JPS6031103B2 - 高周波用高出力トランジスタ装置 - Google Patents
高周波用高出力トランジスタ装置Info
- Publication number
- JPS6031103B2 JPS6031103B2 JP14989775A JP14989775A JPS6031103B2 JP S6031103 B2 JPS6031103 B2 JP S6031103B2 JP 14989775 A JP14989775 A JP 14989775A JP 14989775 A JP14989775 A JP 14989775A JP S6031103 B2 JPS6031103 B2 JP S6031103B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal conductor
- transistor
- grounding metal
- transistor element
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Microwave Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、高出力用トランジスタを用い混成集積化さ
れた高周波用高出力トランジスタ装置に関するものであ
る。
れた高周波用高出力トランジスタ装置に関するものであ
る。
通常、高出力用トランジスタは入出力インピーダンスが
数○以下であり非常に低い。
数○以下であり非常に低い。
このような低いインピーダンスのトランジスタを増幅器
として動作させるには、一般には信号源ィンピーダンス
に整合させ、最適な負荷を与えるインピーダンス変換回
路を外部に設置しなければならない。とくにマイクロ波
になるにしたがいパッケージのリード電極と接地間の浮
遊容量等が問題になり、トランジスタの性能が悪くなる
ので反射電力を極力少なくするように使用せねばならな
い。従釆、このような低インピーダンストランジスタを
使用する場合、トランジスタをマウントしたパッケージ
のＩＪ−ド電極を介して外部回路と接続していた。
として動作させるには、一般には信号源ィンピーダンス
に整合させ、最適な負荷を与えるインピーダンス変換回
路を外部に設置しなければならない。とくにマイクロ波
になるにしたがいパッケージのリード電極と接地間の浮
遊容量等が問題になり、トランジスタの性能が悪くなる
ので反射電力を極力少なくするように使用せねばならな
い。従釆、このような低インピーダンストランジスタを
使用する場合、トランジスタをマウントしたパッケージ
のＩＪ−ド電極を介して外部回路と接続していた。
リード電極は長さが数肋で直流抵抗が０．１０程度の４
・さし、値であっても、マイクロ波帯においてはトラン
ジスタのインピーダンスが低いために相当量の高周波伝
送損失を生じ、このためトランジスタ素子の性能を充分
発揮させることができない。
・さし、値であっても、マイクロ波帯においてはトラン
ジスタのインピーダンスが低いために相当量の高周波伝
送損失を生じ、このためトランジスタ素子の性能を充分
発揮させることができない。
たとえば増幅器を構成する場合、前記リード電極の高周
波損失分だけトランジスタを増加せねばならない。した
がって価格の点で不利であり、回路構成が複雑になる。
さらに、高出力用トランジスタを複数筒並列援続して、
より以上の高出力を得ようとするとき、その際の入出力
インピーダンスは一層低くなり、前記リード電極の高周
波損失が増大し高出力化を妨げる。とくに、マイクロ波
帯においては、トランジスタ素子の性能に余裕が無いた
め、この損失は大きな割合で影響してくる。このような
りード電極の損失を減少させるために従来ではパッケー
ジ内に整合回路を格納してリード電極を極端に短か〈し
ている。しかしながら格納されている整合回路素子はす
べて誘電体板上に設置されているために、接地電極との
間に等価的にィンダクタンスが挿入される。このためト
タランジスタ素子には電気的に帰還がかかったり、整合
回路中のコンデンサ素子と共振し、特性劣下をきたし、
また異常現象発生のためトランジスタ素子を破壊に至ら
しめていた。この発明は、か）る欠点を除去し、小型か
