JPH0760952B2 - マイクロ波回路装置 - Google Patents
マイクロ波回路装置Info
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- JPH0760952B2 JPH0760952B2 JP2206000A JP20600090A JPH0760952B2 JP H0760952 B2 JPH0760952 B2 JP H0760952B2 JP 2206000 A JP2206000 A JP 2206000A JP 20600090 A JP20600090 A JP 20600090A JP H0760952 B2 JPH0760952 B2 JP H0760952B2
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- microwave circuit
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- microwave
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
- H01L2924/1616—Cavity shape
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Waveguides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は金属ケース内にマイクロ波回路部が構成され
たマイクロ波回路装置に関するものである。
たマイクロ波回路装置に関するものである。
第５図及び第６図は、例えば特開昭59−182611号公報に
示された従来のマイクロ波増幅器としてのマイクロ波回
路装置を示す斜視図及び断面正面図であり、図におい
て、16は金属ケースであり、両側壁16a、天板16b及び底
部16cにより構成されている。11は底部16cに設けられた
誘電体基板、12は誘電体基板11の底部16c側の下面に設
けられた接地導体、13は誘電体基板11の上面に形成され
たストリップ線路、14はストリップ線路13に設けられた
半導体素子、17はマイクロ波回路部であり、この例では
ストリップ線路13と半導体素子14とによりマイクロ波増
幅器17が構成されている。18はマイクロ波増幅器17の出
力コネクタである。
示された従来のマイクロ波増幅器としてのマイクロ波回
路装置を示す斜視図及び断面正面図であり、図におい
て、16は金属ケースであり、両側壁16a、天板16b及び底
部16cにより構成されている。11は底部16cに設けられた
誘電体基板、12は誘電体基板11の底部16c側の下面に設
けられた接地導体、13は誘電体基板11の上面に形成され
たストリップ線路、14はストリップ線路13に設けられた
半導体素子、17はマイクロ波回路部であり、この例では
ストリップ線路13と半導体素子14とによりマイクロ波増
幅器17が構成されている。18はマイクロ波増幅器17の出
力コネクタである。
15はマイクロ波増幅器17のバイアス用線路、25はバイア
ス用線路15に接続された可変抵抗器、23は接地ランド、
24はバイアス用線路15と接地ランド23とに両端が接続さ
れたバイパスコンデンサ、26は他の回路部であり、この
例ではバイアス用線路15、可変抵抗器25、接地ランド2
3、バイパスコンデンサ24によりバイアス回路26が構成
されている。19はバイアス回路26の電源供給端子であ
る。
ス用線路15に接続された可変抵抗器、23は接地ランド、
24はバイアス用線路15と接地ランド23とに両端が接続さ
れたバイパスコンデンサ、26は他の回路部であり、この
例ではバイアス用線路15、可変抵抗器25、接地ランド2
3、バイパスコンデンサ24によりバイアス回路26が構成
されている。19はバイアス回路26の電源供給端子であ
る。
20はマイクロ波増幅器17とバイアス回路26との間に設け
られた金属シールド板であり、図示のように、誘電体基
板11を貫通して接地導体12と接続されている。21はバイ
アス用線路15をマイクロ波増幅器17側に通してストリッ
プ線路13と接続させるための金属シールド板20に設けら
れた線路孔、22は２つの線路孔21の間に形成される足部
で、接地ランド23が接続されている。なお、金属シール
ド板20とマイクロ波増幅器17側の側壁16aとの間隔Ｂ
は、マイクロ波増幅器17が扱う周波数帯域における自由
空間波長の1/2より小さく選定されている。
られた金属シールド板であり、図示のように、誘電体基
板11を貫通して接地導体12と接続されている。21はバイ
アス用線路15をマイクロ波増幅器17側に通してストリッ
プ線路13と接続させるための金属シールド板20に設けら
れた線路孔、22は２つの線路孔21の間に形成される足部
で、接地ランド23が接続されている。なお、金属シール
ド板20とマイクロ波増幅器17側の側壁16aとの間隔Ｂ
は、マイクロ波増幅器17が扱う周波数帯域における自由
