は、ボンディング線７で各
々接続されている。
【００１１】図２の等価回路を示す図３を参照すると、
上述のボンディング線７はＦＥＴチップ１０のゲートに
接続されたインダクタンスＬとして働き、第一のメタラ
イズパターン２と第二のメタライズパターン３はそれぞ
れキャパシタンスＣ１とＣ２として働く。所定長のマイ
クロストリップライン５は誘導性素子であり、インダク
タンスと同等の働きを有し、インダクタンスＬ，キャパ
シタンスＣの２段回路として機能する。薄膜抵抗４は抵
抗Ｒとなる。
【００１２】このコンデンサの動作を図２で説明する
と、一般にボンディング線７のインダクタンスは組立上
かなりのバラツキが発生し、またマイクロ波トランジス
タ６の内部インピーダンスもチップ面内においてバラツ
キがある。従って、マイクロチップコンデンサの第一の
メタライズパターン２に接続される負荷インピーダンス
はメタライズパターン間でアンバランスを生じることに
なり、マイクロストリップライン５と薄膜抵抗４を通し
て第一のメタライズパターン間で信号の流れを生じる。
【００１３】しかし、本実施例のマイクロチップコンデ
ンサでは、マイクロストリップライン５を通して流れる
信号と薄膜抵抗４を通して流れる信号とが打ち消し合う
様に、マイクロストリップライン５と薄膜抵抗４とがウ
イルキンソン型の合成回路を構成している為、パターン
間のアイソレーションを高くとる事が可能となり、パタ
ーン間の相互干渉を抑制する効果を有する。
【００１４】また、第一のメタライズパターン２と第二
のメタライズパターン３との間の接続をボンディング線
７を使用せず、マイクロストリップライン５を使用して
いる為に、インダクタンスのバラツキが極めて小さく、
第一及び第二パターン間のバランスを保つ働きがある。
【００１５】即ち、ボンディング線７による回路定数値
のバラツキを軽減し、各電極間の負荷インピーダンスの
アンバランスを防ぐ。
【００１６】図２に示すマイクロ波トランジスタで１電
極当りのゲート幅が２ｍｍのＣ帯ＭＥＳＦＥＴの場合、
内部インピーダンスは６ＧＨｚにおいて約１０Ω程度で
あるが、薄膜抵抗値を１０Ωとする事により、従来のマ
イクロチップコンデンサに対し、アイソレーションで８
ｄＢ改善され、−１９．２ｄＢとれる事がシミュレーシ
ョンにより確認された。
【００１７】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明は、第一のメ
タライズパターン間を薄膜抵抗で接続し、かつ第一のメ
タライズパターンと第二のメタライズパターン間を接続
するマイクロストリップラインとを構成する事で、第一
のメタライズパターンと第二のメタライズパターン間の
アイソレーションを高くし、またマイクロストリップラ
インを使用してインダクタンスのバラツキを小さくし、
各メタライズパターン間のバランスを確保する事によっ
て、第一のメタライズパターンの各パターン間での相互
干渉を抑制し、マイクロ波トランジスタの発振などの不
安定動作を抑制する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の斜視図である。
【図２】この実施例をマイクロ波トランジスタの内容整
合回路に使用した例の斜視図である。
【図３】図２の等価回路を示す回路図である。
【図４】従来のマイクロチップコンデンサの一例の斜視
図である。
【図５】従来のマイクロチップコンデンサの他の例の斜
視図である。
【図６】従来のマイクロチップコンデンサをマイクロ波
トランジスタの内部整合回路に使用した例の斜視図であ
る。
【図７】図６の等価回路を示す回路図である。
【符号の説明】
１ 誘電体基板 ２ 第一のメタライズパターン ３ 第二のメタライズパターン ４ 薄膜抵抗 ５ マイクロストリップライン ６ マイクロ波トランジスタ ７ ボンディング線 ８ メタライズパターン

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 誘電体基板上に第一のメタライズパター
    ンと第二のメタライズパターンとを設け、前記第一のメ
    タライズパターンが２つ以上に分割され、前記第一のメ
    タライズパターン２個に対して前記第二のメタライズパ
    ターン１個が対となる電極構造のマイクロチップコンデ
    ンサにおいて、前記第一のメタライズパターン２個が互
    いに薄膜抵抗体で接続され、前記第一のメタライズパタ
    ーンと前記第二のメタライズパターンとの間がマイクロ
    ストリップラインで接続されたことを特徴とするマイク
    ロチップコンデンサ。
  2. 【請求項２】 前記第一のメタライズパターンには、ボ
    ンディング線を介して電界効果トランジスタが接続され
    ている請求項１記載のマイクロチップコンデンサ。
JP5133742A 1993-06-04 1993-06-04 マイクロチップコンデンサ Withdrawn JPH06349676A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5133742A JPH06349676A (ja) 1993-06-04 1993-06-04 マイクロチップコンデンサ
US08/253,867 US5519233A (en) 1993-06-04 1994-06-03 Microchip capacitor and thin film resistor as circuit elements in internal impedance matching circuit of microwave transistor

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5133742A JPH06349676A (ja) 1993-06-04 1993-06-04 マイクロチップコンデンサ

Publications (1)

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JPH06349676A true JPH06349676A (ja) 1994-12-22

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JP (1) JPH06349676A (ja)

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