JPH03132203A - マイクロ波集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体素子とマイクロストリップ線路で構成し
たバイアス回路と金属蓋を備えたマイクロ波集積回路装
置に関するものである。

従来の技術 マイクロストリップ線路で半導体素子を使用する場合に
は、４分の１波長の長さの高インピーダンス線路と４分
の１波長の長さの低インピーダンス線路を組み合わせた
低域通過フィルタ型のバイアス回路がよく用いられる。

第２図に従来のマイクロ波集積回路装置の構成図を示す
。（ａ）は上面図、（ロ）は金属蓋を装着した場合の断
面図である。

第２図において、５１は金属キャリア、５２は金属蓋、
５３は誘電体基板、５４は半導体素子、５５は信号線路
、５６はバイアス回路、５７はダンピング抵抗、５８は
接続端子、５９はバイパスコンデンサ、６０は電源プリ
ント基板、６１は電源回路である。

信号線路５５及びバイアス回路５６は誘電体基板５３上
にマイクロストリップ線路で構成されている。

バイアス回路５６は線路幅の狭い４分の１波長の長さの
高インピーダンス線路と線路幅の広い４分の１波長の長
さの低インピーダンス線路を組み合わせた低域通過フィ
ルタである。金属蓋５２は誘電体基板５３と接続端子５
８を金属キャリア５１の上面で覆っている。

以上のように構成された従来のマイクロ波集積回路装置
においては半導体素子５４は接続端子５Ｂからバイアス
回路５６と信号線路５５を介して給電される。バイアス
回路５６は低域通過フィルタであり、信号線路５５を伝
わる信号成分が接続端子５８に伝わるのを阻止し、直流
成分を通過させる。

発明が解決しようとする課題 しかしながら上記のような構成では、信号線路５５とバ
イアス回路５６が同一基板上に設けられているために誘
電体基Ｆｉ５３の幅が広くなり、金属１［５２を装着し
たときに金属蓋５２の内部を信号周波数に対してカット
オフにすることが困難となる。そのために信号周波数や
信号周波数より低周波数の不要周波数成分のフィードバ
ックなどによる発振が起こり易くなるという課題を有し
ていた。

本発明はかかる点に鑑み、半導体素子を備え、信号線路
を電磁界的に遮蔽する金属蓋の内部を信号周波数に対し
てカットオフとし、信号周波数のフィードバックなどに
よる発振を抑えたマイクロ波集積回路装置を提供するこ
とを目的とする。

課題を解決するための手段 本発明は、半導体素子と上面にマイクロストリップ線路
を形成した信号線路用基板と金属キャリアとプリント基
板を備え、前記プリント基板は金属キャリアをはさんで
前記信号線路用基板と反対側に位置し、前記半導体素子
は前記金属キャリアを貫く接続端子と前記プリント基板
上に設けられたバイアス回路を介して給電され、前記マ
イクロストリップ線路と前記バイアス回路の間の電気的
長さは信号周波数のほぼ４分の１波長の長さであり、前
記マイクロ波集積回路は金属蓋と前記金属キャリアによ
って外部と電磁界的に遮断され、前記金属蓋の内壁の幅
は信号周波数に対してカットオフとなる幅であることを
特徴とするマイクロ波集積回路装置である。

作用 本発明は上記した構成により、信号線路用基板上にバイ
アス回路がなく、信号線路用基板の幅を狭くできる。ま
た、バイアス回路との接続は金属キャリアを貫く接続端
子を介して行なうため、金属蓋を装着するときに金属蓋
の内部の幅を狭（することができ、信号周波数に対して
カットオフにすることができる。従って、フィードバッ
クなどによる発振がほとんど生じなくなる。

実施例 第１図に本発明の実施例のマイクロ波集積回路装置の構
成図を示す。第１図において、（ａ）は上面図、（ロ）
は金属蓋を装着したときの断面図、（Ｃ）は裏面図であ
る。第１図において、１は金属キャリア、２は金属蓋、
３は信号線路用基板、４は半導体素子、５は信号線路、
６はバイアス回路、７はダンピング抵抗、８はバイパス
コンデンサ、９は接続端子、１０はスルーホール、１１
は電源プリント基板、１２は電源回路である。