空間波長の1/2より小さく選定されている。
次に動作について説明する。
マイクロ波増幅器17において、マイクロ波信号はストリ
ップ線路13と接地導体12との間の誘電体基板11を伝播
し、半導体素子14で増幅されて出力コネクタ18より出力
される。このようなストリップモードによる信号伝播の
他に、ストリップ線路13から空間に放射される電磁波に
よる導波管モードによる信号伝播が発生する。導波管モ
ードは金属ケース16のマイクロ波増幅器17側の部分と金
属シールド板20とにより囲まれる空間が、ストリップ線
路13の延長方向に延びる導波管として作用することから
発生する。このような導波管モードは、マイクロ波増幅
器17の入出力間の結合を生じさせ、増幅器の周波数特性
を悪化させたり、このマイクロ波増幅器17を使用する受
信機等の機器に好ましくない影響を与える。
ップ線路13と接地導体12との間の誘電体基板11を伝播
し、半導体素子14で増幅されて出力コネクタ18より出力
される。このようなストリップモードによる信号伝播の
他に、ストリップ線路13から空間に放射される電磁波に
よる導波管モードによる信号伝播が発生する。導波管モ
ードは金属ケース16のマイクロ波増幅器17側の部分と金
属シールド板20とにより囲まれる空間が、ストリップ線
路13の延長方向に延びる導波管として作用することから
発生する。このような導波管モードは、マイクロ波増幅
器17の入出力間の結合を生じさせ、増幅器の周波数特性
を悪化させたり、このマイクロ波増幅器17を使用する受
信機等の機器に好ましくない影響を与える。
この導波管モードの発生を防止するために、一般に、導
波管の幅が自由空間波長の1/2となるような周波数より
低い周波数の電磁波はこの導波管を通過できないという
導波管のカットオフ現象が利用される。このためにこの
従来例では、導波管の幅となる金属ケース16の側壁16a
と金属シールド板20との間隔をＢに選定している。
波管の幅が自由空間波長の1/2となるような周波数より
低い周波数の電磁波はこの導波管を通過できないという
導波管のカットオフ現象が利用される。このためにこの
従来例では、導波管の幅となる金属ケース16の側壁16a
と金属シールド板20との間隔をＢに選定している。
なお、バイアス回路26においては、電源供給端子19から
供給された電源電圧を可変抵抗器25で調整した電圧を、
バイアス電圧としてマイクロ波増幅器17の半導体素子14
に供給する。また、バイパスコンデンサ24は低減の信号
成分をバイパスして半導体素子14の利得を抑圧する。バ
イパスコンデンサ24は接地ランド23、足部22及び接地導
体12を通じて最短距離でバイパスを行う。
供給された電源電圧を可変抵抗器25で調整した電圧を、
バイアス電圧としてマイクロ波増幅器17の半導体素子14
に供給する。また、バイパスコンデンサ24は低減の信号
成分をバイパスして半導体素子14の利得を抑圧する。バ
イパスコンデンサ24は接地ランド23、足部22及び接地導
体12を通じて最短距離でバイパスを行う。
従来のマイクロ波回路装置は以上のように構成されてい
るので、扱う周波数を高くする場合は、誘電体基板11の
下面の接地導体12が金属ケース16に確実に接地されてい
ないと、増幅器の動作が不安定となり、異常発振を起こ
す危険性がある。このために例えば、誘電体基板11を金
属ケース16に金属ネジにより固定し、この金属ネジを介
して接地を行う場合は、金属シールド板20を誘電体基板
11上に立てているため、金属ネジで締め付ける位置が制
限され、このため金属ネジによるマイクロ波に対する接
地が不安定になる。
るので、扱う周波数を高くする場合は、誘電体基板11の
下面の接地導体12が金属ケース16に確実に接地されてい
ないと、増幅器の動作が不安定となり、異常発振を起こ
す危険性がある。このために例えば、誘電体基板11を金
属ケース16に金属ネジにより固定し、この金属ネジを介
して接地を行う場合は、金属シールド板20を誘電体基板
11上に立てているため、金属ネジで締め付ける位置が制
限され、このため金属ネジによるマイクロ波に対する接
地が不安定になる。
また誘電体基板11に金属シールド板20を取付ける場合、
実際には例えば第７図に示すように、金属シールド板20
の先端部を誘電体基板11の下面側から突出させ、この突
出部20aと接地導体12とをハンダ付け27することにより
取付ける。この突出部20aがあるため、接地導体12の金
属ケース16への接地が困難となる。また、誘電体基板11
に略同一寸法の金属シールド板20をハンダ付け27してい
るため、使用温度範囲が広い場合は、材料の持つ線膨張
率の差異によって誘電体基板11が歪んで、マイクロ波に
対する接地が不安定になり易い。
実際には例えば第７図に示すように、金属シールド板20
の先端部を誘電体基板11の下面側から突出させ、この突
出部20aと接地導体12とをハンダ付け27することにより
取付ける。この突出部20aがあるため、接地導体12の金
属ケース16への接地が困難となる。また、誘電体基板11
