JPH07263887A

JPH07263887A - マイクロ波回路装置

Info

Publication number: JPH07263887A
Application number: JP4899194A
Authority: JP
Inventors: Masanori Iwatsuki; 政典岩附
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1994-03-18
Filing date: 1994-03-18
Publication date: 1995-10-13

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、マイクロ波帯無線回路装置に係り、
特に、増幅器、発振器、周波数変換器など様々な回路コ
ンポーネントの組み合わせ全体をマイクロストリップラ
インによる分布定数回路で構成するマイクロ波回路の装
置に関し、回路動作の安定さを保持しつつ、その制作過
程における費用と時間を節約したマイクロ波回路装置を
実現することを目的とする。【構成】マイクロ波回路を構成する複数の回路ブロッ
クを、ブロック毎にシールドキャップ４にてシールド
し、各回路ブロックの入出力端に、前記誘電体基板の主
表面から金属板５の裏面にかけて貫通するスルーホール
３ａを形成し、該スルーホール３ａの内部に、同軸伝送
路を有し、該同軸伝送路の主表面側の入出力端と、回路
ブロックの入出力端とを電気的に接続する同軸伝送路接
続部を有し、回路ブロックの入力端に接続される同軸伝
送路と、他の回路ブロックの出力端に接続される同軸伝
送路とを、裏面側にて、接続部材１３を介して接続する
構成を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波帯無線回路装
置に係り、増幅器、発振器、周波数変換器など様々な回
路コンポーネントの組み合わせ全体をマイクロストリッ
プラインによる分布定数回路で構成するマイクロ波回路
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】マイクロ波回路における、増幅器、発振
器、周波数変換器など様々な回路コンポーネントを有す
る回路は、通常マイクロストリップラインによる分布定
数回路により構成されている。このマイクロ波回路装置
の構成を図１１を使用して説明する。

【０００３】図１１は従来のマイクロ波回路装置の構成
を示す図である。図において、３１はアルミを切削加工
した筺体、３２は筺体内に実装されている誘電体基板、
３３は高周波信号の入出力コネクタをそれぞれ示してい
る。また、図示はしすていないが誘電体基板３２にはマ
イクロストリップラインによる分布定数回路が構成され
ている。また、筺体３１は図示しない板状の蓋をネジ止
めして取り付け、シールドを行っている。

【０００４】このマイクロ波回路においては、各回路間
において不要な結合を生じさせないものについては同一
空間内に実装しても問題ないが、不要な結合が大きな場
合には、各回路から空間に出力される不要波が他の回路
へ影響を与えないよう、各回路が別空間となるよう実装
される。この構成においても、回路ブロック間における
接続部を、伝搬する不要波が存在し、これにより回路ブ
ロック間の不要な結合を生じさせる。

【０００５】これについては、筺体３１における回路ブ
ロック間の接続部の幅Ｗを高周波信号の波長の１／２以
下とすることにより、導波管モードによる電波の伝搬を
抑え、回路間の不要な結合を防ぐ効果が得られる。これ
は回路の安定動作を得るための有効な手段である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
マイクロ波回路の構造は図１１のように、筺体の形状が
複雑であり、それに応じて筺体内に実装される誘電体基
板２２の構造も複雑なものとなるため、その加工が複雑
なものとなり、制作に要する時間的、金銭的な労力が大
きなものとなってしまう。

【０００７】また、理想的には、回路ブロック毎にそれ
ぞれ別空間に実装することが望ましいが、筺体加工工程
等の問題から、ある程度の単位でしか分割を行うことが
できない。そのため、回路間の不要な結合の小さなもの
については同一空間内に実装せざるをえなくなる。必然
的に、この同一空間内には回路ブロック間に不要波の伝
搬が生じてしまう。これを除去するために、電波吸収体
を用いる必要がある。この電波吸収体は制作費用よりは
むしろ制作時間が問題となる。即ち、電波吸収体は、回
路ブロックにおいて最も効果的な設置箇所が一義的に求
められるものではなく、試行錯誤的に求められるもので
あるため、これを設置する際に係る時間としては大きな
ものとなっている。

【０００８】更に、回路ブロック間の不要な結合を抑え
る構造としては、回路ブロック毎にシールドキャップに
てシールドする構成も存在するが、この場合は回路ブロ
ック間の高周波の伝送路を確保するためシールドキャッ
プの端を高周波伝送路の為に開放する構成となってお
り、シールドキャップの加工が複雑なものとなってしま
う。

