JPH0496295A - マイクロ波回路装置 - Google Patents
マイクロ波回路装置Info
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- JPH0496295A JPH0496295A JP2206000A JP20600090A JPH0496295A JP H0496295 A JPH0496295 A JP H0496295A JP 2206000 A JP2206000 A JP 2206000A JP 20600090 A JP20600090 A JP 20600090A JP H0496295 A JPH0496295 A JP H0496295A
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
- H01L2924/1616—Cavity shape
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は金属ケース内にマイクロ波回路部が構成され
たマイクロ波回路装置に関するものである。
たマイクロ波回路装置に関するものである。
第５図及び第６図は、例えば特開昭５９１８２６１１号
公報に・示された従来のマイクロ波増幅器としてのマイ
クロ波回路装置を示す斜視図及び断面正面図であり、図
において、１６は金属ケースであり、両側壁１６ａ、天
板１６ｂ及び底部１６ｃにより構成されている。１１は
底部１６Ｃに設けられた誘電体基板、１２は誘電体基板
１１の底部１６ｃ側の下面に設けられた接地導体、１３
は誘電体基板１１の上面に形成されたストリップ線路、
１４はストリップ線路１３に設けられた半導体素子、１
７はマイクロ波回路部であり、この例ではストリップ線
路１３と半導体素子１４とによりマイクロ波増幅器１７
が構成されている。
公報に・示された従来のマイクロ波増幅器としてのマイ
クロ波回路装置を示す斜視図及び断面正面図であり、図
において、１６は金属ケースであり、両側壁１６ａ、天
板１６ｂ及び底部１６ｃにより構成されている。１１は
底部１６Ｃに設けられた誘電体基板、１２は誘電体基板
１１の底部１６ｃ側の下面に設けられた接地導体、１３
は誘電体基板１１の上面に形成されたストリップ線路、
１４はストリップ線路１３に設けられた半導体素子、１
７はマイクロ波回路部であり、この例ではストリップ線
路１３と半導体素子１４とによりマイクロ波増幅器１７
が構成されている。
１８はマイクロ波増幅器１７の出力コネクタである。
１５はマイクロ波増幅器１７のバイアス用線路、２５は
バイアス用線路１５に接続された可変抵抗器、２３は接
地ランド、２４はバイアス用線路１５と接地ランド２３
とに両端が接続されたバイパスコンデンサ、２６は他の
回路部であり、この例ではバイアス用線路１５、可変抵
抗器２５、接地ランド２３、バイパスコンデンサ２４に
ヨリバイアス回路２６が構成されている。１９はバイア
ス回路２６の電源供給端子である。
バイアス用線路１５に接続された可変抵抗器、２３は接
地ランド、２４はバイアス用線路１５と接地ランド２３
とに両端が接続されたバイパスコンデンサ、２６は他の
回路部であり、この例ではバイアス用線路１５、可変抵
抗器２５、接地ランド２３、バイパスコンデンサ２４に
ヨリバイアス回路２６が構成されている。１９はバイア
ス回路２６の電源供給端子である。
２０はマイクロ波増幅器１７とバイアス回路２６との間
に設けられた金属シールド板であり、図示のように、誘
電体基板１１を貫通して接地導体１２と接続されている
。２１はバイアス用線路１５をマイクロ波増幅器１７側
に通してストリップ線路１３と接続させるための金属シ
ールド板２０に設けられた線路孔、２２は２つの線路孔
２工の間に形成される足部で、接地ランド２３が接続さ
れている。なお、金属シールド板２０とマイクロ波増幅
器１７側の側壁１６ａとの間隔Ｂは、マイクロ波増幅器
１７が扱う周波数帯域における自由空間波長の１／２よ
り小さく選定されている。
に設けられた金属シールド板であり、図示のように、誘
電体基板１１を貫通して接地導体１２と接続されている
。２１はバイアス用線路１５をマイクロ波増幅器１７側
に通してストリップ線路１３と接続させるための金属シ
ールド板２０に設けられた線路孔、２２は２つの線路孔
２工の間に形成される足部で、接地ランド２３が接続さ
れている。なお、金属シールド板２０とマイクロ波増幅
器１７側の側壁１６ａとの間隔Ｂは、マイクロ波増幅器
