CN105141262A - 一种适用于f类或逆f类功率放大器的放大模块 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种适用于F类或逆F类功率放大器的放大模块。该放大模块应用于F类功率放大器或逆F类功率放大器，包括晶体管、用于实现F类或逆F类功率放大器所需谐波匹配的谐振器模组、底座、信号输入端和信号输出端；谐振器模组包括并联谐振器组和串联谐振器组。并联谐振器组包括第一谐振模块和第二谐振模块；串联谐振器组包括第三谐振模块和第四谐振模块；其中，每一个谐振模块均包括至少一个薄膜体声波谐振器。本发明减小了F类或逆F类功率放大器的尺寸，降低了谐波损耗，提高了功率放大器的效率，同时减少了谐波匹配网络和基波匹配网络之间的相互干扰，使得F类或逆F类功率放大器的设计更加容易。

Description

一种适用于F类或逆F类功率放大器的放大模块

技术领域

本发明涉及通信技术、微电子和半导体技术领域，特别涉及一种适用于F类或逆F类功率放大器的放大模块。

背景技术

随着通信技术的发展，通信系统逐渐向高效率和小型化等方向发展。这些特性要求通信系统核心部件的功率放大器具备高效率和小型化的特点。其中，F类功率放大器和逆F类功率放大器是两种至关重要的的高效率功率放大器。

现有技术中，通常采用集总元件构成的谐振器或者采用基于分布参数的短截线进行匹配，实现F类功率放大器或逆F类功率放大器。然而，不管是采用集总元件，还是采用分布参数元件来进行匹配，现有的F类功率放大器和逆F类功率放大器均存在以下缺点：一、谐波匹配网络需要占据大量的空间，不利于通信系统小型化；二、谐波匹配网络离功率放大器的核心元件晶体管的距离较远，损耗较高，导致功率放大器的效率降低；三、谐波匹配网络和基波匹配网络之间相互干扰，设计难度较大。

综上所述可以看出，如何减小F类或逆F类功率放大器的尺寸、提高其效率、降低其设计难度是目前亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种适用于F类或逆F类功率放大器的放大模块，减小了F类或逆F类功率放大器的尺寸、提高了其效率，并同时降低其设计难度。具体方案如下：

一种适用于F类或逆F类功率放大器的放大模块，包括晶体管、用于实现F类或逆F类功率放大器所需谐波匹配的谐振器模组、底座、信号输入端和信号输出端；所述晶体管包括晶体管输入端、晶体管输出端和晶体管接地端；所述晶体管和所述谐振器模组均设置于所述底座上；所述谐振器模组设置于所述晶体管输出端和所述信号输出端之间；所述谐振器模组包括并联谐振器组和串联谐振器组；

所述并联谐振器组包括并联于所述晶体管输出端和所述晶体管接地端之间的第一谐振模块和第二谐振模块；

所述串联谐振器组包括串联于所述晶体管输出端和所述信号输出端之间的第三谐振模块和第四谐振模块；

其中，所述第一谐振模块、所述第二谐振模块、所述第三谐振模块和所述第四谐振模块均分别包括至少一个薄膜体声波谐振器。

优选的，所述薄膜体声波谐振器为固态封装型薄膜体声波谐振器、空腔型薄膜体声波谐振器或隔膜型薄膜体声波谐振器。

优选的，所述薄膜体声波谐振器的介质薄膜层为压电薄膜或铁电薄膜。

优选的，所述压电薄膜为氮化铝薄膜或氧化锌薄膜；所述铁电薄膜为钛酸锶钡薄膜。

优选的，所述晶体管输入端、所述晶体管输出端和所述晶体管接地端分别为晶体管的栅极、漏极和源极；或者分别为晶体管的基极、集电极和发射极。

优选的，所述放大模块还包括封装管壳；所述封装管壳包括管壳底座、管壳输入端、管壳输出端和直流偏置端；其中，所述管壳底座为所述底座，所述管壳输入端为所述信号输入端，所述管壳输出端为所述信号输出端。