【０００９】そこで、本発明は、回路動作の安定さを保
持しつつ、その制作過程における費用と時間の節約が可
能なマイクロ波回路装置を実現することを目的としてい
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本願発明は前記目的を達
成するため、マイクロストリップライン２２が形成され
た誘電体基板１にマイクロ波回路を構成したマイクロ波
回路装置において、マイクロ波回路を構成する複数の回
路ブロックを、ブロック毎にシールドするシールドキャ
ップ４と、マイクロストリッスライン２２の接地導体面
に固着される金属板５と、各回路ブロックの入出力端
に、誘電体基板１の主表面から金属板５の裏面にかけて
貫通するスルーホール３ａ，３ａ’と、該スルーホール
３ａ，３ａ’の内部に形成される同軸伝送路６，７ａ
と、該同軸伝送路の主表面側の入出力端と前記回路ブロ
ックの入出力端とを電気的に接続する同軸伝送路接続部
３ａ’、７ａとを有し、回路ブロックの入力端に接続さ
れる同軸伝送路と、他の回路ブロックの出力端に接続さ
れる同軸伝送路とを、前記誘電体基板の裏面側にて、接
続部材１３を介して接続する構成を有する。

【００１１】また、同軸伝送路６，７ａは、スルーホー
ル３ａ，３ｂ’内に同軸状のスリーブ６と、該スリーブ
６の軸の部分に、凹形状の空洞を内部に形成された導体
ピン７ａとを有し、接続部１３は、接続部用マイクロス
トリップライン２３が形成された接続部用誘電体基板８
の主表面から裏面にかけて貫通する接続部用スルーホー
ル３ｂ，３ｂ’が形成され、該接続部用スルーホールの
内部に同軸状の接続部用スリーブ１０と、該接続部用ス
リーブの軸の部分に形成され、前記導体ピンの凹形状の
空洞に嵌合される凸形状の突出部を有する接続部用導体
ピン７ｂとからなる接続部用同軸伝送路と、該接続部用
同軸伝送路の主表面の入出力端と接続部用マイクロスト
リップライン２３とを電気的に接続する同軸伝送路接続
部とを有し構成される。

【００１２】シールドキャップ４の寸法が、使用する周
波数の信号の導波管伝送モードに対し、該周波数信号の
波長の１／２以下とする制限を具備する構成を有する。
また、シールドキャップ４の内側に、該シールドキャッ
プ４によってシールドされ回路ブロックにバイアスを供
給するバイアス回路１８を実装するという構成をとる。

【００１３】更に、接続部１３の接続部用高周波信号用
線路２３をシールドキャップ１１にてシールドする構成
を有する。以上の構成により、上記課題を解決する。

【００１４】

【作用】請求項１の作用は、回路ブロック毎にそれぞれ
独立にシールドキャップ４によってシールドすることに
より回路ブロック間の導波管モードによる伝搬をを抑え
回路間の不要な結合を回避することができる。また、高
周波信号を誘電体基板１の裏面を介して接続部１３で接
続することにより、誘電体基板１の回路ブロック間の不
要な結合を回避することができる。また、各回路ブロッ
クの出力点での信号を測定したい場合に、容易に測定用
ケーブルが接続できる。更に、裏面に接続部を設けるこ
とから、誘電体基板１の面に回路ブロック間の高周波の
伝送路を設ける必要がなく、シールドキャップ４の構造
としても簡単なものとなることである。

【００１５】請求項２の作用は、凹形状の空洞が形成さ
れた導体ピン６ａと凸形状に突出した接続部用導体ピン
６ｂが嵌合接続される構成となることから、密着した接
続が可能となることである。また、スルーホール３ａ内
に同軸状のスリーブ６が実装されることから、金属板に
不要波の影響を与えることのない、安定的な動作が可能
となる。

【００１６】請求項３の作用は、シールドキャップ４の
幅を、導波管モードにて使用する周波数信号の波長の１
／２以下に制限されることにより、シールドキャップ内
の導波管モードによる高周波信号の伝搬を抑えることが
できることである。請求項４の作用は、シールドキャッ
プ４の上面にバイアス回路１８を接続することにより、
実装効率が上げられ、より一層の小型化を図ることが可
能となることである。

【００１７】請求項５の作用は、誘電体基板１のマイク
ロ波回路だけでなく、高周波接続部も接続部用シールド
キャップ１１によりシールドを行えば、より一層の回路
動作の安定化を図ることができる。