に略同一寸法の金属シールド板20をハンダ付け27してい
るため、使用温度範囲が広い場合は、材料の持つ線膨張
率の差異によって誘電体基板11が歪んで、マイクロ波に
対する接地が不安定になり易い。
以上のように、従来のマイクロ波回路装置は、接地導体
12と金属ケース16との接続を充分に行うことが困難であ
ったため、接地導体12と金属ケース16との接続面には動
作周波数に比例して絶対値が大きくなるリアクタンスが
存在していた。したがって、例えば12GHz以上の周波数
に対する接地が不安定になり易く、このような高い周波
数での使用を困難にしている等の課題があった。
12と金属ケース16との接続を充分に行うことが困難であ
ったため、接地導体12と金属ケース16との接続面には動
作周波数に比例して絶対値が大きくなるリアクタンスが
存在していた。したがって、例えば12GHz以上の周波数
に対する接地が不安定になり易く、このような高い周波
数での使用を困難にしている等の課題があった。
この発明は上記のような課題を解消するためになされた
もので、高い周波数に対しても、確実な接地を行うこと
ができるマイクロ波回路装置を得ることを目的としてい
る。
もので、高い周波数に対しても、確実な接地を行うこと
ができるマイクロ波回路装置を得ることを目的としてい
る。
この発明に係るマイクロ波回路装置は、誘電体基板の上
面にマイクロ波回路部を囲み、マイクロ波回路部から発
生する導波管モードによるマイクロ波を制限する両側壁
部を有する金属フレームを設け、ネジ締め手段により金
属フレームと誘電体基板とを金属ケースに一体的に共締
めする構造としたものである。
面にマイクロ波回路部を囲み、マイクロ波回路部から発
生する導波管モードによるマイクロ波を制限する両側壁
部を有する金属フレームを設け、ネジ締め手段により金
属フレームと誘電体基板とを金属ケースに一体的に共締
めする構造としたものである。
この発明におけるマイクロ波回路装置は、誘電体基板の
上面にマイクロ波回路部を囲み、マイクロ波回路部から
発生する導波管モードによるマイクロ波を制限する両側
壁部を有する金属フレームを設け、ネジ締め手段により
金属フレームと誘電体基板とを金属ケースに一体的に共
締めにすることにより、誘電体基板の接地が高い周波数
に対しても充分に行われる。
上面にマイクロ波回路部を囲み、マイクロ波回路部から
発生する導波管モードによるマイクロ波を制限する両側
壁部を有する金属フレームを設け、ネジ締め手段により
金属フレームと誘電体基板とを金属ケースに一体的に共
締めにすることにより、誘電体基板の接地が高い周波数
に対しても充分に行われる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
〜３図においては、第５図及び第６図と同一部分には同
一符号を付して説明を省略する。
〜３図においては、第５図及び第６図と同一部分には同
一符号を付して説明を省略する。
第１〜３図において、１は誘電体基板11上のマイクロ波
増幅器17の周囲に設けられた接地ランド、２は接地ラン
ド１に設けられたスルーホールであり、下面の接地導体
12と接地ランド１とを電気的に接続する。４は接地ラン
ド１に設けられたフレーム取付孔である。５は接地ラン
ド１上に取付けられる金属フレームであり、上記フレー
ム取付孔４と対応する取付孔5aとフタ取付孔5bとバイア
ス回路26のバイアス用線路15を通す線路孔5cとが設けら
れ、また両側壁間の幅Ａを有している。この幅Ａとは導
波管モードによるマイクロ波を制限するのに必要な寸法
であり、動作周波数に応じてこの幅Ａを設定するもので
ある。３は金属フレーム５の上部を被覆するフタであ
り、上記フタ取付孔5bと対応する取付孔3aが設けられて
いる。７は金属フレーム５の取付用のネジ、６はフタ３
の取付用のネジである。16dは金属ケース16に設けられ
たフレーム取付孔である。なお、ネジ７、取付孔5a、フ
レーム取付孔4,16d等によりネジ締め手段が構成されて
いる。
増幅器17の周囲に設けられた接地ランド、２は接地ラン
ド１に設けられたスルーホールであり、下面の接地導体
12と接地ランド１とを電気的に接続する。４は接地ラン
ド１に設けられたフレーム取付孔である。５は接地ラン
ド１上に取付けられる金属フレームであり、上記フレー
ム取付孔４と対応する取付孔5aとフタ取付孔5bとバイア
ス回路26のバイアス用線路15を通す線路孔5cとが設けら
れ、また両側壁間の幅Ａを有している。この幅Ａとは導
波管モードによるマイクロ波を制限するのに必要な寸法
であり、動作周波数に応じてこの幅Ａを設定するもので
ある。３は金属フレーム５の上部を被覆するフタであ
り、上記フタ取付孔5bと対応する取付孔3aが設けられて
いる。７は金属フレーム５の取付用のネジ、６はフタ３
の取付用のネジである。16dは金属ケース16に設けられ
たフレーム取付孔である。なお、ネジ７、取付孔5a、フ
レーム取付孔4,16d等によりネジ締め手段が構成されて
いる。