优选的，所述第一谐振模块、所述第二谐振模块、所述第三谐振模块和所述第四谐振模块均分别包括一个所述薄膜体声波谐振器。

优选的，所述第一谐振模块、所述第二谐振模块、所述第三谐振模块和所述第四谐振模块均分别包括至少两个所述薄膜体声波谐振器。

本发明还公开了一种F类功率放大器，包括前述放大模块，还包括基波匹配网络；其中，

所述并联谐振器组用于偶次谐波短路；

所述串联谐振器组用于奇次谐波开路；

所述基波匹配网络，用于基波匹配。

本发明还公开了一种逆F类功率放大器，包括前述放大模块，还包括基波匹配网络；其中，

所述并联谐振器组用于奇次谐波短路；

所述串联谐振器组用于偶次谐波开路；

所述基波匹配网络，用于基波匹配。

本发明中公开的放大模块应用于F类功率放大器或逆F类功率放大器，放大模块内部的谐振器模组包括并联谐振器组和串联谐振器组，该谐振器模组可用于实现F类或逆F类功率放大器所需的谐波匹配。可见，本发明的放大模块的内部已经实现了F类功率放大器或逆F类功率放大器所需的谐波匹配。其中，并联谐振器组包括第一谐振模块和第二谐振模块，串联谐振器组包括第三谐振模块和第四谐振模块，而且每一个谐振模块均包括至少一个薄膜体声波谐振器。薄膜体声波谐振器采用微电子工艺制备，尺寸非常小，通常在微米量级。本发明通过将基于薄膜体声波谐振器形成的谐振器模组和晶体管封装在同一底座上，进行谐波匹配处理，从而使得谐波匹配网络所占用的空间得到缩小，大大减小了F类或逆F类功率放大器的尺寸，同时使得谐波匹配网络与晶体管之间的距离得到缩短，降低了谐波损耗，提高功率放大器的效率；另外，由于上述放大模块的内部已经实现了谐波匹配，将高次谐波反射回晶体管，使得在对放大模块的外部匹配电路进行设计时，无需再进行谐波匹配网络的设计，只需进行基波匹配网络设计，即能实现F类功率放大器或逆F类功率放大器。由此减少了谐波匹配网络和基波匹配网络之间的相互干扰，使得F类或逆F类功率放大器的设计更加容易。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例中薄膜体声波谐振器的等效电路图；

图2为本发明实施例公开的一种适用于F类或逆F类功率放大器的放大模块的俯视图；

图3为本发明实施例公开的一种适用于F类或逆F类功率放大器的放大模块的剖视图；

图4为本发明实施例公开的并联谐振器组的剖视图；

图5为本发明实施例公开的串联谐振器组的剖视图；

图6为本发明实施例公开的一种适用于F类功率放大器的放大模块的等效电路图；

图7为本发明实施例公开的一种适用于逆F类功率放大器的放大模块的等效电路图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一

本发明实施例公开了一种适用于F类或逆F类功率放大器的放大模块。上述放大模块包括晶体管、用于实现F类或逆F类功率放大器所需谐波匹配的谐振器模组、底座、信号输入端和信号输出端；晶体管包括晶体管输入端、晶体管输出端和晶体管接地端；晶体管和谐振器模组均设置于底座上；谐振器模组设置于晶体管输出端和信号输出端之间；谐振器模组包括并联谐振器组和串联谐振器组；

并联谐振器组包括并联于晶体管输出端和晶体管接地端之间的第一谐振模块和第二谐振模块；

串联谐振器组包括串联于晶体管输出端和信号输出端之间的第三谐振模块和第四谐振模块；

其中，第一谐振模块、第二谐振模块、第三谐振模块和第四谐振模块均分别包括至少一个薄膜体声波谐振器；

上述放大模块中的谐振器模组包括并联谐振器组和串联谐振器组，该谐振器模组既可用于实现F类功率放大器所需的谐波匹配，也可用于实现逆F类功率放大器所需的谐波匹配。具体的，当放大模块应用于F类功率放大器时，并联谐振器组用于偶次谐波短路，串联谐振器组用于奇次谐波开路；当放大模块应用于逆F类功率放大器时，并联谐振器组用于奇次谐波短路，串联谐振器组用于偶次谐波开路。

需要说明的是，上述晶体管可以是氮化镓高电子迁移率晶体管、砷化镓高电子迁移率晶体管、金属氧化物场效应晶体管、横向金属氧化物场效应晶体管或结型晶体管，其中晶体管输入端、晶体管输出端和晶体管接地端可以分别为晶体管的栅极、漏极和源极，或者分别为晶体管的基极、集电极和发射极。