１７が扱う周波数帯域における自由空間波長の１／２よ
り小さく選定されている。
次に動作について説明する。
マイクロ波増幅器１７において、マイクロ波信号はスト
リップ線路１３と接地導体１２との間の誘電体基板１１
を伝播し、半導体素子１４で増幅されて出力コネクタ１
８より出力される。このようなストリップモードによる
信号伝播の他に、ストリップ線路１３がら空間に放射さ
れる電磁波による導波管モードによる信号伝播が発生す
る。導波管モードは金属ケース１６のマイクロ波増幅器
１７側の部分と金属シールド板２０とにより囲まれる空
間が、ストリップ線路１３の延長方向に延びる導波管と
して作用することから発生する。このような導波管モー
ドは、マイクロ波増幅器１７の入出力間の結合を生じさ
せ、増幅器の周波数特性を悪化させたり、このマイクロ
波増幅器１７を使用する受信機等のＳ器に好ましくない
影響を与える。
リップ線路１３と接地導体１２との間の誘電体基板１１
を伝播し、半導体素子１４で増幅されて出力コネクタ１
８より出力される。このようなストリップモードによる
信号伝播の他に、ストリップ線路１３がら空間に放射さ
れる電磁波による導波管モードによる信号伝播が発生す
る。導波管モードは金属ケース１６のマイクロ波増幅器
１７側の部分と金属シールド板２０とにより囲まれる空
間が、ストリップ線路１３の延長方向に延びる導波管と
して作用することから発生する。このような導波管モー
ドは、マイクロ波増幅器１７の入出力間の結合を生じさ
せ、増幅器の周波数特性を悪化させたり、このマイクロ
波増幅器１７を使用する受信機等のＳ器に好ましくない
影響を与える。
この導波管モードの発生を防止するために、般に、導波
管の幅が自由空間波長の１／２となるような周波数より
低い周波数の電磁波はこの導波管を通過できないという
導波管のカットオフ現象が利用される。このためにこの
従来例では、導波管の幅となる金属ケース１６の側壁１
６ａと金属シールド板２０との間隔をＢに選定している
。
管の幅が自由空間波長の１／２となるような周波数より
低い周波数の電磁波はこの導波管を通過できないという
導波管のカットオフ現象が利用される。このためにこの
従来例では、導波管の幅となる金属ケース１６の側壁１
６ａと金属シールド板２０との間隔をＢに選定している
。
なお、バイアス回路２６においては、電源供給端子１９
から供給された電源電圧を可変抵抗器２５で調整した電
圧を、バイアス電圧としてマイクロ波増幅器１７の半導
体素子１４に供給する。
から供給された電源電圧を可変抵抗器２５で調整した電
圧を、バイアス電圧としてマイクロ波増幅器１７の半導
体素子１４に供給する。
また、バイパスコンデンサ２４は低域の信号成分をバイ
パスして半導体素子１４の利得を抑圧する。
パスして半導体素子１４の利得を抑圧する。
バイパスコンデンサ２４は接地ランド２３、足部２２及
び接地導体１２を通じて最短距離でバイパスを行う。
び接地導体１２を通じて最短距離でバイパスを行う。
従来のマイクロ波回路装置は以上のように構成されてい
るので、扱う周波数を高くする場合は、誘電体基板１１
の下面の接地導体１２が金属ケース１６に確実に接地さ
れていないと、増幅器の動作が不安定となり、異常発振
を起こす危険性がある。このために例えば、誘電体基板
１１を金属ケース１６に金属ネジにより固定し、この金
属ネジを介して接地を行う場合は、金属シールド板２０
を誘電体基板１１上に立てているため、金属ネジで締め
付ける位置が制限され、このため金属ネジによるマイク
ロ波に対する接地が不安定になる。
るので、扱う周波数を高くする場合は、誘電体基板１１
の下面の接地導体１２が金属ケース１６に確実に接地さ
れていないと、増幅器の動作が不安定となり、異常発振
を起こす危険性がある。このために例えば、誘電体基板
１１を金属ケース１６に金属ネジにより固定し、この金
属ネジを介して接地を行う場合は、金属シールド板２０
を誘電体基板１１上に立てているため、金属ネジで締め
付ける位置が制限され、このため金属ネジによるマイク
ロ波に対する接地が不安定になる。
また誘電体基板１１に金属シールド板２０を取付ける場
合、実際には例えば第７図に示すように、金属シールド
板２０の先端部を誘電体基板１１の下面側から突出させ
、この突出部２０ａと接地導体１２とをハンダ付け２７
することにより取付ける。この突出部２０ａがあるため
、接地導体１２の金属ケース１６への接地が困難となる
。また、誘電体基板１１に路間−寸法の金属シールド板
２０をハンダ付け２７しているため、使用温度範囲が広