つ高Ｚ性能の高周波用高出力トランジスタ装置を提供す
ることにある。
波損失分だけトランジスタを増加せねばならない。した
がって価格の点で不利であり、回路構成が複雑になる。
さらに、高出力用トランジスタを複数筒並列援続して、
より以上の高出力を得ようとするとき、その際の入出力
インピーダンスは一層低くなり、前記リード電極の高周
波損失が増大し高出力化を妨げる。とくに、マイクロ波
帯においては、トランジスタ素子の性能に余裕が無いた
め、この損失は大きな割合で影響してくる。このような
りード電極の損失を減少させるために従来ではパッケー
ジ内に整合回路を格納してリード電極を極端に短か〈し
ている。しかしながら格納されている整合回路素子はす
べて誘電体板上に設置されているために、接地電極との
間に等価的にィンダクタンスが挿入される。このためト
タランジスタ素子には電気的に帰還がかかったり、整合
回路中のコンデンサ素子と共振し、特性劣下をきたし、
また異常現象発生のためトランジスタ素子を破壊に至ら
しめていた。この発明は、か）る欠点を除去し、小型か
つ高Ｚ性能の高周波用高出力トランジスタ装置を提供す
ることにある。
この発明によれば、接地用金属導体と、該接地用金属導
体上に固着された熱伝導のよい譲露体基板と、該誘電体
基板上の一端面に接近して戦層固Ｚ着されたトランジス
タ素子と、該トランジスタ素子が暖近している前記誘電
体基板の一端面に接し、もしくは接近して配置され、か
つ前記接地用金属導体と一体部材もしくは、該接地用金
属導体上に同一のあるいは他の金属導体が電気的に接続
２されている導体凸部と、該導体凸部上に、前記トラン
ジスタ素子上面と上部電極がほゞ同一平面となり、かつ
該トランジスタ素子に接近するように戦置固着されたコ
ンデンサ素子と、該コンデンサ素子の上部電極と前記ト
ランジスタ素子の入力端２子とが第１のリード線を介し
て接続され、さらに該コンデンサ素子の上部電極と入力
側回路とが第２のリード線を介して接続されていると共
に、前記トランジスタ素子の出力端子電極と出力側回路
とが電気的に接続されていることを特徴とする高周波用
高出力トランジスタ装置が得られる。
体上に固着された熱伝導のよい譲露体基板と、該誘電体
基板上の一端面に接近して戦層固Ｚ着されたトランジス
タ素子と、該トランジスタ素子が暖近している前記誘電
体基板の一端面に接し、もしくは接近して配置され、か
つ前記接地用金属導体と一体部材もしくは、該接地用金
属導体上に同一のあるいは他の金属導体が電気的に接続
２されている導体凸部と、該導体凸部上に、前記トラン
ジスタ素子上面と上部電極がほゞ同一平面となり、かつ
該トランジスタ素子に接近するように戦置固着されたコ
ンデンサ素子と、該コンデンサ素子の上部電極と前記ト
ランジスタ素子の入力端２子とが第１のリード線を介し
て接続され、さらに該コンデンサ素子の上部電極と入力
側回路とが第２のリード線を介して接続されていると共
に、前記トランジスタ素子の出力端子電極と出力側回路
とが電気的に接続されていることを特徴とする高周波用
高出力トランジスタ装置が得られる。
前記この発明によれば、１個あるいは複数個のトランジ
スタ素子を用いた場合にも、リード電極の高周波損失が
少なくなり、しかも入力整合回路を構成するコンデンサ
素子が直接接地されているため、高周波になるにしたが
い発生し易い異常現象が無くなり、安定で、かつ性能の
良好な高周波用高出力トランジスタ装置が得られる。以
下この発明について図面を用いて詳述する。第１図はこ
の発明の一実施例を示す断面概略図である。
スタ素子を用いた場合にも、リード電極の高周波損失が
少なくなり、しかも入力整合回路を構成するコンデンサ
素子が直接接地されているため、高周波になるにしたが
い発生し易い異常現象が無くなり、安定で、かつ性能の
良好な高周波用高出力トランジスタ装置が得られる。以
下この発明について図面を用いて詳述する。第１図はこ
の発明の一実施例を示す断面概略図である。
図において、ベリリアのような熱伝導のよい誘電体基板
２の一端面に接近した部分上に、トランジスタ素子１が
膜状導体１２を介して固着されていて、接地用金属導体
６上にその誘電体基板２がマウントされている。さらに