信号線路５は信号線路用基ｖｉ、３上に構成され、信号
線路用基板３は金属キャリア１の上面に実装されている
。電源プリント基板１１は金属キャリア１の裏面に実装
され、表面にバイアス回路６と電源回路１２が設けられ
ており、ダンピング抵抗７とバイパスコンデンサ８が実
装されている。バイアス回路６は線路幅の狭い４分の１
波長の長さの高インピーダンス線路と線路幅の広い４分
の１波長の長さの低インピーダンス線路を組み合わせた
回路である。接続端子９は金属キャリアｌに形成した貫
通孔内で誘電体で封止されており、金属キャリア１の上
面で信号線路５に接続し、金属キャリア１の裏面で電源
プリント基板１１上のバイアス回路６に接続している。

金属蓋２は信号線路用基板３と接続端子９の上部を覆い
、金属キャリア１と金属Ｍ２は信号線路５を外部から電
磁界的に遮断し、金属キャリアｌと金属蓋２の内部は信
号周波数に対してカットオフになっている。信号線路５
とバイアス回路６までの電気的長さは信号周波数のほぼ
４分の１波長の長さとなっている。

第１図において半導体素子４は電源回路１２から接続端
子９．信号線路５を介して給電される。接続端子９とバ
イアス回路９は高インピーダンス線路と低インピーダン
ス線路による低域通過フィルタを構成し、信号線路５を
伝わる信号成分が電源回路１２に伝わるのを阻止し、直
流成分を通過させる。金属蓋２と金属キャリア１の内部
は信号周波数に対してカットオフになっているために、
信号周波数成分及び低周波数の不要周波数成分が空間経
路でフィードバックを起こすことはない。

以上のように本実施例によれば、金属キャリアを挟んで
信号線路と反対側にある電源プリント基板上にバイアス
回路を設けることにより、信号線路を設ける信号線路用
基板の幅を狭くし、金属蓋の内側を信号周波数に対して
カットオフにすることができ、信号周波数成分及び低周
波数の不要周波数成分のフィードバックなどによる発振
が生じるのを防ぐことができる。

発明の詳細 な説明したように、本発明によれば、フィードバックな
どによる発振の生じにくいマイクロ波集積回路装置を簡
単に構成することができ、その実用的価値は大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のマイクロ波集積回路装置の
構成図を示し、（ａ）は上面図、（ハ）は金属蓋を装着
したときの断面図、（Ｃ）は裏面図、第２図は従来のマ
イクロ波集積回路装置の構成図を示し、（ａ）は上面図
、（ｂ）は金属蓋を装着した場合の断面図ずある。 １・・・・・・金属キャリア、２・・・・・・金ｒｓ蓋
、３・・・・・・信号線路用基板、４・・・・・・半導
体素子、５・・・・・・信号線路、６・・・・・・バイ
アス回路、７・・・・・・ダンピング抵抗、８・・・・
・・バイパスコンデンサ、９・・・・・・接続端子、１
０・・・・・・スルーホール、１１・・・・・・電源プ
リント基板。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体素子と上面にマイクロストリップ線路で形成した
   信号線路を設けた信号線路用基板と金属キャリアとプリ
   ント基板とを備え、前記プリント基板は金属キャリアを
   はさんで前記信号線路用基板と反対側に位置し、前記半
   導体素子は前記金属キャリアを貫く接続端子と前記プリ
   ント基板上に設けられたバイアス回路を介して給電され
   、前記信号線路と前記バイアス回路の間の電気的長さは
   信号周波数のほぼ４分の１波長の長さであり、前記信号
   線路は金属蓋と前記金属キャリアによって外部と電磁界
   的に遮断され、前記金属蓋の内壁の幅は信号周波数に対
   してカットオフとなる幅であることを特徴とするマイク
   ロ波集積回路装置。