JPS6338576Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は高周波回路に関し、特に絶縁基板上の
ストリツプラインを分布定数回路として利用した
高周波増巾器に用いて最適なものである。

背景技術とその問題点 第１図はこの種の高周波回路の従来の実装技術
の一例を示す斜視図で、第２図は第１図の−
線断面図である。第１図の高周波回路はソース接
地FETアンプ（又はエミツタ接地トランジスタ
アンプ）であつて、誘電体基板１上に導電パター
ン２〜５を形成し、それらにFET６のゲート電
極７、ドレイン電極８及びソース電極９，１０を
半田付けしたものである。導電パターン４，５は
第２図に示すようにスルーホール１１，１２の導
電メツキを介して誘電体基板１の裏面側のアース
パターン１３に接続されていて、これによつてソ
ース接地が行われている。なお導電パターン２，
３は誘導性及び容量性の分布定数を有するストリ
ツプラインとして用いられている。

第１図及び第２図に示すソース接地FETアン
プでは、SHF帯以上の周波数においてスルーホ
ール１１，１２の導電部分のインダクタンスが無
視できなくなり、ソース電極９，１０が高周波的
に接地されなくなつて利得低下や発振の原因とな
る。

このような問題を回避するために、第３図に示
すような高周波回路の実装技術が従来から用いら
れている。この方式では、金属の支持板１５に
FET６の実装部分を取除いた誘電体基板１が取
付けられていて、FET６のソース電極１６が第
４図の断面図（第３図−線断面）に示すよう
に、支持板１５の凸面１７にビス１８，１９でも
つて直接固定されている。支持板１５は接地導体
であり、ソース電極１６のビス固定によりソース
接地が行われている。

この方式によれば、高周波域での接地状態は良
好であるが、FET６の端子形状が特殊になつた
り、また金属の支持板１５を必要とするなどコス
ト高となる欠点を有する。

考案の目的 本考案は上述の問題点にかんがみ、極めて簡単
な構造でしかも高周波特性の良い高周波回路構造
を提供することを目的とする。

考案の概要 本考案は、表面に信号用導電パターン、裏面に
アース用導電パターンを夫々有する絶縁基板上に
電気部品を装着した高周波回路において、上記電
気部品の装着位置における上記絶縁基板に開口部
を形成し、この開口部に断面凸状のアース板の凸
状部分を挿入して上記絶縁基板のアース用導電パ
ターンにこのアース板を電気接続すると共に、上
記電気部品の信号用電極を上記絶縁基板の信号用
導電パターンに電気接続し、また上記電気部品の
アース用電極を上記アース板に電気接続したこと
を特徴とするものである。

なおこの明細書における「電気接続」は、直流
的及び交流的（高周波的）の両方を含んでいる。

実施例 以下本考案の実施例に沿つて説明する。

第５図は実施例の高周波回路構造の分解斜視図
である。この高周波回路は第１図及び第３図と同
様なソース接地アンプであつて、第１図、第３図
と同様なストリツプライン用導電パターン２，３
を持つ誘電体基板１を用いている。この基板１に
は長方形のFET用装着穴２１がパターン２，３
の端に隣接して形成されている。この穴２１内に
は、板金製のアース板２２が基板１の裏面側から
半田固定され、更に表面側からFET６が半田固
定される。なおFET６の端子形状は一般市販さ
れているものと同一であつて、第１図と同様にゲ
ート電極７、ドレイン電極８及びソース電極９，
１０を備えている。

アース板２２は、第６図（第５図の−線断
面）及び第７図（第５図の−線断面）に示す
ように、例えば銅板をチヤンネル状にプレス加工
したものであつて、その両脚部２４，２５から中
央の凸部２３までの高さは誘電体基板１の厚みと
ほゞ同じである。また凸部２３の中間部には
FET６のゲート及びドレイン電極７，８との接
触を避けるための凹所２６が形成されている。

第８図は組立てられた状態の斜視図で、第９図
及び第１０図は第８図における−線及び−
線の断面図である。第１０図に示すようにアー
ス板２２の両脚部２４，２５が基板１の裏面のア
ースパターン１３に半田付けされる。この状態で
アース板２２の凸部２３の上記はFET装着穴２
１内において基板１の表面とほゞ同一高さとな
る。FET６のソース電極９，１０は第９図に示
すようにアース板２２の凸部２３に半田付けさ
れ、またゲート電極７及びドレイン電極８は、
夫々ストリツプパターン２，３に半田付けされ
る。

このように構成されたソース接地アンプは、
FET６のソース電極９，１０がアース板２２を
介して確実に接地されるので、高周波域において
ソース接地インピーダンスが増大することが無
く、従つて良好な動作点でFET６を動作させる
ことができ、発振や利得低下の無い優れた増巾特
性を得ることができる。しかも板金製のアース板
２２を用いているので、構造が簡単でより低コス
トで製造することができ、また市販の通常の端子
構造のFETを用いることもできる。

