JPH066600Y2 - 高周波回路装置 - Google Patents
高周波回路装置Info
- Publication number
- JPH066600Y2 JPH066600Y2 JP1986074692U JP7469286U JPH066600Y2 JP H066600 Y2 JPH066600 Y2 JP H066600Y2 JP 1986074692 U JP1986074692 U JP 1986074692U JP 7469286 U JP7469286 U JP 7469286U JP H066600 Y2 JPH066600 Y2 JP H066600Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- inductance element
- transistor
- circuit device
- magnetic film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、ＵＨＦ帯等の高い周波数信号を増幅する素子
を含む高周波回路装置に関し、更に詳細には、増幅作用
の安定化に関するものである。
を含む高周波回路装置に関し、更に詳細には、増幅作用
の安定化に関するものである。
ＵＨＦ帯の例えば９００MHzの増幅回路においては、増
幅素子の浮遊インダクタンス、浮遊容量を無視すること
ができず、これ等に基づいて回路に共振が生じ、この共
振周波数が信号周波数帯域と一致する場合には、安定性
の高い増幅が不可能になる。この種の問題を解決するた
めに、増幅素子に接続されているインダクタンスを増加
させしかる後Ｑを下げて安定性を良くすることは、例え
ば実公昭５４−２２９３２号公報で公知である。この公
報に開示されている方法では、インダクタンス素子を導
体と磁性体膜とで構成しているため、Ｑの低い回路とな
り、共振による増幅作用を低下させることができる。
幅素子の浮遊インダクタンス、浮遊容量を無視すること
ができず、これ等に基づいて回路に共振が生じ、この共
振周波数が信号周波数帯域と一致する場合には、安定性
の高い増幅が不可能になる。この種の問題を解決するた
めに、増幅素子に接続されているインダクタンスを増加
させしかる後Ｑを下げて安定性を良くすることは、例え
ば実公昭５４−２２９３２号公報で公知である。この公
報に開示されている方法では、インダクタンス素子を導
体と磁性体膜とで構成しているため、Ｑの低い回路とな
り、共振による増幅作用を低下させることができる。
ところで、共振を抑制するためのインダクタンス素子を
設けると、回路基板の面積が必然的に大きくなった。ま
た、インダクタンス素子を設けても安定性の悪い増幅素
子の場合には、所望の安定性を得ることが困難であっ
た。
設けると、回路基板の面積が必然的に大きくなった。ま
た、インダクタンス素子を設けても安定性の悪い増幅素
子の場合には、所望の安定性を得ることが困難であっ
た。
そこで、本考案の目的は、安定性の向上を容易に達成す
ることができる高周波回路装置を提供することにある。
ることができる高周波回路装置を提供することにある。
上記問題点を解決し、上記目的を達成するための本考案
は、絶縁基板の同一の主面上に、インダクタンス素子を
形成するための導体膜と磁性体膜と半導体増幅素子とが
順次に配置され、前記導体膜と前記半導体増幅素子との
間に前記磁性体膜が介在していることを特徴とする高周
波回路装置に係わるものである。
は、絶縁基板の同一の主面上に、インダクタンス素子を
形成するための導体膜と磁性体膜と半導体増幅素子とが
順次に配置され、前記導体膜と前記半導体増幅素子との
間に前記磁性体膜が介在していることを特徴とする高周
波回路装置に係わるものである。
上記考案においては、磁性体膜がインダクタンス素子の
高周波損失を生じさせてＱを低下させると共に、半導体
増幅素子に流れる電流に基づいて生じる電界及び磁界に
よるインダクタンス作用の高周波損失を生じさせてこの
Ｑを低下させる。即ち、半導体増幅素子も高周波領域に
おいてはストリップラインと同様に働くため本考案に従
う磁性体膜の作用によって増幅素子のインダクタンス分
の高周波損失が大きくなり、Ｑが低下し、安定性が向上
する。上述の如く、本考案では磁性体膜をインダクタン
ス素子と半導体増幅素子とで共用するので、簡単な構成
でＱを低下させて安定性を向上させることができるのみ
でなく、回路装置の小型化も達成される。
高周波損失を生じさせてＱを低下させると共に、半導体
増幅素子に流れる電流に基づいて生じる電界及び磁界に
よるインダクタンス作用の高周波損失を生じさせてこの
Ｑを低下させる。即ち、半導体増幅素子も高周波領域に
おいてはストリップラインと同様に働くため本考案に従