【００１８】

【実施例】本発明の実施例を図１を使用して説明する。
図において、１は誘電体基板、２はマイクロストリップ
ラインを含んで構成される増幅器等の回路、４はシール
ドキャップ、２０は半田付けによるマイクロストリップ
ライン２２と導体ピン７ａとの結合部をそれぞれ示して
いる。この結合部２０が回路ブロックの入出力端となっ
ている。

【００１９】マイクロストリップラインで構成される回
路２が、増幅回路部、発進器部等のように回路ブロック
毎に、ある程度の間隔をとりながら誘電体基板１の主表
面にて配置されている。また、各回路ブロックは、薄い
板金製のシールドキャップ４によりそれぞれ独立してシ
ールドされている。これにより、回路間の不要波の伝搬
を防ぐことができる。

【００２０】また、このシールドキャップ４の幅には、
使用する高周波信号の波長の１／２以下という制限があ
り、これによりシールドキャップ内の導波管モードによ
る高周波信号の伝搬を抑えることが可能となる。また、
この実施例における各回路ブロック間の高周波信号を接
続する高周波信号接続構造を図２を使用して説明する。

【００２１】図２は接続構造の一実施例である。図にお
いて、図１と同一番号を付してあるものは同一部材を示
す。また、３ａはスルーホール、３ｂは接続部用スルー
ホール、５は基板上の不要な電波が基板の裏面に伝搬す
ることを防ぐために用いられる金属板、６は同軸構造の
テフロンスリーブ、７ａは凹形状に空洞が形成された導
体ピン、７ｂは凸形状に突出した接続部用導体ピン、８
は接続部用誘電体基板、９は高周波信号接続部の基板上
の不要な電波が、基板の裏面に伝搬することを防ぐため
に用いられる接続部用金属板、１０は接続部用同軸構造
のテフロンスリーブ、１１は接続部用シールドキャッ
プ、２１は半田付けによる接続部用マイクロストリップ
ライン２３と接続部用導体ピン７ｂの結合部、２２はマ
イクロストリップライン、２３は接続部用マイクロスト
リップラインをそれぞれ示している。また、導体ピン７
ａと接続部用導体ピン７ｂはそれぞれ雄、雌の関係とな
っている。

【００２２】この接続部用導体ピン７ｂを、誘電体基板
１側の導体ピン７ａに接合させることにより、高周波信
号接続部１３の接続がなされる。これにより、分離され
た回路ブロック間の高周波信号の伝送路の確保がなされ
る。更に、導体ピン７ａ、接続部用導体ピン７ｂが接合
されたことにより、高周波的に結合部２１はストリップ
ライン同軸線路変換器の役割を果たす。逆に、接続部用
結合部２２は同軸線路ストリップライン変換器の役割を
果たしている。

【００２３】誘電体基板１の１つの回路ブロックにおけ
るマイクロストリップライン２２から出力される高周波
信号は、高周波信号入出力用スルーホール３ａ内に実装
される同軸構造のテフロンスリーブ６と、導体ピン７ａ
により構成される同軸伝送路によって誘電体基板１の裏
側に導かれる。但し、このマイクロストリップライン２
２と導体ピン７ａとは、結合部２０により接続されてい
る。また、金属板５は、高周波信号接続部１３のＶＳＷ
Ｒの値がある程度大きくなっても問題のない場合、ある
いはそのインピーダンス特性の悪化を前後の回路パター
ンで補正できるような場合については設ける必要がない
ものである。

【００２４】また、結合部２０の構成を斜視図に示した
ものが、図２である。図３はスルーホール３ａ、３ａ’
の構成を示す図である。図において、図２と同一符号を
付してあるものは同一部材を示す。３ａは金属板のスル
ーホールを示し、３ａ’は誘電体基板側のスルーホール
を示す。誘電体基板１と、金属板５に円柱状のスルーホ
ール３ａを設け、そのスルーホール３ａに対して同軸状
のテフロンスリーブ６を実装し、更に同軸部において導
体ピン７ａを実装する。導体ピンの凹形状の空洞の逆側
先端部７ａ’は同軸伝送路接続部の役割を果たすもので
あり、前記スルーホール３ａ’に嵌合されるとともに、
先端がマイクロストリップラインを貫通し、半田により
固定される。つまり、同軸伝送路接続部とは、同軸伝送
路の主表面側の入出力端となる導体ピン７ａの先端と、
マイクロストリップライン２２を電気的に接続するもの
である。また、金属板５は、高周波信号接続部１３のＶ
ＳＷＲの値がある程度大きくなっても問題のない場合、
あるいはそのインピーダンス特性の悪化を前後の回路パ
ターンで補正できるような場合には設ける必要のないも
のである。