い場合は、材料の持つ線膨張率の差異によって誘電体基
板１１が歪んで、マイクロ波に対する接地が不安定にな
り易い。
合、実際には例えば第７図に示すように、金属シールド
板２０の先端部を誘電体基板１１の下面側から突出させ
、この突出部２０ａと接地導体１２とをハンダ付け２７
することにより取付ける。この突出部２０ａがあるため
、接地導体１２の金属ケース１６への接地が困難となる
。また、誘電体基板１１に路間−寸法の金属シールド板
２０をハンダ付け２７しているため、使用温度範囲が広
い場合は、材料の持つ線膨張率の差異によって誘電体基
板１１が歪んで、マイクロ波に対する接地が不安定にな
り易い。
以上のように、従来のマイクロ波回路装置は、接地導体
１２と金属ケース１６との接続を充分に行うことが困難
であり、このため例えば１２ＧＨｚ以上の周波数に対す
る接地が不安定になり易く、このような高い周波数での
使用を困難にしている等の課題があった。
１２と金属ケース１６との接続を充分に行うことが困難
であり、このため例えば１２ＧＨｚ以上の周波数に対す
る接地が不安定になり易く、このような高い周波数での
使用を困難にしている等の課題があった。
この発明は上記のような課題を解消するためになされた
もので、高い周波数に対しても、確実な接地を行うこと
のできるマイクロ波回路装置を得ることを目的としてい
る。
もので、高い周波数に対しても、確実な接地を行うこと
のできるマイクロ波回路装置を得ることを目的としてい
る。
この発明に係るマイクロ波回路装置は、誘電体基板の上
面に金属フレームを設けて、この金属フレーム内にマイ
クロ波回路部を構成すると共に、金属フレームと誘電体
基板とを金属フレームに一体的にネジ締め手段により共
締めする構造としたものである。
面に金属フレームを設けて、この金属フレーム内にマイ
クロ波回路部を構成すると共に、金属フレームと誘電体
基板とを金属フレームに一体的にネジ締め手段により共
締めする構造としたものである。
この発明におけるマイクロ波回路装置は、金属フレーム
を設けて、その金属壁によるシールド効果を実現すると
共に、誘電体基板を金属ケースに金属フレームと共締め
にすることにより、誘電体基板の接地が高い周波数に対
しても充分に行われる。
を設けて、その金属壁によるシールド効果を実現すると
共に、誘電体基板を金属ケースに金属フレームと共締め
にすることにより、誘電体基板の接地が高い周波数に対
しても充分に行われる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
〜３図においては、第５図及び第６図と同一部分には同
一符号を付して説明を省略する。
〜３図においては、第５図及び第６図と同一部分には同
一符号を付して説明を省略する。
第１〜３図において、１は誘電体基板１１上のマイクロ
波増幅器１７の周囲に設けられた接地ランド、２は接地
ランド１に設けられたスルーホールであり、下面の接地
導体１２と接地ランド１とを電気的に接続する。４は接
地ランド１に設けられたフレーム取付孔である。５は接
地ランド１上に取付けられる金属フレームであり、上記
フレーム取付孔４と対応する取付孔５ａとフタ取付孔５
ｂとバイアス回路２６のバイアス用線路１５を通す線路
孔５ｃとが設けられ、また両側壁間の幅Ａを有している
。３は金属フレーム５の上部を被覆するフタであり、上
記フタ取付孔５ｂと対応する取付孔３ａが設けられてい
る。７は金属フレーム５の取付用のネジ、６はフタ３の
取付用のネジである。１６ｄは金属ケース１６に設けら
れたフレーム取付孔である。なお、ネジ７、取付孔５ａ
、フレーム取付孔４．１６ｄ等によりネジ締め手段が構
成されている。
波増幅器１７の周囲に設けられた接地ランド、２は接地
ランド１に設けられたスルーホールであり、下面の接地
導体１２と接地ランド１とを電気的に接続する。４は接
地ランド１に設けられたフレーム取付孔である。５は接
地ランド１上に取付けられる金属フレームであり、上記
フレーム取付孔４と対応する取付孔５ａとフタ取付孔５
ｂとバイアス回路２６のバイアス用線路１５を通す線路
孔５ｃとが設けられ、また両側壁間の幅Ａを有している
。３は金属フレーム５の上部を被覆するフタであり、上
記フタ取付孔５ｂと対応する取付孔３ａが設けられてい
る。７は金属フレーム５の取付用のネジ、６はフタ３の
取付用のネジである。１６ｄは金属ケース１６に設けら
れたフレーム取付孔である。なお、ネジ７、取付孔５ａ
、フレーム取付孔４．１６ｄ等によりネジ締め手段が構
成されている。
