JPS641804Y2 - - Google Patents
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- JPS641804Y2 JPS641804Y2 JP1982137618U JP13761882U JPS641804Y2 JP S641804 Y2 JPS641804 Y2 JP S641804Y2 JP 1982137618 U JP1982137618 U JP 1982137618U JP 13761882 U JP13761882 U JP 13761882U JP S641804 Y2 JPS641804 Y2 JP S641804Y2
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- JP
- Japan
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- frequency transistor
- high frequency
- isolator
- mounting plate
- insulating plate
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
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- Structure Of Receivers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はマイクロ波受信機に係り、特にマイク
ロ波信号を増幅するアイソレータが接続される高
周波用トランジスタの取り付け構造に関するもの
である。
ロ波信号を増幅するアイソレータが接続される高
周波用トランジスタの取り付け構造に関するもの
である。
まず第1図に基づき従来例のマイクロ波受信機
における高周波用トランジスタの取り付け構造を
説明する。
における高周波用トランジスタの取り付け構造を
説明する。
図において1はGaAsFET(ガリウムヒ素電界
効果トランジスタ)等の高周波用トランジスタで
あり、4本の端子1a,1b,1c,1dが設け
てある。この高周波用トランジスタ1は図中矢印
で示すマイクロ波信号6を増幅する初段のトラン
ジスタであり、図示してない他の回路素子と共に
絶縁板2に搭載される。
効果トランジスタ)等の高周波用トランジスタで
あり、4本の端子1a,1b,1c,1dが設け
てある。この高周波用トランジスタ1は図中矢印
で示すマイクロ波信号6を増幅する初段のトラン
ジスタであり、図示してない他の回路素子と共に
絶縁板2に搭載される。
この絶縁板2はアルミナ基板又は銅張積層板か
ら構成されているものであつて、前記高周波用ト
ランジスタ1は、この絶縁板2に形成した取付凹
部2aに配置されているものである。3はアイソ
レータであり、図の様に高周波用トランジスタ1
の端子1aを介して絶縁板2に接続される。4は
アイソレータ固定用のネジである。また7は半田
を示す。
ら構成されているものであつて、前記高周波用ト
ランジスタ1は、この絶縁板2に形成した取付凹
部2aに配置されているものである。3はアイソ
レータであり、図の様に高周波用トランジスタ1
の端子1aを介して絶縁板2に接続される。4は
アイソレータ固定用のネジである。また7は半田
を示す。
ところで高周波用トランジスタ1は発熱が大き
いため、効果的に放熱してやらないと性能が劣化
するという事情がある。
いため、効果的に放熱してやらないと性能が劣化
するという事情がある。
ところが前述の如き構成のマイクロ波受信機に
おいては、絶縁板2はアルミナ基板や銅張積層板
であるため非常に放熱性が悪かつた。
おいては、絶縁板2はアルミナ基板や銅張積層板
であるため非常に放熱性が悪かつた。
また高周波用トランジスタ1は絶縁板2に他の
トランジスタ等の回路素子と一緒に組み込まれて
いるため、他の回路素子による熱の影響をこの高
周波用トランジスタ11は受けることになる。
トランジスタ等の回路素子と一緒に組み込まれて
いるため、他の回路素子による熱の影響をこの高
周波用トランジスタ11は受けることになる。
この様に熱の影響を受け、高周波用トランジス
タ1の温度が上昇すると、NF(雑音指数)等の
性能が悪くなる。
タ1の温度が上昇すると、NF(雑音指数)等の
性能が悪くなる。
また高周波用トランジスタ1のNFは入力電極
1a側の整合が重要であるが、第1図に示す従来
例の構造であるとアイソレータ3と高周波用トラ
ンジスタ1間のアースが離れるので入力側のマツ
チングがとりにくく、損失も大きいという欠点も
生じていた。
1a側の整合が重要であるが、第1図に示す従来
例の構造であるとアイソレータ3と高周波用トラ
ンジスタ1間のアースが離れるので入力側のマツ
チングがとりにくく、損失も大きいという欠点も
生じていた。
さらに絶縁板2とアイソレータ3との間隔がば
らつくと、即高周波用トランジスタ1の入力電極
1aの長さのばらつきとなり、結局NF等のばら
つきとなつてしまう。
らつくと、即高周波用トランジスタ1の入力電極
1aの長さのばらつきとなり、結局NF等のばら
つきとなつてしまう。
本考案は以上の如き従来例の欠点に鑑みてなさ
れたものであり、高周波用トランジスタの放熱
性、接地性に優れた、信頼性の高いマイクロ波受
信機を提供することを目的とするものである。
れたものであり、高周波用トランジスタの放熱
性、接地性に優れた、信頼性の高いマイクロ波受
信機を提供することを目的とするものである。
そしてそのために、高周波用トランジスタ1を
絶縁板2から分離してアイソレータとともに、熱
伝導性、導電性の優れた取付板に取り付けるよう
に装置を構成したものである。
絶縁板2から分離してアイソレータとともに、熱
伝導性、導電性の優れた取付板に取り付けるよう
に装置を構成したものである。
以下本考案の一実施例を第2図、第3図に基づ
き説明する。尚図において第1図と同一個所は同
一符号とする。
き説明する。尚図において第1図と同一個所は同
一符号とする。
第2図は本考案の一実施例に係るマイクロ波受
信機の外観斜視図である。
信機の外観斜視図である。
図において前記絶縁板2に隣接して金属製の取
付板(ブラケツト)5が配置してある。この取付
板5はリン青銅板等の熱伝導の良い材料で出来て
おり、また表面は電気伝導性を良するために銀メ
ツキなどの表面処理が施されている。