【００２５】以上の構成により各回路ブロックにおける
高周波信号は誘電体基板の裏側まで導かれるが、以下で
は各回路ブロック間を接続する構成について説明する。
各回路ブロック毎に誘電体基板１の裏面まで導かれた高
周波信号は図に示す高周波信号接続部１３によって接続
されている。この構成を斜視図に示したものが図４であ
る。

【００２６】この高周波信号接続部１３は、接続部用導
体ピン７ｂと接続部用誘電体基板８と金属板９から構成
されており、金属板９の上部に誘電体基板８が構成さ
れ、該誘電体基板８にはマイクロストリップライン２３
が設けられており、このマイクロストリップラインによ
り接続される高周波信号は、接続部用スルーホール３ｂ
内に実装される接続部用同軸構造のテフロンスリーブ１
０と、接続部用導体ピン７ｂにより構成される接続部用
同軸伝送路によって接続部用誘電体基板８の裏側に導か
れる。但し、この接続部用マイクロストリップライン２
３と接続部用導体ピン７ｂとは、接続部用結合部２１に
よって接続されている。接続部用導体ピン７ｂの凸形状
部の逆側先端部７ｂ’は接続部用同軸伝送路接続部の役
割を果たす。つまり、接続部用同軸伝送路接続部とは、
接続部用同軸伝送路の主表面側の入出力端となる導体ピ
ン７ｂの先端と、接続部用マイクロストリップライン２
３を電気的に接続するものである。導体ピン７ｂの先端
は誘電体基板のスルーホール３ｂ’に嵌合し、更にマイ
クロストリップラインを貫通して半田により固定され
る。また、接続部用金属板９は、高周波信号接続部１３
のＶＳＷＲ１３の値がある程度大きくなっても問題のな
い場合、あるいはそのインピーダンス特性の悪化を前後
の回路パターンで補正できるような場合には設ける必要
のないものである。

【００２７】また、導体ピン７ａはテフロンスリーブ６
における同軸部の内部に噛み合わされることで、高周波
信号の伝送路の確保がなされているが、この特性インピ
ーダンスを５０Ωに設定することにより高周波の伝送路
の整合性を保つことになり、接続部の電圧定在波比ＶＳ
ＷＲ（voltage standing wave ratio ）の値が低く抑え
られる。また、この５０Ωという値はテフロンの誘電率
と円柱の長径、導体ピンの長径を調節することで得られ
る。また、スリーブの材質としてテフロンを用いたが、
特性インピーダンスを５０Ωに保つものであるのなら
ば、その材質までは問われないものである。

【００２８】更に、高周波信号接続部１３を接続する際
には、導体ピン７ａ，接続部用導体ピン７ｂが噛み合う
ように接続がなされるが、この接続については図示はし
ていないが、所定の特性インピーダンスを５０Ωに保つ
ようネジ止め等により密着固定する。以上の構成により
高周波信号接続部１３の接続がなされる。

【００２９】また、この高周波信号接続部１３において
も接続部用シールドキャップ１１によって接続部用誘電
体基板８をシールドすることにより、シールドキャップ
の外側には高周波信号の伝送路が存在しないことにな
る。よって、回路ブロック間の不要な結合の回避がより
高い精度で行われることになる。更に、この高周波信号
接続部１３を使用して、回路ブロック内の実装密度を下
げることができる。

【００３０】図７は高周波信号接続部１３の他の実施例
である。図において、図２と同一符号を付してあるもの
は同一部材を示す。また、１２ａはアイソレーターを示
している。この高周波信号接続部１３では、接続部用誘
電体基板８にアイソレータ１２ａが実装されている。こ
のアイソレータ１２ａは接続部用誘電体基板８のネジ止
めにより実装される構成となっているが、これはアイソ
レーター１２ａの接地効果を得る為である。また、アイ
ソレーター１２ａとマイクロストリップライン２３の接
続は銅箔を接着することにより行う。以上の構成によ
り、回路ブロック内の実装密度を低く抑えることが可能
となり、更に回路ブロック間の電気的なアイソレーショ
ンをとることが容易になる。