次に動作について説明する。
金属フレーム５は接地ランド１上に載置され、金属ネジ
７を取付孔５ａ、フレーム取付孔４ａ。
７を取付孔５ａ、フレーム取付孔４ａ。
１６ｄにネジ込むことにより、第２図のように取付固定
される。これによって、金属フレーム５、誘電体基板１
１、接地導体１２及び金属ケース１６が共締めされて強
固に一体化される。従って、接地導体１２と金属ケース
１６とは強固に圧接されて充分に安定な接地状態が得ら
れる。また、金属フレーム５は接地ランド１、スルーホ
ール２及び接地導体１２を介して金属ケース１６に接地
される。さらに金属フレーム５にはフタ３が被せられ、
取付孔３ａ及びフタ取付孔５ｂにネジ６をネジ込むこと
により固定される。
される。これによって、金属フレーム５、誘電体基板１
１、接地導体１２及び金属ケース１６が共締めされて強
固に一体化される。従って、接地導体１２と金属ケース
１６とは強固に圧接されて充分に安定な接地状態が得ら
れる。また、金属フレーム５は接地ランド１、スルーホ
ール２及び接地導体１２を介して金属ケース１６に接地
される。さらに金属フレーム５にはフタ３が被せられ、
取付孔３ａ及びフタ取付孔５ｂにネジ６をネジ込むこと
により固定される。
以上によれば、マイクロ波増幅器１７は金属フレーム５
により、完全にシールドされる。金属フレーム５により
導波管モードが発生するが、金属フレーム５の内壁間の
幅をＡに選定しているため、この幅Ａで決まるカットオ
フ周波数以下の有害な信号伝播は生じない。
により、完全にシールドされる。金属フレーム５により
導波管モードが発生するが、金属フレーム５の内壁間の
幅をＡに選定しているため、この幅Ａで決まるカットオ
フ周波数以下の有害な信号伝播は生じない。
また、固定用のネジ７の締付は方向を考えると、誘電体
基板１１と金属フレーム５とは、熱膨張する方向におい
て、滑り易い方向となり、温度変化による熱ストレスも
逃げ易い構造となっている。
基板１１と金属フレーム５とは、熱膨張する方向におい
て、滑り易い方向となり、温度変化による熱ストレスも
逃げ易い構造となっている。
これにより、誘電体基板１１が歪んで、接地が損なわれ
ることが防止される。
ることが防止される。
なお、上記実施例では金属フレーム５の中に構成される
マイクロ波回路部として、マイクロ波増幅器１７を構成
した場合を示したが、この他にバンドパスフィルタやミ
キサ等、各種のマイクロ波回路を構成してもよい。
マイクロ波回路部として、マイクロ波増幅器１７を構成
した場合を示したが、この他にバンドパスフィルタやミ
キサ等、各種のマイクロ波回路を構成してもよい。
さらに、第４図に示すように、金属フレーム５内を仕切
部５ｄで仕切って、複数の幅Ａを有する室５ｅを形成し
、各室内にそれぞれ異なるマイクロ波回路を構成するよ
うにしてもよい。
部５ｄで仕切って、複数の幅Ａを有する室５ｅを形成し
、各室内にそれぞれ異なるマイクロ波回路を構成するよ
うにしてもよい。
以上のようにこの発明によれば、内部にマイクロ波回路
部が構成される金属ケースと誘電体基板と金属ケースと
を一体的に共締めするように構成したので、従来の不安
定な接地が解消され、充分に安定な接地が確実に得られ
るので、例えば１２ＧＨｚ以上の従来より高い周波数を
扱うことができる効果が得られる。
部が構成される金属ケースと誘電体基板と金属ケースと
を一体的に共締めするように構成したので、従来の不安
定な接地が解消され、充分に安定な接地が確実に得られ
るので、例えば１２ＧＨｚ以上の従来より高い周波数を
扱うことができる効果が得られる。
第１図はこの発明の一実施例によるマイクロ波回路装置
を示す分解斜視図、第２図は同装置の断面正面図、第３
図は同装置の要部の斜視図、第４図はこの発明の他の実
施例によるマイクロ波回路装置の要部を示す分解斜視図
、第５図は従来のマイクロ波回路装置を示す斜視図、第
６図は同装置の断面正面図、第７図は同装置の要部の斜
視図である。 １は接地ランド、４．１６ｄはフレーム取付孔、５は金
属フレーム、５ａは取付孔、７はネジ、１１は誘電体基
板、１２は接地導体、１７はマイクロ波増幅器。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
を示す分解斜視図、第２図は同装置の断面正面図、第３
図は同装置の要部の斜視図、第４図はこの発明の他の実
施例によるマイクロ波回路装置の要部を示す分解斜視図
、第５図は従来のマイクロ波回路装置を示す斜視図、第
６図は同装置の断面正面図、第７図は同装置の要部の斜