另外，上述薄膜体声波谐振器可以为固态封装型薄膜体声波谐振器、空腔型薄膜体声波谐振器或隔膜型薄膜体声波谐振器。这三种类型的薄膜体声波谐振器均包括下电极、上电极以及设置在下电极和上电极之间的介质薄膜层。具体的，薄膜体声波谐振器的介质薄膜层可以为压电薄膜或铁电薄膜。其中，压电薄膜为氮化铝薄膜或氧化锌薄膜；铁电薄膜为钛酸锶钡薄膜。

图1为薄膜体声波谐振器的等效电路图，包括静态电容C₀、动态电容C_m和动态电感L_m，其中动态电容C_m和动态电感L_m之间串联后，与静态电容C₀进行并联，形成如图1所示的等效电路。

本发明实施例中公开的放大模块适用于F类功率放大器或逆F类功率放大器设计，其内部的谐振器模组包括并联谐振器组和串联谐振器组。当上述放大模块应用于F类功率放大器设计时，并联谐振器组用于偶次谐波短路，串联谐振器组用于奇次谐波开路，从而完成了F类功率放大器所需的谐波匹配。当上述放大模块应用于逆F类功率放大器时，并联谐振器组用于奇次谐波短路，串联谐振器组用于偶次谐波开路，从而完成了逆F类功率放大器所需的谐波匹配。由上可见，本发明的放大模块的内部已经实现了F类或逆F类功率放大器所需的谐波匹配。薄膜体声波谐振器采用微电子工艺制备，尺寸非常小，通常在微米量级，便于将基于薄膜体声波谐振器形成的谐振器模组和晶体管封装在同一底座上，进行谐波匹配处理。具有以下优点：一、大大缩小谐波匹配网络所占用的空间，减少了F类或逆F类功率放大器的尺寸；二、谐波匹配网络与晶体管之间的距离大大缩短，降低了谐波损耗，提高了功率放大器的效率；三、放大模块内部已经实现了谐波匹配，将高次谐波全部反射回晶体管，在F类功放或逆F类功放设计时，只需进行基波匹配网络设计，使得F类或逆F类功率放大器的设计更加容易。

实施例二

本发明实施例公开了一种具体的适用于F类或逆F类功率放大器的放大模块，如图2和图3所示。其中图2为该放大模块的俯视图，图3为该放大模块的剖视图。

相对于上一实施例，本实施例中的放大模块还可以包括封装管壳、键合线15、1/4波长微带线16和内匹配电容14。其中，封装管壳包括管壳底座111、管壳输入端112、管壳输出端113和直流偏置端114。其中，管壳底座111为放大模块的底座，管壳输入端112为放大模块的信号输入端，管壳输出端113为放大模块的信号输出端；管壳输入端112与管壳底座111之间、管壳输出端113与管壳底座111之间均通过绝缘材料115实现电隔离。

本实施例中晶体管12的源极121为晶体管接地端，晶体管12的栅极122为晶体管输入端，晶体管12的漏极123为晶体管输出端；晶体管12、谐振器模组和内匹配电容14均设置于管壳底座111上。本实施例中的晶体管12可以为氮化镓高电子迁移率晶体管，晶体管12的源极121上设有接地通孔124，接地通孔124的侧壁上镀有导电金属，从而使得晶体管12的源极121接地，即晶体管12的源极121为晶体管接地端。在实际应用时，可以通过焊料将晶体管12、谐振器模组和内匹配电容14焊接于管壳底座111之上。需要说明的是，管壳输入端112、内匹配电容14和晶体管输入端之间通过键合线15实现电连接。

本实施例中的谐振器模组设置于晶体管输出端和管壳输出端113之间，包括有并联谐振器组131和串联谐振器组132；并联谐振器组131包括第一谐振模块和第二谐振模块，串联谐振器组132包括第三谐振模块和第四谐振模块。

其中，第一谐振模块、第二谐振模块、第三谐振模块和第四谐振模块均分别包括一个薄膜体声波谐振器；也即，并联谐振器组131一共包括两个薄膜体声波谐振器，串联谐振器组132也包括两个薄膜体声波谐振器。