【００３１】また、以上の様にアイソレーター等の部材
を高周波信号接続部１３に実装することにより、回路ブ
ロック内の実装密度を低く抑えることができる。図８は
高周波信号接続部１３の別の実施例である。図におい
て、図２と同一符号を付してあるものは同一部材を示
す。また、１２ｂは抵抗減衰器である。従来の抵抗減衰
器は増幅器と増幅器の間、あるいはミキサーと増幅器の
間に設置されているものであり、これはインターモジュ
レーション等を回避するよう、アンプの入力を低く抑え
る必要があるためである。同様に、抵抗減衰器を実装し
た高周波信号接続部１３は、増幅器の回路ブロックと増
幅器の回路ブロックの間の接続部や、ミキサーの回路ブ
ロックと増幅器のブロックの接続部等が使用の対象とな
る。

【００３２】抵抗減衰器１２ｂを接続部用誘電体基板８
に設けることにより、高周波信号のレベル調整が高周波
信号接続部１３において可能となる。このレベル調整
は、従来、回路ブロック上の増幅器等を調節することに
よりなされていたが、高周波信号接続部１３において調
整が可能となることで、回路ブロックのシールドキャッ
プを取り外す必要がなく、容易にレベル調整をすること
ができる。更に、ある程度のアイソレーションをとるこ
とが可能となる。

【００３３】また、高周波信号接続部１３の構成によ
り、任意の回路ブロックの出力信号を測定する際に、接
続部用ケーブルの接続・測定が、以下のような容易な構
成によりなされる。図７は接続部により垂直方向に導か
れた高周波信号を測定する際のケーブルの接続方法を示
す図である。図において、図２と同一符号を付してある
ものは同一部材を示す。また２５は接続部用ケーブル、
２６はネジをそれぞれ示している。

【００３４】接続部用ケーブル２５を接続する際には、
まずネジを外すことにより高周波信号接続部１３を取り
外す。次には導体ピン７ａの内部に、接続部用導体ピン
７ｂの先端部と同じ形状であるケーブルの接続端をはめ
込み、ネジ２６によって固定する。この接続部用ケーブ
ルが固定され次第、測定が可能となる。更に、これを斜
視図に示したものが図８である。図８と同一符号を付し
てあるものは同一部材を示す。また、２７は予め設けた
ネジ孔である。

【００３５】図のように、接続部用ケーブル２５を接続
するためにネジ止めする際には予めネジ孔を設けておく
と、接続部用ケーブル２５の接続が更に容易になる。以
上が高周波信号接続部１３の実装構造の一例を説明した
が、以下では、本発明の全体としての実装構造を図９を
使用して説明する。図９は本発明におけるマイクロ波回
路の実装の例の断面図を示す図である。図において、図
２と同一符号を付してあるものは同一部材を示す。ま
た、１４は蓋用金属板、１５は側板用金属板、１６は高
周波信号用コネクタをそれぞれ示している。

【００３６】この構成において、高周波信号接続部１３
のＶＳＷＲの値がある程度大きくなっても問題のない場
合、あるいはそのインピーダンス特性の悪化を前後の回
路パターンで補正できるような場合には、金属板５を省
略し、誘電体基板１の両面を使用するだけの構成とする
ことも可能である。更に、高周波信号接続部１３側の蓋
用金属板１５を省略することも可能である。

【００３７】また、複数の高周波信号接続部１３の間で
不要な電波の伝搬がある場合においては、高周波信号接
続部１３を接続部用シールドキャップ１１でシールドす
る。また、シールドキャップ４を用いて実装密度を上げ
ることもできる。図１０は本発明のバイアス供給回路の
一実施例である。図において、図２と同一符号を付して
あるものば同一部材を示し、１７はマイクロ波回路、１
８はバイアス回路、１９はバイアス用コネクタをそれぞ
れ示している。

【００３８】このシールドキャップ４の内側にバイアス
回路１８のように不要波を発生しない回路を実装し、誘
電体基板１に実装するマイクロ波回路１７と２層構造に
する。これにより、回路ブロックの実装密度を上昇させ
ることができる。更に、接続部用シールドキャップ１１
をシールドキャップ４と同様に２層構造とすることも可
能である。

【００３９】

【発明の効果】以上、本発明の構成によれば、回路間の
不要な結合を回避して回路動作の安定性を保持しつつ、
その制作過程における費用と時間を節約したマイクロ波
回路装置を実現することができる。また、回路ブロック
の出力点での信号をの測定が容易になり、誘電体基板１
の上面における高周波の伝送路を全てシールドキャップ
にてシールドすることが可能となり、高周波の出入口を
シールドキャップに設ける必要がなくシールドキャップ
を加工する際に複雑さは要求されない。