次に動作について説明する。
金属フレーム５は接地ランド１上に載置され、金属ネジ
７を取付孔5a、フレーム取付孔4a,16dにネジ込むことに
より、第２図のように取付固定される。これによって、
金属フレーム５、誘電体基板11、接地導体12及び金属ケ
ース16が共締めされて強固に一体化される。従って、接
地導体12と金属ケース16とは強固に圧接されて充分に安
定な接地状態が得られる。また、金属フレーム５は接地
ランド１、スルーホール２及び接地導体12を介して金属
ケース16に接地される。さらに金属フレーム５にはフタ
３が被せられ、取付孔3a及びフタ取付孔5bにネジ６をネ
ジ込むことにより固定される。
７を取付孔5a、フレーム取付孔4a,16dにネジ込むことに
より、第２図のように取付固定される。これによって、
金属フレーム５、誘電体基板11、接地導体12及び金属ケ
ース16が共締めされて強固に一体化される。従って、接
地導体12と金属ケース16とは強固に圧接されて充分に安
定な接地状態が得られる。また、金属フレーム５は接地
ランド１、スルーホール２及び接地導体12を介して金属
ケース16に接地される。さらに金属フレーム５にはフタ
３が被せられ、取付孔3a及びフタ取付孔5bにネジ６をネ
ジ込むことにより固定される。
以上によれば、マイクロ波増幅器17をシールドしている
金属フレーム５の内壁間の幅Ａを導波管モードによるマ
イクロ波を制限するのに必要な寸法にしたため、この幅
Ａで決まるカットオフ周波数以下の有害な信号伝搬は生
じない。
金属フレーム５の内壁間の幅Ａを導波管モードによるマ
イクロ波を制限するのに必要な寸法にしたため、この幅
Ａで決まるカットオフ周波数以下の有害な信号伝搬は生
じない。
また、固定用のネジ７の締付け方向を考えると、誘電体
基板11と金属フレーム５とは、熱膨張する方向におい
て、滑り易い方向となり、温度変化による熱ストレスも
逃げ易い構造となっている。これにより、誘電体基板11
が歪んで、接地が損なわれることが防止される。
基板11と金属フレーム５とは、熱膨張する方向におい
て、滑り易い方向となり、温度変化による熱ストレスも
逃げ易い構造となっている。これにより、誘電体基板11
が歪んで、接地が損なわれることが防止される。
なお、上記実施例では金属フレーム５の中に構成される
マイクロ波回路部として、マイクロ波増幅器17を構成し
た場合を示したが、この他にバンドパスフィルタやミキ
サ等、各種のマイクロ波回路を構成してもよい。
マイクロ波回路部として、マイクロ波増幅器17を構成し
た場合を示したが、この他にバンドパスフィルタやミキ
サ等、各種のマイクロ波回路を構成してもよい。
さらに、第４図に示すように、金属フレーム５内を仕切
部5dで仕切って、複数の幅Ａを有する室5eを形成し、各
室内にそれぞれ異なるマイクロ波回路を構成するように
してもよい。
部5dで仕切って、複数の幅Ａを有する室5eを形成し、各
室内にそれぞれ異なるマイクロ波回路を構成するように
してもよい。
以上のようにこの発明によれば、内部にマイクロ波回路
部が構成される金属フレームの両側壁部の幅をマイクロ
波回路部から発生するマイクロ波を制限するように設定
するとともに、この金属フレームと誘電体基板と金属ケ
ースとを一体的に共締めするように構成したので、従来
の不安定な接地が解消され、充分に安定な接地が確実に
得られるので、例えば12GHz以上の従来より高い周波数
を扱うことができる効果が得られる。
部が構成される金属フレームの両側壁部の幅をマイクロ
波回路部から発生するマイクロ波を制限するように設定
するとともに、この金属フレームと誘電体基板と金属ケ
ースとを一体的に共締めするように構成したので、従来
の不安定な接地が解消され、充分に安定な接地が確実に
得られるので、例えば12GHz以上の従来より高い周波数
を扱うことができる効果が得られる。
第１図はこの発明の一実施例によるマイクロ波回路装置
を示す分解斜視図、第２図は同装置の断面正面図、第３
図は同装置の要部の斜視図、第４図はこの発明の他の実
施例によるマイクロ波回路装置の要部を示す分解斜視
図、第５図は従来のマイクロ波回路装置を示す斜視図、
第６図は同装置の断面正面図、第７図は同装置の要部の
斜視図である。 １は接地ランド、4,16dはフレーム取付孔、５は金属フ
レーム、5aは取付孔、７はネジ、11は誘電体基板、12は
接地導体、17はマイクロ波増幅器。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
を示す分解斜視図、第２図は同装置の断面正面図、第３
図は同装置の要部の斜視図、第４図はこの発明の他の実
施例によるマイクロ波回路装置の要部を示す分解斜視
図、第５図は従来のマイクロ波回路装置を示す斜視図、
第６図は同装置の断面正面図、第７図は同装置の要部の
斜視図である。 １は接地ランド、4,16dはフレーム取付孔、５は金属フ
レーム、5aは取付孔、７はネジ、11は誘電体基板、12は