图4为本实施例中并联谐振器组的剖视图。参见图3和图4所示，该并联谐振器组131包括第一薄膜体声波谐振器1311和第二薄膜体声波谐振器1312。其中，第一薄膜体声波谐振器1311和第二薄膜体声波谐振器1312共用下电极41，第一薄膜体声波谐振器1311的上电极421和第二薄膜体声波谐振器1312的上电极422之间直接通过电极进行电连接。由此可见，上电极421和上电极422共同构成了并联谐振器组131的上电极。在并联谐振器组131的上电极421和422与下电极41之间设有介质薄膜层43；下电极41通过金属薄膜44与通孔45实现电连接，通孔45的侧壁上镀有金属导电薄膜。另外并联谐振器组131还包括布拉格反射层46和衬底47，其中，布拉格反射层46用于将薄膜体声波谐振器的声能量反射回谐振器内，提高薄膜体声波谐振器的性能。其中，图4中的布拉格反射层46包括三组声阻抗层，每一组声阻抗层均包括一层高声阻抗层和一层低声阻抗层。高声阻抗层可以是钼薄膜，低声阻抗层可以是二氧化硅薄膜。即，整个布拉格反射层46从衬底47往上依次由三组(Mo/SiO₂)交叠而成。

图5为本实施例中串联谐振器组的剖视图。参见图3和图5所示，该串联谐振器组132包括第三薄膜体声波谐振器1321和第四薄膜体声波谐振器1322。其中，第三薄膜体声波谐振器1321和第四薄膜体声波谐振器1322共用下电极51，第三薄膜体声波谐振器1321的上电极521和第四薄膜体声波谐振器1322的上电极522彼此绝缘隔离，实现电隔离。另外该串联谐振器组132还包括介质薄膜层53、布拉格反射层54和衬底55。

其中，晶体管输出端、并联谐振器组131的上电极和第三薄膜体声波谐振器1321的上电极521之间通过键合线15实现电连接；第四薄膜体声波谐振器1322的上电极522和管壳输出端113之间通过键合线15实现电连接。

本实施例中的1/4波长微带线16的特性阻抗为50欧姆，1/4波长微带线16的电长度为放大器工作频率对应的1/4波长。在实际应用中，可以通过设计一定电感量的键合线15，以及设计直流偏置端114与管壳底座111之间的电容，使得直流偏置端114和管壳底座111之间形成的电容与键合线15构成一个串联谐振器，谐振频率为放大模块的工作频率，实现基波短路。基波短路点经过1/4波长微带线16的变换后，在谐振器与键合线15连接处实现基波开路，保证直流偏置端114不会对放大模块的射频信号输出端造成影响，同时RF信号也不会对直流偏置端产生干扰。上述射频信号输出端即是本实施例中的管壳输出端113。

当放大模块应用于F类功率放大器时，并联谐振器组131用于偶次谐波短路，串联谐振器组132用于奇次谐波开路。具体的，利用并联谐振器组131来实现偶次谐波短路的具体过程为，令第一薄膜体声波谐振器1311的串联谐振频率与放大模块的二次谐波频率相等，以实现二次谐波短路；令第二薄膜体声波谐振器1312的串联谐振频率与放大模块的四次谐波频率相等，以实现四次谐波短路。利用串联谐振器组132来实现奇次谐波开路的具体过程为，令第三薄膜体声波谐振器1321的并联谐振频率与放大模块的三次谐波频率相等，以实现三次谐波开路；令第四薄膜体声波谐振器1322的并联谐振频率与放大模块的五次谐波频率相等，以实现五次谐波开路。

图6为本实施例公开的适用于F类功率放大器的放大模块的等效电路图，其中，第一薄膜体声波谐振器1311和第二薄膜体声波谐振器1312并联于晶体管输出端和晶体管接地端之间；第三薄膜体声波谐振器1321和第四薄膜体声波谐振器1322串联于晶体管输出端和管壳输出端113之间。通过第一薄膜体声波谐振器1311实现二次谐波短路，通过第二薄膜体声波谐振器1312实现四次谐波短路，通过第三薄膜体声波谐振器1321实现三次谐波开路，通过第四薄膜体声波谐振器1322实现五次谐波开路。