付板(ブラケツト)5が配置してある。この取付
板5はリン青銅板等の熱伝導の良い材料で出来て
おり、また表面は電気伝導性を良するために銀メ
ツキなどの表面処理が施されている。
そして前記高周波用トランジスタ1は絶縁板2
から分離して(従つて他の回路素子から分離し
て)この取付板5に前記アイソレータ3と共に取
り付けたのである。
から分離して(従つて他の回路素子から分離し
て)この取付板5に前記アイソレータ3と共に取
り付けたのである。
さらにこの高周波トランジスタ1は端子1b,
1dを半田7を介して取付板5に取り付けて接地
した上で、絶縁板2のパターンの入力端及びアイ
ソレータ3の出力端に各端子1c,1aをそれぞ
れ接続する。
1dを半田7を介して取付板5に取り付けて接地
した上で、絶縁板2のパターンの入力端及びアイ
ソレータ3の出力端に各端子1c,1aをそれぞ
れ接続する。
第3図は取付板5の外観斜視図であり、高周波
用トランジスタ1を取り付けるための取付凹部5
a、前記ネジ4を嵌合するための孔5b、段部5
cからなるものである。
用トランジスタ1を取り付けるための取付凹部5
a、前記ネジ4を嵌合するための孔5b、段部5
cからなるものである。
この取付板5はネジ4によつてアイソレータ3
と一体で図示してないシヤーシ等に固定されるよ
うになつている。
と一体で図示してないシヤーシ等に固定されるよ
うになつている。
この様な構成によれば高周波用トランジスタ1
で発生した熱は取付板5に移り、この取付板5を
伝導してさらにその下のシヤーシ等に拡散するた
め良好な放熱が行なわれる。また取付板5は表面
の導電性が良いため、高周波用トランジスタ1、
アイソレータ3共に接地性が良くなる。
で発生した熱は取付板5に移り、この取付板5を
伝導してさらにその下のシヤーシ等に拡散するた
め良好な放熱が行なわれる。また取付板5は表面
の導電性が良いため、高周波用トランジスタ1、
アイソレータ3共に接地性が良くなる。
本考案は以上述べた通り、高周波用トランジス
タをアイソレータと共に他の回路素子を搭載する
絶縁板とは別個の金属の取付板に取り付けたもの
であるから、放熱性、接地性を良好にすることが
出来る。
タをアイソレータと共に他の回路素子を搭載する
絶縁板とは別個の金属の取付板に取り付けたもの
であるから、放熱性、接地性を良好にすることが
出来る。
また高周波用トランジスタとアイソレータとの
距離が一定となり、NFのマツチングのばらつき
が少なくなるという効果も奏する。
距離が一定となり、NFのマツチングのばらつき
が少なくなるという効果も奏する。
さらにアースの距離が短かくなるのでアース接
触ポイントを少なくすることが出来る。
触ポイントを少なくすることが出来る。
従つてこれら種々の効果をふまえて信頼性の高
い高品質のマイクロ波受信機を提供することが出
来るものである。
い高品質のマイクロ波受信機を提供することが出
来るものである。
第1図は従来例のマイクロ波受信機の外観斜視
図、第2図は本考案の一実施例に係るマイクロ波
受信機の外観斜視図、第3図は本考案の要部であ
る取付基板の一実施例に係る外観斜視図である。 1……高周波用トランジスタ、2……絶縁板、
3……アイソレータ、5……取付板、6……マイ
クロ波信号。
図、第2図は本考案の一実施例に係るマイクロ波
受信機の外観斜視図、第3図は本考案の要部であ
る取付基板の一実施例に係る外観斜視図である。 1……高周波用トランジスタ、2……絶縁板、
3……アイソレータ、5……取付板、6……マイ
クロ波信号。
Claims (1)
- マイクロ波信号を増幅する高周波トランジスタ
を導電性を有する金属の取付板に接地側の端子を
介して取り付けるとともに、上記取付板にアイソ
レータを取り付けてその出力端と高周波トランジ
スタの入力端とを接続し、さらに高周波トランジ
スタの出力端をマイクロ波信号を増幅する他の回
路装置を搭載した絶縁板上の回路の入力端に接続
したことを特徴とするマイクロ波受信機。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13761882U JPS5942654U (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | マイクロ波受信機 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13761882U JPS5942654U (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | マイクロ波受信機 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5942654U JPS5942654U (ja) | 1984-03-19 |
JPS641804Y2 true JPS641804Y2 (ja) | 1989-01-17 |
Family
ID=30309047
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13761882U Granted JPS5942654U (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | マイクロ波受信機 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5942654U (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4530494B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2010-08-25 | 三菱電機株式会社 | 高周波用複合素子 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5711420Y2 (ja) * | 1976-06-04 | 1982-03-05 |
-
1982
- 1982-09-13 JP JP13761882U patent/JPS5942654U/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5942654U (ja) | 1984-03-19 |
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