JPH042492Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH042492Y2 JPH042492Y2 JP1983048874U JP4887483U JPH042492Y2 JP H042492 Y2 JPH042492 Y2 JP H042492Y2 JP 1983048874 U JP1983048874 U JP 1983048874U JP 4887483 U JP4887483 U JP 4887483U JP H042492 Y2 JPH042492 Y2 JP H042492Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor amplifier
- conductor
- ground conductor
- external
- metal package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Insertion, Bundling And Securing Of Wires For Electric Apparatuses (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は誘電体基板上に導体パターンおよび抵
抗パターンを形成し、チツプコンデンサおよびト
ランジスタを搭載して構成されるマイクロ波集積
回路をRFシールドおよび接地導体を兼ねる金属
パツケージに実装してなるトランジスタ増幅器
を、外部接地導体上の誘電体上に形成された外部
線路に接続するトランジスタ増幅器の接続構造に
関する。
抗パターンを形成し、チツプコンデンサおよびト
ランジスタを搭載して構成されるマイクロ波集積
回路をRFシールドおよび接地導体を兼ねる金属
パツケージに実装してなるトランジスタ増幅器
を、外部接地導体上の誘電体上に形成された外部
線路に接続するトランジスタ増幅器の接続構造に
関する。
第１図、第２図、第３図は従来のトランジスタ
増幅器の接続構造を示すもので、それぞれ平面
図、右側面図、正面図を示している。金属パツケ
ージに実装されたトランジスタ増幅器１の入出力
端子２は誘電体基板３上に形成された導体パター
ン（外部線路）４に接続される。このときに金属
パツケージと外部接地導体５間に必然的に間隙１
ａが生ずる。この間隙は高周波領域において周波
数が高くなる程、電気的にインダクタンスとして
働くためトランジスタ増幅器から導体線路を見た
時のインピーダンスが50オームより高くなり、不
整合が生じる。その結果、トランジスタ増幅器が
利得低下、発振等の不安定な動作状態になるとい
う欠点があつた。
増幅器の接続構造を示すもので、それぞれ平面
図、右側面図、正面図を示している。金属パツケ
ージに実装されたトランジスタ増幅器１の入出力
端子２は誘電体基板３上に形成された導体パター
ン（外部線路）４に接続される。このときに金属
パツケージと外部接地導体５間に必然的に間隙１
ａが生ずる。この間隙は高周波領域において周波
数が高くなる程、電気的にインダクタンスとして
働くためトランジスタ増幅器から導体線路を見た
時のインピーダンスが50オームより高くなり、不
整合が生じる。その結果、トランジスタ増幅器が
利得低下、発振等の不安定な動作状態になるとい
う欠点があつた。
本考案の目的はトランジスタ増幅器と外部接地
導体の間の間隙によるインピーダンス劣化を防止
することにより、トランジスタ増幅器の動作を安
定化するトランジスタ増幅器の接続構造を提供す
ることにある。
導体の間の間隙によるインピーダンス劣化を防止
することにより、トランジスタ増幅器の動作を安
定化するトランジスタ増幅器の接続構造を提供す
ることにある。
前記目的を達成するために本考案によるトラン
ジスタ増幅器の接続構造は誘電体基板上に導体パ
ターンおよび抵抗パターンを形成し、チツプコン
デンサおよびトランジスタを搭載して構成される
マイクロ波集積回路をRFシールドおよび接地導
体を兼ねる金属パツケージに実装してなるトラン
ジスタ増幅器を、外部接地導体上の誘電体基板上
に形成された外部線路に接続するトランジスタ増
幅器の接続構造において、前記トランジスタ増幅
器の入出力端子と前記外部線路を接続する際にで
きるトランジスタ増幅器の金属パツケージと外部
接地導体との間隙にバネ性の導体板を挿入し、前
記トランジスタ増幅器の金属パツケージと外部接
地導体を接続して構成してある。
ジスタ増幅器の接続構造は誘電体基板上に導体パ
ターンおよび抵抗パターンを形成し、チツプコン
デンサおよびトランジスタを搭載して構成される
マイクロ波集積回路をRFシールドおよび接地導
体を兼ねる金属パツケージに実装してなるトラン
ジスタ増幅器を、外部接地導体上の誘電体基板上
に形成された外部線路に接続するトランジスタ増
幅器の接続構造において、前記トランジスタ増幅
器の入出力端子と前記外部線路を接続する際にで
きるトランジスタ増幅器の金属パツケージと外部
接地導体との間隙にバネ性の導体板を挿入し、前
記トランジスタ増幅器の金属パツケージと外部接
地導体を接続して構成してある。
前記構成によればトランジスタから導体線路を
見たインピーダンスをほぼ50Ωにでき、トランジ
スタの利得低下、発振等を防止でき、本考案の目
的は完全に達成できる。
見たインピーダンスをほぼ50Ωにでき、トランジ
スタの利得低下、発振等を防止でき、本考案の目
的は完全に達成できる。
以下、図面等を参照して本考案をさらに詳しく
説明する。第４図〜６図は本考案によるトランジ
スタ増幅器の接続構造の一実施例を示す図で、第
４図は平面図、第５図は正面図、第６図は右側面
図である。図において１〜５までは第１〜第３図
における番号と同じ部分である。金属パツケージ
と外部接地導体５の間の間隙にバネ性の導体板６
が挿入され、金属パツケージと外部導体５間が電
気的に接続されている。このように金属パツケー
ジと外部導体５間を接続することにより間隙によ
るインダクタンス成分を小さくでき、間隙部分に
おけるインピーダンスの劣化を防ぐことができ
る。
説明する。第４図〜６図は本考案によるトランジ
スタ増幅器の接続構造の一実施例を示す図で、第
４図は平面図、第５図は正面図、第６図は右側面
図である。図において１〜５までは第１〜第３図
における番号と同じ部分である。金属パツケージ
と外部接地導体５の間の間隙にバネ性の導体板６
が挿入され、金属パツケージと外部導体５間が電
気的に接続されている。このように金属パツケー
ジと外部導体５間を接続することにより間隙によ