う磁性体膜の作用によって増幅素子のインダクタンス分
の高周波損失が大きくなり、Ｑが低下し、安定性が向上
する。上述の如く、本考案では磁性体膜をインダクタン
ス素子と半導体増幅素子とで共用するので、簡単な構成
でＱを低下させて安定性を向上させることができるのみ
でなく、回路装置の小型化も達成される。
次に、第１図〜第４図を参照して本考案の実施例に係わ
る９００MHz領域の高周波電力増幅回路装置を説明す
る。第１図及び第２図は、第４図に示す増幅回路のトラ
ンジスタ(1)とインダクタンス素子(2)とを示す。第４図
の増幅回路は混成集積回路に構成されているので、絶縁
基板(3)の上には、高周波増幅用トランジスタ(1)とイン
ダクタンス素子(2)との他に、第４図に示す残りの種々
の回路素子も設けられているが、これ等の図示は省略さ
れている。トランジスタ(1)は、第３図に示す如くベー
ス電極(4)とコレクタ電極(5)と一対のエミッタ電極(6)
とを有する。これ等の電極(4)(5)(6)に接続されている
トランジスタチップ(7)は、絶縁物(8)にてモールドされ
ている。
る９００MHz領域の高周波電力増幅回路装置を説明す
る。第１図及び第２図は、第４図に示す増幅回路のトラ
ンジスタ(1)とインダクタンス素子(2)とを示す。第４図
の増幅回路は混成集積回路に構成されているので、絶縁
基板(3)の上には、高周波増幅用トランジスタ(1)とイン
ダクタンス素子(2)との他に、第４図に示す残りの種々
の回路素子も設けられているが、これ等の図示は省略さ
れている。トランジスタ(1)は、第３図に示す如くベー
ス電極(4)とコレクタ電極(5)と一対のエミッタ電極(6)
とを有する。これ等の電極(4)(5)(6)に接続されている
トランジスタチップ(7)は、絶縁物(8)にてモールドされ
ている。
絶縁基板(3)の上面にはトランジスタ(1)を接続するため
の配線導体(9)が設けられている他に、マイクロストリ
ップラインでインダクタンス素子(2)を形成するための
導体膜(10)及びこの上を覆うフェライト磁性体膜(11)が
設けられている。インダクタンス素子(2)は、第１図か
ら明らかな如く、トランジスタ(1)の下に配設されてい
る。インダクタンス素子(2)をマイクロストリップライ
ン構成とするために、絶縁基板(3)の下面に接地導体(1
2)が設けられている。
の配線導体(9)が設けられている他に、マイクロストリ
ップラインでインダクタンス素子(2)を形成するための
導体膜(10)及びこの上を覆うフェライト磁性体膜(11)が
設けられている。インダクタンス素子(2)は、第１図か
ら明らかな如く、トランジスタ(1)の下に配設されてい
る。インダクタンス素子(2)をマイクロストリップライ
ン構成とするために、絶縁基板(3)の下面に接地導体(1
2)が設けられている。
インダクタンス素子(2)は、第４図に示す如くエミッタ
接地されたトランジスタ(1)のベースとグランドとの間
に接続されている。このインダクタンス素子(2)は磁性
体膜(11)を有するために、インダクタンス素子(2)にお
ける損失が大きくなり、Ｑが低下し、使用周波数よりも
低い周波数領域の発振が抑制され、所望周波数の増幅作
用が安定化する。
接地されたトランジスタ(1)のベースとグランドとの間
に接続されている。このインダクタンス素子(2)は磁性
体膜(11)を有するために、インダクタンス素子(2)にお
ける損失が大きくなり、Ｑが低下し、使用周波数よりも
低い周波数領域の発振が抑制され、所望周波数の増幅作
用が安定化する。
磁性体膜(11)はトランジスタ(1)の下面に接近配置され
ている。従って、トランジスタ(1)のベース電流、エミ
ッタ電流、コレクタ電流によって生じる磁界に対しても
有効に作用する。即ち、トランジスタ(1)の各電極(4)
(5)(6)及びチップ(7)も、高周波領域においては１種の
ストリップ導体として働く。そして、このトランジスタ
(1)のストリップライン効果に対しても磁性体膜(11)が
高周波損失物体として機能し、安定動作に寄与する。
ている。従って、トランジスタ(1)のベース電流、エミ
ッタ電流、コレクタ電流によって生じる磁界に対しても
有効に作用する。即ち、トランジスタ(1)の各電極(4)
(5)(6)及びチップ(7)も、高周波領域においては１種の
ストリップ導体として働く。そして、このトランジスタ
(1)のストリップライン効果に対しても磁性体膜(11)が
高周波損失物体として機能し、安定動作に寄与する。
本実施例の増幅回路装置は、−４０℃〜＋125℃の範囲
でVSWR（電圧定在波比）５でも発振を全く起さない。
でVSWR（電圧定在波比）５でも発振を全く起さない。
本考案は上述の実施例に限定されるものではなく、例え
ば次の変形が可能なものである。