本实施例中，通过设计键合线15，使得直流偏置端114和管壳底座111之间形成的电容与键合线15一起构成一个串联谐振器，谐振器的谐振频率与放大模块的工作频率相等，从而实现基波短路；在图6中，基波短路模块130中的电感等效于上述键合线15的电感，基波短路模块130中的电容等效于上述直流偏置端114与管壳底座111之间形成的电容。即，本实施例通过基波短路模块130实现了基波短路，且经过1/4波长微带线16的变换后，在谐振器与键合线15连接处实现开路，从而保证了直流偏置端114不会对放大模块的信号输出端造成影响。

当放大模块应用于逆F类功率放大器时，并联谐振器组131用于奇次谐波短路，串联谐振器组132用于偶次谐波开路。具体的，利用并联谐振器组131来实现奇次谐波短路的过程具体为，令第一薄膜体声波谐振器1311的串联谐振频率与放大模块的三次谐波频率相等，以实现三次谐波短路；令第二薄膜体声波谐振器1312的串联谐振频率与放大模块的五次谐波频率相等，以实现五次谐波短路；利用串联谐振器组132来实现偶次谐波开路的过程具体为，令第三薄膜体声波谐振器1321的并联谐振频率与放大模块的二次谐波频率相等，以实现二次谐波开路；令第四薄膜体声波谐振器1322的并联谐振频率与放大模块的四次谐波频率相等，以实现四次谐波开路。

图7为本实施例公开的适用于逆F类功率放大器的放大模块的等效电路图，其中，通过第一薄膜体声波谐振器1311实现三次谐波短路，通过第二薄膜体声波谐振器1312实现五次谐波短路，通过第三薄膜体声波谐振器1321实现二次谐波开路，通过第四薄膜体声波谐振器1322实现四次谐波短路。

实施例三

本发明实施例提供的适用于F类或逆F类功率放大器的放大模块的另一种变形是放大模块可以不需要封装管壳，可直接将放大模块的底座嵌入到热沉上，然后将晶体管的栅极与基波输入匹配网络进行电连接，将晶体管的漏极与基波输出匹配网络进行电连接，并将漏极的直流偏置端直接与电路的直流偏置端进行电连接，由此节省了封装管壳。

实施例四

本发明实施例提供的适用于F类或逆F类功率放大器的放大模块的另一种变形，相对于前面三个实施例，本实施例中的第一谐振模块、第二谐振模块、第三谐振模块和第四谐振模块均分别包括至少两个薄膜体声波谐振器。即前述实施例中的一个薄膜体声波谐振器由多个薄膜体声波谐振器替代。并联谐振器组和串联谐振器组均分别包括多个薄膜体声波谐振器。本实施例中，通过在每一个谐振模块中设计多个薄膜体声波谐振器，对一个高次谐波匹配，从而展宽了谐振模块的谐振频率，使得本实施例中的放大模块能够适用于宽频带的F类功率放大器和逆F类功率放大器。

实施例五

本发明实施例还公开了一种F类功率放大器，包括实施例一至实施例四中任一实施例公开的放大模块，还包括基波匹配网络。关于该放大模块的具有构造可参考前述实施例，在此不再赘述。

其中，放大模块中的并联谐振器组用于偶次谐波短路。具体的，并联谐振器组中的第一谐振模块的串联谐振频率与放大模块的二次谐波频率相等，以实现二次谐波短路；并联谐振器组中的第二谐振模块的串联谐振频率与放大模块的四次谐波频率相等，以实现四次谐波短路；

放大模块中的串联谐振器组用于奇次谐波开路。具体的，串联谐振器组中的第三谐振模块的并联谐振频率与放大模块的三次谐波频率相等，以实现三次谐波开路；串联谐振器组中的第四谐振模块的并联谐振频率与放大模块的五次谐波频率相等，以实现五次谐波开路；

基波匹配网络，用于基波匹配。

本实施例中的基波匹配网络位于放大模块的外部，用于实现基波匹配。由此可见，在本实施例中，F类功率放大器中的谐波匹配网络和基波匹配网络的设计是相互独立的，减少了谐波匹配网络和基波匹配网络之间的相互干扰，使得F类功率放大器的设计更加容易。

实施例六

本发明实施例还公开了一种逆F类功率放大器，包括实施例一至实施例四中任一实施例公开的放大模块，还包括基波匹配网络。关于该放大模块的具有构造可参考前述实施例，在此不再赘述。