るインダクタンス成分を小さくでき、間隙部分に
おけるインピーダンスの劣化を防ぐことができ
る。
これによりトランジスタ増幅器１から、誘電体
基板３の上にパターンで形成した導体線路４を見
たインピーダンスがほぼ50オームとなるので、ト
ランジスタ増幅器の動作状態が安定となり、利得
の低下、発振等を防止できる。
基板３の上にパターンで形成した導体線路４を見
たインピーダンスがほぼ50オームとなるので、ト
ランジスタ増幅器の動作状態が安定となり、利得
の低下、発振等を防止できる。
なお本実施例では導体板６として、外部線路の
接地導体より小さなものを挙げて説明したが、こ
の導体板の形状としては外部線路の接地導体より
大きなもので信号端子を通すための切込みを設け
たものや、スリツトを設けたものでも適用でき、
導体板がトランジスタの金属パツケージと、導体
線路の接地導体の電気的接触が得られる形状とな
つているならば、その形状にとらわれるものでは
ない。
接地導体より小さなものを挙げて説明したが、こ
の導体板の形状としては外部線路の接地導体より
大きなもので信号端子を通すための切込みを設け
たものや、スリツトを設けたものでも適用でき、
導体板がトランジスタの金属パツケージと、導体
線路の接地導体の電気的接触が得られる形状とな
つているならば、その形状にとらわれるものでは
ない。
以上、詳しく述べたように本考案によればバネ
性を有する導体板をトランジスタ増幅器の金属パ
ツケージと外部接地導体の間隙に挿入することに
より高周波領域においても、トランジスタ増幅器
と導体線路の接続部によるインピーダンスの劣化
が防止されるので、トランジスタ増幅器の動作状
態が安定となり、利得の低下、発振等の欠点を防
ぐことができる。したがつてトランジスタ増幅器
を安定な状態で、かつ容易に実装できるので複数
のトランジスタ増幅器を複数個使用した場合で
も、安定で高利得のトランジスタ増幅器を提供で
きる。
性を有する導体板をトランジスタ増幅器の金属パ
ツケージと外部接地導体の間隙に挿入することに
より高周波領域においても、トランジスタ増幅器
と導体線路の接続部によるインピーダンスの劣化
が防止されるので、トランジスタ増幅器の動作状
態が安定となり、利得の低下、発振等の欠点を防
ぐことができる。したがつてトランジスタ増幅器
を安定な状態で、かつ容易に実装できるので複数
のトランジスタ増幅器を複数個使用した場合で
も、安定で高利得のトランジスタ増幅器を提供で
きる。
また、本考案による効果は、周波数が高くなる
程、大きくなるものである。
程、大きくなるものである。
第１図、第２図、第３図は従来のトランジスタ
増幅器の接続構造を示す図で、第１図は平面図、
第２図は第１図の正面図、第３図は第１図の側面
図である。第４図、第５図、第６図は本考案によ
るトランジスタ増幅器の接続構造の実施例を示す
図で、第４図は平面図、第５図は第４図の正面
図、第６図は第４図の側面図である。 １……トランジスタ増幅器、２……信号端子、
３……誘電体基板、４……パターン（導体線路）、
５……接地導体、６……導体板。
増幅器の接続構造を示す図で、第１図は平面図、
第２図は第１図の正面図、第３図は第１図の側面
図である。第４図、第５図、第６図は本考案によ
るトランジスタ増幅器の接続構造の実施例を示す
図で、第４図は平面図、第５図は第４図の正面
図、第６図は第４図の側面図である。 １……トランジスタ増幅器、２……信号端子、
３……誘電体基板、４……パターン（導体線路）、
５……接地導体、６……導体板。
Claims (1)
- 誘電体基板上に導体パターンおよび抵抗パター
ンを形成し、チツプコンデンサおよびトランジス
タを搭載して構成されるマイクロ波集積回路を
RFシールドおよび接地導体を兼ねる金属パツケ
ージに実装してなるトランジスタ増幅器を、外部
接地導体上の誘電体基板上に形成された外部線路
に接続するトランジスタ増幅器の接続構造におい
て、前記トランジスタ増幅器の入出力端子と前記
外部線路を接続する際にできるトランジスタ増幅
器の金属パツケージと外部接地導体との間隙にバ
ネ性の導体板を挿入し、前記トランジスタ増幅器
の金属パツケージと外部接地導体を接続したこと
を特徴とするトランジスタ増幅器の接続構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4887483U JPS59154915U (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | トランジスタ増幅器の接続構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4887483U JPS59154915U (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | トランジスタ増幅器の接続構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59154915U JPS59154915U (ja) | 1984-10-17 |
| JPH042492Y2 true JPH042492Y2 (ja) | 1992-01-28 |
Family
ID=30179396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4887483U Granted JPS59154915U (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | トランジスタ増幅器の接続構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59154915U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS527157U (ja) * | 1975-07-02 | 1977-01-19 |
-
1983
- 1983-04-01 JP JP4887483U patent/JPS59154915U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS527157U (ja) * | 1975-07-02 | 1977-01-19 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59154915U (ja) | 1984-10-17 |
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