接地用金属導体６の中央部には凸部が設けられていて単
板型セラミックコンデンサ３が固着されている。この接
地用金属導体６の凸部には前記誘電体基板２の一端面が
接していて、トランジスタ素子１と単板セラミックコン
デンサ３の上部電極は非常に接近されていて、しかも同
一平面上となるように高さが選ばれている。したがって
、トランジスタ素子１から単板型セラミックコンデンサ
３の上部電極までのボンディングされた第１のリード線
４は非常に長さが短か〈できる。外部回路との接続に必
要な引出線は、入力側については、前記接地用金属導体
６上にマウントされたアルミナ磁器板７上に直接リボン
状引出線８を固着して設置し、その一端に、所要のィン
ダクタンスをもつボンディングされた第２のリード線５
を介して単板型セラミックコンデンサ３に接続されてい
る。また、出力側外部引出線９は、熱伝導のよい前記誘
電体基板２上に設けられた膜状導体１２にろう着されて
いる。このような構造のトランジスタ装置は、低入力イ
ンピーダンスをもつトランジスタ素子１の直前に入力整
合回路を設けたことになる。したがって低インピーダン
ス系にある伝送線路は、その構造に基づき非常に短かい
りード線４だけであり、高周波損失が少ないので、高性
能のトランジスタ装置を得ることができる。さらに単板
型セラミックコンデンサ３は直接、接地用金属導体６の
凸部に接続されているため固有ィンダクタンスが非常に
小さく、入力側回路で直列共振回路が構成されるような
ことがなく、安定に動作しうる高出力トランジスタ装置
を構成できる。第２図ａ，ｂにこの発明の他の実施例の
断面概略図と平面概略図を示している。
２の一端面に接近した部分上に、トランジスタ素子１が
膜状導体１２を介して固着されていて、接地用金属導体
６上にその誘電体基板２がマウントされている。さらに
接地用金属導体６の中央部には凸部が設けられていて単
板型セラミックコンデンサ３が固着されている。この接
地用金属導体６の凸部には前記誘電体基板２の一端面が
接していて、トランジスタ素子１と単板セラミックコン
デンサ３の上部電極は非常に接近されていて、しかも同
一平面上となるように高さが選ばれている。したがって
、トランジスタ素子１から単板型セラミックコンデンサ
３の上部電極までのボンディングされた第１のリード線
４は非常に長さが短か〈できる。外部回路との接続に必
要な引出線は、入力側については、前記接地用金属導体
６上にマウントされたアルミナ磁器板７上に直接リボン
状引出線８を固着して設置し、その一端に、所要のィン
ダクタンスをもつボンディングされた第２のリード線５
を介して単板型セラミックコンデンサ３に接続されてい
る。また、出力側外部引出線９は、熱伝導のよい前記誘
電体基板２上に設けられた膜状導体１２にろう着されて
いる。このような構造のトランジスタ装置は、低入力イ
ンピーダンスをもつトランジスタ素子１の直前に入力整
合回路を設けたことになる。したがって低インピーダン
ス系にある伝送線路は、その構造に基づき非常に短かい
りード線４だけであり、高周波損失が少ないので、高性
能のトランジスタ装置を得ることができる。さらに単板
型セラミックコンデンサ３は直接、接地用金属導体６の
凸部に接続されているため固有ィンダクタンスが非常に
小さく、入力側回路で直列共振回路が構成されるような
ことがなく、安定に動作しうる高出力トランジスタ装置
を構成できる。第２図ａ，ｂにこの発明の他の実施例の
断面概略図と平面概略図を示している。
図によれば、ベリリアからなる誘電体基板２上にトラン
ジスタ素子１が膜状導体１２を介して固着されてあり、
接地用金属導体６の中央部に設けた凸部上に設置した単
板セラミックコソデンサ３に近接して、そして同一平面
となるような構造になっている。さらに単板セラミック
コンデンサ３からは、アルミナ０磁器板７上に分布定数
線路を組合わせた入力インピーダンス変換回路１１に第
２のリード線５を介して、単板セラミックコンデンサ３
の上部電極からトランジスタ素子１の入力端子電極には
非常に短い長さのボンディングされた第１のリード線４
を介して接続されている。また出力側は、アルミナ磁器
板１３上に構成された出力インピーダンス変換回路１４
と、膜状導体１２とはボンディング線で接続されていて