ば次の変形が可能なものである。
(1)第５図に示す如く、インダクタンス素子を形成する
ための導体膜(10)を渦巻状に設け、この上にフェライト
磁性体膜(11)を設けてもよい。
ための導体膜(10)を渦巻状に設け、この上にフェライト
磁性体膜(11)を設けてもよい。
(2)インダクタンス素子を形成するための導体膜(10)の
下側又は下側と上側との両方に磁性体膜(11)を設けても
よい。
下側又は下側と上側との両方に磁性体膜(11)を設けても
よい。
(3)ストリップライン型のインダクタンス素子以外のイ
ンダクタンス素子としてもよい。
ンダクタンス素子としてもよい。
(4)トランジスタ(1)を電界効果型トランジスタ又は集積
回路等に置き換える場合にも適用可能である。
回路等に置き換える場合にも適用可能である。
上述から明らかな如く、本考案によれば、単純且つ小型
な構成によって高周波増幅の安定性を向上させることが
できる。
な構成によって高周波増幅の安定性を向上させることが
できる。
第１図は本考案の実施例に係わる高周波増幅回路装置の
一部を示す第２図図のＩ−Ｉ線に相当する断面図、 第２図はトランジスタの下のインダクタンス素子を示す
平面図、 第３図はトランジスタの斜視図、 第４図は高周波増幅回路装置の回路図、 第５図は変形例のインダクタンス素子を示す平面図であ
る。 (1)…トランジスタ、(2)…インダクタンス素子、 (3)…絶縁基板、(10)…導体膜、(11)…磁性体膜。
一部を示す第２図図のＩ−Ｉ線に相当する断面図、 第２図はトランジスタの下のインダクタンス素子を示す
平面図、 第３図はトランジスタの斜視図、 第４図は高周波増幅回路装置の回路図、 第５図は変形例のインダクタンス素子を示す平面図であ
る。 (1)…トランジスタ、(2)…インダクタンス素子、 (3)…絶縁基板、(10)…導体膜、(11)…磁性体膜。
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基板の同一の主面上に、インダクタン
ス素子を形成するための導体膜と磁性体膜と半導体増幅
素子とが前記絶縁基板の主面に垂直な方向において順次
に配置され、前記導体膜と前記半導体増幅素子との間に
前記磁性体膜が介在していることを特徴とする高周波回
路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986074692U JPH066600Y2 (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 高周波回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986074692U JPH066600Y2 (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 高周波回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62188815U JPS62188815U (ja) | 1987-12-01 |
| JPH066600Y2 true JPH066600Y2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=30920140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986074692U Expired - Lifetime JPH066600Y2 (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 高周波回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH066600Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0534114Y2 (ja) * | 1986-09-17 | 1993-08-30 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5591216A (en) * | 1978-12-28 | 1980-07-10 | Fujitsu Ltd | Microwave amplifier |
-
1986
- 1986-05-20 JP JP1986074692U patent/JPH066600Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62188815U (ja) | 1987-12-01 |
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