第１１図はアース板２２の変形例を示す斜視図
である。SHF帯以上の高周波域では、FETやバ
イポーラトランジスタ等の部品の取付け位置のず
れが電気特性のばらつきとなつて現われる。第１
１図に示す変形例では、アース板２２の凸部２３
の表面にソース電極の位置決め用溝２７が形成さ
れている。この溝２７によりFET６が高精度に
位置決めされて取付けられるので、増巾器として
の電気特性が製品ごとに均一となり、またFET
６の取付作業も簡単となる。

第１２図Ａは上述の第５図〜第１１図に示した
ソー接地FETアンプの回路図である。この回路
ではFET６のゲートに負バイアスを与える必要
があるが、第１２図ＢのようにFET６のソース
に直流帰還抵抗Ｒを挿入し、ゲートを直流的に接
地するような構成にして単一電源化することが考
えられる。この場合、FET６のソースはバイパ
スコンデンサＣを介して高周波的に接地される。

第１３図は第１２図Ｂの回路構成を採用したソ
ース接地アンプの実装構造を示す斜視図で、第１
４図は第１３図の−線断面図である。第１３
図及び第１４図の実施例では、FET６のソース
電極９，１０がリードレスの薄型平板コンデンサ
２８，２９を介してアース板２２の凸部２３に半
田付けされている。これによつてソース電極９，
１０がバイパスコンデンサを介して高周波的に接
地される。なおアース板２２としては、第５図と
同一形状のものが使用されるが、その高さは平板
コンデンサ２８，２９の厚み分だけ低くなつてい
る。

またソース電極９はリード線３０を介して基板
１上の導電パターン３１と接続され、この導電パ
ターン３１と導電パターン３２との間に半田付け
されたリードレス抵抗３３を介してソース電極９
が直流的に接地される。この抵抗３３は第１２図
Ｂに示す直流帰還抵抗であり、高周波信号が通る
ことが無いので、抵抗３３の一端のパターン３２
はスルーホール３４を通じて基板１の裏面側のア
ースパターン３１と接続されている。

以上本考案を実施例に沿つて説明したが本考案
の技術思想に基いて種々の変形された実施例が可
能である。例えば実施例のアース板２２を介して
接地される端子はトランジスタ等の能動素子に限
られることなく例えば抵抗やインダクタンス等の
受動素子であつてもよい。また装着穴２１は基板
１の側縁に連なる切欠きであつてもよい。またア
ース板２２の凸部２３の高さや凹所２６の深さな
どは使用するトランジスタ等に合わせて適宜に変
更されるものである。

考案の効果 本考案は上述の如く、電気部品（実施例の
FET６など）を装着する絶縁基板（実施例の誘
電体基板１）の装着部分に開口部（実施例の装着
穴２１）を形成し、この開口部に断面凸状のアー
ス板２２を挿入して絶縁基板の裏面側のアース用
導電パターンにこのアース板を電気接続すると共
に、上記電気部品の信号用電極（実施例のゲート
電極７及びドレイン電極８）を上記絶縁基板の表
面側の信号用導電パターン２，３に電気接続し、
また上記電気部品のアース用電極（ソース電極
９，１０）を上記アース板２２に電気接続したの
で、非常に簡単な構造で電気部品のアース用電極
を確実にアースすることができ、高周波的に優れ
た特性を得ることができると共に、部品コストや
工数の低減を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は絶縁基板上のストリツプラインに
FETを接続した従来の高周波回路の実装技術を
示す斜視図、第２図は第１図の−線断面図、
第３図は別の従来技術を示す第１図と同様な斜視
図、第４図は第３図の−線断面図である。第
５図は本考案の実施例の高周波回路構造の分解斜
視図、第６図は第５図のアース板の−線断面
図、第７図は第５図のアース板の−線断面
図、第８図は第５図の各部を組立てた状態の斜視
図、第９図は第８図の−線断面図、第１０図
は第８図の−線断面図、第１１図はアース板
の変形例を示す斜視図、第１２図Ａは第５図〜第
１１図に示す実施例のソース接地FETアンプの
回路図、第１２図Ｂはバイパスコンデンサを用い
たソース接地FETアンプの回路図、第１３図は
第１２図Ｂの回路の実装構造を示す別の実施例の
斜視図、第１４図は第１３図の−線断面図で
ある。 なお図面に用いられている符号において、１…
…誘電体基板、２，３……導電パターン、６……
FET、７……ゲート電極、８……ドレイン電極、
９，１０……ソース電極、１３……アースパター
ン、２１……FET装着穴、２２……アース板、
２３……凸部、２４，２５……脚部、である。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 表面に信号用導電パターン、裏面にアース用導
   電パターンを夫々有する絶縁基板上に電気部品を
   装着した高周波回路において、上記電気部品の装
   着位置における上記絶縁基板に開口部を形成し、
   この開口部に断面凸状のアース板の凸状部分を挿
   入して上記絶縁基板のアース用導電パターンにこ
   のアース板を電気接続すると共に、上記電気部品
   の信号用電極を上記絶縁基板の信号用導電パター
   ンに電気接続し、また上記電気部品のアース用電
   極を上記アース板に電気接続したことを特徴とす
   る高周波回路。