、外部回路に接続するための入出力端子電極は、外部引
出線８，９が用いられる。このような構造のトランジス
タ装置は、第１の実施例に示した特長を有することはも
ちろん、他にも、ァルミナ磁器板７，１３上に設けた入
出力インピーダンス変換回路１１，１４により、トラン
ジスタ素子１の最適動作を行いうるように構成し易くな
る。さらにトランジスタ素子１の特性にばらつきがある
ような場合でも、容易に調整可能になり、良好な特性の
トランジスタ装置が得られる。なお、この発明の実施例
には、窒素あるいは不活性ガスを封入し、セラミック製
ふた１０をしてシールを行ない、トランジスタ素子１お
よびその他回路素子の経時変化を少なくし、安定化が計
られている。以上の説明から明らかなように、この発明
による高出力トランジスタ装置は、その構成にもとずき
、トランジスタ素子とコンデンサ素子とが近接しなおか
つ両者の上面が同一平面となるため、非常に短かし、長
さのりード線で両者を接続でき、高周波損失が少なくで
きる。
ジスタ素子１が膜状導体１２を介して固着されてあり、
接地用金属導体６の中央部に設けた凸部上に設置した単
板セラミックコソデンサ３に近接して、そして同一平面
となるような構造になっている。さらに単板セラミック
コンデンサ３からは、アルミナ０磁器板７上に分布定数
線路を組合わせた入力インピーダンス変換回路１１に第
２のリード線５を介して、単板セラミックコンデンサ３
の上部電極からトランジスタ素子１の入力端子電極には
非常に短い長さのボンディングされた第１のリード線４
を介して接続されている。また出力側は、アルミナ磁器
板１３上に構成された出力インピーダンス変換回路１４
と、膜状導体１２とはボンディング線で接続されていて
、外部回路に接続するための入出力端子電極は、外部引
出線８，９が用いられる。このような構造のトランジス
タ装置は、第１の実施例に示した特長を有することはも
ちろん、他にも、ァルミナ磁器板７，１３上に設けた入
出力インピーダンス変換回路１１，１４により、トラン
ジスタ素子１の最適動作を行いうるように構成し易くな
る。さらにトランジスタ素子１の特性にばらつきがある
ような場合でも、容易に調整可能になり、良好な特性の
トランジスタ装置が得られる。なお、この発明の実施例
には、窒素あるいは不活性ガスを封入し、セラミック製
ふた１０をしてシールを行ない、トランジスタ素子１お
よびその他回路素子の経時変化を少なくし、安定化が計
られている。以上の説明から明らかなように、この発明
による高出力トランジスタ装置は、その構成にもとずき
、トランジスタ素子とコンデンサ素子とが近接しなおか
つ両者の上面が同一平面となるため、非常に短かし、長
さのりード線で両者を接続でき、高周波損失が少なくで
きる。
またコンデンサ素子は直接接地用金属導体凸部に接続さ
れているためコンデンサ素子の固有ィンダクタンスを非
常に小さくでき、共振回路になりにくい。このため安定
に動作する。とくにＵＨＦ帯およびマイクロ波帯におい
ては極めて優れた性能を発揮する。以上、この発明の実
施例について述べたが、トランジスタ素子が２個以上並
列に接続されて、さらに低インピーダンスになる場合で
も有効である。
れているためコンデンサ素子の固有ィンダクタンスを非
常に小さくでき、共振回路になりにくい。このため安定
に動作する。とくにＵＨＦ帯およびマイクロ波帯におい
ては極めて優れた性能を発揮する。以上、この発明の実
施例について述べたが、トランジスタ素子が２個以上並
列に接続されて、さらに低インピーダンスになる場合で
も有効である。
また単板型コンデンサが固着されている接地用金属導体
の凸部は、他の金属導体をろう着して構成してもよく同
等な特性のトランジスタ装置が得られる。
の凸部は、他の金属導体をろう着して構成してもよく同
等な特性のトランジスタ装置が得られる。
第１図は、この発明の一実施例を示す断面概略図、第２
図ａ，ｂは、この発明の他の実施例を示す断面概略図と
平面概略図である。 図において１はトランジスタ素子、２は熱伝導のよい誘
電体基板、３は単板型セラミックコンデンサ、４はボン
ディングされた第１のリード線、５はボンディングされ
た第２のリード線、６は接地用金属導体、７，１３はア