視図である。 １は接地ランド、４．１６ｄはフレーム取付孔、５は金
属フレーム、５ａは取付孔、７はネジ、１１は誘電体基
板、１２は接地導体、１７はマイクロ波増幅器。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 金属ケースの底部に設けられ上記底部側の面にこの面
と接する接地導体が設けられると共に上記面と反対側の
面にマイクロ波回路部が構成された誘電体基板と、上記
誘電体基板の上記マイクロ波回路部の周囲に設けられ上
記接地導体と接続される接地ランドと、上記接地ランド
上に取付けられる金属フレームと、上記金属ケース、誘
電体基板及び金属フレームを一体的に共締めするネジ締
め手段とを備えたマイクロ波回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2206000A JPH0760952B2 (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | マイクロ波回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2206000A JPH0760952B2 (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | マイクロ波回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0496295A true JPH0496295A (ja) | 1992-03-27 |
| JPH0760952B2 JPH0760952B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=16516250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2206000A Expired - Fee Related JPH0760952B2 (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | マイクロ波回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760952B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2012191122A (ja) * | 2011-03-14 | 2012-10-04 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波モジュール |
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| CN102970853A (zh) * | 2011-09-01 | 2013-03-13 | 现代自动车株式会社 | 电磁波屏蔽箱 |
| JP2013084718A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Toshiba Corp | 高周波増幅器 |
| CN103857267A (zh) * | 2012-11-30 | 2014-06-11 | 京瓷办公信息系统株式会社 | 电子设备的屏蔽结构 |
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| JPS6134783U (ja) * | 1984-08-03 | 1986-03-03 | 株式会社東芝 | 高周波用発熱電子部品の取付構造 |
-
1990
- 1990-08-03 JP JP2206000A patent/JPH0760952B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| CN106612610A (zh) * | 2016-12-05 | 2017-05-03 | 上海阿莱德实业股份有限公司 | 一种电路的屏蔽结构 |
| CN106612610B (zh) * | 2016-12-05 | 2019-05-07 | 上海阿莱德实业股份有限公司 | 一种电路的屏蔽结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0760952B2 (ja) | 1995-06-28 |
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