接地導体、17はマイクロ波増幅器。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】金属ケースの底部に設けられ上記底部側の
面にこの面と接する接地導体が設けられると共に、この
面と反対側の面にマイクロ波回路部が構成された誘電体
基板と、この誘電体基板の上記マイクロ波回路部の周囲
に設けられ、スルーホールを介して上記接地導体と接続
される接地ランドと、上記マイクロ波回路部を囲み、上
記マイクロ波回路部から発生する導波管モードによるマ
イクロ波を制限する両側壁部を設けるとともに、上記接
地ランド上に取付けられる金属フレームと、この金属ケ
ース、上記誘電体基板及び上記金属フレームとを一体的
に共締めするネジ締め手段とを備えたマイクロ波回路装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2206000A JPH0760952B2 (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | マイクロ波回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2206000A JPH0760952B2 (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | マイクロ波回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0496295A JPH0496295A (ja) | 1992-03-27 |
| JPH0760952B2 true JPH0760952B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=16516250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2206000A Expired - Fee Related JPH0760952B2 (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | マイクロ波回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760952B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0669668A (ja) * | 1992-08-13 | 1994-03-11 | Nec Corp | 印刷配線板実装方式 |
| JPH07240592A (ja) * | 1994-03-02 | 1995-09-12 | Nec Corp | 高周波増幅器 |
| JP4507619B2 (ja) * | 2004-02-09 | 2010-07-21 | 三菱電機株式会社 | 高周波モジュール |
| JP6138410B2 (ja) * | 2011-03-14 | 2017-05-31 | 三菱電機株式会社 | 高周波モジュール |
| JP5677146B2 (ja) * | 2011-03-14 | 2015-02-25 | 三菱電機株式会社 | マイクロ波回路 |
| JP2012238651A (ja) * | 2011-05-10 | 2012-12-06 | Ikegami Tsushinki Co Ltd | Ｆｐｕ用筐体放熱構造 |
| KR20130025118A (ko) * | 2011-09-01 | 2013-03-11 | 현대자동차주식회사 | 전자파 차단 케이스 |
| JP5818624B2 (ja) * | 2011-10-07 | 2015-11-18 | 株式会社東芝 | 高周波増幅器 |
| JP5723861B2 (ja) * | 2012-11-30 | 2015-05-27 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 電子機器のシールド構造 |
| JP6400108B2 (ja) * | 2014-08-26 | 2018-10-03 | 三菱電機株式会社 | 高周波モジュール |
| CN106612610B (zh) * | 2016-12-05 | 2019-05-07 | 上海阿莱德实业股份有限公司 | 一种电路的屏蔽结构 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6134783U (ja) * | 1984-08-03 | 1986-03-03 | 株式会社東芝 | 高周波用発熱電子部品の取付構造 |
-
1990
- 1990-08-03 JP JP2206000A patent/JPH0760952B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0496295A (ja) | 1992-03-27 |
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