ルミナ磁器板、８，９は外部引出線、１０はセラミック
製ふた、１１は入力インピーダンス変換回路、１２は膜
状導体、１４は出力インピーダンス変換回路を示す。オ
ー図 才２図
図ａ，ｂは、この発明の他の実施例を示す断面概略図と
平面概略図である。 図において１はトランジスタ素子、２は熱伝導のよい誘
電体基板、３は単板型セラミックコンデンサ、４はボン
ディングされた第１のリード線、５はボンディングされ
た第２のリード線、６は接地用金属導体、７，１３はア
ルミナ磁器板、８，９は外部引出線、１０はセラミック
製ふた、１１は入力インピーダンス変換回路、１２は膜
状導体、１４は出力インピーダンス変換回路を示す。オ
ー図 才２図
Claims (1)
- １ 接地用金属導体と該接地用金属導体上に固着された
熱伝導のよい誘電体基板と、該誘電体基板上の一端面に
接し、もしくは接近して配置され、かつ前記接地用金属
導体と一体部材、もしくは該接地用金属導体上に同一の
、あるいは他の金属導体が電気的に接続されている導体
凸部と、該導体凸部上に、前記トランジスタ素子上面と
上部電極がほぼ同一平面となり、かつ該トランジスタ素
子に接近するように載置固着されたコンデンサ素子と、
該コンデンサ素子の上部電極と前記トランジスタ素子の
入力端子電極とが第１のリード線を介して接続され、さ
らに該コンデンサ素子の上部電極と入力側回路とが第２
のリード線を介して接続されていると共に、前記トラン
ジスタ素子の出力端子電極と出力側回路とが電気的に接
続されていることを特徴とする高周波用高出力トランジ
スタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14989775A JPS6031103B2 (ja) | 1975-12-15 | 1975-12-15 | 高周波用高出力トランジスタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14989775A JPS6031103B2 (ja) | 1975-12-15 | 1975-12-15 | 高周波用高出力トランジスタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5273676A JPS5273676A (en) | 1977-06-20 |
| JPS6031103B2 true JPS6031103B2 (ja) | 1985-07-20 |
Family
ID=15484994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14989775A Expired JPS6031103B2 (ja) | 1975-12-15 | 1975-12-15 | 高周波用高出力トランジスタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6031103B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5485969U (ja) * | 1977-11-29 | 1979-06-18 | ||
| JPS54134976A (en) * | 1978-04-12 | 1979-10-19 | Nec Corp | High-frequency transistor |
| JP2529778Y2 (ja) * | 1987-09-24 | 1997-03-19 | 日本電気株式会社 | マイクロ波集積回路 |
| JPS6490602A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-07 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1975
- 1975-12-15 JP JP14989775A patent/JPS6031103B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5273676A (en) | 1977-06-20 |
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