其中，放大模块中的并联谐振器组用于奇次谐波短路。具体的，并联谐振器组中的第一谐振模块的串联谐振频率与放大模块的三次谐波频率相等，以实现三次谐波短路；并联谐振器组中的第二谐振模块的串联谐振频率与放大模块的五次谐波频率相等，以实现五次谐波短路；

放大模块中的串联谐振器组用于偶次谐波开路。具体的，串联谐振器组中的第三谐振模块的并联谐振频率与放大模块的二次谐波频率相等，以实现二次谐波开路；串联谐振器组中的第四谐振模块的并联谐振频率与放大模块的四次谐波频率相等，以实现四次谐波开路；

基波匹配网络，用于基波匹配。

本实施例中的基波匹配网络位于放大模块的外部，用于实现基波匹配。由此可见，在本实施例中，逆F类功率放大器中的谐波匹配网络和基波匹配网络的设计是相互独立的，减少了谐波匹配网络和基波匹配网络之间的相互干扰，使得逆F类功率放大器的设计更加容易。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上对本发明所提供的一种适用于F类或逆F类功率放大器的放大模块进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种适用于F类或逆F类功率放大器的放大模块，其特征在于，包括晶体管、用于实现F类或逆F类功率放大器所需谐波匹配的谐振器模组、底座、信号输入端和信号输出端；所述晶体管包括晶体管输入端、晶体管输出端和晶体管接地端；所述晶体管和所述谐振器模组均设置于所述底座上；所述谐振器模组设置于所述晶体管输出端和所述信号输出端之间；所述谐振器模组包括并联谐振器组和串联谐振器组；

所述并联谐振器组包括并联于所述晶体管输出端和所述晶体管接地端之间的第一谐振模块和第二谐振模块；

所述串联谐振器组包括串联于所述晶体管输出端和所述信号输出端之间的第三谐振模块和第四谐振模块；

其中，所述第一谐振模块、所述第二谐振模块、所述第三谐振模块和所述第四谐振模块均分别包括至少一个薄膜体声波谐振器。

2.根据权利要求1所述的放大模块，其特征在于，所述薄膜体声波谐振器为固态封装型薄膜体声波谐振器、空腔型薄膜体声波谐振器或隔膜型薄膜体声波谐振器。

3.根据权利要求2所述的放大模块，其特征在于，所述薄膜体声波谐振器的介质薄膜层为压电薄膜或铁电薄膜。

4.根据权利要求3所述的放大模块，其特征在于，所述压电薄膜为氮化铝薄膜或氧化锌薄膜；所述铁电薄膜为钛酸锶钡薄膜。

5.根据权利要求4所述的放大模块，其特征在于，所述晶体管输入端、所述晶体管输出端和所述晶体管接地端分别为晶体管的栅极、漏极和源极；或者分别为晶体管的基极、集电极和发射极。

6.根据权利要求5所述的放大模块，其特征在于，还包括封装管壳；所述封装管壳包括管壳底座、管壳输入端、管壳输出端和直流偏置端；其中，所述管壳底座为所述底座，所述管壳输入端为所述信号输入端，所述管壳输出端为所述信号输出端。

7.根据权利要求1至6任一项所述的放大模块，其特征在于，所述第一谐振模块、所述第二谐振模块、所述第三谐振模块和所述第四谐振模块均分别包括一个所述薄膜体声波谐振器。

8.根据权利要求1至6任一项所述的放大模块，其特征在于，所述第一谐振模块、所述第二谐振模块、所述第三谐振模块和所述第四谐振模块均分别包括至少两个所述薄膜体声波谐振器。

9.一种F类功率放大器，其特征在于，包括如权利要求1至8任一项所述的放大模块，还包括基波匹配网络；其中，

所述并联谐振器组用于偶次谐波短路；

所述串联谐振器组用于奇次谐波开路；

所述基波匹配网络，用于基波匹配。

10.一种逆F类功率放大器，其特征在于，包括如权利要求1至8任一项所述的放大模块，还包括基波匹配网络；其中，

所述并联谐振器组用于奇次谐波短路；

所述串联谐振器组用于偶次谐波开路；

所述基波匹配网络，用于基波匹配。