【００４０】更に、シールドキャップ４の内側にバイア
ス回路１８を接続することにより、回路ブロックの実装
密度を上げることができる。誘電体基板１と着脱が容易
な構成を有する高周波信号接続部１３を実現するこがで
きる。高周波接続部を接続部用シールドキャップ１１に
よりシールドを行うことで、より一層の回路動作の安定
化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す図である。

【図２】接続構造の一実施例を示す図である。

【図３】スルーホール３ａの実装構造の一実施例を示す
図である。

【図４】接続用スルーホール３ｂの実装構造の一実施例
を示す図である。

【図５】高周波信号接続部１３の一実施例を示す図であ
る。

【図６】高周波信号接続部１３の一実施例を示す図であ
る。

【図７】ケーブル接続構造の一実施例を示す図である。

【図８】ケーブル接続構造の一実施例を示す図である。

【図９】本発明におけるマイクロ波回路の実装の例を示
す図である。

【図１０】バイアス供給回路の一実施例を示す図であ
る。

【図１１】従来例を示す図である。

【符号の説明】

１誘電体基板２マイクロストリップラインで構成する増幅器等の
回路３ａスルーホール３ｂ接続部用スルーホール４シールドキャップ５金属板６同軸構造のテフロンスリーブ７ａ導体ピン７ｂ接続部用導体ピン８接続部用誘電体基板９接続部用金属板１０接続部用同軸構造のテフロンスリーブ１１接続部用のシールドキャップ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マイクロストリップライン（２２）が形
成された誘電体基板（１）にマイクロ波回路を構成した
マイクロ波回路装置において、マイクロ波回路を構成する複数の回路ブロックを、ブロ
ック毎にシールドするシールドキャップ（４）と、マイクロストリップラインの接地導体面に固着される金
属板（５）と、各回路ブロックの入出力端に、前記誘電体基板の主表面
から前記金属板の裏面にかけて貫通するスルーホール
（３ａ，３ａ’）と、該スルーホールの内部に形成される同軸伝送路（６，７
ａ）と、該同軸伝送路の前記主表面側の入出力端と前記回路ブロ
ックの入出力端とを電気的に接続する同軸伝送路接続部
（３ａ’、７ａ’）と、を有し、前記回路ブロックの入力端に接続される同軸伝送路と、
他の回路ブロックの出力端に接続される同軸伝送路と
を、前記誘電体基板の裏面側にて、接続部材（１３）を
介して接続することを特徴とするマイクロ波回路装置。
【請求項２】請求項１に記載のマイクロ波回路装置に
おいて、前記同軸伝送路は、前記スルーホール内に同軸状のスリーブ（６）と、該ス
リーブの軸の部分に、凹形状の空洞を内部に形成された
導体ピン（７ａ）とを有し、前記接続部は、接続部用マイクロストリップライン（２３）が形成され
た接続部用誘電体基板（８）と、該接続部用誘電体基板の主表面から裏面にかけて貫通す
る接続部用スルーホールの内部に、同軸状の接続部用ス
リーブ（１０）と、該接続部用スリーブの軸の部分に形
成され、前記導体ピンの凹形状の空洞に嵌合される凸形
状の突出部を有する接続部用導体ピン（７ｂ）とからな
る接続部用同軸伝送路と、該接続部用同軸伝送路の主表面の入出力端と前記マイク
ロストリップラインとを電気的に接続する同軸伝送路接
続部とを有し構成されることを特徴とするマイクロ波回
路装置。
【請求項３】請求項１に記載のマイクロ波回路装置に
おいて、前記シールドキャップの幅の寸法を、導波管伝送モードにて使用する周波数信号の波長の１／
２以下とすることを特徴とするマイクロ波回路装置。
【請求項４】請求項１に記載のマイクロ波回路装置に
おいて、前記シールドキャップの内側に、前記シールドキャップ
内の回路ブロックにバイアスを供給するバイアス回路
（１８）を形成することを特徴とするマイクロ波回路装
置。
【請求項５】請求項１にマイクロ波回路装置におい
て、前記接続部用高周波信号線路を接続部用シールドキャッ
プ（１１）にてシールドすることを特徴とするマイクロ
波回路装置。